JPH04372146A - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

Info

Publication number
JPH04372146A
JPH04372146A JP3150194A JP15019491A JPH04372146A JP H04372146 A JPH04372146 A JP H04372146A JP 3150194 A JP3150194 A JP 3150194A JP 15019491 A JP15019491 A JP 15019491A JP H04372146 A JPH04372146 A JP H04372146A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capillary
ultrasonic
wire
vibration
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3150194A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriyasu Kashima
規安 加島
Yukihiro Iketani
之宏 池谷
Mutsumi Suematsu
睦 末松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP3150194A priority Critical patent/JPH04372146A/ja
Publication of JPH04372146A publication Critical patent/JPH04372146A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4845—Details of ball bonds
    • H01L2224/48451—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/788—Means for moving parts
    • H01L2224/78821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/78822—Rotational mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/8212—Aligning
    • H01L2224/82148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/82169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, e.g. nozzle
    • H01L2224/8218—Translational movements
    • H01L2224/82181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体装置の
組み立て工程において、ＩＣペレットの電極部とリ−ド
フレ−ムの電極部とをワイヤで接続するワイヤボンディ
ング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ワイヤボンディング装置は、リ
−ドフレ−ム又は回路基板のダイパッドにダイボンディ
ングされたＩＣペレット（以下「ペレット」と略す）の
電極パッド（電極部）とリ−ドフレ−ム又は回路基板の
リ−ド部（電極部）とを金、銅、アルミ等のワイヤで接
続する装置である。
【０００３】そして、ワイヤボンディングとは、キャピ
ラリの先端からワイヤを繰り出しながら、このキャピラ
リを用いて上記ワイヤを上記電極パッドおよびリ−ド部
にボンディングすることをいう。
【０００４】ワイヤボンディングには、あらかじめペレ
ットを約３５０度程度に熱しながらボンディングを行う
熱圧着方式とペレットを約１５０度〜２５０度程度に保
ちつつ、キャピラリに超音波振動を加え、その超音波エ
ネルギでボンディングを行う熱圧着超音波併用方式とが
ある。
【０００５】例えば、熱圧着超音波併用方式を用いるワ
イヤボンディング装置には、図３に示すようなものがあ
る。同図中１はキャピラリである。このキャピラリ１は
、一端部に図示しない超音波振動子が設けられた超音波
ホ−ン２の一端部に軸線を垂直にして取り付けられてい
る。上記図示しない超音波振動子は超音波ホ−ン２を軸
方向（矢印イで示す）に振動させる。このことで上記キ
ャピラリ１は図に矢印ロで示す方向に超音波振動をする
ようになっている。
【０００６】また、このキャピラリ１には金ワイヤ３が
挿通されている。この金ワイヤ３はキャピラリ１の先端
から導出され、先端部に金ボ−ル３ａを形成している。 そして、上記キャピラリ１は、超音波振動することで上
記金ボ−ル３ａに超音波エネルギを印加することができ
る。
【０００７】このようなワイヤボンディング装置によれ
ば、上記キャピラリ１を作動させ、金ボ−ル３ａを第１
のボンディング点であるペレット４の電極パッド６に超
音波エネルギを印加しつつ押し付けてボンディングする
。
【０００８】その後、上記ワイヤボンディング装置はキ
ャピラリ１を上下方向およびＸＹ方向に移動させて、金
ワイヤ３を繰出し、第２のボンディング点であるリ−ド
フレ−ム５のリ−ド部７にボンディングする。しかるの
ち、上記キャピラリ１を上昇駆動させて金ワイヤ３を切
断するという動作を繰り返すことによって上記電極パッ
ド６とリ−ド部７の結線を行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のワイ
ヤボンディング装置は、キャピラリ１を上記超音波ホ−
ン２の軸方向に振動させるようになっていたため、金ワ
イヤ３の先端に形成された金ボ−ル３ａは振動方向に長
い楕円状に押し潰される。
【００１０】このことにより、例えば、４辺に沿って電
極パッド６…が等間隔に形成されたペレット４をワイヤ
ボンディングする場合には、電極パッド６…の並ぶ方向
によって隣合う金ボ−ル３ａと金ボ−ル３ａの間隔に差
が生じる。
【００１１】すなわち、上記キャピラリ１の振動方向に
並んだ電極パッド６…上に押し潰された金ボ−ル３ａの
幅（長径）ａと、振動方向に直交する方向に並んだ金ボ
−ル３ａの幅（短径）ｂとでは、ａの方が大きくなる。
【００１２】このため、キャピラリ１の振動方向に並ぶ
電極パッド６…上にボンディングする際には、上記金ボ
−ル３ａと隣合う金ボ−ル３ａとが接触し通電不良が生
じる恐れがある。
【００１３】また、リ−ド部７側では、経験的に、上記
金ボ−ル３ａにリ−ド部７の長手方向の振動を加えた場
合よりも、長手方向に直交する方向の振動を加えた場合
の方が金ボ−ル３ａとリ−ド部７の接合強度が弱いとい
うことが認識されている。
【００１４】この発明はこのような事情に鑑みて成され
たもので、ボンディング状態を均一にし不良の発生が低
減できるワイヤボンディング装置を提供することを目的
とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明は、ワイヤが挿
通されたキャピラリを用い、このワイヤを被ボンディン
グ部材の電極部にボンディングするワイヤボンディング
装置において、上記キャピラリに超音波ねじり振動を印
加する振動印加手段を具備することを特徴とする。
【００１６】
【作用】このような構成によれば、上記ワイヤに超音波
ねじり振動を印加することで、このワイヤを被ボンディ
ング部材の電極部にボンディングすることができる。
【００１７】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。なお従来例と同一の構成要素には同一記号を
付して説明を省略する。まず、この発明の第１の実施例
を図１を参照して説明する。
【００１８】図中１０はこの発明のワイヤボンディング
装置の振動印加手段としての超音波ホ−ンである。この
超音波ホ−ン１０は、平行に離間して略水平に配置され
た第１、第２のア−ム部１０ａ、１０ｂと、この各ア−
ム部１０ａ、１０ｂの一端部どうしを連結する連結部１
０ｃとからなる略Ｕ字状の部材である。
【００１９】上記超音波ホ−ン１０の上記第１、第２の
ア−ム部１０ａ、１０ｂの他端には、それぞれ、各ア−
ム１０ａ、１０ｂの軸方向の超音波振動を発生する第１
、第２の超音波振動子１１、１２が設けられている。
【００２０】上記第１の超音波振動子１１の＋端子は第
２の超音波振動子１２の−（マイナス）端子に接続され
、上記第１の超音波振動子１１の−端子および第２の超
音波振動子１２の＋端子は高周波電源１３の出力端子に
接続されている。
【００２１】上記高周波電源１３から高周波電圧が加え
られると、上記第１、第２の振動子１１、１２は位相が
１８０度ずれた振動をする。すなわち、上記第１の超音
波振動子１１が伸びる方向に変位する時には、上記第２
の超音波振動子１２は縮む方向に変位する。
【００２２】さらに、上記接続部１０ｃの中央部には、
軸線を垂直にしたキャピラリ１の上端部が固定されてい
る。このキャピラリ１には、上記接続部１０ｃの上方か
ら金ワイヤ３が挿通されている。そしてこの金ワイヤ３
は上記キャピラリ１の先端部から下方に導出され、先端
部に金ボ−ル３ａを形成している。
【００２３】つまり、上記第１、第２のア−ム部１０ａ
、１０ｂの一端は互い違いの方向に微小量の伸縮振動を
繰り返すから、上記接続部１０ｃは中央部（キャピラリ
１が取り付けられた部位）を中心に水平平面内で微小角
揺動振動を行う。このことで、上記キャピラリ１はその
軸線回りに微小角のねじり振動を行うことができる。
【００２４】このような構成のワイヤボンディング装置
によれば、上記キャピラリ１を上下方向およびＸＹ方向
に駆動することで、上記金ボ−ル３ａを図３を引用して
示す上記ペレット４の電極パッド６（電極部）およびリ
−ドフレ−ム５のリ−ド部７（電極部）に押し付け、か
つ上記第１、第２の超音波振動子１１、１２に高周波電
圧を印加する。このことで上記ワイヤボンディング装置
は、上記キャピラリ１に超音波域での微小角ねじり振動
を行わせ、上記金ボ−ル３ａに超音波エネルギを与える
。
【００２５】そして、上記ワイヤボンディング装置は、
この超音波エネルギによって、上記金ボ−ル３ａを上記
電極パッド６あるいはリ−ド部７にボンディングする。 このとき、上記キャピラリ１の運動は従来例と異なり正
転逆転振動であるから、上記金ボ−ル３ａを略円形状に
押し潰した状態でボンディングすることができる。次に
、この発明の第２の実施例を図２を参照して説明する。
【００２６】同図中１４は、ワイヤボンディング装置に
設けられ、一端部にキャピラリ１５を保持するア−ムで
ある。このア−ム１４は、上記超音波ホ−ン２と異なり
、超音波振動子は設けられていない。
【００２７】このア−ム１４の一端部に保持されたキャ
ピラリ１５は軸線を垂直にし、かつ高さ方向中途部には
このキャピラリ１５と軸線を一致させた振動印加手段と
しての超音波ねじり振動子１６が設けられている。この
ねじり振動子１６の＋端子および−端子は高周波電源１
３に接続されている。すなわち、上記ねじり振動子１６
に高周波電圧を印加することで上記キャピラリ１５の下
端部は軸線まわりに超音波域での微小角ねじり振動を行
う。
【００２８】このような構成のワイヤボンディング装置
によれば、上記キャピラリ１５を上下方向およびＸＹ方
向に駆動することで、上記金ボ−ル３ａを図３を引用し
て示すペレット４の電極パッド６およびリ−ド部７にボ
ンディングする。このとき、このワイヤボンディング装
置は、上記金ボ−ル３ａに、第１の実施例と同様に正転
逆転振動による超音波エネルギを印加することができる
ので上記金ボ−ル３ａを略円形状に押し潰した状態でボ
ンディングすることができる。
【００２９】以上、述べたように、上記第１、第２の実
施例の構成によれば、上記金ボ−ル３ａを略円形に押し
潰すことができるので、金ボ−ル３ａと金ボ−ル３ａの
間隔を略均一にすることができる。このことによって電
極パッド６…の並ぶ方向にかかわらず、より均一なボン
ディングを行うことができるから、各電極パッド６と電
極パッド６がショ−トするということが少なくなり、ま
た接続強度も均一化するので不良の発生が低減できる。 なお、この発明は上記一実施例に限定されるものではな
く、発明の要旨を変更しない範囲で種々変形可能である
。
【００３０】例えば、上記一実施例において、上記キャ
ピラリ１を回転自在に支持するア−ムを設けるようにし
ても良い。このようにすることで上記キャピラリ１の運
動を回転方向のみに規制することができる。
【００３１】
【発明の効果】上述のように、この発明のワイヤボンデ
ィング装置は、ボンディングの際に上記キャピラリに微
小角の超音波ねじり振動をさせ、ワイヤを略円形に押し
潰すようにした。
【００３２】このような構成によれば、電極部の並ぶ方
向にかかわらず、より均一なボンディングを行うことが
できるから、各電極部と電極部がショ−トするというこ
とが少なくなり、またボンディング強度も均一化するの
で不良の発生が低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施例の要部を示す斜視図。
【図２】この発明の第２の実施例の要部を示す斜視図。
【図３】従来例を示す斜視図。
【符号の説明】 １…キャピラリ、３…金ワイヤ（ワイヤ）、３ａ…金ボ
−ル、４…ペレット（被ボンディング部材）、６…電極
パッド（電極部）、７…リ−ド部（電極部）、１０…超
音波ホ−ン（振動印加手段）、１１…第１の超音波振動
子、１２…第２の超音波振動子、１３…高周波電源、１
４…ア−ム、１５…キャピラリ、１６…超音波ねじり振
動子（振動印加手段）。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　ワイヤが挿通されたキャピラリを用い
    、このワイヤを被ボンディング部材の電極部にボンディ
    ングするワイヤボンディング装置において、上記キャピ
    ラリに超音波ねじり振動を印加する振動印加手段を具備
    することを特徴とするワイヤボンディング装置。
JP3150194A 1991-06-21 1991-06-21 ワイヤボンディング装置 Pending JPH04372146A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3150194A JPH04372146A (ja) 1991-06-21 1991-06-21 ワイヤボンディング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3150194A JPH04372146A (ja) 1991-06-21 1991-06-21 ワイヤボンディング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04372146A true JPH04372146A (ja) 1992-12-25

Family

ID=15491574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3150194A Pending JPH04372146A (ja) 1991-06-21 1991-06-21 ワイヤボンディング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04372146A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010095490A1 (ja) * 2009-02-23 2010-08-26 株式会社新川 半導体装置の製造方法およびボンディング装置
US8191759B2 (en) * 2009-01-07 2012-06-05 Shinkawa Ltd. Wire bonding apparatus and wire bonding method
JPWO2023063431A1 (ja) * 2021-10-17 2023-04-20

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8191759B2 (en) * 2009-01-07 2012-06-05 Shinkawa Ltd. Wire bonding apparatus and wire bonding method
WO2010095490A1 (ja) * 2009-02-23 2010-08-26 株式会社新川 半導体装置の製造方法およびボンディング装置
JP2010199142A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Shinkawa Ltd ボンディング方法およびボンディング装置
JP4595018B2 (ja) * 2009-02-23 2010-12-08 株式会社新川 半導体装置の製造方法およびボンディング装置
CN102326241A (zh) * 2009-02-23 2012-01-18 株式会社新川 半导体装置的制造方法以及焊接装置
US8292160B2 (en) 2009-02-23 2012-10-23 Shinkawa Ltd. Method of manufacturing semiconductor device, and bonding apparatus
JPWO2023063431A1 (ja) * 2021-10-17 2023-04-20
WO2023063431A1 (ja) * 2021-10-17 2023-04-20 株式会社新川 超音波ホーン及びボンディング装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7523775B2 (en) Bonding apparatus and method of bonding for a semiconductor chip
US20020096554A1 (en) Novel ultrasonic vibration mode for wire bonding
US7150388B2 (en) Method of bonding and bonding apparatus for a semiconductor chip
JPH06140475A (ja) 超音波ワイヤボンディング装置
JPH08153759A (ja) シングルポイントボンダーおよび半導体装置の製造方法
JPH04372146A (ja) ワイヤボンディング装置
JPH03124039A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP3274731B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPS5845815B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP2555120B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP7209416B1 (ja) 超音波ホーンおよび半導体装置の製造装置
JPH08153758A (ja) 超音波ワイヤボンディング装置及び方法
JP2002158252A (ja) ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法
JPH1056034A (ja) ボンディング装置
JPH11345819A (ja) ボンディングツールおよびボンディング装置
JPH11195670A (ja) ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
JP4010960B2 (ja) 半導体装置の製造方法およびそれに使用されるボンディング装置
JPS62156828A (ja) ワイヤボンデイング装置
JP2565009B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPS59193037A (ja) ワイヤボンダ
JPS62123728A (ja) ワイヤボンデイング方法および装置
JPH03127844A (ja) ボンディング装置およびボンディング方法
JP2561169B2 (ja) 超音波ホーン
JP2003258042A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2000340601A (ja) ワイヤボンディング装置