JPH05283461A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

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JPH05283461A
JPH05283461A JP4082546A JP8254692A JPH05283461A JP H05283461 A JPH05283461 A JP H05283461A JP 4082546 A JP4082546 A JP 4082546A JP 8254692 A JP8254692 A JP 8254692A JP H05283461 A JPH05283461 A JP H05283461A
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JP
Japan
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wire
bonding
coating
inner lead
coated
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4082546A
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Hiroyuki Motoda
弘幸 元田
Junichi Kasai
純一 河西
Kazuto Tsuji
和人 辻
Yoshiyuki Yoneda
義之 米田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は，半導体装置のチップとパッケージ
のインナーリードの導通を図る絶縁被覆ワイヤのワイヤ
ボンディング方法に関し，ワイヤの被覆物を完全に除去
してボンディングを行い，ワイヤとインナーリードのボ
ンディング強度を上げる方法を得ることを目的とする。 【構成】 半導体のチップ１と，リードフレームのイン
ナーリード２とを絶縁被覆ワイヤ３を用いてボンディン
グする方法において，絶縁被覆ワイヤ３の被覆物４をや
すり状の粗面５により擦って，絶縁被覆ワイヤ３内部の
ワイヤ６を露出して，インナーリード２にボンディング
するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，ＩＣ等の半導体装置の
チップとリードフレームのインナーリードの導通を図る
被覆ワイヤ接着方法に関する。
【０００２】近年，ＩＣの多ピン化，及び，チップの小
型化が要求されている。そのため，更にロングワイヤで
対応するために，絶縁被覆ワイヤで導通を図ることが挙
げられる。
【０００３】その場合，特に，被覆ワイヤのリードフレ
ームのインナーリードと接着する側，すなわち，セカン
ドボンディング側の圧着強度が問題となるため，圧着側
の被覆を完全に剥がして，接着強度を上げる必要があ
る。
【０００４】
【従来の技術】図３は従来例の説明図である。図におい
て，１はチップ, ２はインナーリード，３は絶縁被覆ワ
イヤ，４は被覆物，６はワイヤ，９はステージ，10はリ
ードフレーム，11はヒータブロックである。
【０００５】従来のワイヤボンディングをリードフレー
ムを例にして説明する。図３（ａ）に平面図で示すリー
ドフレーム10内のステージ９上に, 図３（ｂ）に断面図
で示すように，ＩＣ等のチップ１が銀蝋等でダイス付け
されている。
【０００６】リードフレーム10をヒータブロック11上に
のせて 250℃程度に加熱し, チップ１上に形成されてい
るアルミニウム(Al)バンプ12に金(Au)線等の絶縁被覆ワ
イヤ３を先ず第一次のワイヤボンディングを行う。この
時は，絶縁被覆ワイヤ３の先端をアーク放電で溶融して
ボールとするので，絶縁被覆ワイヤ３の被覆物は昇華し
て，ボンディング強度に悪影響は及ぼさない。
【０００７】次に，図３（ｃ）に拡大図で示すように，
チップ１上のバンプ12に絶縁被覆ワイヤ３を接続した
後，規定時間加熱されたヒータブロック11上のめっきを
施したリードフレーム10に通常の被覆を施していないワ
イヤと同じ方法で絶縁被覆ワイヤ３をリードフレーム10
内のインナーリード２上にワイヤボンディングしてい
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが，この方法で
は，絶縁被覆ワイヤ３の被覆物４が完全に剥がれて，中
のワイヤ６とインナーリード２が完全な状態で導通する
とは限らず，被覆物４を挟んでワイヤ６をリードフレー
ム10のインナーリード２に接着する事で強度が落ち，ワ
イヤ６の剥離が生じ，断線不良等の原因となっていた。
【０００９】本発明は，絶縁被覆ワイヤの被覆物を完全
に除去してワイヤボンディングを行い，ボンディング強
度を上げる方法を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図，図２は本発明の実施例の説明図である。図におい
て，１はチップ, ２はインナーリード，３は絶縁被覆ワ
イヤ，４は被覆物，５は粗面，６はワイヤ，７は擦り治
具，８はキャピラリ，９はステージ，10はリードフレー
ムである。
【００１１】図１に問題点を解決するための手段，図２
にその応用例を示す。図１（ｂ）に示すように，やすり
状の粗面で絶縁被覆ワイヤ３のワイヤボンディング部分
の被覆物４を擦り，図１（ｃ）に示すように，中のワイ
ヤ６を露出させて，ワイヤボンディング部分をリードフ
レームのインナーリード２とワイヤボンディングする。
【００１２】即ち，本発明の目的は，図１（ａ）に示す
ように，半導体のチップ１と，リードフレームのインナ
ーリード２とを絶縁被覆ワイヤ３を用いてワイヤボンデ
ィングする方法において，図１（ｂ）に示すように，該
絶縁被覆ワイヤ３の被覆物４をやすり状の粗面５により
擦って，図１（ｃ）に示すように，該絶縁被覆ワイヤ３
内部のワイヤ６を露出し，ワイヤボンディングすること
により，前記粗面５を前記インナーリード２表面に設け
たことにより，或いは，図２（ａ）に示すように，前記
粗面５を有する擦り治具７により，ワイヤボンディング
直前に前記絶縁被覆ワイヤ３のボンディング部分を擦っ
て, 前記被覆物４を除去することにより，更に，図２
（ｂ）に示すように，ワイヤボンディング時に絶縁被覆
ワイヤ３を送り出すキャピラリ８を左右に繰り返し動か
して，ボンディング部分の前記被覆物４を擦り取ること
により達成される。
【００１３】
【作用】以上説明した問題点を解決する手段により，ヤ
スリ状のもので絶縁被覆ワイヤのボンディング部分を擦
ることで，ワイヤ６の部分が露出し，通常の裸線と同じ
ワイヤボンディングが出来る。従って，接着強度も従来
と同じになり，ワイヤのボンディング部分からの剥離が
起こらない。
【００１４】
【実施例】図１〜図２は本発明の幾つかの実施例の説明
図である。先ず, 本発明の第１の実施例について説明す
る。
【００１５】図１（ａ）に断面図で示すように，チップ
１上のバンプに絶縁被覆ワイヤ３を接続した後，約250
℃に加熱されたヒータブロック上で, 絶縁被覆ワイヤ３
をリードフレーム10内のインナーリード２にワイヤボン
ディングする。
【００１６】リードフレーム内のインナーリード２のボ
ンディング部分はあらかじめ圧延時等にやすり状の粗面
５に加工されている。また，リードフレームはヒータブ
ロックに載置されて約 250℃に加熱されている。
【００１７】絶縁被覆ワイヤ３は30μｍ径のAu線のワイ
ヤ６に，被覆物４としてポリウレタンを0.5 μｍ被覆し
たものを用いた。ワイヤボンディング装置のセラミック
製のキャピラリ８を通して送りだされた絶縁被覆ワイヤ
３を, 先ず, チップ１上に形成されたAlのパンプに一次
ボンディングを行った後，図１（ｂ）に示すように，キ
ャピラリ８をインナーリード２上で絶縁被覆ワイヤ３を
下に押しつけながら横方向に移動させ，キャピラリ８か
ら送り出した絶縁被覆ワイヤ３の被覆物４をインナーリ
ード２のやすり状の粗面５により擦って，図１（ｃ）に
示すように，絶縁被覆ワイヤ３内部のワイヤ６を露出し
て，インナーリード２の粗面５にワイヤ６をワイヤボン
ディングする。
【００１８】ワイヤボンディングの方法は熱圧着，超音
波圧着，その併用，何れの方法でも良い。本発明の第２
の実施例について説明する。
【００１９】図２（ａ）に示すように，キャピラリ８か
ら送り出された絶縁被膜ワイヤ３の被覆物４を，ワイヤ
ボンディング動作の直前に，やすり状の粗面５を有する
擦り治具７により，ワイヤボンディング部を擦って, 被
覆物４を擦りとった後，通常のワイヤボンディングを行
う。
【００２０】更に，第３の実施例について説明すると，
図２（ｂ）に示すように，ワイヤボンディング時に、絶
縁被覆ワイヤ３を送り出すキャピラリ８を左右に繰り返
し動かして，絶縁被覆ワイヤ３のボンディング部分の被
覆物４を擦り取る。この動作を上記第１，及び第２の動
作と併用すれば，より効果的に絶縁被覆ワイヤ３の被覆
物４を除去することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
ヤスリ状の粗面によりワイヤボンディングのための絶縁
被覆ワイヤの被覆物を擦り取るため，インナーリード側
のワイヤとの接着強度を増すことができ，半導体装置の
信頼性の向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施例の説明図
【図３】 従来例の説明図
【符号の説明】
図において， １ チップ ２ インナーリード ３ 絶縁被覆ワイヤ ４ 被覆物 ５ 粗面 ６ ワイヤ ７ 擦り治具 ８ キャピラリ ９ ステージ 10 リードフレーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻 和人 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 米田 義之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体のチップ(1) と，リードフレーム
    のインナーリード(2) とを絶縁被覆ワイヤ(3) を用いて
    ワイヤボンディングする方法において， 該絶縁被覆ワイヤ(3) の被覆物(4) をやすり状の粗面
    (5) により擦って，該絶縁被覆ワイヤ(3) 内部のワイヤ
    (6) を露出して，該インナーリード(2) に該ワイヤ(6)
    をワイヤボンディングすることを特徴とするワイヤボン
    ディング方法。
  2. 【請求項２】 前記粗面(5) を前記インナーリード(2)
    表面に設けたことを特徴とする請求項１記載のワイヤボ
    ンディング方法。
  3. 【請求項３】 前記粗面(5) を有する擦り治具(7) によ
    り，ワイヤボンディング直前に前記絶縁被覆ワイヤ(3)
    のボンディング部を擦って, ボンディング部分の前記被
    覆物(4) を除去することを特徴とする請求項１記載のワ
    イヤボンディング方法。
  4. 【請求項４】 ワイヤボンディング時に前記絶縁被覆ワ
    イヤ(3) を送り出すキャピラリ(8) を左右に繰り返し動
    かして，ボンディング部分の前記被覆物(4)を擦り取る
    ことを特徴とする請求項１，或いは２，或いは３記載の
    ワイヤボンディング方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002080272A3 (en) * 2001-03-30 2003-05-30 Intel Corp Insulated bond wire assembly process technology for integrated circuits
JP2007504648A (ja) * 2003-08-29 2007-03-01 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 絶縁ワイヤのワイヤボンディング及びワイヤボンディングに用いるキャピラリ
GB2576498A (en) * 2018-08-14 2020-02-26 The Francis Crick Institute Ltd Forming electrical connection between wire electrode and metallic contact surface

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002080272A3 (en) * 2001-03-30 2003-05-30 Intel Corp Insulated bond wire assembly process technology for integrated circuits
US6894398B2 (en) 2001-03-30 2005-05-17 Intel Corporation Insulated bond wire assembly for integrated circuits
JP2007504648A (ja) * 2003-08-29 2007-03-01 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 絶縁ワイヤのワイヤボンディング及びワイヤボンディングに用いるキャピラリ
GB2576498A (en) * 2018-08-14 2020-02-26 The Francis Crick Institute Ltd Forming electrical connection between wire electrode and metallic contact surface

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