JPH0974098A - 半導体チップのボンディング方法 - Google Patents
半導体チップのボンディング方法Info
- Publication number
- JPH0974098A JPH0974098A JP7321187A JP32118795A JPH0974098A JP H0974098 A JPH0974098 A JP H0974098A JP 7321187 A JP7321187 A JP 7321187A JP 32118795 A JP32118795 A JP 32118795A JP H0974098 A JPH0974098 A JP H0974098A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- bumps
- bonding
- wire
- ball
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01018—Argon [Ar]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 製造工程を簡略化すると共に、接着度にも優
れた半導体チップのボンディング方法を提供する。併せ
て、製造コストも低減する。 【解決手段】 半導体チップパッドの上にAuワイヤー
を使用してAuバンプを形成した後、その上にSn/P
b合金ワイヤーを使用してSn/Pb合金バンプを形成
した後、熱処理してボール状のバンプに再成形し、活性
化溶剤を基板に塗布した後、その上に再成形されたボー
ルバンプ又は再成形されていないAuバンプを被せてい
るSn/Pb合金バンプが形成された半導体チップを整
列させ再び熱処理してボンディングする半導体チップの
ボンディング方法。
れた半導体チップのボンディング方法を提供する。併せ
て、製造コストも低減する。 【解決手段】 半導体チップパッドの上にAuワイヤー
を使用してAuバンプを形成した後、その上にSn/P
b合金ワイヤーを使用してSn/Pb合金バンプを形成
した後、熱処理してボール状のバンプに再成形し、活性
化溶剤を基板に塗布した後、その上に再成形されたボー
ルバンプ又は再成形されていないAuバンプを被せてい
るSn/Pb合金バンプが形成された半導体チップを整
列させ再び熱処理してボンディングする半導体チップの
ボンディング方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップのボン
ディング方法に関し、より詳細には半導体チップにバン
プを形成して基板上に回路部が下向になるようにうら返
して実装する半導体チップのボンディング方法に関す
る。
ディング方法に関し、より詳細には半導体チップにバン
プを形成して基板上に回路部が下向になるようにうら返
して実装する半導体チップのボンディング方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】一般的にフリップチップボンディング方
法は基板にチップをボンディングするためのパンプを半
導体チップ製造工程中に別途の工程でチップ上のアルミ
ニウムボンドパッドの上に所望の形態に直接形成して半
導体チップを基板に付着する。即ち、図1に示すよう
に、製造された半導体チップ1上のアルミニウムボンド
パッド2の上にバンプを整列させることができるように
モリブデンマスク3を配列させた後、Cr/Cu/Au
層4を蒸着する段階と、上記Cr/Cu/Au層4の上
にSn/Pb層5を蒸着してバンプを形成する段階と、
ついでモリブデンマスク3を除去し、Sn/Pb層5を
再成形して所望の形状のバンプ6を形成する段階によっ
て行われている。
法は基板にチップをボンディングするためのパンプを半
導体チップ製造工程中に別途の工程でチップ上のアルミ
ニウムボンドパッドの上に所望の形態に直接形成して半
導体チップを基板に付着する。即ち、図1に示すよう
に、製造された半導体チップ1上のアルミニウムボンド
パッド2の上にバンプを整列させることができるように
モリブデンマスク3を配列させた後、Cr/Cu/Au
層4を蒸着する段階と、上記Cr/Cu/Au層4の上
にSn/Pb層5を蒸着してバンプを形成する段階と、
ついでモリブデンマスク3を除去し、Sn/Pb層5を
再成形して所望の形状のバンプ6を形成する段階によっ
て行われている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このようなバンプを形
成する方法はその工程が複雑で多額の製造費用と時間が
かかり、チップ製造工程中に別途の工程で作業を進行し
なければならないという問題点をも内包している。又、
他の方法としては、チップの電極上にワイヤーボールボ
ンディング装置によってAuワイヤーボールボンディン
グを実施して第1Auボールを形成する段階と、上記第
1Auボール上にAuワイヤーボールボンディングを再
度実施して、第2のAuボールを積層させる工程と、上
記第2Auボール上にワイヤーボールボンディングとし
てPbワイヤーボールボンディングを実施してPbボー
ルを形成する工程と、上記Pbボールに熱を加えてPb
ボールを溶かしながらチップを基板上に付着させチップ
ボンディングする工程とで行われる半導体装置のチップ
ボンディング方法が韓国特許公報第3537号(公告番
号:第94−1149号)に記載されている。
成する方法はその工程が複雑で多額の製造費用と時間が
かかり、チップ製造工程中に別途の工程で作業を進行し
なければならないという問題点をも内包している。又、
他の方法としては、チップの電極上にワイヤーボールボ
ンディング装置によってAuワイヤーボールボンディン
グを実施して第1Auボールを形成する段階と、上記第
1Auボール上にAuワイヤーボールボンディングを再
度実施して、第2のAuボールを積層させる工程と、上
記第2Auボール上にワイヤーボールボンディングとし
てPbワイヤーボールボンディングを実施してPbボー
ルを形成する工程と、上記Pbボールに熱を加えてPb
ボールを溶かしながらチップを基板上に付着させチップ
ボンディングする工程とで行われる半導体装置のチップ
ボンディング方法が韓国特許公報第3537号(公告番
号:第94−1149号)に記載されている。
【0004】しかし、この方法は第1Auボール、第2
Auボール及びPbボールを単純に順次積層させたもの
にすぎないため、半導体チップ上のアルミニウムボンド
パッドとの接着力が弱く、よって製品不良発生率が高い
のみならず、Auボールを多層に形成することによる過
負荷のためアルミニウムボンドの損傷が起き、また、材
料のムダ遣いによる製品価格上昇の要因となるという問
題点がある。
Auボール及びPbボールを単純に順次積層させたもの
にすぎないため、半導体チップ上のアルミニウムボンド
パッドとの接着力が弱く、よって製品不良発生率が高い
のみならず、Auボールを多層に形成することによる過
負荷のためアルミニウムボンドの損傷が起き、また、材
料のムダ遣いによる製品価格上昇の要因となるという問
題点がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記のような問
題点を解決するために発明されたもので、ウェーハ上で
チップのボンディングパッドの上にソルダバンプを形成
しないで、組立工程中にワイヤーボールボンディング装
置を使用してバンプを形成するようにすることでチップ
ボンディング能率を向上させ、ワイヤーボールボンディ
ング装置を使用することでワイヤーの太さによりバンプ
の大きさを任意に調節して形成することができ、また、
正確で速やかにバンプを形成することができるので工程
が短縮され、製造原価を節減し得る半導体チップのボン
ディング方法を提供する。
題点を解決するために発明されたもので、ウェーハ上で
チップのボンディングパッドの上にソルダバンプを形成
しないで、組立工程中にワイヤーボールボンディング装
置を使用してバンプを形成するようにすることでチップ
ボンディング能率を向上させ、ワイヤーボールボンディ
ング装置を使用することでワイヤーの太さによりバンプ
の大きさを任意に調節して形成することができ、また、
正確で速やかにバンプを形成することができるので工程
が短縮され、製造原価を節減し得る半導体チップのボン
ディング方法を提供する。
【0006】本発明の目的を達成するためには、半導体
チップ上のアルミニウムボンドパッドの上にワイヤーボ
ールボンディング装置でAuワイヤーボールボンディン
グを実施してAuバンプを形成する工程と、上記Auバ
ンプの上にワイヤーボールボンディング装置でSn/P
b合金ワイヤーボールボンディングを実施してAuバン
プを被覆するようにSn/Pb合金バンプを形成する工
程と、上記Sn/Pb合金バンプに活性化溶剤(Flu
x)を塗布した後、炉で熱処理を実施して望ましい形状
のボール様に再成形させる工程と、活性化溶剤を基板に
塗布した後、上記工程を経て再成形されたボールバンプ
又は再成形工程を経ていないAuバンプを被せているS
n/Pb合金バンプが形成されたチップ基板上に整列さ
せ、炉で熱処理してボンディングする工程とからなるこ
とを特徴とする半導体チップボンディング方法によって
達成されるのである。
チップ上のアルミニウムボンドパッドの上にワイヤーボ
ールボンディング装置でAuワイヤーボールボンディン
グを実施してAuバンプを形成する工程と、上記Auバ
ンプの上にワイヤーボールボンディング装置でSn/P
b合金ワイヤーボールボンディングを実施してAuバン
プを被覆するようにSn/Pb合金バンプを形成する工
程と、上記Sn/Pb合金バンプに活性化溶剤(Flu
x)を塗布した後、炉で熱処理を実施して望ましい形状
のボール様に再成形させる工程と、活性化溶剤を基板に
塗布した後、上記工程を経て再成形されたボールバンプ
又は再成形工程を経ていないAuバンプを被せているS
n/Pb合金バンプが形成されたチップ基板上に整列さ
せ、炉で熱処理してボンディングする工程とからなるこ
とを特徴とする半導体チップボンディング方法によって
達成されるのである。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面を参照し
て詳細に説明する。本発明の半導体チップのボンディン
グ方法は、図2に示すように既存のワイヤーボールボン
ディング装置のキャピラリ60にAuワイヤー30を通
過させボールを作った後、アルミニウムボンドパッド2
0の上にAuボールを接着すると同時に、ワイヤークラ
ンプ70を利用して接着されたAuボールのすぐ上の部
分でワイヤーをカッティングしてAuバンプ31を形成
する工程と、上記Auバンプ31の上に水素−アルゴン
(H2 −Ar)又は水素−窒素(H2 −N2 )混合気体
を供給しながらAuより柔軟性の良いSn/Pb合金バ
ンプ41を積層することでSn/Pb合金バンプ41が
Auバンプ31を覆い被せるように形成する工程と、上
記Sn/Pb合金バンプ41の表面に活性化溶剤を塗布
した後、炉を通過させバンプを熱処理して望ましい形状
のバンプ50に再成形する工程と、活性化溶剤を基板に
塗布した後、上記工程を経て再成形されたボールバンプ
又は再成形工程を経ていないAuバンプ31を被覆して
いるSn/Pb合金バンプ41が形成された半導体チッ
プ10を裏返して基板80のリードフィンガー90に整
列させた後、炉を通過させ熱処理して接着させる工程と
で行われる。
て詳細に説明する。本発明の半導体チップのボンディン
グ方法は、図2に示すように既存のワイヤーボールボン
ディング装置のキャピラリ60にAuワイヤー30を通
過させボールを作った後、アルミニウムボンドパッド2
0の上にAuボールを接着すると同時に、ワイヤークラ
ンプ70を利用して接着されたAuボールのすぐ上の部
分でワイヤーをカッティングしてAuバンプ31を形成
する工程と、上記Auバンプ31の上に水素−アルゴン
(H2 −Ar)又は水素−窒素(H2 −N2 )混合気体
を供給しながらAuより柔軟性の良いSn/Pb合金バ
ンプ41を積層することでSn/Pb合金バンプ41が
Auバンプ31を覆い被せるように形成する工程と、上
記Sn/Pb合金バンプ41の表面に活性化溶剤を塗布
した後、炉を通過させバンプを熱処理して望ましい形状
のバンプ50に再成形する工程と、活性化溶剤を基板に
塗布した後、上記工程を経て再成形されたボールバンプ
又は再成形工程を経ていないAuバンプ31を被覆して
いるSn/Pb合金バンプ41が形成された半導体チッ
プ10を裏返して基板80のリードフィンガー90に整
列させた後、炉を通過させ熱処理して接着させる工程と
で行われる。
【0008】Auバンプ31を形成するに当って使われ
るAuワイヤー30はPdを0.5〜3.0%含有する
ものが好ましい。かくすることによって、Auバンプ3
1を望ましい形状に任意にすることができ、また、バン
プ尾を偏平にするのに都合が良く、更に上記Auバンプ
31はその外部をSn/Pb合金バンプ41で完全に覆
い被すようにすることで、Sn/Pb合金バンプ41と
アルミニウムボンドパッド20が良く接着されるように
する一種の媒介体の役割を果す。上記Auバンプ31の
上へのSn/Pb合金バンプ41の積層を容易にするた
めにAuバンプ31がカッティングされた部分の尾を端
部が偏平なキャピラリで押さえて偏平にするか、又はそ
の尾を短く或いは長く形成することができ、更には上記
Auバンプ31の尾を丸く球状に形成しても良い。ま
た、Auバンプ31の上にH2 −Ar又はH2 −N2 混
合気体が供給される環境でSn/Pb合金バンプ41が
Auバンプ31を覆い被すようにすればSn/Pb合金
バンプ41の外面が酸化されるのを防止できる。
るAuワイヤー30はPdを0.5〜3.0%含有する
ものが好ましい。かくすることによって、Auバンプ3
1を望ましい形状に任意にすることができ、また、バン
プ尾を偏平にするのに都合が良く、更に上記Auバンプ
31はその外部をSn/Pb合金バンプ41で完全に覆
い被すようにすることで、Sn/Pb合金バンプ41と
アルミニウムボンドパッド20が良く接着されるように
する一種の媒介体の役割を果す。上記Auバンプ31の
上へのSn/Pb合金バンプ41の積層を容易にするた
めにAuバンプ31がカッティングされた部分の尾を端
部が偏平なキャピラリで押さえて偏平にするか、又はそ
の尾を短く或いは長く形成することができ、更には上記
Auバンプ31の尾を丸く球状に形成しても良い。ま
た、Auバンプ31の上にH2 −Ar又はH2 −N2 混
合気体が供給される環境でSn/Pb合金バンプ41が
Auバンプ31を覆い被すようにすればSn/Pb合金
バンプ41の外面が酸化されるのを防止できる。
【0009】このような方法によって製造された本発明
は半導体チップ10上のアルミニウムボンドパッド20
の上にAuバンプ31が形成され、上記Auバンプ31
を被覆するようにSn/Pb合金バンプ41を形成し、
基板80に活性化溶剤を塗布してその上にチップ10を
うら返して整列した後、炉を通過させることによってチ
ップ10と基板80との間のボンディングが完成され
る。上記のような本発明は半導体組立工程で使われる既
存のワイヤーボールボンディング装置を使用してバンプ
50を形成することで、チップボンディング能率を向上
することができ、Pdを0.5〜3.0%含有したAu
バンプ31をSn/Pb合金バンプ41が完全に被せて
いるため接着される面積が広まり、その接着力を向上さ
せ不良製品発生を防止することができる。
は半導体チップ10上のアルミニウムボンドパッド20
の上にAuバンプ31が形成され、上記Auバンプ31
を被覆するようにSn/Pb合金バンプ41を形成し、
基板80に活性化溶剤を塗布してその上にチップ10を
うら返して整列した後、炉を通過させることによってチ
ップ10と基板80との間のボンディングが完成され
る。上記のような本発明は半導体組立工程で使われる既
存のワイヤーボールボンディング装置を使用してバンプ
50を形成することで、チップボンディング能率を向上
することができ、Pdを0.5〜3.0%含有したAu
バンプ31をSn/Pb合金バンプ41が完全に被せて
いるため接着される面積が広まり、その接着力を向上さ
せ不良製品発生を防止することができる。
【0010】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明の半導体チ
ップボンディング方法によれば、複雑なバンプ製造工程
を省略し、半導体組立工程で通常のワイヤーボールボン
ディング装置を使用することができ、使用するワイヤー
の太さによってバンプの大きさを適宜調節して形成する
ことができ、更には簡単な工程によってバンプを形成す
ることにより工程短縮による原価節減及び製品歩留り率
を増大するという効果がある。
ップボンディング方法によれば、複雑なバンプ製造工程
を省略し、半導体組立工程で通常のワイヤーボールボン
ディング装置を使用することができ、使用するワイヤー
の太さによってバンプの大きさを適宜調節して形成する
ことができ、更には簡単な工程によってバンプを形成す
ることにより工程短縮による原価節減及び製品歩留り率
を増大するという効果がある。
【図1A〜図1E】従来のバンプ製造工程を示す図面で
ある。
ある。
【図2A〜図2G】本発明に係る半導体チップのボンデ
ィング方法を示す図面である。
ィング方法を示す図面である。
10 半導体チップ 20 アルミニウムボンドパッド 30 Auワイヤー 31 Auバンプ 41 Sn/Pb合金バンプ 50 ボールバンプ
Claims (6)
- 【請求項1】 半導体チップ上のアルミニウムボンドパ
ッドの上にワイヤーボールボンディング装置でAuワイ
ヤーボールボンディングを実施してAuバンプを形成す
る工程と、上記Auバンプ上にワイヤーボールボンディ
ング装置でSn/Pb合金ワイヤーボールボンディング
を実施してAuバンプを被覆するようにSn/Pb合金
バンプを形成する工程と、上記Sn/Pb合金バンプに
活性化溶剤を塗布した後、炉で熱処理を実施してバンプ
を望ましい形状のボール状に再成形する工程と、活性化
溶剤を基板に塗布した後、その上に上記工程を経て再形
成されたボールバンプ又は再成形工程を経ていないAu
バンプを被せているSn/Pb合金バンプが形成された
半導体チップを整列させて炉で熱処理してボンディング
する工程とからなることを特徴とする半導体チップのボ
ンディング方法。 - 【請求項2】 上記Auバンプを形成するAuワイヤー
はPdを0.5〜3.0%含有することを特徴とする請
求項1記載の半導体チップのボンディング方法。 - 【請求項3】 上記Auバンプがカッティングされる部
分の尾を短く形成するか、又は端部を偏平に形成したこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体チップのボンディ
ング方法。 - 【請求項4】 上記Auバンプがカッティングされる部
分の尾を丸く球状に形成したことを特徴とする請求項1
記載の半導体チップのボンディング方法。 - 【請求項5】 上記Auバンプの上にSn/Pb合金バ
ンプを積層する時にH2 −Ar又はH2 −N2 混合気体
が供給されることを特徴とする請求項1記載の半導体チ
ップのボンディング方法。 - 【請求項6】 上記Auバンプの上に積層されるSn/
Pb合金バンプはAuバンプを完全に覆い被せるように
なっていることを特徴とする請求項1記載の半導体チッ
プのボンディング方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1995-28772 | 1995-09-04 | ||
KR1019950028772A KR100186752B1 (ko) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 반도체 칩 본딩방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0974098A true JPH0974098A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=19425973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7321187A Pending JPH0974098A (ja) | 1995-09-04 | 1995-11-15 | 半導体チップのボンディング方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5740956A (ja) |
JP (1) | JPH0974098A (ja) |
KR (1) | KR100186752B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006190777A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Pioneer Electronic Corp | バンプ形成方法 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3252153B2 (ja) * | 1995-03-10 | 2002-01-28 | エルク ザケル | 隆起接点メタライゼーションを形成する方法及びボンディングツール |
JPH09252005A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Shinkawa Ltd | バンプ形成方法 |
KR100237177B1 (ko) * | 1996-12-14 | 2000-01-15 | 정선종 | 반도체 칩의 금속볼 접점 및 그 형성 방법 |
JP3400279B2 (ja) * | 1997-01-13 | 2003-04-28 | 株式会社新川 | バンプ形成方法 |
US5976964A (en) * | 1997-04-22 | 1999-11-02 | Micron Technology, Inc. | Method of improving interconnect of semiconductor device by utilizing a flattened ball bond |
US6165888A (en) * | 1997-10-02 | 2000-12-26 | Motorola, Inc. | Two step wire bond process |
JP3819576B2 (ja) * | 1997-12-25 | 2006-09-13 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH11326379A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-11-26 | Fujitsu Ltd | 電子部品用コンタクタ及びその製造方法及びコンタクタ製造装置 |
US6600215B1 (en) | 1998-04-02 | 2003-07-29 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for coupling a semiconductor die to die terminals |
JP3960445B2 (ja) * | 1998-10-12 | 2007-08-15 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP3407275B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2003-05-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | バンプ及びその形成方法 |
JP2000150560A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Seiko Epson Corp | バンプ形成方法及びバンプ形成用ボンディングツール、半導体ウエーハ、半導体チップ及び半導体装置並びにこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器 |
TW465064B (en) * | 2000-12-22 | 2001-11-21 | Advanced Semiconductor Eng | Bonding process and the structure thereof |
US6940178B2 (en) * | 2001-02-27 | 2005-09-06 | Chippac, Inc. | Self-coplanarity bumping shape for flip chip |
US7271497B2 (en) * | 2003-03-10 | 2007-09-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | Dual metal stud bumping for flip chip applications |
US8646505B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-02-11 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head |
US8794501B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-08-05 | LuxVue Technology Corporation | Method of transferring a light emitting diode |
US8518204B2 (en) * | 2011-11-18 | 2013-08-27 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer |
US8573469B2 (en) | 2011-11-18 | 2013-11-05 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer |
US8349116B1 (en) | 2011-11-18 | 2013-01-08 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
US9773750B2 (en) | 2012-02-09 | 2017-09-26 | Apple Inc. | Method of transferring and bonding an array of micro devices |
US9548332B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-01-17 | Apple Inc. | Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack |
US9768137B2 (en) | 2012-04-30 | 2017-09-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Stud bump structure for semiconductor package assemblies |
US9162880B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-10-20 | LuxVue Technology Corporation | Mass transfer tool |
KR102049635B1 (ko) | 2013-06-12 | 2019-11-28 | 로히니, 엘엘씨. | 피착된 광-생성 소스에 의한 키보드 백라이팅 |
US9296111B2 (en) | 2013-07-22 | 2016-03-29 | LuxVue Technology Corporation | Micro pick up array alignment encoder |
US9087764B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-07-21 | LuxVue Technology Corporation | Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation |
US9153548B2 (en) | 2013-09-16 | 2015-10-06 | Lux Vue Technology Corporation | Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation |
US9367094B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-06-14 | Apple Inc. | Display module and system applications |
US9768345B2 (en) | 2013-12-20 | 2017-09-19 | Apple Inc. | LED with current injection confinement trench |
US9450147B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-09-20 | Apple Inc. | LED with internally confined current injection area |
US9583466B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-28 | Apple Inc. | Etch removal of current distribution layer for LED current confinement |
US9542638B2 (en) | 2014-02-18 | 2017-01-10 | Apple Inc. | RFID tag and micro chip integration design |
US9583533B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-02-28 | Apple Inc. | LED device with embedded nanowire LEDs |
US9522468B2 (en) | 2014-05-08 | 2016-12-20 | Apple Inc. | Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance |
US9318475B2 (en) | 2014-05-15 | 2016-04-19 | LuxVue Technology Corporation | Flexible display and method of formation with sacrificial release layer |
US9741286B2 (en) | 2014-06-03 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Interactive display panel with emitting and sensing diodes |
US9624100B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-04-18 | Apple Inc. | Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements |
US9570002B2 (en) | 2014-06-17 | 2017-02-14 | Apple Inc. | Interactive display panel with IR diodes |
US9425151B2 (en) | 2014-06-17 | 2016-08-23 | Apple Inc. | Compliant electrostatic transfer head with spring support layer |
US9828244B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-11-28 | Apple Inc. | Compliant electrostatic transfer head with defined cavity |
US9705432B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-07-11 | Apple Inc. | Micro pick up array pivot mount design for strain amplification |
US9478583B2 (en) | 2014-12-08 | 2016-10-25 | Apple Inc. | Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate |
KR102298484B1 (ko) | 2016-01-15 | 2021-09-03 | 로히니, 엘엘씨. | 장치 상의 커버를 통해 후면 발광하는 장치 및 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01217935A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および装置 |
JPH0291944A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Mitsubishi Metal Corp | 金バンプ用金合金細線 |
JPH03187228A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-15 | Casio Comput Co Ltd | 半田バンプの形成方法 |
JPH04326534A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-16 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置のチップボンディング方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4674671A (en) * | 1985-11-04 | 1987-06-23 | Olin Corporation | Thermosonic palladium lead wire bonding |
JPS63114138A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Hitachi Ltd | ワイヤ積層ボンデイング方法 |
JP2701419B2 (ja) * | 1989-02-16 | 1998-01-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 半導体素子用金合金細線及びその接合方法 |
JPH0414845A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フリップチップボンディング法 |
JP2748768B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1998-05-13 | 株式会社日立製作所 | 薄膜多層配線基板およびその製造方法 |
JPH05342872A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | 半導体記憶装置 |
US5439162A (en) * | 1993-06-28 | 1995-08-08 | Motorola, Inc. | Direct chip attachment structure and method |
-
1995
- 1995-09-04 KR KR1019950028772A patent/KR100186752B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-15 JP JP7321187A patent/JPH0974098A/ja active Pending
- 1995-12-12 US US08/570,849 patent/US5740956A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01217935A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および装置 |
JPH0291944A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Mitsubishi Metal Corp | 金バンプ用金合金細線 |
JPH03187228A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-15 | Casio Comput Co Ltd | 半田バンプの形成方法 |
JPH04326534A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-16 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置のチップボンディング方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006190777A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Pioneer Electronic Corp | バンプ形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5740956A (en) | 1998-04-21 |
KR970018287A (ko) | 1997-04-30 |
KR100186752B1 (ko) | 1999-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0974098A (ja) | 半導体チップのボンディング方法 | |
JPH04326534A (ja) | 半導体装置のチップボンディング方法 | |
JP3142723B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH02123685A (ja) | 金を含むワイヤを半田に接着する方法 | |
JPH0567647A (ja) | 半導体チツプのフリツプチツプ接合方法 | |
JP2003060154A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
WO1997018584A1 (fr) | Procede de formation de bosse de contact sur un dispositif a semi-conducteurs | |
US6103549A (en) | No clean flux for flip chip assembly | |
JPH06151701A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2727443B2 (ja) | 半導体チップボンディング方法 | |
US5885892A (en) | Bumpless method of attaching inner leads to semiconductor integrated circuits | |
JP2888385B2 (ja) | 受発光素子アレイのフリップチップ接続構造 | |
JPH11135714A (ja) | 半導体装置 | |
US6827252B2 (en) | Bump manufacturing method | |
JP2003303847A (ja) | 半導体構造およびボンディング方法 | |
JP3425510B2 (ja) | バンプボンダー形成方法 | |
JPH0350736A (ja) | 半導体チップのバンプ製造方法 | |
JP3335562B2 (ja) | 半導体チップ接続バンプ形成方法 | |
JPH03283542A (ja) | 半導体チップの接続方法 | |
JP3397045B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3445687B2 (ja) | 半導体チップの実装方法 | |
JP3287233B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000208544A (ja) | ベアicチップおよび半導体装置 | |
JPH04334035A (ja) | 半田ワイヤとそのワイヤを使用した半田バンプの形成方法 | |
JP3826737B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |