JP3960445B2 - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、メイン配線基板に実装する半導体装置とその半導体装置の製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
上記の半導体装置として、図１４に示したような装置がある。
この半導体装置では、半導体チップ１０の能動面の電極（図示せず）に突出形成された導体からなる小径のインナーバンプ２０が半導体チップ１０とほぼ同じ大きさのサブ配線基板３０上面の接続端子３２に電気的に接続されている。半導体チップ１０とサブ配線基板３０との間の隙間には、アンダーフィル材４０が充填されていて、そのアンダーフィル材４０により半導体チップ１０がサブ配線基板３０に結合されている。サブ配線基板３０下面には、導体パッド３４が備えられている。導体パッド３４は、サブ配線基板３０の配線回路（図示せず）を介して、サブ配線基板３０上面の接続端子３２に電気的に接続されている。導体パッド３４には、メイン配線基板５０上面の接続端子５２に電気的に接続する導体からなるほぼ半球状の大径のアウターバンプ６０が突出形成されている。
【０００３】
この半導体装置においては、半導体チップ１０の能動面周囲に小ピッチで並べて形成された複数の各電極を、インナーバンプ２０及びサブ配線基板３０の配線回路を介して、サブ配線基板３０下面に格子状などに大ピッチで並べて備えられた複数の各導体パッド３４に電気的に接続できる。そして、メイン配線基板５０上面の接続端子５２に電気的に接続する半導体チップ１０の能動面周囲の小ピッチで並べて形成された複数の電極を、サブ配線基板３０下面に格子状などに大ピッチで並べて配列した導体パッド３４に置き換えることができる。それと共に、半導体チップ１０の能動面の所定の電極間を、サブ配線基板３０の配線回路を介して電気的に接続できる。
【０００４】
サブ配線基板３０下面の格子状などに大ピッチで並ぶ複数の各導体パッド３４には、ほぼ半球状の大径のアウターバンプ６０を、近接する他の導体パッド３４に形成したアウターバンプ６０に接触させずに、そのアウターバンプ６０から所定距離離して形成できる。そして、そのほぼ半球状の大径の複数の各アウターバンプ６０を、メイン配線基板５０上面の格子状などに大ピッチで並ぶ複数の各接続端子５２に容易かつ確実に電気的に接続できる。そして、半導体チップ１０の能動面の複数の各電極を、それに対応するメイン配線基板５０上面の各接続端子５２に電気的に接続できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の半導体装置は、半導体チップ１０を専有体積の大きいサブ配線基板３０を介してメイン配線基板５０に実装する構造をしていて、その半導体装置が大型となってしまった。
また、半導体チップ１０とサブ配線基板３０との間をアンダーフィル材４０を介して結合する必要があって、その製造に多大な手数を要した。
さらに、複雑な構造のサブ配線基板３０を用いる必要があって、そのために半導体装置の製造コストが嵩んだ。
【０００６】
本発明は、このような課題を解消可能な、サブ配線基板を排除して、その小型化とその製造の容易化及びその製造コストの低廉化とを図った半導体装置と、その半導体装置を形成するための半導体装置の製造方法とを提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第１の半導体装置は、半導体チップの能動面を覆う絶縁層の表面に、その半導体チップの能動面の電極に電気的に接続された再配線回路が形成され、その再配線回路の一部に形成された導体パッドにほぼ半球状をしたインナーバンプが突出形成され、前記再配線回路及び該再配線回路の周囲の絶縁層の表面に、半導体チップとは別体に形成された透孔が設けられた絶縁フィルムが、その裏面に塗布された絶縁性の接着剤を介して連続して被着されて、その絶縁フィルムに設けられた透孔に前記インナーバンプが嵌挿され、さらに、前記絶縁フィルムの透孔が設けられた部分にアウターバンプがその上部を絶縁フィルムの外側に突出させて前記インナーバンプに連ねて形成されたことを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の第２の半導体装置は、半導体チップの能動面を覆う絶縁層の表面に、その半導体チップの能動面の電極に電気的に接続された再配線回路が形成され、その再配線回路及び該再配線回路の周囲の絶縁層の表面に、半導体チップとは別体に形成された透孔が設けられた絶縁フィルムが、その裏面に塗布された絶縁性の接着剤を介して連続して被着されて、その絶縁フィルムに設けられた透孔の底部に前記再配線回路の一部に形成された導体パッドが露出され、前記絶縁フィルムの透孔が設けられた部分にアウターバンプがその上部を絶縁フィルムの外側に突出させて前記導体パッドに連ねて形成されたことを特徴としている。
【０００９】
この第１又は第２の半導体装置においては、半導体チップの能動面を、絶縁層により覆って保護できる。そして、絶縁層の表面に形成された再配線回路が半導体チップの能動面に接触して種々の障害を起こすのを、防ぐことができる。
【００１０】
また、再配線回路の近接する回路間が、絶縁フィルムの外側に突出させて形成されたアウターバンプを介して電気的に短絡するのを、再配線回路の表面を覆う絶縁フィルムにより防ぐことができる。
【００１１】
また、絶縁フィルムの外側に格子状などに大ピッチで突出させて形成された複数の各アウターバンプに、半導体チップの能動面に小ピッチで並べて形成された複数の各電極を、再配線回路及びインナーバンプを介して、又は再配線回路を介して、電気的に接続できる。そして、半導体チップの能動面に小ピッチで並べて形成された電極を、透孔が格子状などに大ピッチで並べて設けられた絶縁フィルムの外側に格子状などに大ピッチで突出させて形成された複数のアウターバンプに置き換えることができる。そして、その複数の各アウターバンプを、それに対応するメイン配線基板上面の格子状などに大ピッチで並ぶ複数の各接続端子に容易かつ確実に電気的に接続できる。そして、半導体チップの能動面の複数の各電極を、それに対応するメイン配線基板上面の複数の各接続端子に電気的に接続できる。
それと共に、半導体チップの能動面に備えられた所定の電極間を、再配線回路を介して電気的に接続できる。
そして、半導体チップの能動面に小ピッチで並ぶ複数の各電極を絶縁フィルムの外側に格子状などに大ピッチで突出させて形成された複数の各アウターバンプに置き換えたり、半導体チップの能動面の所定の電極間を電気的に接続するためのサブ配線基板を、専有体積の極めて少ない絶縁層と再配線回路と絶縁フィルムとに置き換えたりすることができる。
【００１２】
第１の半導体装置において、高融点部材のめっき層やはんだ等からなるインナーバンプは、一般に、低融点部材のはんだ等からなるアウターバンプに比べて、柔らかい部材からなっている。
そのため、第１の半導体装置においては、そのアウターバンプをメイン配線基板上面の接続端子に接続した状態において、半導体チップが発する熱などにより、アウターバンプにメイン配線基板等から応力が加わった場合に、その応力をアウターバンプに連なる柔軟なインナーバンプに的確に吸収させることができる。そして、インナーバンプが応力緩衝材の役割を果たして、アウターバンプに過大な応力が加わって、アウターバンプがそれが接続されたメイン配線基板上面の接続端子から離脱したり、アウターバンプにクラックが生じたりすることを防ぐことができる。
【００１３】
本発明の第１又は第２の半導体装置においては、前記透孔が、絶縁フィルムの表側に向けてラッパ状に広がった形状のものであることを好適としている。
【００１４】
この第１又は第２の半導体装置にあっては、絶縁フィルムの透孔が設けられた部分に形成するアウターバンプを、絶縁フィルムの外側に向けてラッパ状に広がった透孔を通して、絶縁フィルムに邪魔されずに、透孔に嵌挿した導体パッドに形成されたインナーバンプ又は透孔の底部に露出した導体パッドに容易かつ確実に胴太く連ねることができる。そして、そのアウターバンプを、導体パッドに確実に電気的に接続できる。
【００１５】
本発明の第１の半導体装置の製造方法は、半導体チップの能動面を絶縁層で覆って、その絶縁層の表面に半導体チップの能動面の電極に電気的に接続された再配線回路を形成し、その再配線回路の一部に形成した導体パッドに高融点部材からなるインナーバンプを突出形成した後、前記再配線回路及び該再配線回路の周囲の絶縁層の表面に絶縁フィルムを連続して被着して、その絶縁フィルムに設けた透孔に前記インナーバンプを嵌挿した状態とし、次いで、前記絶縁フィルムの透孔が設けられた部分に低融点部材からなるアウターバンプをその上部を絶縁フィルムの外側に突出させて前記インナーバンプに連ねて形成することを特徴している。
【００１６】
また、本発明の第２の半導体装置の製造方法は、半導体チップの能動面を絶縁層で覆って、その絶縁層の表面に半導体チップの能動面の電極に電気的に接続された再配線回路を形成した後、その再配線回路及び該再配線回路の周囲の絶縁層の表面に、半導体チップとは別体に形成された透孔を設けた絶縁フィルムを、その裏面に塗布された絶縁性の接着剤を介して連続して被着して、その絶縁フィルムに設けた透孔の底部に前記再配線回路の一部に形成した導体パッドを露出させた状態とし、次いで、前記透孔が設けられた絶縁フィルムの外側部分に搭載したアウターバンプ形成用のボールを加熱して溶融させて、そのボールの下部を該ボールに加わる重力を用いて前記透孔の底部に露出した導体パッドに連ねることにより、前記絶縁フィルムの透孔が設けられた部分にアウターバンプをその上部を絶縁フィルムの外側に突出させて前記導体パッドに連ねて形成することを特徴としている。
【００１７】
この第１又は第２の半導体装置の製造方法においては、絶縁フィルムの透孔が設けられた部分にアウターバンプをその上部を絶縁フィルムの外側に突出させて形成する際に、そのアウターバンプが半導体チップの能動面を覆う絶縁層表面の再配線回路の一部に接触した状態となるのを、絶縁フィルムにより防ぐことができる。そして、その再配線回路の一部が、アウターバンプを介して電気的に短絡した状態となるのを防ぐことができる。
【００１８】
また、第１の半導体装置の製造方法においては、低融点部材からなるアウターバンプをインナーバンプに連ねて形成した際に、高融点部材からなるインナーバンプが溶けて、そのインナーバンプの形状が崩れたり、そのインナーバンプがアウターバンプに混入して消失したりするのを防ぐことができる。そして、アウターバンプをインナーバンプに連ねて容易かつ確実に形成できる。
【００１９】
また、第１の半導体装置の製造方法においては、絶縁フィルムの透孔が設けられた部分に、アウターバンプを、絶縁フィルムに邪魔されずに、絶縁フィルムの透孔に嵌挿されたその上部が絶縁フィルムの表面近くに達するインナーバンプ又はその上部が絶縁フィルムの外側に突出したインナーバンプに容易かつ確実に連ねて形成できる。
【００２０】
本発明の第１又は第２の半導体装置の製造方法においては、前記透孔を、絶縁フィルムの表側に向けてラッパ状に広がった形状に形成することを好適としている。
【００２１】
この第１の半導体装置の製造方法にあっては、透孔に嵌挿したインナーバンプの上部を、絶縁フィルムの表側に向けてラッパ状に広がった透孔の広く開口した上部空間に位置させることができる。そして、その透孔の広く開口した上部空間に位置させたインナーバンプの上部にアウターバンプを、絶縁フィルムに邪魔されずに、容易かつ確実に連ねることができる。
また、この第２の半導体装置の製造方法にあっては、絶縁フィルムの表側に向けてラッパ状に広がった透孔の底部に露出した導体パッドにアウターバンプの下部を、絶縁フィルムに邪魔されずに、胴太く容易かつ確実に連ねることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面に従い説明する。
図１ないし図３は本発明の第１の半導体装置の好適な実施の形態を示し、図１はその構造説明図、図２は図１の一部拡大図、図３はその一部拡大構造説明図である。以下に、この第１の半導体装置を説明する。
【００２３】
図の第１の半導体装置では、半導体チップ１０の能動面が、ポリイミド樹脂等の薄い絶縁層１００により覆われて保護されている。絶縁層１００の表面には、半導体チップ１０の能動面の電極（図示せず）に電気的に接続されたＣｕ等を主体とする再配線回路１２０が形成されている。再配線回路１２０の一部には、円板状等をした導体パッド１２２が形成されている。
【００２４】
導体パッド１２２には、図２に示したように、高融点部材の導体からなるほぼ半球状をした小径のインナーバンプ１４０が突出形成されている。又は、図３に示したように、高融点部材の導体めっき層からなるほぼ円柱状をした小径のインナーバンプ１４０が突出形成されている。インナーバンプ１４０は、例えばＳｎを１０重量％を含みＰｂを９０重量％を含むはんだを用いて形成されている。
【００２５】
再配線回路１２０及び該再配線回路の周囲の絶縁層１００の表面には、絶縁フィルム１６０が連続して被着されている。絶縁フィルム１６０には、例えばポリイミド樹脂フィルム等の裏面に絶縁性の接着剤が塗布された絶縁体からなる接着フィルムが用いられている。
【００２６】
絶縁フィルム１６０には、透孔１８０が設けられていて、その透孔１８０に導体パッド１２２に突出形成されたインナーバンプ１４０が嵌挿されている。そして、インナーバンプ１４０の上部が、絶縁フィルム１６０の表面近くに達したり、又は絶縁フィルム１６０の外側に突出したりしている。
【００２７】
絶縁フィルム１６０の透孔１８０が設けられた部分には、低融点部材の導体からなるほぼ半球状をした大径のアウターバンプ２００が、その上部を絶縁フィルム１６０の外側に突出させて、インナーバンプ１４０に連ねて形成されている。アウターバンプ２００は、例えばＳｎを６３重量％含みＰｂを３７重量％含む共晶はんだを用いて形成されている。
【００２８】
図１ないし図３に示した第１の半導体装置は、以上のように構成されていて、この半導体装置においては、図１に示したように、半導体チップ１０の能動面に小ピッチで並ぶ複数の電極を、再配線回路１２０及びインナーバンプ１４０を介して、透孔１８０が格子状などに大ピッチで設けられた絶縁フィルム１６０の外側に格子状などに大ピッチで突出させて形成された複数のアウターバンプ２００に電気的に接続できる。そして、その複数の各アウターバンプ２００を、それに対応するメイン配線基板５０上面に格子状などに大ピッチで並ぶ複数の各接続端子５２に容易かつ確実に電気的に接続できる。そして、半導体チップ１０の能動面の複数の各電極を、それに対応するメイン配線基板５０上面の複数の各接続端子５２に電気的に接続できる。
それと共に、半導体チップ１０の能動面の所定の電極間を、再配線回路１２０を介して電気的に接続できる。
【００２９】
次に、この第１の半導体装置の製造方法であって、本発明の第１の半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を図面に従い説明する。
図４ないし図８は本発明の第１の半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を示し、図４ないし図８はその工程説明図である。以下に、この第１の半導体装置の製造方法を説明する。
【００３０】
図の第１の半導体装置の製造方法では、図４ないし図６に示したように、半導体チップ１０の能動面を絶縁層１００で覆っている。具体的には、半導体チップ１０の能動面に、ポリイミド樹脂等を薄く層状に塗布して硬化させている。
【００３１】
絶縁層１００の表面には、再配線回路１２０を形成している。
半導体チップ１０の能動面の電極直上の絶縁層１００には、穴（図示せず）を設けていて、その穴の底部に半導体チップ１０の電極を露出させている。そして、その穴の底部に露出させた半導体チップ１０の電極に、上記の再配線回路１２０の一部を連ねている。そして、上記の再配線回路１２０を半導体チップ１０の電極に電気的に接続している。
【００３２】
再配線回路１２０の一部には、図４ないし図６に示したように、円形状等をした導体パッド１２２を形成している。そして、その導体パッド１２２に、図５又は図６に示したような、高融点部材の導体からなるインナーバンプ１４０を突出形成している。図５に示したインナーバンプ１４０は、例えばＳｎを１０重量％含みＰｂを９０重量％含むはんだめっき層からなり、ほぼ円柱状をしている。図６に示したインナーバンプ１４０は、上記のはんだめっき層をリフローして形成していて、ほぼ半球状をしている。
【００３３】
その後、図７又は図８に示したように、再配線回路１２０及び該再配線回路の周囲の絶縁層１００の表面に、絶縁フィルム１６０を連続して被着している。そして、その絶縁フィルム１６０に格子状などに大ピッチで設けた複数の各透孔１８０に、複数の各導体パッド１２２に形成したインナーバンプ１４０を嵌挿している。絶縁フィルム１６０には、例えばポリイミド樹脂フィルムの裏面に絶縁性の接着剤を塗布してなる接着フィルムを用いている。
【００３４】
次いで、絶縁フィルム１６０の複数の各透孔１８０が設けられた部分に、図１ないし図３に示したように、低融点部材の導体からなるほぼ半球状をした大径のアウターバンプ２００を、その上部を絶縁フィルム１６０の外側に突出させて、複数の各透孔１８０に嵌挿したインナーバンプ１４０に連ねて形成している。アウターバンプ２００は、例えばＳｎを６３重量％含みＰｂを３７重量％含む共晶はんだを用いて形成している。そして、図１ないし図３に示したような、第１の半導体装置を形成している。
【００３５】
図４ないし図８に示した第１の半導体装置の製造方法は、以上の工程からなり、この第１の半導体装置の製造方法においては、絶縁フィルム１６０の透孔１８０が設けられた部分にアウターバンプ２００をその上部を絶縁フィルム１６０の外側に突出させて形成する際に、そのアウターバンプ２００が半導体チップ１０の能動面を覆う絶縁層１００表面の形成した再配線回路１２０の一部に接触した状態となるのを、絶縁フィルム１６０により防ぐことができる。そして、そのアウターバンプ２００を介して、再配線回路１２０の一部が電気的に短絡した状態になるのを防ぐことができる。
【００３６】
また、インナーバンプ１４０を高融点部材から形成しているため、低融点部材からなるアウターバンプ２００を透孔１８０に嵌挿したインナーバンプ１４０に連ねて形成した際に、高融点部材からなるインナーバンプ１４０が溶けて、そのインナーバンプ１４０の形状が崩れたり、そのインナーバンプ１４０がアウターバンプ２００に混入して消失したりするのを防ぐことができる。
【００３７】
また、導体パッド１２２に突出形成したインナーバンプ１４０を絶縁フィルム１６０に設けた透孔１８０に嵌挿して、そのインナーバンプ１４０の上部を絶縁フィルム１６０の表面近くに配置したり絶縁フィルム１６０の外側に突出させたりしているため、絶縁フィルム１６０の透孔１８０が設けられた部分に形成するアウターバンプ２００を、絶縁フィルム１６０に邪魔されずに、インナーバンプ１４０に容易かつ確実に連ねることができる。
【００３８】
上述の第１の半導体装置において、透孔１８０は、図９又は図１０に示したように、絶縁フィルム１６０の外側に向けてラッパ状に広がった形状のものであることが好ましい。
また、上述の第１の半導体装置の製造方法において、透孔１８０は、図９又は図１０に示したように、絶縁フィルム１６０の外側に向けてラッパ状に広がった形状に形成することが好ましい。
透孔１８０が、このような形状をしていると、図９又は図１０に示したように、その透孔１８０に嵌挿したインナーバンプ１４０の上部を、絶縁フィルム１６０の外側に向けてラッパ状に広がった透孔１８０の広く開口した上部空間に位置させることができる。そして、その透孔１８０の上部空間に位置させたインナーバンプ１４０の上部にアウターバンプ２００を、絶縁フィルム１６０に邪魔されずに、容易かつ確実に胴太く連ねることができる。
【００３９】
図１１は本発明の第２の半導体装置の好適な実施の形態を示し、図１１はその構造説明図である。以下に、この第２の半導体装置を説明する。
【００４０】
図の第２の半導体装置では、再配線回路１２０及び該再配線回路の周囲の絶縁層１００の表面を連続して覆う絶縁フィルム１６０に設けられた透孔１８０の底部に、再配線回路１２０の一部に形成された導体パッド１２２が露出されている。
【００４１】
絶縁フィルム１６０の透孔１８０が設けられた部分には、高融点部材の導体からなるほぼ半球状の大径のアウターバンプ２００が、その上部を絶縁フィルム１６０の外側に突出させて、透孔１８０の底部に露出した導体パッド１２２に直接に連ねて形成されている。
【００４２】
その他は、図１ないし図３に示した前述の第１の半導体装置と同様に構成されていて、その作用も、アウターバンプ２００がインナーバンプ１４０を介して導体パッド１２２に連ねて形成されていることから生ずる作用を除いて、図１ないし図３に示した前述の第１の半導体装置と同様である。
【００４３】
図１２は本発明の第２の半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を示し、図１２はその工程説明図である。以下に、この第２の半導体装置の製造方法を説明する。
【００４４】
図の第２の半導体装置の製造方法においては、図１２に示したように、透孔１８０が設けられた絶縁フィルム１６０の外側部分に、アウターバンプ２００形成用のはんだ等の導体からなるボール２１０を搭載している。
【００４５】
次いで、そのボール２１０を加熱して溶融させている。そして、その溶融させたボール２１０の下部を、該ボールに加わる重力を用いて、絶縁フィルム１６０に設けられた透孔１８０の底部に露出した導体パッド１２２に連ねている。そして、図１１に示したように、絶縁フィルム１６０の透孔１８０が設けられた部分に、ほぼ半球状をした大径のアウターバンプ２００を、その上部を絶縁フィルム１６０の外側に突出させて、透孔１８０の底部に露出した導体パッド１２２に連ねて形成している。そして、図１１に示したような、第２の半導体装置を形成している。
【００４６】
その他は、図４ないし図８に示した前述の第１の半導体装置の製造方法と同様であり、その作用も、アウターバンプ２００をインナーバンプ１４０を介して導体パッド１２２に連ねて形成することから生ずる作用を除いて、図４ないし図８に示した前述の第１の半導体装置の製造方法と同様である。
【００４７】
上述の第２の半導体装置において、透孔１８０は、図１３に示したように、絶縁フィルム１６０の外側に向けてラッパ状に広がった形状のものであることが好ましい。
また、上述の第２の半導体装置の製造方法において、透孔１８０は、図１３に示したように、絶縁フィルム１６０の外側に向けてラッパ状に広がった形状に形成することが好ましい。
透孔１８０が、このような形状をしていると、図１３に示したように、絶縁フィルム１６０の透孔１８０が設けられた部分に形成するアウターバンプ２００を、絶縁フィルム１６０に邪魔されずに、透孔１８０の底部に露出した導体パッド１２２に容易かつ確実に胴太く連ねることができる。そして、そのアウターバンプ２００を、導体パッド１２２に容易かつ確実に電気的に接続できる。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の第１又は第２の半導体装置及び本発明の第１又は第２の半導体装置の製造方法によれば、従来の半導体装置において必要としていたサブ配線基板を、専有体積の極めて少ない形成の容易な絶縁層と再配線回路と絶縁フィルムとに置き換えることができる。そして、半導体装置の大幅な小型化とその半導体装置の製造の容易化及びその半導体装置の製造コストの大幅な低廉化とが図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の半導体装置の構造説明図である。
【図２】本発明の第１の半導体装置の一部拡大構造説明図である。
【図３】本発明の第１の半導体装置の一部拡大構造説明図である。
【図４】本発明の第１の半導体装置の製造方法を示す工程説明図である。
【図５】本発明の第１の半導体装置の製造方法を示す工程説明図である。
【図６】本発明の第１の半導体装置の製造方法を示す工程説明図である。
【図７】本発明の第１の半導体装置の製造方法を示す工程説明図である。
【図８】本発明の第１の半導体装置の製造方法を示す工程説明図である。
【図９】本発明の第１の半導体装置の一部拡大構造説明図である。
【図１０】本発明の第１の半導体装置の一部拡大構造説明図である。
【図１１】本発明の第２の半導体装置の構造説明図である。
【図１２】本発明の第２の半導体装置の製造方法を示す工程説明図である。
【図１３】本発明の第２の半導体装置の一部拡大構造説明図である。
【図１４】従来の半導体装置の構造説明図である。
【符号の説明】
１０ 半導体チップ
２０ インナーバンプ
３０ サブ配線基板
３２ 接続端子
３４ 導体パッド
４０ アンダーフィル材
５０ メイン配線基板
５２ 接続端子
６０ アウターバンプ
１００ 絶縁層
１２０ 再配線回路
１２２ 導体パッド
１４０ インナーバンプ
１６０ 絶縁フィルム
１８０ 透孔
２００ アウターバンプ
２１０ ボール

Claims (6)

  1. 半導体チップの能動面を覆う絶縁層の表面に、その半導体チップの能動面の電極に電気的に接続された再配線回路が形成され、その再配線回路の一部に形成された導体パッドにほぼ半球状をしたインナーバンプが突出形成され、前記再配線回路及び該再配線回路の周囲の絶縁層の表面に、半導体チップとは別体に形成された透孔が設けられた絶縁フィルムが、その裏面に塗布された絶縁性の接着剤を介して連続して被着されて、その絶縁フィルムに設けられた透孔に前記インナーバンプが嵌挿され、さらに、前記絶縁フィルムの透孔が設けられた部分にアウターバンプがその上部を絶縁フィルムの外側に突出させて前記インナーバンプに連ねて形成されたことを特徴とする半導体装置。
  2. 半導体チップの能動面を覆う絶縁層の表面に、その半導体チップの能動面の電極に電気的に接続された再配線回路が形成され、その再配線回路及び該再配線回路の周囲の絶縁層の表面に、半導体チップとは別体に形成された透孔が設けられた絶縁フィルムが、その裏面に塗布された絶縁性の接着剤を介して連続して被着されて、その絶縁フィルムに設けられた透孔の底部に前記再配線回路の一部に形成された導体パッドが露出され、前記絶縁フィルムの透孔が設けられた部分にアウターバンプがその上部を絶縁フィルムの外側に突出させて前記導体パッドに連ねて形成されたことを特徴とする半導体装置。
  3. 前記透孔が、絶縁フィルムの表側に向けてラッパ状に広がった形状のものである請求項１又は２記載の半導体装置。
  4. 半導体チップの能動面を絶縁層で覆って、その絶縁層の表面に半導体チップの能動面の電極に電気的に接続された再配線回路を形成し、その再配線回路の一部に形成した導体パッドに高融点部材からなるインナーバンプを突出形成した後、前記再配線回路及び該再配線回路の周囲の絶縁層の表面に絶縁フィルムを連続して被着して、その絶縁フィルムに設けた透孔に前記インナーバンプを嵌挿した状態とし、次いで、前記絶縁フィルムの透孔が設けられた部分に低融点部材からなるアウターバンプをその上部を絶縁フィルムの外側に突出させて前記インナーバンプに連ねて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 半導体チップの能動面を絶縁層で覆って、その絶縁層の表面に半導体チップの能動面の電極に電気的に接続された再配線回路を形成した後、その再配線回路及び該再配線回路の周囲の絶縁層の表面に、半導体チップとは別体に形成された透孔を設けた絶縁フィルムを、その裏面に塗布された絶縁性の接着剤を介して連続して被着して、その絶縁フィルムに設けた透孔の底部に前記再配線回路の一部に形成した導体パッドを露出させた状態とし、次いで、前記透孔が設けられた絶縁フィルムの外側部分に搭載したアウターバンプ形成用のボールを加熱して溶融させて、そのボールの下部を該ボールに加わる重力を用いて前記透孔の底部に露出した導体パッドに連ねることにより、前記絶縁フィルムの透孔が設けられた部分にアウターバンプをその上部を絶縁フィルムの外側に突出させて前記導体パッドに連ねて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 前記透孔を、絶縁フィルムの表側に向けてラッパ状に広がった形状に形成する請求項４又は５記載の半導体装置の製造方法。
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