JPS61208836A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents
ワイヤボンデイング方法Info
- Publication number
- JPS61208836A JPS61208836A JP60049318A JP4931885A JPS61208836A JP S61208836 A JPS61208836 A JP S61208836A JP 60049318 A JP60049318 A JP 60049318A JP 4931885 A JP4931885 A JP 4931885A JP S61208836 A JPS61208836 A JP S61208836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- wire
- ball
- time
- wire bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はワイヤボンディング方法に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕ワイヤボンディ
ングは周知の通力キャビラリ−によシ移送されたワイヤ
をボンディング位置に導びき、ボンディングアームによ
り加圧されて熱圧着によりボンディングされる。この加
圧に際し、キャピラリに超音波振動を重量して熱圧着に
よる接合部の合金化領域を広くするととが一般に実用さ
れている。
ングは周知の通力キャビラリ−によシ移送されたワイヤ
をボンディング位置に導びき、ボンディングアームによ
り加圧されて熱圧着によりボンディングされる。この加
圧に際し、キャピラリに超音波振動を重量して熱圧着に
よる接合部の合金化領域を広くするととが一般に実用さ
れている。
しかしながら、このようなワイヤボンディング作業を実
行すると、半導体ペレットの種類、ポンディングパッド
の種によってポンディングパッドの下層が破損する不良
が発生し改善が望まれていた。
行すると、半導体ペレットの種類、ポンディングパッド
の種によってポンディングパッドの下層が破損する不良
が発生し改善が望まれていた。
この不良の現象について洋食した結果1次のようなこと
が判明した。例えばボールボンディングにおいて、初期
ボールは球状をしており、ボールがゼンデノング面に培
触十入面踏は塔ど小傭−噂たは点状である。従って、加
圧が大きいと針で加圧したのと同等となり破損が発生す
る。特にこの状態で超音波がボンディング期間フルパワ
ー印加されると、クラックなどダメージまで進行するつ
〔発明の目的〕 この発明は上記点に対処してなされたもので、ペレット
の種類ポンディングパッドの種類によって選択的に条件
制御して、ワイヤ鼾ンディング時のベレットダメージを
軽減ならしめたワイヤボンディング方法を提供するもの
である。
が判明した。例えばボールボンディングにおいて、初期
ボールは球状をしており、ボールがゼンデノング面に培
触十入面踏は塔ど小傭−噂たは点状である。従って、加
圧が大きいと針で加圧したのと同等となり破損が発生す
る。特にこの状態で超音波がボンディング期間フルパワ
ー印加されると、クラックなどダメージまで進行するつ
〔発明の目的〕 この発明は上記点に対処してなされたもので、ペレット
の種類ポンディングパッドの種類によって選択的に条件
制御して、ワイヤ鼾ンディング時のベレットダメージを
軽減ならしめたワイヤボンディング方法を提供するもの
である。
すなわち、この発明は複数のボンディング位置、 に
ついて荷重をかけて順次ワイヤボンディングするに際し
、−ケ所のボンディング位置でのボンディング中尺荷動
を変化させる手段と、上記複数のボンディング位置での
ボンディングについて上記荷重の変化を少なくとも2種
の荷重の変化でボンし ディングする手段を備゛吟−九ワイヤボンディング方、
法を得るものである。
ついて荷重をかけて順次ワイヤボンディングするに際し
、−ケ所のボンディング位置でのボンディング中尺荷動
を変化させる手段と、上記複数のボンディング位置での
ボンディングについて上記荷重の変化を少なくとも2種
の荷重の変化でボンし ディングする手段を備゛吟−九ワイヤボンディング方、
法を得るものである。
次にこの発明方法の実施例を説明する。ワイヤボンディ
ング装fKついては当業者において周知であるからその
詳細を省略する。
ング装fKついては当業者において周知であるからその
詳細を省略する。
ボンディングアーム(図示せず)の先端に取着されたボ
ンディングツールに導びかれたワイヤ例えばAuワイヤ
の先端にトーチ例えば電気トーチ法によシボールを形成
し、このボールを第1のボンディング位置に導びき、こ
のボールをボンディングアームによる加圧で平坦化する
。この時超音波併用のボンディングを行うと、ボンディ
ング面との接合部を合金化で強固なボンディングが行な
われる。この過程において、この発明の実施例は、ボン
ディングツールによるボールへの加圧力を一ポンディン
グ期間において所望する変化に設定できるようにし予め
設定(プログラム)することである。例えば第1図(5
)に示すように初期間の例えば5ミリ秒間比較的大きな
加重を(B1図のボールにかけて、ボールを0図のよう
に変形させて、ボンディング面例えばGaAs半導体ペ
レットに設けたMポンディングパッド(図示せず)K接
合される。
ンディングツールに導びかれたワイヤ例えばAuワイヤ
の先端にトーチ例えば電気トーチ法によシボールを形成
し、このボールを第1のボンディング位置に導びき、こ
のボールをボンディングアームによる加圧で平坦化する
。この時超音波併用のボンディングを行うと、ボンディ
ング面との接合部を合金化で強固なボンディングが行な
われる。この過程において、この発明の実施例は、ボン
ディングツールによるボールへの加圧力を一ポンディン
グ期間において所望する変化に設定できるようにし予め
設定(プログラム)することである。例えば第1図(5
)に示すように初期間の例えば5ミリ秒間比較的大きな
加重を(B1図のボールにかけて、ボールを0図のよう
に変形させて、ボンディング面例えばGaAs半導体ペ
レットに設けたMポンディングパッド(図示せず)K接
合される。
(C)図のようにパッドとの接合面が広面積になった後
に後期間例えば5ミリ秒間加重の加圧力を半分に小さく
して加圧をかけ、0図のように接合面をさらに広範囲に
する。これらの加重に伴ない超音波振動をボンディング
ツールに印加して重畳するととKよシ、上記接合面を強
固な合金層に進行させることができる。これでワイヤの
一端側のボンディングが完了する。次にポンディングッ
ールヲ上昇させて、第2のボンディング位置に導びき、
ウェッジボンディングを実行する。この時の初期間、後
期間における加圧値はボールボンディング時より小さく
なっている。これはボンディング面が第1のボンディン
グ面と異なシ例えば回路基板のボンディング位置が選択
されるととく基づいている。
に後期間例えば5ミリ秒間加重の加圧力を半分に小さく
して加圧をかけ、0図のように接合面をさらに広範囲に
する。これらの加重に伴ない超音波振動をボンディング
ツールに印加して重畳するととKよシ、上記接合面を強
固な合金層に進行させることができる。これでワイヤの
一端側のボンディングが完了する。次にポンディングッ
ールヲ上昇させて、第2のボンディング位置に導びき、
ウェッジボンディングを実行する。この時の初期間、後
期間における加圧値はボールボンディング時より小さく
なっている。これはボンディング面が第1のボンディン
グ面と異なシ例えば回路基板のボンディング位置が選択
されるととく基づいている。
ボンディング中の荷重の変化は第1図(5)に示すよう
な2ステツプの階段波のほか、3段階でも4段階でもよ
いし、加重の変化を段線的でなく、連続的に変化させて
もよい。
な2ステツプの階段波のほか、3段階でも4段階でもよ
いし、加重の変化を段線的でなく、連続的に変化させて
もよい。
ボンディング荷重の印加はボンディングアームのZ軸方
向駆動をリニアモータで構成し、このリニアモータの電
流値を第1図囚の波形に制御してもよい。リニアモータ
による2軸駆動でなくパルスモータによるZ軸駆動でも
同様にモータ駆動の電流波形を第1図四のようにしても
よい。
向駆動をリニアモータで構成し、このリニアモータの電
流値を第1図囚の波形に制御してもよい。リニアモータ
による2軸駆動でなくパルスモータによるZ軸駆動でも
同様にモータ駆動の電流波形を第1図四のようにしても
よい。
さらに、ポンディングアームZ軸駆動制御をマイコンな
どのCPUに予め第1図(2)に示すような設定値をプ
ログラムし、このプログラムの設定値の指令に従って2
軸駆動モータを制御してもよい。
どのCPUに予め第1図(2)に示すような設定値をプ
ログラムし、このプログラムの設定値の指令に従って2
軸駆動モータを制御してもよい。
このようなボンディングは、例えば回路基板K ゛複
数個のICをダイボンディングしたものの、ワイヤボン
ディングのように多数のボンディング個所のあるような
ボンディングは、この−回路基板について連続してボン
ディングが実行されるが、この発明の実施例では各ボン
ディング面の状態に応じて条件を選択する。これは、マ
イコンなどにプログラムすることによシ、最適ボンディ
ングが実行できる。
数個のICをダイボンディングしたものの、ワイヤボン
ディングのように多数のボンディング個所のあるような
ボンディングは、この−回路基板について連続してボン
ディングが実行されるが、この発明の実施例では各ボン
ディング面の状態に応じて条件を選択する。これは、マ
イコンなどにプログラムすることによシ、最適ボンディ
ングが実行できる。
超音波併用ワイヤボンディングのほか、熱圧着ワイヤボ
ンディングなど選択的に実行できる。
ンディングなど選択的に実行できる。
以上説明したように本発明方法によればボンディング面
の状態に応じて多数個所について夫々最適したボンディ
ング中のボンディング荷重を変化させたワイヤボンディ
ングを実行できる効果がある。
の状態に応じて多数個所について夫々最適したボンディ
ング中のボンディング荷重を変化させたワイヤボンディ
ングを実行できる効果がある。
第1図(A) 、 CB) 、 (C) 、 CD)は
本発明方法の実施例を説明するための図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名) 第1図 (B) (C) (D)
本発明方法の実施例を説明するための図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名) 第1図 (B) (C) (D)
Claims (4)
- (1)複数のボンディング位置について荷重をかけて順
次ワイヤボンディングするに際し、一ケ所のボンディン
グ位置でのボンディング中に荷重を変化させる手段と、
上記荷重の変化を所望する変化に設定する手段とを具備
してなることを特徴とするワイヤボンディング方法。 - (2)一ボンディング中の荷重の変化はボンディングア
ームを駆動するモータへの駆動電流の大きさを変化させ
たものである特許請求の範囲第1項記載のワイヤボンデ
ィング方法。 - (3)一ボンディング中の荷重の変化は階段状に変化さ
せたものである特許請求の範囲第1項記載のワイヤボン
ディング方法。 - (4)一ボンディング中の荷重を変化させたワイヤボン
ディングは超音波併用のワイヤボンディングであること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のワイヤボンデ
ィング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60049318A JPH0815166B2 (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | ワイヤボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60049318A JPH0815166B2 (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | ワイヤボンデイング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61208836A true JPS61208836A (ja) | 1986-09-17 |
JPH0815166B2 JPH0815166B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=12827614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60049318A Expired - Fee Related JPH0815166B2 (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | ワイヤボンデイング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0815166B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0231439A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-01 | Texas Instr Japan Ltd | ボンディング方法及びその装置 |
JPH02101754A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Hitachi Ltd | ボンディング方法及びボンディング装置 |
US4993618A (en) * | 1988-08-05 | 1991-02-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wire bonding method |
JPH0424934A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Kaijo Corp | ワイヤボンディング装置並びにその方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101039A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Hitachi Ltd | ワイヤボンデイング方法および装置 |
-
1985
- 1985-03-14 JP JP60049318A patent/JPH0815166B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101039A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Hitachi Ltd | ワイヤボンデイング方法および装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0231439A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-01 | Texas Instr Japan Ltd | ボンディング方法及びその装置 |
US4993618A (en) * | 1988-08-05 | 1991-02-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wire bonding method |
JPH02101754A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Hitachi Ltd | ボンディング方法及びボンディング装置 |
JPH0424934A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Kaijo Corp | ワイヤボンディング装置並びにその方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0815166B2 (ja) | 1996-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5660319A (en) | Ultrasonic bonding process | |
US5364004A (en) | Wedge bump bonding apparatus and method | |
US5465899A (en) | Method and apparatus for fine pitch wire bonding using a shaved capillary | |
US6564115B1 (en) | Combined system, method and apparatus for wire bonding and testing | |
US6105848A (en) | Wire bonding method, wire bonding apparatus and semiconductor device produced by the same | |
JPS63194343A (ja) | ワイヤボンディング装置の制御方法 | |
JPS61208836A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPH02231736A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JP4365851B2 (ja) | ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置 | |
US5884834A (en) | Multi-frequency ultrasonic wire bonder and method | |
JP6727747B1 (ja) | ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置 | |
US5634586A (en) | Single point bonding method | |
JP3274731B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH0530058B2 (ja) | ||
JP2000223526A (ja) | ワイヤのボンディングおよびテスティングのための組合せ形システム、方法および装置 | |
JPH0732173B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JP2839223B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH0645413A (ja) | ワイヤボンディング装置及びその方法 | |
JP2527531B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH1074785A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH07147296A (ja) | ワイヤーボンディング方法及びその装置 | |
JPH07266421A (ja) | 超音波溶着方法及びその装置 | |
JPH03233946A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP2880832B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH1190647A (ja) | スポット溶接電極の研磨装置及び研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |