JP2695370B2 - ボンディングワイヤーの除去方法 - Google Patents

ボンディングワイヤーの除去方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はボンディングワイヤーの
除去方法に関し、詳しくは半導体チップを基板にダイボ
ンディングした後、基板の基板電極と半導体チップの電
極とをワイヤーボンディング方式により接続した半導体
装置におけるボンディングワイヤーの除去方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術を図９及び図１０に基づいて
説明する。
【０００３】まず、図９（ａ）に示すように、基板１に
おける半導体チップ４をセットするダイボンディング用
パッド８にダイボンディング用樹脂３を塗布する。その
上から、図９（ｂ）に示すように、ダイボンディング用
樹脂３が均一にチップ裏面に広がるように半導体チップ
４を載置した後、ダイボンディング用樹脂３を加熱、硬
化させて半導体チップ４を基板１に固着させる。尚、図
９（ｂ）において、５はボンディングワイヤー、６は半
導体チップ４の電極、７はボンディングキャピラリーで
ある。
【０００４】次に、図１０（ａ）に示すように、半導体
チップ４の電極６と基板電極２とをＡｕ又はＡｌからな
るボンディングワイヤー５によりワイヤーボンディング
方式によって接続する。その後、図１０（ｂ）に示すよ
うに、半導体チップ４の上から封止樹脂９をポッティン
グ法等により塗布、硬化させて半導体装置を形成する。
【０００５】ワイヤーボンディング方式は、一般に、基
板電極２とボンディングワイヤー５とを一致させて、ボ
ンディングキャピラリー７に超音波及び荷重を加えるこ
とにより、ボンディングワイヤー５と基板電極２又はボ
ンディングワイヤー５と半導体チップ電極６とをそれぞ
れ接続させる。Ａｕからなるボンディングワイヤー５の
ボンディングの場合には、超音波と荷重の他に接続部を
加熱することにより充分な接続強度を得る。ボンディン
グワイヤー５の径は、２０μｍ〜３５μｍ程度である。
また、上記ボンディングワイヤー５の接続の際には、ボ
ンディングキャピラリー７の位置を数値制御によって自
動的にボンディングするオートボンダーによって生産性
を上げている。
【０００６】封止樹脂９の材料としては、エポキシ系樹
脂等の絶縁性樹脂であり、樹脂塗布時にボンディングワ
イヤー５が流されてオープンになったり隣接したボンデ
ィングワイヤー５がショートしたりしないように粘性の
比較的低いもので且つ樹脂が広範囲に広がり過ぎない程
度の粘性を有する樹脂が選択される。
【０００７】近年、実装密度を上げるために１つの基板
に多数且つ多品種の半導体チップを搭載するマルチチッ
プモジュール（ＭＣＭ）に上記のワイヤーボンディング
方式を使用する場合が増加している。
【０００８】しかしながら、ＭＣＭの場合には、多数の
半導体チップを１つの基板に実装するため、モジュール
全体の歩留まりは個々の半導体チップの歩留まりの積と
なる。このため、搭載する半導体チップの数が多い程、
モジュール全体の歩留まりは低下する。また、１つの半
導体チップが不良になると、モジュール用基板及び既に
搭載された良品の半導体チップの損失が大きくなるた
め、不良の半導体チップを除去し、再度ワイヤーボンデ
ィングを行なうリペア方法が必要となる。
【０００９】ところが、現在のところ、ワイヤーボンデ
ィング方式により形成された半導体装置の効率的なリペ
ア方法は知られていない。
【００１０】ボンディングワイヤーの除去方法としては
図１１に示すように、ピンセット１１でボンディングワ
イヤー５を除去する方法等が知られている。従来のボン
ディングワイヤーの除去方法は、ピンセット１１又はそ
れに変わる治具を用いてボンディングワイヤー５の中間
部付近を保持し、持ち上げることにより、ボンディング
ワイヤー５を除去している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ボン
ディングワイヤー５が途中で切断し、基板電極２や半導
体チップ４の電極６にボンディングワイヤー５が残るな
ど、従来のボンディングワイヤーの除去方法は、信頼性
に問題があると共にボンディングワイヤーの切断防止は
作業員の人為的な経験に頼っている。
【００１２】このように、従来のボンディングワイヤー
除去方法は以下に述べるような問題がある。すなわち、 (1) ボンディングワイヤーを除去する際、ボンディング
ワイヤーを引っ張って除去しようとすると、ボンディン
グワイヤーを保持するための加圧力によってボンディン
グワイヤーが途中で切断されてしまい、ボンディングワ
イヤーをうまく除去できない。
【００１３】(2) ボンディングワイヤーを除去する際、
ボンディングワイヤーを引っ張ったりボンディングワイ
ヤーが途中で切断したりすると、基板電極側にボンディ
ングワイヤーが残留する。残ったボンディングワイヤー
は、再度ボンディングを行なうときや樹脂封止時に配線
間ショートなどの不良原因となる。
【００１４】(3) ボンディングワイヤーの除去を機械に
より自動化することが困難であり、生産性に乏しい。
【００１５】上記に鑑み、本発明は、ボンディングワイ
ヤーが基板電極や半導体チップの電極に残ることなく簡
易且つ確実に除去されると共に機械化が容易なボンディ
ングワイヤーの除去方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１の発明が講じた解決手段は、基板上に半導
体チップが樹脂により接着され、上記半導体チップの電
極と上記基板の基板電極とがボンディングワイヤーによ
り電気的に接続された半導体装置のボンディングワイヤ
ーの除去方法を対象とし、ツール先端面に形成され上記
ボンディングワイヤーを切断する円形状の切断刃とツー
ル先端面における上記切断刃の内側に形成され切断後の
ボンディングワイヤーを上記基板電極に押圧する押圧部
とを有するワイヤー切断用ツールのツール先端面を上記
ボンディングワイヤーの基板電極側の端部に押し付け
て、上記切断刃により上記ボンディングワイヤーを切断
すると共に上記押圧部により上記ボンディングワイヤー
における切断部位よりも先端側部分を上記基板電極に圧
着する工程と、上記樹脂を加熱することにより上記半導
体チップと上記基板との接着強度を低下させる工程と、
上記半導体チップを側方へ押圧することにより該半導体
チップを上記基板から離脱させる工程と、上記基板から
離脱した半導体チップを切断されたボンディングワイヤ
ーと共に除去する工程とを含む構成である。
【００１７】請求項２の発明が講じた解決手段は、基板
上に半導体チップが樹脂により接着され、上記半導体チ
ップの電極と上記基板の基板電極とがボンディングワイ
ヤーにより電気的に接続された半導体装置の上記ボンデ
ィングワイヤーの除去方法を対象とし、ツール先端面に
上記ボンディングワイヤーを切断する円形状の切断刃を
有するワイヤー切断用ツールのツール先端面を上記ボン
ディングワイヤーの基板電極側の端部に押し付けて上記
切断刃により上記ボンディングワイヤーを切断する工程
と、上記ワイヤー切断用ツールを上記半導体チップ側へ
若干移動させることにより上記ボンディングワイヤーを
上記基板電極から離脱させる工程と、上記樹脂を加熱す
ることにより上記半導体チップと上記基板との接着強度
を低下させる工程と、上記半導体チップを側方へ押圧す
ることにより該半導体チップを上記基板から離脱させる
工程と、上記基板から離脱した半導体チップを上記基板
電極から離脱したボンディングワイヤーと共に除去する
工程とを含む構成である。
【００１８】請求項３の発明は、請求項１又は２の構成
に、上記ワイヤー切断用ツールの切断刃は、該ワイヤー
切断用ツールのツール先端面を上記ボンディングワイヤ
ーの基板電極側の端部に押し付けたときに該切断刃の外
面と上記基板電極とがなす角度が該切断刃の内面と上記
基板電極とがなす角度よりも大きくなるような形状に形
成されているという構成を付加するものである。
【００１９】請求項４の発明は、請求項１又は２の構成
に、上記ワイヤー切断用ツールのツール先端面を上記ボ
ンディングワイヤーの基板電極側の端部に押し付ける際
の上記ワイヤー切断用ツールの位置は数値制御により定
められるという構成を付加するものである。
【００２０】請求項５の発明は、請求項１又は２の構成
に、上記ワイヤー切断用ツールのツール先端面を上記ボ
ンディングワイヤーの基板電極側の端部に押し付ける
際、該ワイヤー切断用ツールに対して超音波を発振する
という構成を付加するものである。
【００２１】
【作用】請求項１の構成により、ツール先端面に形成さ
れた円形状の切断刃によりボンディングワイヤーの基板
電極側の端部を切断すると共に切断刃の内側に形成され
た押圧部によりボンディングワイヤーにおける切断部位
よりも先端側の残留ワイヤーを基板電極に圧着するの
で、該残留ワイヤーが封止工程の樹脂の流れ等により流
されたりする事態がさけられる。
【００２２】樹脂を加熱して半導体チップと基板との接
着強度を低下させた後、半導体チップを側方へ押圧して
該半導体チップを基板から離脱させるので、半導体チッ
プは基板から容易に離脱する。
【００２３】基板から離脱した半導体チップを切断され
たボンディングワイヤーと共に除去するので、ボンディ
ングワイヤーを切断させることなく確実に除去すること
ができる。
【００２４】請求項２の構成により、ツール先端面に形
成された円形状の切断刃によりボンディングワイヤーの
基板電極側の端部を切断した後、ワイヤー切断用ツール
を半導体チップ側へ若干移動させてボンディングワイヤ
ーを基板電極から離脱させるので、ボンディングワイヤ
ーは基板電極側の端部において基板電極から確実に離脱
する。
【００２５】請求項１と同様、樹脂を加熱して半導体チ
ップと基板との接着強度を低下させた後、半導体チップ
を側方へ押圧して該半導体チップを基板から離脱させる
ので半導体チップは基板から容易に離脱し、また、基板
から離脱した半導体チップを切断されたボンディングワ
イヤーと共に除去するのでボンディングワイヤーを切断
させることなく確実に除去することができる。
【００２６】請求項３の構成により、ワイヤー切断用ツ
ールの切断刃は、ツール先端面をボンディングワイヤー
に押し付けたときに該切断刃の外面と基板電極とがなす
角度が該切断刃の内面と基板電極とがなす角度よりも大
きくなるような形状に形成されているので、切断刃の外
面がボンディングワイヤーにおける切断部位よりも半導
体チップ電極側の部位を押圧しないので、半導体チップ
電極側のボンディングワイヤーが基板電極に圧着される
虞れはない。
【００２７】請求項４の構成により、ツール先端面をボ
ンディングワイヤーの基板電極側の端部に押し付ける際
のワイヤー切断用ツールの位置は数値制御により定めら
れるので、ボンディングワイヤーを数値制御によって自
動的に切断できる。
【００２８】請求項５の構成により、ツール先端面をボ
ンディングワイヤーの基板電極側の端部に押し付ける
際、ワイヤー切断用ツールに対して超音波を発振するの
で、基板電極側に残った残留ワイヤーの基板電極に対す
る接着力が増大する。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の第１実施例に係るボンディン
グワイヤーの除去方法を図１〜図４に基づき説明する。
同図において、１１は基板、１２は基板電極、１３はボ
ンディングワイヤー、１４はワイヤー切断用ツール、１
５は加熱ステージ、１６はダイボンディング用パッド、
１７はダイボンディング用樹脂、１８は半導体チップ、
１９は半導体チップ１８の電極、２０はチップ除去用ツ
ール、２１は真空吸着孔、２２は残留ボンディングワイ
ヤーである。
【００３０】図１は第１実施例におけるボンディングワ
イヤー切断工程を示す断面図である。ワイヤーボンディ
ング方式を用いた半導体装置は、従来技術の項で説明し
たように、基板１１と半導体チップ１８との間にダイボ
ンディング用樹脂１７を介在させて半導体チップ１８を
基板１１に固着した後、半導体チップ１８の電極１９と
基板電極１２とをＡｌ又はＡｕからなるボンディングワ
イヤー１３により接続した構造である。
【００３１】基板１１はセラミックやガラスエポキシ等
よりなる配線基板である。ダイボンディング用樹脂１７
は、エポキシ樹脂等にフィラを介在させた導電性樹脂又
は絶縁性樹脂が一般的である。ボンディングワイヤー１
３はＡｌやＡｕからなる細線であり、その径は２０μｍ
〜４０μｍ程度である。
【００３２】第１実施例においては、図１（ａ），
（ｂ）に示すように、ワイヤー切断用ツール１４により
基板電極１２のボンディングワイヤー１３が接続されて
いる部分を加圧してボンディングワイヤー１３を切断す
る。ボンディングワイヤー１３の切断後、ワイヤー切断
用ツール１４を上昇させると、図１（ｃ）に示すよう
に、ボンディングワイヤー１３は楔状に切断されて、半
導体チップ１８側に延びているボンディングワイヤー１
３と、基板電極１２に残留している残留ワイヤー２２と
に分かれる。半導体チップ１８側に延びているボンディ
ングワイヤー１３は、非常に弱い強度で基板電極１２又
は残留ワイヤー２２に接している状態であり、また、残
留ワイヤー２２はボンディングワイヤー１３の切断時に
基板電極１２に圧着されている。
【００３３】図２〜図４は第１実施例におけるリペア工
程を示す断面図である。図２（ａ），（ｂ）は、図１
（ａ）〜（ｃ）に示したボンディングワイヤー切断工程
と同様であり、基板電極１２に接続されているボンディ
ングワイヤー１３を切断する状態を示している。この切
断工程については、図１（ａ）〜（ｂ）に基づく説明と
同様であるので、説明は省略する。次に、基板１１を固
定している加熱ステージ１５を加熱し、基板１１側を介
してダイボンディング用樹脂１７の温度を上昇させて、
基板１１と半導体チップ１８との接着強度を低下させ
る。
【００３４】次に、図３（ａ），（ｂ）に示すように、
チップ除去用ツール２０により半導体チップ１８の側面
に側方からの荷重を加え、半導体チップ１８の裏面に水
平方向の力つまり剪断力を作用させることにより、半導
体チップ１８を基板１１から離脱させる。このとき、ボ
ンディングワイヤー１３は半導体チップ１８の電極１９
に接続されたままであり半導体チップ１８と共に基板１
１から除去される。
【００３５】次に、図４（ａ）に示すように、チップ除
去用ツール２０は真空吸着孔２１を有しており、基板１
１から離脱した半導体チップ１８をチップ除去用ツール
２０により吸着する。その後、半導体チップ１８を搬送
して、半導体チップ１８の除去工程が完了する。上記の
方法により不良の半導体チップ１８を除去した後、図４
（ｂ）に示すように、再度ワイヤーボンディング方式を
用いて良品の半導体チップを基板に搭載する。
【００３６】以下、上述したボンディングワイヤー切断
工程をより詳細に説明する。図５はワイヤー切断用ツー
ル１４を示しており、同図に示すように、ワイヤー切断
用ツール１４の底面には円形状の切断刃１４ａが設けら
れている。切断刃１４ａの外面と基板電極１２とのなす
角度が狭かったり切断刃１４ａの先端に鈍い丸みがあっ
たりすると、ボンディングワイヤー１３の切断時に、ワ
イヤー切断用ツール１４に加えた荷重によって半導体チ
ップ１８側に延びるボンディングワイヤー１３が基板電
極１２に圧着されてしまうため、切断刃１４ａの外面と
基板電極１２とのなす角度αは約７５度以上の広い角度
にし、切断刃１４ａの先端部の幅は１０μｍ程度以下に
狭く且つ鋭い形状にすることが好ましい。ワイヤー切断
用ツール１４を降下、上昇させてボンディングワイヤー
１３を切断する場合には、３０μｍ径のＡｕからなるボ
ンディングワイヤー１３はボンディングワイヤー１３の
切断前には約１０ｇｆ以上の接着力で基板電極１２に接
着されているのに対し、ボンディングワイヤー１３の切
断後の引張り強度は約０．３〜３．０ｇｆであり、ボン
ディングワイヤー１３を引張って除去するときには必ず
ボンディングワイヤー１３の切断部位においてボンディ
ングワイヤー１３が切り放される。
【００３７】ワイヤー切断用ツール１４の切断刃１４ａ
の内側には、切断するボンディングワイヤー１３の太さ
よりも小さい高さｄを有する押圧部１４ｂが設けられて
おり、押圧部１４ｂは切断後に基板電極１２側に残留す
る残留ワイヤー２２を基板電極１２に圧着する働きを有
する。残留ワイヤー２２の長さは１５０μｍ程度以下で
ある。
【００３８】ワイヤー切断用ツール１４に超音波パワー
を印加することにより、残留ワイヤー２２の接着力をよ
り増大させることはできる。残留ワイヤー２２の接着力
は、もともとボンディングワイヤー１３が基板電極１２
に圧着されている部分の接着力に、切断時の圧着による
接着力が加わるため、少なくとも切断前の接着力よりも
大きくなる。従って、ワイヤーボンディング後の封止工
程の樹脂の流れ等によって、残留ワイヤー２２が流され
て配線不良の原因になることはない。
【００３９】図６は、ワイヤー切断用ツール１４の切断
刃１４ａの変形例の断面図であって、切断刃１４ａはワ
イヤー切断用ツール１４の底面に円錐状の穴が形成され
た形状である。この変形例においては、テーパー状の押
圧部１４ｂによって残留ワイヤー２２を圧着する。従っ
て、円錐の角度βはあまり大き過ぎない方が良く、約３
０〜６０度程度が好ましい。切断刃１４ａの外面と基板
電極１２とのなす角度αは、前述したようになるべく大
きい角度のほうが望ましく、角度αが大きいほどボンデ
ィングワイヤー１３を切断した後のボンディングワイヤ
ー１３の破断強度は小さい。ボンディングワイヤー１３
の切断後にボンディングワイヤー１３を除去する際に、
残留ワイヤー２２が確実に基板電極１２に圧着されたま
ま、ボンディングワイヤー１３の切断部位において破断
させるためには、角度αが角度βよりも大きい角度でな
ければならない。
【００４０】以下、本発明の第２実施例に係るボンディ
ングワイヤーの除去工程を図７及び図８に基づき説明す
る。
【００４１】第２実施例は、ボンディングワイヤー１３
の切断時にボンディングワイヤー１３を基板電極１２か
ら切り放す際、ワイヤー切断用ツール１４を降下させた
後、ワイヤー切断用ツール１４をボンディングワイヤー
１３が延びている半導体チップ１８側へ微少量移動さ
せ、その後、ワイヤー切断用ツール１４を上昇させて、
ボンディングワイヤー１３を完全に基板電極１２から切
り放すものである。
【００４２】図７及び図８は、ワイヤー切断用ツール１
４を降下させた後に水平移動させる状態を示している。
ワイヤー切断用ツール１４の降下後の水平移動量は約１
０μｍ〜５０μｍ程度で充分である。ワイヤー切断用ツ
ール１４を降下させた後、上昇させるだけでは、非常に
弱い力ではあるがボンディングワイヤー１３が基板電極
１２に接した状態となり、図４（ａ）に示す半導体チッ
プ１８の搬送時にボンディングワイヤー１３を基板電極
１２から切り放すことになる。接続されているボンディ
ングワイヤー１３が約２００本程度以下であれば特に問
題ないが、それ以上のボンディングワイヤー数になる
と、ボンディングワイヤー１３をすべて切り放すのに少
なくとも数百ｇｆの吸引力が必要となるので、第２実施
例のように、ワイヤー切断用ツール１４を降下後に水平
移動させる方式が好ましい。
【００４３】ワイヤー切断用ツール１４は、タングステ
ンカーバイトや超硬合金等で形成されており、切断刃１
４ａの先端が図５又は図６に示すような円周形状になっ
ているため、ボンディングワイヤー１３が基板電極１２
にどのような角度で接続されていても、良好な切断が可
能である。
【００４４】また、既存のボンディングワイヤーボンデ
ィング装置のボンディングキャピラリーをワイヤー切断
用ツール１４と交換するだけでボンディングワイヤー１
３の切断が可能である。特に既存のワイヤーボンディン
グ装置が数値制御による自動装置である場合は、ボンデ
ィングワイヤー１３の切断も数値制御によって自動的に
行なうことができる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
係るボンディングワイヤーの除去方法によると、ツール
先端面に形成された円形状の切断刃によりボンディング
ワイヤーの基板電極側の端部を切断すると共に切断刃の
内側に形成された押圧部によりボンディングワイヤーに
おける切断部位よりも先端側の残留ワイヤーを基板電極
に圧着するため、僅かに残った残留ワイヤーは、ボンデ
ィングワイヤー切断前のボンディングワイヤーと基板電
極との接着強度よりも強い強度で基板電極に圧着される
ので、残留ワイヤーが封止工程の樹脂の流れ等により流
されたりする事態がさけられ、配線間のショート等が生
じない。
【００４６】また、樹脂を加熱して半導体チップと基板
との接着強度を低下させた後、半導体チップを基板から
離脱させるため半導体チップは基板から容易に離脱し、
基板から離脱した半導体チップを切断されたボンディン
グワイヤーと共に除去するためボンディングワイヤーを
切断させることなく確実に除去できる。
【００４７】請求項２の発明に係るボンディングワイヤ
ーの除去方法によると、ツール先端面に形成された円形
状の切断刃によりボンディングワイヤーの基板電極側の
端部を切断した後、ワイヤー切断用ツールを半導体チッ
プ側へ若干移動させてボンディングワイヤーを基板電極
から離脱させるため、ボンディングワイヤーは基板電極
側の端部において基板電極から確実に離脱するので、半
導体チップの離脱と同時にボンディングワイヤーの除去
をすることができる。
【００４８】また、樹脂を加熱して半導体チップと基板
との接着強度を低下させた後、半導体チップを側方へ押
圧して該半導体チップを基板から離脱させるので半導体
チップは基板から容易に離脱し、基板から離脱した半導
体チップを切断されたボンディングワイヤーと共に除去
するのでボンディングワイヤーを切断させることなく確
実に除去することができる。
【００４９】このため、請求項１又は２の発明による
と、切断されたボンディングワイヤーは基板電極側に
殆ど残らず半導体チップと共に除去されるため、リペア
の工程においてボンディングワイヤーを除去する工程が
不要になるので、生産性が非常に向上し、ワイヤー切
断用ツールの切断刃が円形状であるため、ボンディング
ワイヤーがどのような角度で取り付けられていても、ワ
イヤー切断用ツールの角度を変化させることなくボンデ
ィングワイヤーの切断が可能であるから、自動制御によ
るボンディングワイヤーの切断に適しており、また、既
存のワイヤーボンダーのキャピラリーをワイヤー切断用
ツールに替えるだけで容易にボンディングワイヤーの切
断が可能になり、ボンディングワイヤーの自動化が非常
に容易になる。
【００５０】請求項３の発明に係るボンディングワイヤ
ーの除去方法によると、ワイヤー切断用ツールの切断刃
は、ツール先端面をボンディングワイヤーに押し付けた
ときに該切断刃の外面と基板電極とがなす角度が該切断
刃の内面と基板電極とがなす角度よりも大きくなるよう
な形状に形成されているため、切断刃の外面がボンディ
ングワイヤーにおける切断部位よりも半導体チップ電極
側の部位を押圧しないので、半導体チップ電極側のボン
ディングワイヤーが基板電極に圧着される虞れはないの
で、ボンディングワイヤーの除去を弱い力で行なうこと
ができる。
【００５１】請求項４の発明に係るボンディングワイヤ
ーの除去方法によると、ツール先端面をボンディングワ
イヤーの基板電極側の端部に押し付ける際のワイヤー切
断用ツールの位置は数値制御により定められるので、ボ
ンディングワイヤーを数値制御によって自動的に切断す
ることが可能になる。
【００５２】請求項５の発明に係るボンディングワイヤ
ーの除去方法によると、ツール先端面をボンディングワ
イヤーの基板電極側の端部に押し付ける際、ワイヤー切
断用ツールに対して超音波を発振するため、基板電極側
に残った残留ワイヤーの基板電極に対する接着力が増大
するので、ボンディングワイヤーが途中で切断された
り、残留ワイヤーが移動することによる配線不良が生じ
ない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係るボンディングワイヤ
ーの除去方法におけるボンディングワイヤー切断工程を
示す断面図である。
【図２】上記第１実施例に係るボンディングワイヤーの
除去方法におけるリペア工程を示す断面図である。
【図３】上記第１実施例に係るボンディングワイヤーの
除去方法におけるリペア工程を示す断面図である。
【図４】上記第１実施例に係るボンディングワイヤーの
除去方法におけるリペア工程を示す断面図である。
【図５】上記第１実施例に係るボンディングワイヤーの
除去方法に用いるワイヤー切断用ツールの断面図であ
る。
【図６】上記ワイヤー切断用ツールの変形例を示す断面
図である。
【図７】本発明の第２実施例に係るボンディングワイヤ
ーの除去方法におけるボンディングワイヤー切断工程を
示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施例に係るボンディングワイヤ
ーの除去方法におけるボンディングワイヤー切断工程を
示す断面図である。
【図９】従来のボンディングワイヤーの除去方法を示す
断面図である。
【図１０】従来のボンディングワイヤー除去方法を示す
断面図である。
【図１１】従来のボンディングワイヤー除去方法を示す
断面図である。
【符号の説明】
１１ 基板 １２ 基板電極 １３ ボンディングワイヤー １４ ワイヤー切断用ツール １４ａ 切断刃 １４ｂ 押圧部 １５ 加熱ステージ １６ ダイボンディング用パッド １７ ダイボンディング用樹脂 １８ 半導体チップ １９ 半導体チップの電極 ２０ チップ除去用ツール ２１ 真空吸着孔 ２２ 残留ワイヤー

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に半導体チップが樹脂により接着
    され、上記半導体チップの電極と上記基板の基板電極と
    がボンディングワイヤーにより電気的に接続された半導
    体装置のボンディングワイヤーの除去方法であって、 ツール先端面に形成され上記ボンディングワイヤーを切
    断する円形状の切断刃とツール先端面における上記切断
    刃の内側に形成され切断後のボンディングワイヤーを上
    記基板電極に押圧する押圧部とを有するワイヤー切断用
    ツールのツール先端面を上記ボンディングワイヤーの基
    板電極側の端部に押し付けて、上記切断刃により上記ボ
    ンディングワイヤーを切断すると共に上記押圧部により
    上記ボンディングワイヤーにおける切断部位よりも先端
    側部分を上記基板電極に圧着する工程と、 上記樹脂を加熱することにより上記半導体チップと上記
    基板との接着強度を低下させる工程と、 上記半導体チップを側方へ押圧することにより該半導体
    チップを上記基板から離脱させる工程と、 上記基板から離脱した半導体チップを切断されたボンデ
    ィングワイヤーと共に除去する工程とを含むことを特徴
    とするボンディングワイヤーの除去方法。
  2. 【請求項２】 基板上に半導体チップが樹脂により接着
    され、上記半導体チップの電極と上記基板の基板電極と
    がボンディングワイヤーにより電気的に接続された半導
    体装置の上記ボンディングワイヤーの除去方法であっ
    て、 ツール先端面に上記ボンディングワイヤーを切断する円
    形状の切断刃を有するワイヤー切断用ツールのツール先
    端面を上記ボンディングワイヤーの基板電極側の端部に
    押し付けて上記切断刃により上記ボンディングワイヤー
    を切断する工程と、 上記ワイヤー切断用ツールを上記半導体チップ側へ若干
    移動させることにより上記ボンディングワイヤーを上記
    基板電極から離脱させる工程と、 上記樹脂を加熱することにより上記半導体チップと上記
    基板との接着強度を低下させる工程と、 上記半導体チップを側方へ押圧することにより該半導体
    チップを上記基板から離脱させる工程と、 上記基板から離脱した半導体チップを上記基板電極から
    離脱したボンディングワイヤーと共に除去する工程とを
    含むことを特徴とするボンディングワイヤーの除去方
    法。
  3. 【請求項３】 上記ワイヤー切断用ツールの切断刃は、
    該ワイヤー切断用ツールのツール先端面を上記ボンディ
    ングワイヤーの基板電極側の端部に押し付けたときに該
    切断刃の外面と上記基板電極とがなす角度が該切断刃の
    内面と上記基板電極とがなす角度よりも大きくなるよう
    な形状に形成されていることを特徴とする請求項１又は
    ２に記載のボンディングワイヤーの除去方法。
  4. 【請求項４】 上記ワイヤー切断用ツールのツール先端
    面を上記ボンディングワイヤーの基板電極側の端部に押
    し付ける際の上記ワイヤー切断用ツールの位置は数値制
    御により定められることを特徴とする請求項１又は２に
    記載のボンディングワイヤーの除去方法。
  5. 【請求項５】 上記ワイヤー切断用ツールのツール先端
    面を上記ボンディングワイヤーの基板電極側の端部に押
    し付ける際、該ワイヤー切断用ツールに対して超音波を
    発振することを特徴とする請求項１又は２に記載のボン
    ディングワイヤーの除去方法。
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