JPH0732173B2 - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

Info

Publication number
JPH0732173B2
JPH0732173B2 JP60050327A JP5032785A JPH0732173B2 JP H0732173 B2 JPH0732173 B2 JP H0732173B2 JP 60050327 A JP60050327 A JP 60050327A JP 5032785 A JP5032785 A JP 5032785A JP H0732173 B2 JPH0732173 B2 JP H0732173B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonded
wire
bonding
ultrasonic
bonding method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60050327A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61210644A (ja
Inventor
之宏 池谷
幸一郎 渥美
鉄男 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP60050327A priority Critical patent/JPH0732173B2/ja
Publication of JPS61210644A publication Critical patent/JPS61210644A/ja
Publication of JPH0732173B2 publication Critical patent/JPH0732173B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313Wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85203Thermocompression bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はワイヤボンディング方法に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕
ワイヤボンディング手段には、熱圧着による熱圧着ボン
ディング、超音波ワイヤボンディングなどがある。現
在、超音波併用した熱圧着併用超音波ワイヤボンディン
グが主流となって実用されている。しかしながら、この
ワイヤボンディングを実行していると、ボンディングパ
ッドの構造、材質、半導体ペレットの材質によって、ボ
ンディングパッドの破壊やペレットにクラックが入る場
合があるなどの問題がしばしば発生した。例えばAlボン
ディングパッドの下層がダメージに弱い場合、例えばGa
Asのペレットの場合、Auボール超音波ボンディングした
時Alパッドの下層にクラックが入り、ペレット不良とな
る。
この原因について詳査した結果超音波によるものである
ことが判った。
この点に対処して本件出願人はすでに特願昭59−135946
号で超音波の印加のタイミングをコントロールしたもの
をすでに出願している。
この方法は良好なボンディングが得られ、ボンディング
による破壊やクラックに対しては良好な改善策であっ
た。しかし、ボンディング速度の高速化が要求される
と、この方法では限界があり、高速化に対応できボンデ
ィング面の保護の可能なボンディング方法が要望されて
いた。
〔発明の目的〕
この発明は上記点に対処してなされたもので超音波を用
いたワイヤボンディング時のペレットへのダメージを軽
減し高速化が可能なワイヤボンディング方法を提供する
ものである。
〔発明の概要〕
すなわち本発明は、ワイヤを超音波ボンディングするに
際し、各ボンディング箇所において複数種類の超音波出
力を印加しながらワイヤボンディングする方法を得るも
のである。
〔発明の実施例〕
次にこの発明方法の実施例を第1図を参照して説明す
る。
超音波熱圧着ワイヤボンディング装置は当業者において
周知であるから、その説明を省略する。
(実施例1) ボンディングアームの先端に取着されたキャピラリ(図
示せず)のボンディングパッド(1)への移送軌跡
(2)を第1図(A)に示す。このキャピラリの移送軌
跡(2)においてワイヤ例えばAuワイヤ(3)の先端に
形成されているボール(4)の変形の状態は例えば第1
図(A)に示す通りである。第1図(B)はボール
(4)がボンディングパッド(1)(第1の被接合面)
へ接触した状態を示し、黒丸はボンディングパッド
(5)との接触面積(6)を示す。第1図(C)はボン
ディングパッド(1)へのワイヤボンディングに際して
の超音波の出力の包絡線波形を示し、ボール(4)がボ
ンディングパッド(1)に接触すると同時に超音波出力
を大きくし、初期間例えば5ミリ秒間大きいパワーを継
続した後、超音波出力を2乃至4割小さくした超音波出
力を後期間例えば5ミリ秒間キャピラリに印加する状態
を示している。第1図(D)は、ボンディングアームな
どに内蔵される超音波発振源(図示せず)の超音波出力
を第1図(C)の出力に制御するための波形図である。
すなわち、ボンディングパッド例えばAl(アルミニウ
ム)電極パッドに金ボール(4)がランディングすると
同時にボンディングアームの制御により熱圧着が行われ
るが、並行して超音波発振源を制御して超音波出力を大
きくして出力する。この過程でボール(4)は加圧変形
を受けると共に超音波出力によりAl電極パッド(1)面
との接合部に合金層を急速に成長させる。この期間は上
記したように、この実施例では5mSecである。
次に超音波出力を2乃至3割低下させ、接合部の上記し
た合金層が所望の大きさに拡大成長するまで、例えば5
ミリ秒間印加する。このような過程を径ることによりボ
ンディング面を保護した状態で強固なワイヤボンディン
グが得られる。
このボンディング方法は、ボール加圧時に、ボールが変
形されながら超音波を印加すると接合部での合金層の成
長が速くなり、そのタイミングでかなり大きな超音波出
力を印加する上記実施例は合金層の成長に有効である。
この期間は長過ぎると、逆に接合強度が低下する。次に
超音波出力を低下させて、有効な合金層領域(6)を、
さらに大きく成長させるものである。
この方法によれば、接合時間の短縮が得られ、所望の接
合強度が得られると共にボンディング面のクラックなど
の現象を軽減できる。
(実施例2) 次に、実施例1のボンディングインク条件と逆に第2図
(A)(B)に示す如く、超音波出力を、ボンディング
過程の初期においては弱く、後期において強くした例で
ある。この実施例は特にボンディングパッドやボンディ
ングパッドの下地である例えば半導体ペレットが加圧に
よるダメージを特に受けやすい場合に適用して好適であ
る。すなわち、ボンディング過程の初期例えばボール
(4)がボンディングパッド(1)に接触後約4ミリ秒
間は超音波出力をペレットにダメージが生じない大きさ
の超音波出力をキャピラリを介してボール(1)に印加
する。この初期過程において、加圧によりボール(1)
を押しつぶし、弱い超音波出力により圧着面積をかなり
拡大する。ボール(1)とボンディングパッド(1)面
との圧着面積が拡大したのち、超音波出力を増大させ、
上記圧着面積部に合金層を形成して強固な接合を得る。
この期間は例えば5ミリ秒間である。
このように弱い超音波で圧着面積を拡大したのち、超音
波出力を増大してボンディングするので、ボンディング
ダメージを受けやすいペレットおよびペレット構造に極
めて有効なボンディングを高速に実行できる効果があ
る。
上記の超音波出力波形をコントロールする手段として
は、予め所望する波形をプログラムしてコンピュータに
より、超音波出力の大きさ、時間、波形の変化回数など
を自動制御できる。
上記実施例では超音波出力を2段階の例について説明し
たが、超音波出力の制御手段は上記のほかパルスコント
ロールしてもよいし、上記実施例のように断続的でなく
連続的に変化するような超音波出力を用いてもよい。
上記実施例では、ボールボンディングについて説明した
が、超音波併用熱圧着ワイヤボンディングであれば、第
2の被接合面のウエッジボンディングでも同様に実施で
きる。さらに上記実施例ではAuワイヤについて説明した
が、金代替ワイヤ例えばAlワイヤ、Cuワイヤ、これらの
合金ワイヤなどにも実用でき、同様な効果が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明方法によれば、ボンディング
面へのダメージを軽減し高速ボンディングが可能である
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)(B)(C)(D)は本発明方法の実施例
を説明するための図、第2図(A)(B)は第1図の他
の実施例を説明するための図である。 1…ボンディングパッド、2…キャピラリーの移送軌
跡、3…ワイヤ、4…ボール、5…ボールの外形、6…
合金層。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ボンディングアームの先端に設けられたキ
    ャピラリに挿通されたワイヤを半導体ペレットに設けら
    れた第1の被接合面にボンディングし、その後上記第1
    の被接合面と異なる位置に設けられた第2の被接合面に
    ボンディングするワイヤボンディング方法において、上
    記ワイヤが上記第1の被接合面へ接触したのに基づい
    て、所定の大きさに設定された複数種類の超音波出力を
    所定時間印加することにより上記第1の被接合面へ上記
    ワイヤをボンディングすることを特徴とするワイヤボン
    ディング方法。
  2. 【請求項2】ボンディングアームの先端に設けられたキ
    ャピラリに挿通されたワイヤを半導体ペレットに設けら
    れた第1の被接合面にボンディングし、その後上記第1
    の被接合面と異なる位置に設けられた第2の被接合面に
    ボンディングするワイヤボンディング方法において、上
    記ワイヤが上記第2の被接合面へ接触したのに基づい
    て、所定の大きさに設定された複数種類の超音波出力を
    所定時間印加することにより上記第2の被接合面へ上記
    ワイヤをボンディングすることを特徴とするワイヤボン
    ディング方法。
  3. 【請求項3】ボンディングアームの先端に設けられたキ
    ャピラリに挿通されたワイヤを半導体ペレットに設けら
    れた第1の被接合面にボンディングし、その後上記第1
    の被接合面と異なる位置に設けられた第2の被接合面に
    ボンディングするワイヤボンディング方法において、上
    記ワイヤが上記第1の被接合面へ接触したのに基づい
    て、所定の大きさに設定された複数種類の超音波出力を
    所定時間印加することにより上記第1の被接合面へ上記
    ワイヤをボンディングし、その後キャピラリを移動させ
    ることにより上記ワイヤが上記第2の被接合面へ接触し
    たのに基づいて、所定の大きさに設定された複数種類の
    超音波出力を所定時間印加することにより上記第2の被
    接合面へ上記ワイヤをボンディングすることを特徴とす
    るワイヤボンディング方法。
JP60050327A 1985-03-15 1985-03-15 ワイヤボンデイング方法 Expired - Lifetime JPH0732173B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60050327A JPH0732173B2 (ja) 1985-03-15 1985-03-15 ワイヤボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60050327A JPH0732173B2 (ja) 1985-03-15 1985-03-15 ワイヤボンデイング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61210644A JPS61210644A (ja) 1986-09-18
JPH0732173B2 true JPH0732173B2 (ja) 1995-04-10

Family

ID=12855810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60050327A Expired - Lifetime JPH0732173B2 (ja) 1985-03-15 1985-03-15 ワイヤボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0732173B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH088285B2 (ja) * 1990-02-23 1996-01-29 株式会社東芝 ワイヤボンディング方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5951742B2 (ja) * 1979-11-10 1984-12-15 株式会社新川 超音波ワイヤボンデイング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61210644A (ja) 1986-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6047877A (en) Lead penetrating clamping system
JP2004088005A (ja) ワイヤボンディング用キャピラリ及びこれを用いたワイヤボンディング方法
JPS61125062A (ja) ピン取付け方法およびピン取付け装置
JPH0732173B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS6052585B2 (ja) ワイヤボンディング法
JPH01276729A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0530058B2 (ja)
JPS61208836A (ja) ワイヤボンデイング方法
US6461898B1 (en) Two step wire bond process
JP2978852B2 (ja) 半導体装置のワイヤボンディング接続方法
JPH01209733A (ja) 半導体装置
JP2001068499A (ja) ワイヤーボンディング装置およびワイヤーボンディング方法
JPS58182843A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPS61219159A (ja) 金ボ−ルバンプの製造方法
JPS61140142A (ja) ボンデイング方法
JPH03233946A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH039525A (ja) バンプ形成方法及びその形成装置
JPS58180035A (ja) ボンデイング装置
JPH03127844A (ja) ボンディング装置およびボンディング方法
JPH0290640A (ja) ワイヤボンディング方法
JPS59201453A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS63226035A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH03142940A (ja) ワイヤボンディング方法
JPS62136833A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6378544A (ja) ワイヤボンデイング方法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term