JPH05136205A - ギヤングボンデイング方法および装置 - Google Patents
ギヤングボンデイング方法および装置Info
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- JPH05136205A JPH05136205A JP3298827A JP29882791A JPH05136205A JP H05136205 A JPH05136205 A JP H05136205A JP 3298827 A JP3298827 A JP 3298827A JP 29882791 A JP29882791 A JP 29882791A JP H05136205 A JPH05136205 A JP H05136205A
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- bonding
- gang
- semiconductor pellet
- surface electrodes
- leads
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボンディング時の加熱温度を必要以上に高く
することなく、信頼性の高いボンディング結果を得るこ
とが可能なギャングボンディング技術を提供する。 【構成】 半導体ペレット２が載置されるボンディング
ステージ１および当該ボンディングステージ１との間
で、半導体ペレット２の複数の表面電極２ａとテープキ
ャリア５の複数のリード６のリード内端部６ａとを重ね
合わせた状態で挟圧するボンディングツール４の各々
に、超音波発振器７および超音波発振器８をそれぞれ設
け、複数のリード内端部６ａと対応する複数の表面電極
２ａとを一括して接合するギャングボンディング時に、
ボンディング部位に超音波振動を印加する。
することなく、信頼性の高いボンディング結果を得るこ
とが可能なギャングボンディング技術を提供する。 【構成】 半導体ペレット２が載置されるボンディング
ステージ１および当該ボンディングステージ１との間
で、半導体ペレット２の複数の表面電極２ａとテープキ
ャリア５の複数のリード６のリード内端部６ａとを重ね
合わせた状態で挟圧するボンディングツール４の各々
に、超音波発振器７および超音波発振器８をそれぞれ設
け、複数のリード内端部６ａと対応する複数の表面電極
２ａとを一括して接合するギャングボンディング時に、
ボンディング部位に超音波振動を印加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ギャングボンディング
技術に関し、特に、テープキャリア方式のインナリード
ボンディング技術などに適用して有効な技術に関する。
技術に関し、特に、テープキャリア方式のインナリード
ボンディング技術などに適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体装置の組立工程におい
ては、株式会社工業調査会、昭和５６年１１月１０日発
行、「電子材料」１９８１年１１月号Ｐ１６３〜Ｐ１６
９、なとの文献に記載されているように、絶縁性のテー
プキャリアを用いるテープキャリア方式のギャングボン
ディング技術が知られている。
ては、株式会社工業調査会、昭和５６年１１月１０日発
行、「電子材料」１９８１年１１月号Ｐ１６３〜Ｐ１６
９、なとの文献に記載されているように、絶縁性のテー
プキャリアを用いるテープキャリア方式のギャングボン
ディング技術が知られている。
【０００３】すなわち、テープキャリアの長手方向に所
定のピッチで開設された透孔の各々の周囲に、内端部を
当該透孔内に突出させた状態で複数のリードを固定支持
し、この複数のリード内端部と、半導体ペレットの複数
の表面電極の各々とを重ね合わせて一括して挟圧すると
同時に所定の温度で加熱することによりボンディングす
るものである。
定のピッチで開設された透孔の各々の周囲に、内端部を
当該透孔内に突出させた状態で複数のリードを固定支持
し、この複数のリード内端部と、半導体ペレットの複数
の表面電極の各々とを重ね合わせて一括して挟圧すると
同時に所定の温度で加熱することによりボンディングす
るものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な従来のテープキャリアボンディングでは、ボンディン
グ部位を単に加圧および加熱するだけであるため、半導
体ペレットの表面電極やリード表面における酸化膜や付
着異物の除去が必ずしも完全に行われず、酸化膜などの
絶縁性異物の介在に起因するリード剥がれや導通不良な
どのボンディング不良が発生しやすいという問題があ
る。
な従来のテープキャリアボンディングでは、ボンディン
グ部位を単に加圧および加熱するだけであるため、半導
体ペレットの表面電極やリード表面における酸化膜や付
着異物の除去が必ずしも完全に行われず、酸化膜などの
絶縁性異物の介在に起因するリード剥がれや導通不良な
どのボンディング不良が発生しやすいという問題があ
る。
【０００５】このため、従来では、ボンディング時の加
熱温度を高くして、酸化膜や異物の除去効果を促進する
などの対策が採られているが、加熱温度の上昇は、半導
体ペレットやリードにおける熱的なストレスの増大につ
ながり、半導体ペレットやリードの損傷などの他の不良
要因となるという問題がある。
熱温度を高くして、酸化膜や異物の除去効果を促進する
などの対策が採られているが、加熱温度の上昇は、半導
体ペレットやリードにおける熱的なストレスの増大につ
ながり、半導体ペレットやリードの損傷などの他の不良
要因となるという問題がある。
【０００６】本発明の目的は、ボンディング時の加熱温
度を必要以上に高くすることなく、信頼性の高いボンデ
ィング結果を得ることが可能なギャングボンディング技
術を提供することにある。
度を必要以上に高くすることなく、信頼性の高いボンデ
ィング結果を得ることが可能なギャングボンディング技
術を提供することにある。
【０００７】本発明の上記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願に於いて開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【０００９】すなわち、本発明のギャングボンディング
方法は、半導体ペレットの複数の表面電極と、この表面
電極の各々に対応する複数のリードとを一括してボンデ
ィングするギャングボンディング方法において、ボンデ
ィングのための加圧動作中にボンディング部位に振動を
印加するものである。
方法は、半導体ペレットの複数の表面電極と、この表面
電極の各々に対応する複数のリードとを一括してボンデ
ィングするギャングボンディング方法において、ボンデ
ィングのための加圧動作中にボンディング部位に振動を
印加するものである。
【００１０】また、本発明のギャングボンディング方法
は、請求項１記載のギャングボンディング方法におい
て、テープキャリアに支持された複数のリードと半導体
ペレットの対応する複数の表面電極とを一括してボンデ
ィングするインナリードボンディングを行うものであ
る。
は、請求項１記載のギャングボンディング方法におい
て、テープキャリアに支持された複数のリードと半導体
ペレットの対応する複数の表面電極とを一括してボンデ
ィングするインナリードボンディングを行うものであ
る。
【００１１】また、本発明のギャングボンディング装置
は、少なくとも半導体ペレットが載置されるボンディン
グ台と、このボンディング台に対向して相対的に移動自
在に配置されたボンディングツールとからなり、半導体
ペレットの複数の表面電極と、この表面電極の各々に対
応する複数のリードとを重ね合わせた状態で、ボンディ
ング台とボンディングツールとの間で挟圧することによ
り、一括してボンディングするギャングボンディング装
置において、ボンディング台およびボンディングツール
の少なくとも一方に、ボンディング動作中における当該
ボンディング台または当該ボンディングツールを加振す
る加振手段を設けたものである。
は、少なくとも半導体ペレットが載置されるボンディン
グ台と、このボンディング台に対向して相対的に移動自
在に配置されたボンディングツールとからなり、半導体
ペレットの複数の表面電極と、この表面電極の各々に対
応する複数のリードとを重ね合わせた状態で、ボンディ
ング台とボンディングツールとの間で挟圧することによ
り、一括してボンディングするギャングボンディング装
置において、ボンディング台およびボンディングツール
の少なくとも一方に、ボンディング動作中における当該
ボンディング台または当該ボンディングツールを加振す
る加振手段を設けたものである。
【００１２】また、本発明のギャングボンディング装置
は、請求項３記載のギャングボンディング装置におい
て、加振手段が、ボンディング台またはボンディングツ
ールの位置決め動作を行う位置決め機構であり、当該位
置決め機構により、挟圧動作中のボンディング台または
ボンディングツールを微動させるようにしたものであ
る。
は、請求項３記載のギャングボンディング装置におい
て、加振手段が、ボンディング台またはボンディングツ
ールの位置決め動作を行う位置決め機構であり、当該位
置決め機構により、挟圧動作中のボンディング台または
ボンディングツールを微動させるようにしたものであ
る。
【００１３】また、本発明のギャングボンディング装置
は、請求項３記載のギャングボンディング装置において
加振手段を、超音波振動発生器で構成するようにしたも
のである。
は、請求項３記載のギャングボンディング装置において
加振手段を、超音波振動発生器で構成するようにしたも
のである。
【００１４】また、本発明のギャングボンディング装置
は、請求項３，４または５記載のギャングボンディング
装置において、テープキャリアに支持された複数のリー
ドと半導体ペレットの対応する複数の表面電極とを一括
してボンディングするインナリードボンディングを行う
ようにしたものである。
は、請求項３，４または５記載のギャングボンディング
装置において、テープキャリアに支持された複数のリー
ドと半導体ペレットの対応する複数の表面電極とを一括
してボンディングするインナリードボンディングを行う
ようにしたものである。
【００１５】
【作用】上記した本発明のギャングボンディング方法に
よれば、ボンディング時にボンディング部位に振動を印
加するので、たとえば半導体ペレット側の表面電極とし
てのバンプとリード側のハンダ層などの接合領域におい
て、相対摩擦による新生面の形成が促進され、たとえば
従来のような単に加圧および加熱のみの場合に比較し
て、加熱温度を必要以上に高くすることなく、半導体ペ
レットの表面電極やリードなどの表面に存在する酸化膜
や異物などをボンディング部位から確実に排除すること
ができる。このため、比較的低い加熱温度でも、異物な
どがボンディング部位に介在することに起因するボンデ
ィング不良の発生が確実に防止され、信頼性の高いボン
ディング結果を得ることができる。
よれば、ボンディング時にボンディング部位に振動を印
加するので、たとえば半導体ペレット側の表面電極とし
てのバンプとリード側のハンダ層などの接合領域におい
て、相対摩擦による新生面の形成が促進され、たとえば
従来のような単に加圧および加熱のみの場合に比較し
て、加熱温度を必要以上に高くすることなく、半導体ペ
レットの表面電極やリードなどの表面に存在する酸化膜
や異物などをボンディング部位から確実に排除すること
ができる。このため、比較的低い加熱温度でも、異物な
どがボンディング部位に介在することに起因するボンデ
ィング不良の発生が確実に防止され、信頼性の高いボン
ディング結果を得ることができる。
【００１６】また、異物除去などの目的でボンディング
時の加熱温度を必要以上に高くする必要がなく、ボンデ
ィングに必要な加熱温度を大幅に引き下げることができ
るので、ボンディング時において半導体ペレットやリー
ドに作用する熱応力などの熱的なストレスが緩和され、
この点からもボンディング部位の信頼性がより向上す
る。
時の加熱温度を必要以上に高くする必要がなく、ボンデ
ィングに必要な加熱温度を大幅に引き下げることができ
るので、ボンディング時において半導体ペレットやリー
ドに作用する熱応力などの熱的なストレスが緩和され、
この点からもボンディング部位の信頼性がより向上す
る。
【００１７】
【実施例１】以下、図面を参照しながら本発明の一実施
例であるギャングボンディング方法および装置について
詳細に説明する。
例であるギャングボンディング方法および装置について
詳細に説明する。
【００１８】なお、本実施例では、ギャングボンディン
グの一例として、テープキャリア方式のインナリードボ
ンディング技術に適用した場合について説明する。
グの一例として、テープキャリア方式のインナリードボ
ンディング技術に適用した場合について説明する。
【００１９】図１は、本発明の一実施例であるインナリ
ードボンディング装置の一部を示す略断面図であり、図
２は、その作動状態の一例を示す略断面図である。
ードボンディング装置の一部を示す略断面図であり、図
２は、その作動状態の一例を示す略断面図である。
【００２０】ボンディングステージ１の上には、ハンダ
バンプなどの複数の表面電極２ａの配置面を上向きにし
た姿勢で半導体ペレット２が載置され、複数の位置決ピ
ン３によって側方から押圧されることにより、当該ボン
ディングステージ１の上の所定位置に位置決めされるよ
うに構成されている。このボンディングステージ１の内
部には、図示しないヒータが内蔵されており、載置され
た半導体ペレット２を所望の温度に加熱することが可能
になっている。
バンプなどの複数の表面電極２ａの配置面を上向きにし
た姿勢で半導体ペレット２が載置され、複数の位置決ピ
ン３によって側方から押圧されることにより、当該ボン
ディングステージ１の上の所定位置に位置決めされるよ
うに構成されている。このボンディングステージ１の内
部には、図示しないヒータが内蔵されており、載置され
た半導体ペレット２を所望の温度に加熱することが可能
になっている。
【００２１】また、特に図示しないが、ボンディングス
テージ１の近傍には、半導体ペレット２を個別にピック
アップして、当該ボンディングステージ１の上に載置す
るペレット搬送機構が設けられている。
テージ１の近傍には、半導体ペレット２を個別にピック
アップして、当該ボンディングステージ１の上に載置す
るペレット搬送機構が設けられている。
【００２２】ボンディングステージ１に対向する位置に
は、ボンディングツール４が当該ボンディングステージ
１に対して３次元的に移動自在に配置されている。ま
た、このボンディングツール４は、通電などの方法によ
って、ボンディングステージ１に対向する先端部を所望
の温度に加熱することが可能になっている。
は、ボンディングツール４が当該ボンディングステージ
１に対して３次元的に移動自在に配置されている。ま
た、このボンディングツール４は、通電などの方法によ
って、ボンディングステージ１に対向する先端部を所望
の温度に加熱することが可能になっている。
【００２３】ボンディングツール４と、ボンディングス
テージ１上の半導体ペレット２との間には、両端を、図
示しない繰り出しリールおよび巻き取りリールに巻回さ
れたテープキャリア５が位置している。このテープキャ
リア５は、長尺の絶縁性テープ５ａの長手方向に所定の
ピッチで、半導体ペレット２などの大きさに応じた複数
の透孔５ｂを開設したものであり、個々の透孔５ｂの各
々には、リード内端部６ａ（インナリード部）を当該透
孔５ｂの内部に所定の長さに突出させた複数のリード６
が、略放射状に接着支持されている。また、個々のリー
ド６のリード内端部６ａの位置は、半導体ペレット２に
おける複数の表面電極２ａの位置に対応するように設定
されている。
テージ１上の半導体ペレット２との間には、両端を、図
示しない繰り出しリールおよび巻き取りリールに巻回さ
れたテープキャリア５が位置している。このテープキャ
リア５は、長尺の絶縁性テープ５ａの長手方向に所定の
ピッチで、半導体ペレット２などの大きさに応じた複数
の透孔５ｂを開設したものであり、個々の透孔５ｂの各
々には、リード内端部６ａ（インナリード部）を当該透
孔５ｂの内部に所定の長さに突出させた複数のリード６
が、略放射状に接着支持されている。また、個々のリー
ド６のリード内端部６ａの位置は、半導体ペレット２に
おける複数の表面電極２ａの位置に対応するように設定
されている。
【００２４】また、ボンディングツール４の先端部の幅
寸法は、半導体ペレット２の複数の表面電極２ａの配列
領域を包含する寸法に設定されており、半導体ペレット
２の複数の表面電極２ａの各々とテープキャリア５に支
持された複数のリード６の対応するリード内端部６ａの
各々とを重ね合わせた状態で、ボンディングステージ１
との間で一括して挟圧する動作が可能になっている。
寸法は、半導体ペレット２の複数の表面電極２ａの配列
領域を包含する寸法に設定されており、半導体ペレット
２の複数の表面電極２ａの各々とテープキャリア５に支
持された複数のリード６の対応するリード内端部６ａの
各々とを重ね合わせた状態で、ボンディングステージ１
との間で一括して挟圧する動作が可能になっている。
【００２５】この場合、ボンディングステージ１および
ボンディングツール４の各々には、超音波発振器７（加
振手段）および超音波発振器８（加振手段）が装着され
ており、随時、当該ボンディングステージ１およびボン
ディングツール４に対して、超音波振動を印加すること
が可能になっている。
ボンディングツール４の各々には、超音波発振器７（加
振手段）および超音波発振器８（加振手段）が装着され
ており、随時、当該ボンディングステージ１およびボン
ディングツール４に対して、超音波振動を印加すること
が可能になっている。
【００２６】以下、本実施例の作用の一例を説明する。
【００２７】まず、ボンディングステージ１は、所定の
温度に加熱されている。
温度に加熱されている。
【００２８】次に、テープキャリア５は、図示しない繰
り出しリールおよび巻き取りリールの回動動作などによ
って、一つの透孔５ｂが半導体ペレット２の直上部に位
置するように位置決めされる。
り出しリールおよび巻き取りリールの回動動作などによ
って、一つの透孔５ｂが半導体ペレット２の直上部に位
置するように位置決めされる。
【００２９】また、図示しないペレット搬送機構によっ
て、ボンディングステージ１の上に半導体ペレット２が
載置され、位置決ピン３によって挟持されることによ
り、所定の位置に位置決めされる。
て、ボンディングステージ１の上に半導体ペレット２が
載置され、位置決ピン３によって挟持されることによ
り、所定の位置に位置決めされる。
【００３０】その後、ボンディングツール４をボンディ
ングステージ１に相対的に降下させることにより、図２
に示されるように、半導体ペレット２の複数の表面電極
２ａと、テープキャリア５の透孔５ｂの内部に突出した
複数のリード６のリード内端部６ａの各々とを重ね合わ
せた状態で一括して挟圧し、同時に、ボンディングツー
ル４に対する通電などによって、当該ボンディングツー
ル４の先端部を所定の温度に加熱する。
ングステージ１に相対的に降下させることにより、図２
に示されるように、半導体ペレット２の複数の表面電極
２ａと、テープキャリア５の透孔５ｂの内部に突出した
複数のリード６のリード内端部６ａの各々とを重ね合わ
せた状態で一括して挟圧し、同時に、ボンディングツー
ル４に対する通電などによって、当該ボンディングツー
ル４の先端部を所定の温度に加熱する。
【００３１】この時、本実施例の場合には、超音波発振
器７および超音波発振器８を作動させ、ボンディングス
テージ１およびボンディングツール４を介して、リード
６のリード内端部６ａおよび半導体ペレット２の表面電
極２ａに超音波振動を印加する。
器７および超音波発振器８を作動させ、ボンディングス
テージ１およびボンディングツール４を介して、リード
６のリード内端部６ａおよび半導体ペレット２の表面電
極２ａに超音波振動を印加する。
【００３２】これにより、従来よりも遙かに低い加熱温
度の下で、個々のリード内端部６ａおよび表面電極２ａ
の接合表面などにおける酸化膜や異物などの除去による
新生面の形成および圧着が促進され、個々のリード内端
部６ａと表面電極２ａとは、異物などを介在させること
なく、一括して、高い結合強度をもって確実に接合され
た状態となる。
度の下で、個々のリード内端部６ａおよび表面電極２ａ
の接合表面などにおける酸化膜や異物などの除去による
新生面の形成および圧着が促進され、個々のリード内端
部６ａと表面電極２ａとは、異物などを介在させること
なく、一括して、高い結合強度をもって確実に接合され
た状態となる。
【００３３】また、ボンディング中に振動を印加してボ
ンディングを促進するため、ボンディング特性を損なう
ことなく、ギャングボンディングにおけるボンディング
ステージ１およびボンディングツール４の加熱温度を低
く抑制することができ、半導体ペレット２やその表面電
極２ａ、さらにはリード６などに対する熱的なストレス
の作用を抑止することができ、熱応力の作用などに伴う
半導体ペレット２やリード６の損傷などを確実に回避す
ることができる。
ンディングを促進するため、ボンディング特性を損なう
ことなく、ギャングボンディングにおけるボンディング
ステージ１およびボンディングツール４の加熱温度を低
く抑制することができ、半導体ペレット２やその表面電
極２ａ、さらにはリード６などに対する熱的なストレス
の作用を抑止することができ、熱応力の作用などに伴う
半導体ペレット２やリード６の損傷などを確実に回避す
ることができる。
【００３４】たとえば、従来のように、ギャングボンデ
ィング中に振動を印加しない場合には、ボンディング時
に５００℃程度の加熱温度が必要であるが、本実施例の
場合には、ボンディング部位に対する振動の印加によ
り、たとえば３００℃程度の低い加熱温度でよく、熱応
力などによる半導体ペレット２やリード６の損傷の発生
確率は極めて低くなる。
ィング中に振動を印加しない場合には、ボンディング時
に５００℃程度の加熱温度が必要であるが、本実施例の
場合には、ボンディング部位に対する振動の印加によ
り、たとえば３００℃程度の低い加熱温度でよく、熱応
力などによる半導体ペレット２やリード６の損傷の発生
確率は極めて低くなる。
【００３５】
【実施例２】図３は、本発明の他の実施例であるインナ
リードボンディング装置の構成の一例を示す略斜視図で
ある。
リードボンディング装置の構成の一例を示す略斜視図で
ある。
【００３６】制御コンピュータ１４によって動作が制御
されるＸＹテーブル１０（加振手段）の上には、ボンデ
ィングヘッド１１が搭載されている。このボンディング
ヘッド１１の側面部にはボンディングアーム１２がほぼ
水平に固定されており、その先端部にはプランジャ機構
１３を介してボンディングツール４が垂直下向きに固定
されている。
されるＸＹテーブル１０（加振手段）の上には、ボンデ
ィングヘッド１１が搭載されている。このボンディング
ヘッド１１の側面部にはボンディングアーム１２がほぼ
水平に固定されており、その先端部にはプランジャ機構
１３を介してボンディングツール４が垂直下向きに固定
されている。
【００３７】プランジャ機構１３は、ボンディングツー
ル４を上下動させる動作を行うものであり、制御コンピ
ュータ１４によって動作が制御されている。
ル４を上下動させる動作を行うものであり、制御コンピ
ュータ１４によって動作が制御されている。
【００３８】ボンディングツール４の下方には、ボンデ
ィングステージ１が設けられており、このボンディング
ステージ１の上には、半導体ペレット２が載置されてい
る。
ィングステージ１が設けられており、このボンディング
ステージ１の上には、半導体ペレット２が載置されてい
る。
【００３９】また、ボンディングステージ１とボンディ
ングツール４との間の空間には、両端を図示しないテー
プキャリア５が通過するようになっている。
ングツール４との間の空間には、両端を図示しないテー
プキャリア５が通過するようになっている。
【００４０】そして、ＸＹテーブル１０による水平面内
での位置決め動作と、プランジャ機構１３による垂直方
向の移動動作とによって、ボンディングツール４の動き
を制御することにより、当該ボンディングツール４と、
ボンディングステージ１との間で半導体ペレット２の複
数の表面電極２ａと、テープキャリア５の複数のリード
６のリード内端部６ａとを、挟圧することで、複数の表
面電極２ａとリード内端部６ａとを一括してボンディン
グする動作を行うものである。
での位置決め動作と、プランジャ機構１３による垂直方
向の移動動作とによって、ボンディングツール４の動き
を制御することにより、当該ボンディングツール４と、
ボンディングステージ１との間で半導体ペレット２の複
数の表面電極２ａと、テープキャリア５の複数のリード
６のリード内端部６ａとを、挟圧することで、複数の表
面電極２ａとリード内端部６ａとを一括してボンディン
グする動作を行うものである。
【００４１】この場合、制御コンピュータ１４は、ボン
ディングステージ１とボンディングツール４とによる半
導体ペレット２とリード６の前述のような挟圧動作中
に、ＸＹテーブル１０を、すなわちボンディングツール
４を、たとえば数ミクロン程度の振幅で、水平面内の互
いに直交する方向に微動させる動作を行うようにプログ
ラムされている。
ディングステージ１とボンディングツール４とによる半
導体ペレット２とリード６の前述のような挟圧動作中
に、ＸＹテーブル１０を、すなわちボンディングツール
４を、たとえば数ミクロン程度の振幅で、水平面内の互
いに直交する方向に微動させる動作を行うようにプログ
ラムされている。
【００４２】このため、本実施例のインナリードボンデ
ィング装置の動作は、たとえば図４に例示されるフロー
チャートのようになる。
ィング装置の動作は、たとえば図４に例示されるフロー
チャートのようになる。
【００４３】すなわち、まず、テープキャリア５の位置
決めを行い（ステップ２１）、さらに、図示しないペレ
ット搬送機構による、図示しないトレイなどからの半導
体ペレット２の吸着およびボンディングステージ１への
搬送が行われ（ステップ２２）、さらに、ボンディング
ステージ１上の半導体ペレット２の位置を、位置決ピン
３によって修正する（ステップ２３）。
決めを行い（ステップ２１）、さらに、図示しないペレ
ット搬送機構による、図示しないトレイなどからの半導
体ペレット２の吸着およびボンディングステージ１への
搬送が行われ（ステップ２２）、さらに、ボンディング
ステージ１上の半導体ペレット２の位置を、位置決ピン
３によって修正する（ステップ２３）。
【００４４】その後、制御コンピュータ１４は、ＸＹテ
ーブル１０やプランジャ機構１３を適宜動作させること
により、まず、ボンディングツール４をボンディングス
テージ１に対して降下させ、テープキャリア５の複数の
リード６のリード内端部６ａと、半導体ペレット２の対
応する複数の表面電極２ａの各々とを重ね合わせた状態
で挟圧する（ステップ２４）。
ーブル１０やプランジャ機構１３を適宜動作させること
により、まず、ボンディングツール４をボンディングス
テージ１に対して降下させ、テープキャリア５の複数の
リード６のリード内端部６ａと、半導体ペレット２の対
応する複数の表面電極２ａの各々とを重ね合わせた状態
で挟圧する（ステップ２４）。
【００４５】この挟圧動作中に、制御コンピュータ１４
は、ＸＹテーブル１０を微動させ、ボンディングツール
４とボンディングステージ１との間に挟圧されている半
導体ペレット２の表面電極２ａおよびリード内端部６ａ
に対して所定の振幅の振動を印加する（ステップ２
５）。
は、ＸＹテーブル１０を微動させ、ボンディングツール
４とボンディングステージ１との間に挟圧されている半
導体ペレット２の表面電極２ａおよびリード内端部６ａ
に対して所定の振幅の振動を印加する（ステップ２
５）。
【００４６】このため、前述の実施例１の場合と同様
に、表面電極２ａとリード内端部６ａとのボンディング
領域における酸化膜や異物などの除去による新生面の形
成が促進され、表面電極２ａとリード内端部６ａとは、
異物などの欠陥を含むことなく、高い接合強度で確実に
ボンディングされる。
に、表面電極２ａとリード内端部６ａとのボンディング
領域における酸化膜や異物などの除去による新生面の形
成が促進され、表面電極２ａとリード内端部６ａとは、
異物などの欠陥を含むことなく、高い接合強度で確実に
ボンディングされる。
【００４７】また、この実施例２の場合には、ボンディ
ングツール４を駆動するためのＸＹテーブル１０を微動
させることによって、ボンディングツール４の加振を行
うので、制御コンピュータ１４の制御プログラムを変更
するだけで、従来の機構のままで対応でき、インナリー
ドボンディング装置の製造原価上昇を招くことなく、良
好なボンディング結果を得ることができるという利点が
ある。
ングツール４を駆動するためのＸＹテーブル１０を微動
させることによって、ボンディングツール４の加振を行
うので、制御コンピュータ１４の制御プログラムを変更
するだけで、従来の機構のままで対応でき、インナリー
ドボンディング装置の製造原価上昇を招くことなく、良
好なボンディング結果を得ることができるという利点が
ある。
【００４８】このようなギャングボンディング動作の完
了後、ボンディングツール４による加圧解除が行われ
（ステップ２６）、ステップ２１に戻って、テープキャ
リア５を所定のピッチだけ送り、次の半導体ペレット２
のギャングボンディングを繰り返す。
了後、ボンディングツール４による加圧解除が行われ
（ステップ２６）、ステップ２１に戻って、テープキャ
リア５を所定のピッチだけ送り、次の半導体ペレット２
のギャングボンディングを繰り返す。
【００４９】なお、この実施例２の説明では、ＸＹテー
ブル１０の微動によってボンディングツール４の側を加
振するようにしているが、ボンディングステージ１の側
を加振するようにしてもよいことは言うまでもない。
ブル１０の微動によってボンディングツール４の側を加
振するようにしているが、ボンディングステージ１の側
を加振するようにしてもよいことは言うまでもない。
【００５０】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５１】たとえば、ギャングボンディング装置の構
成は、前述の各実施例に例示したものに限定されない。
成は、前述の各実施例に例示したものに限定されない。
【００５２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００５３】すなわち、本発明のギャングボンディング
方法によれば、ボンディング時の加熱温度を必要以上に
高くすることなく、信頼性の高いボンディング結果を得
ることができるという効果が得られる。
方法によれば、ボンディング時の加熱温度を必要以上に
高くすることなく、信頼性の高いボンディング結果を得
ることができるという効果が得られる。
【００５４】また、本発明のギャングボンディング装置
によれば、ボンディング時の加熱温度を必要以上に高く
することなく、信頼性の高いボンディング結果を得るこ
とができるという効果が得られる。
によれば、ボンディング時の加熱温度を必要以上に高く
することなく、信頼性の高いボンディング結果を得るこ
とができるという効果が得られる。
【図１】本発明の一実施例であるギャングボンディング
装置の一部を示す略断面図である。
装置の一部を示す略断面図である。
【図２】その作動状態の一例を示す略断面図である。
【図３】本発明の他の実施例であるギャングボンディン
グ装置の構成の一例を示す略斜視図である。
グ装置の構成の一例を示す略斜視図である。
【図４】その作用の一例を示すフローチャートである。
１ ボンディングステージ ２ 半導体ペレット ２ａ 表面電極 ３ 位置決ピン ４ ボンディングツール ５ テープキャリア ５ａ 絶縁性テープ ５ｂ 透孔 ６ リード ６ａ リード内端部 ７ 超音波発振器（加振手段） ８ 超音波発振器（加振手段） １０ ＸＹテーブル（加振手段） １１ ボンディングヘッド １２ ボンディングアーム １３ プランジャ機構 １４ 制御コンピュータ
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ペレットの複数の表面電極と、こ
の表面電極の各々に対応する複数のリードとを一括して
ボンディングするギャングボンディング方法であって、
ボンディングのための加圧動作中にボンディング部位に
振動を印加することを特徴とするギャングボンディング
方法。 - 【請求項２】 テープキャリアに支持された複数のリー
ドと半導体ペレットの対応する複数の表面電極とを一括
してボンディングするインナリードボンディングを行う
ことを特徴とする請求項１記載のギャングボンディング
方法。 - 【請求項３】 少なくとも半導体ペレットが載置される
ボンディング台と、このボンディング台に対向して相対
的に移動自在に配置されたボンディングツールとからな
り、前記半導体ペレットの複数の表面電極と、この表面
電極の各々に対応する複数のリードとを重ね合わせた状
態で、前記ボンディング台と前記ボンディングツールと
の間で挟圧することにより、一括してボンディングする
ギャングボンディング装置であって、前記ボンディング
台および前記ボンディングツールの少なくとも一方に、
前記ボンディング動作中における当該ボンディング台ま
たは当該ボンディングツールを加振する加振手段を備え
たことを特徴とするギャングボンディング装置。 - 【請求項４】 前記加振手段が、前記ボンディング台ま
たは前記ボンディングツールの位置決め動作を行う位置
決め機構であり、当該位置決め機構により、前記挟圧動
作中の前記ボンディング台または前記ボンディングツー
ルを微動させることを特徴とする請求項３記載のギャン
グボンディング装置。 - 【請求項５】 前記加振手段が、超音波振動発生器であ
ることを特徴とする請求項３記載のギャングボンディン
グ装置。 - 【請求項６】 テープキャリアに支持された複数のリー
ドと半導体ペレットの対応する複数の表面電極とを一括
してボンディングするインナリードボンディングを行う
ことを特徴とする請求項３，４または５記載のギャング
ボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3298827A JPH05136205A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ギヤングボンデイング方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3298827A JPH05136205A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ギヤングボンデイング方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136205A true JPH05136205A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17864736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3298827A Pending JPH05136205A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ギヤングボンデイング方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136205A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07115109A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Nec Corp | フリップチップボンディング方法及び装置 |
| JPH09199548A (ja) * | 1996-01-23 | 1997-07-31 | Nec Corp | ギャングボンディング装置 |
| JP2000208560A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Asahi Rubber Kk | 超音波複合振動を用いた半導体チップの基板への実装方法 |
| WO2004084294A1 (en) * | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a semiconductor device, semiconductor device obtained by means of said method, and device for carrying outsuch a method |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP3298827A patent/JPH05136205A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07115109A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Nec Corp | フリップチップボンディング方法及び装置 |
| JPH09199548A (ja) * | 1996-01-23 | 1997-07-31 | Nec Corp | ギャングボンディング装置 |
| JP2000208560A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Asahi Rubber Kk | 超音波複合振動を用いた半導体チップの基板への実装方法 |
| WO2004084294A1 (en) * | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a semiconductor device, semiconductor device obtained by means of said method, and device for carrying outsuch a method |
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