JP4035028B2 - 光半導体素子のサブキャリアおよび光半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信分野等で用いられ、フォトダイオード（ＰＤ），半導体レーザ（ＬＤ）等の光半導体素子を搭載するためのサブキャリアおよび光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信分野においては、光半導体装置が高周波信号を電気−光変換し光ファイバ等へ光信号として伝送するために用いられており、10Ｇ（ギガ）ビット／秒（ｂｐｓ）を超えるデータ通信のビットレートを持つものが広く用いられるようになってきている。
【０００３】
従来のＰＤ，ＬＤ等の光半導体素子を具備した光半導体装置を図３に示す。図３に示すように、101は光半導体素子を搭載するための絶縁基台（サブキャリア）、102はＰＤ、103ａはＰＤ102の上部電極と絶縁基台101表面の配線パターンとを電気的に接続する第一のボンディングワイヤ、103ｂは絶縁基台101表面の配線パターンと回路基板120の回路配線とを電気的に接続するための第二のボンディングワイヤである。また、104はＬＤ、105はＬＤ搭載用のサブマウント、106は測温素子、107はペルチェ素子、108はセラミックス等から成る基体、108ａは基体108の平板状の底板部、108ｂは基体108の側壁部である。また、109は金属等から成る蓋体、110は金属等から成る筒状の光ファイバ固定部材（以下、固定部材ともいう）、111は光ファイバ、112は外部リード端子、120はＰＤ102を制御するための制御回路やインピーダンス整合用の線路導体等が形成された回路基板である。
【０００４】
絶縁基台101は、図４に示すように、セラミックス等から成る略直方体の絶縁基材113の表面に導体層から成る各種機能部が形成されており、絶縁基材113の一側面にＰＤが搭載される導体層から成るＰＤ搭載部114ａが形成され、絶縁基材113の上面に第一の配線パターン114ｂおよび第二の配線パターン114ｃが形成されている。また、絶縁基材113の一側面には、ＰＤ搭載部114ａと第一の配線パターン114ｂを電気的に接続する接続部114ｄ、および第二の配線パターン114ｃと電気的に接続され、第一のボンディングワイヤ103ａがボンディングされるボンディング部114ｅが形成されている。さらに、絶縁基材113の下面には、基体108の底板部108ａの上面にＡｕ−Ｓｎロウ材等を介して接着固定される下部導体層114ｆが形成されている。
【０００５】
ＰＤ102は、絶縁基台101のＰＤ搭載部114ａにＡｕ−Ｓｎロウ材等を介して接着固定される。ＰＤ102が搭載された絶縁基台101は、基体108の底板部108ａの上面にＰＤ102の受光面がＬＤ104や光ファイバ111と光学的に結合するように接着固定されている。また、基体108の底板部108ａの上面には、ＬＤ104および測温素子106が搭載されたサブマウント105がペルチェ素子107を介して載置されている。
【０００６】
光ファイバ111はＬＤ104から発光される光を外部に伝送するとともに、光ファイバ111から伝送された光をＰＤ102に受光させて光信号を電気信号に変換させる。または、ＰＤ102はＬＤ104から後方へ出射された光をモニタするためのものである。
【０００７】
基体108の下面には、外部リード端子112が固定されており、ＰＤ102、ＬＤ104、測温素子106、ペルチェ素子107が電気的に接続されている。また、基体108の上面に蓋体109がシーム溶接法等により接合されることにより、光半導体装置を気密に封止する。
【０００８】
この光半導体装置は、ＰＤ102が絶縁基台101のＰＤ搭載部114ａにＡｕ−Ｓｎ合金等から成る低融点ろう材を介して接着固定される。その後、ＰＤ102の上部電極とボンディング部114ｅとを、ＡｕやＡｌ等からなる第一のボンディングワイヤ103ａを介して電気的に接続する。そして、ＰＤ102が搭載された絶縁基台101は、その下部導体層114ｆが基体108の底板部108ａの上面に、Ａｕ−Ｓｎ合金やＰｂ−Ｓｎ合金等から成るろう材を介して接着固定される。その後、絶縁基台101の第一の配線パターン114ｂおよび第二の配線パターン114ｃを、回路基板120の回路配線や線路導体に、ＡｕやＡｌ等からなる第二のボンディングワイヤ103ｂにより電気的に接続する。同様に、ＬＤ104と測温素子106をサブマウント105の上面にろう材を介して接着固定した後、予めろう材を介して基体108の底板部108ａの上面に接着固定されたペルチェ素子107の上面にサブマウント105をろう材を介して接着固定する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の光半導体装置においては、ＰＤ102が搭載された絶縁基台101は、組立工程において、コレット等の搬送治具により挟まれた状態で移動して、基体108の底板部108ａの上面に載置されるが、その際、第一の配線パターン114ｂと接続部114ｄおよび第二の配線パターン114ｃとボンディング部114ｅが電気的に接続される絶縁基材113の稜部が搬送治具と接触し、稜部で導体層が傷付いたり削り取られて、第一の配線パターン114ｂと接続部114ｄおよび第二の配線パターン114ｃとボンディング部114ｅが断線したり、導通抵抗が増大してしまうという問題点があった。
【００１０】
また、絶縁基台101は、ＰＤ搭載部114ａ、接続部114ｄおよびボンディング部114ｅが絶縁基材113の同じ一側面に形成されているため、スパッタリング法、真空蒸着法、フォトリソグラフィ法、エッチング法等を用いて同時に形成される。その後、第一の配線パターン114ｂ、第二の配線パターン114ｃが形成されるが、これら配線パターンの形成がＰＤ搭載部114ａ、接続部114ｄおよびボンディング部114ｅの形成と別々となるため、それらが電気的に接続される稜部において、断線が発生し易いという問題点があった。
【００１１】
従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、電気的接続の信頼性を高くして絶縁基材の上面から側面にわたって配線導体層を形成した絶縁基台を具備した光半導体装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の光半導体素子のサブキャリアは、略直方体の絶縁基台と、該絶縁基台の一側面に形成された、光半導体素子が接合される導体層と、前記絶縁基台の上面から前記一側面にかけて形成された、前記導体層に接続される第一の配線導体層および前記光半導体素子に電気的に接続される第二の配線導体層と、前記第一および第二の配線導体層の前記絶縁基台の上面と前記一側面との間の角部の部位にそれぞれ前記第一および第二の配線導体層を覆うようにろう材で接合された、屈曲部の内側が円弧状の凹んだ曲面とされているＬ字状の金属部材とを具備したことを特徴とする。
【００１３】
本発明の光半導体素子のサブキャリアは、第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面と一側面との間の角部の部位にそれぞれ第一および第二の配線導体層を覆うようにろう材で接合された、屈曲部の内側が円弧状の凹んだ曲面とされているＬ字状の金属部材を有していることから、光半導体装置の組立工程で光半導体素子のサブキャリアをコレット等の搬送治具で挟んで移動させた際に、金属部材が第一および第二の配線導体層を保護し、搬送治具の接触等によって第一および第二の配線導体層に断線不良や導通抵抗の増大等が発生するのを防止することができる。また、絶縁基台の上面と一側面に別々に第一および第二の配線導体層を形成すると、上面と一側面との間の一つの稜線（角部）だけで第一および第二の配線導体層が相互に接続されることとなるが、金属部材によって第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面側と一側面側とが確実に接続されることとなり、電気的な接続の信頼性が向上する。
【００１４】
さらに、第一および第二の配線導体層よりもかなり厚い金属部材が設けられていることから、第一および第二の配線導体層における導通抵抗がきわめて小さくなり、その結果、光半導体素子の作動性が非常に良好になる。
【００１５】
本発明の光半導体装置は、上面に凹部が形成されているとともに該凹部から外側面にかけて形成された貫通孔を有する基体と、前記貫通孔に嵌着された筒状の光ファイバ固定部材と、前記凹部の底面に載置された本発明の光半導体素子のサブキャリアと、該サブキャリアの前記導体層に接合されるとともに前記第一および第二の配線導体層に電気的に接続された光半導体素子と、前記基体の上面の前記凹部の周囲に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする。
【００１６】
本発明の光半導体装置は、上記の構成により、電気的接続の信頼性の高い本発明のサブキャリアを用いた高信頼性かつ高性能のものとなる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の光半導体素子のサブキャリアおよび光半導体装置について以下に詳細に説明する。図１は本発明の光半導体装置について実施の形態の一例を示す断面図、図２は本発明の光半導体装置に搭載される光半導体素子のサブキャリアについて実施の形態の一例を示す斜視図である。
【００１８】
これらの図において、１は光半導体素子のサブキャリアを成す絶縁基台、２は光半導体素子としてのＰＤ、３ａはＰＤ２の上部電極と絶縁基台１表面の配線パターンとを電気的に接続する第一のボンディングワイヤ、３ｂは絶縁基台１表面の配線パターンと回路基板20の回路配線とを電気的に接続するための第二のボンディングワイヤ、４はＬＤ、５はサブマウント、６は測温素子、７はペルチェ素子、８は基体、８ａは基体８の底板部、８ｂは基体８の側壁部、９は蓋体、１０は光ファイバ固定部材、１１は光ファイバ、１２は外部リード端子である。
【００１９】
また、13は絶縁基台１を構成する略直方体の絶縁基材、14ａは絶縁基台１の一側面に形成された導体層としてのＰＤ搭載部、14ｂは絶縁基台１の上面に形成された第一の配線導体層としての第一の配線パターン、14ｃは絶縁基台１の上面に形成された第二の配線導体層としての第二の配線パターン、14ｄはＰＤ搭載部14ａと第一の配線パターン14ｂとを電気的に接続する接続部、14ｅは第二の配線パターン14ｃと電気的に接続され、第一のボンディングワイヤ３ａがボンディングされるボンディング部、14ｆは基体８の底板部８ａの上面にＡｕ−Ｓｎロウ材等を介して接着固定される下部導体層、15ａ，15ｂは第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃの絶縁基台１の上面と一側面との間の角部の部位にそれぞれ第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃを覆うように接合されたＬ字状の金属部材である。
【００２０】
なお、第一の配線パターン14ｂはＰＤ搭載部14ａに直接的に接続されるようにＰＤ搭載部14ａと一体的に形成されているが、第二の配線パターン14ｃと同様にＰＤ搭載部14ａとは別々に形成してボンディングワイヤで電気的に接続してもよい。また、第二の配線パターン14ｃは第一のボンディングワイヤ３ａを介してＰＤ２の露出した主面や受光面等に形成された電極等に電気的に接続される。
【００２１】
さらに、20は、第二のボンディングワイヤ３ｂを介して絶縁基台１の配線パターンと電気的に接続される回路基板である。この回路基板20は、ＰＤ２を制御するための制御回路やインピーダンス整合用の線路導体等が形成されたものであり、その上面には回路配線や線路導体が形成されており、第一の配線パターン４ｂおよび第二の配線パターン４ｃを、回路基板20の回路配線や線路導体に、ＡｕやＡｌ等からなる第二のボンディングワイヤ３ｂにより電気的に接続する。
【００２２】
本発明の光半導体素子のサブキャリアは、略直方体の絶縁基台１と、絶縁基台１の一側面に形成された、光半導体素子（ＰＤ２）が接合される導体層（ＰＤ搭載部１４ａ）と、絶縁基台１の上面から一側面にかけて形成された、導体層に接続される第一の配線導体層（第一の配線パターン１４ｂ）および光半導体素子に電気的に接続される第二の配線導体層（第二の配線パターン１４ｃ）と、第一および第二の配線導体層の絶縁基台１の上面と一側面との間の角部の部位にそれぞれ第一および第二の配線導体層を覆うようにろう材で接合された、屈曲部の内側が円弧状の凹んだ曲面とされているＬ字状の金属部材１５ａ，１５ｂとを具備した構成である。
【００２３】
また、本発明の光半導体装置は、上面に凹部が形成されているとともに凹部から外側面にかけて形成された貫通孔を有する基体８と、貫通孔に嵌着された筒状の光ファイバ固定部材１０と、凹部の底面に載置された本発明の光半導体素子のサブキャリアと、このサブキャリアの導体層に接合されるとともに第一および第二の配線導体層に電気的に接続された光半導体素子と、基体８の上面の凹部の周囲に接合された蓋体９とを具備した構成である。
【００２４】
本発明の光半導体装置は、基体８の底板部８ａの上面に載置された光半導体素子としてのＰＤ２が搭載された絶縁基台１と、ペルチェ素子７を介して載置されたＬＤ４および測温素子６が搭載されたサブマウント５とを具備しており、基体８の側壁部８ｂの上面に蓋体９を取着することにより気密封止されている。
【００２５】
基体８は、底板部８ａと側壁部８ｂとから成り、上面に各種部品を収容するための凹部が形成されている。この基体８は、底板部８ａと側壁部８ｂとが一体的に形成されたものであってもよい。基体８の側壁部８ｂには凹部から外側面にかけて貫通孔が形成され、その貫通孔には光ファイバ11を固定するための筒状の固定部材10が嵌着接合されている。
【００２６】
本発明の光半導体素子のサブキャリアにおいて、絶縁基台１の本体部分である絶縁基材１３は、セラミックス（焼結体）等の絶縁材料から成り、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等から成る。
【００２７】
絶縁基台１の第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃを含む各導体層は、例えば密着金属層、拡散防止層、主導体層が順次積層された３層構造の導体層から成る。そして、密着金属層は絶縁基材13との密着性の点で、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔａ2Ｎ等の少なくとも１種より成るのが良い。密着金属層の厚さは0.01〜0.2μｍ程度が良い。0.01μｍ未満では強固に密着することが困難となり、0.2μｍを超えると成膜時の内部応力によって剥離が生じ易くなる。
【００２８】
拡散防止層は、密着金属層と主導体層との相互拡散を防ぐうえで、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔｉ−Ｗ合金等の少なくとも１種より成るのが良い。拡散防止層の厚さは0.05〜１μｍ程度が良く、0.05μｍ未満では、ピンホール等の欠陥が発生して拡散防止層としての機能を果たしにくくなる。１μｍを超えると、成膜時の内部応力により剥離が生じ易くなる。拡散防止層にＮｉ−Ｃｒ合金を用いる場合、密着性も確保できるため密着金属層を省くこともできる。
【００２９】
さらに主導体層は電気抵抗の小さいＡｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ等より成るのが良く、その厚さは0.1〜５μｍ程度が良い。0.1μｍ未満では、電気抵抗が大きくなる傾向があり、５μｍを超えると、成膜時の内部応力により剥離を生じ易くなる。また、Ａｕは貴金属で高価であることから、低コスト化の点でなるべく薄く形成することが好ましい。Ｃｕは酸化し易いので、その上にＮｉおよびＡｕから成る保護層をメッキ法等で被着するのが良い。
【００３０】
絶縁基台１のＰＤ搭載部14ａにはＰＤ２を固定するための低融点ろう材をスパッタリング法等により所定厚みに被着させても良い。これにより、ＰＤ２を接着固定する際にろう材のプリフォームを配置する手間を省くことができる。低融点ろう材としては、Ａｕ−Ｇｅ合金（融点約356℃）、Ａｕ−Ｓｉ合金（融点約370℃）、Ａｕ−Ｓｎ合金（融点約183℃）、Ｉｎ−Ｐｂ合金（融点約172℃）、Ｉｎ（融点約157℃）等が好ましい。これらは融点が400℃以下であるため、接着温度を低くすることができる。その結果、光半導体素子が熱衝撃破壊されることがないという利点がある。また、組立工程において、低温接着ができることにより、昇温時間および冷却時間を短くすることができる。その結果、生産コストを低くすることができる。
【００３１】
絶縁基台１の上面から一側面にかけて形成された、導体層に接続される第一の配線パターン14ｂと接続部14ｄ、および光半導体素子に電気的に接続される第二の配線パターン14ｃおよびボンディング部14ｅは、絶縁基台1の角部（稜線部）において金属部材15ａ，15ｂがそれぞれ接合されている。金属部材15ａ，15ｂは、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｎｉ，銅（無酸素銅），ＳＵＳ（ステンレススチール），真鍮（Ｃｕ−Ｚｎ合金），Ｆｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）−Ｃｏ（コバルト）合金，Ｃｕ−Ｗ（タングステン）合金等の金属から成り、プレス金型による打抜き法や成型法、機械的研削法等により形成される。また、金属部材15ａ，15ｂは、その酸化防止とろう材との濡れ性を良好にするために、Ｎｉメッキ層，Ａｕメッキ層をメッキ法等で順次被着するのが良い。また、金属部材15ａ，15ｂは、上記の低融点ろう材で接合されていることが、上記の理由で好ましい。
【００３２】
また、金属部材15ａ，15ｂの絶縁基台1の上面における長さ（第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃの長手方向の長さ）Ｌ1（図２）および幅（第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃの幅方向の幅）Ｌ2（図２）は、0.1ｍｍ以上が良い。0.1ｍｍ未満だと、金属部材15ａ，15ｂと第一および第二の配線パターンとの接合位置を合わせるのが困難となったり、接合強度が低下し易くなる。その結果、絶縁基台1の角部における第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃの保護、補強の役目を果たさなくなり、電気的な接続の信頼性も低下する。また、幅Ｌ2は、第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃのそれぞれの幅の１／２倍以上１倍以下が好ましい。１／２倍未満では、金属部材15ａ，15ｂの幅が小さくなるため、接合強度が低下して、組立工程で搬送治具と接触したときに金属部材15ａ，15ｂが脱落したり、絶縁基台1の角部で導体層が傷付いたり削り取られて、断線不良や導通抵抗の増大が発生し易くなる。１倍を超えると、金属部材15ａ，15ｂを接合するためのろう材が繋がってショートが発生し易くなる。
【００３３】
金属部材15ａ，15ｂの厚さは0.05〜0.5ｍｍがよく、0.05ｍｍ未満では、金属部材15ａ，15ｂの形成時の形状安定性、加工性が劣化し易く、また強度が低下し易くなる。また、0.5ｍｍを超えると、組立工程で搬送治具と接触し易くなり金属部材15ａ，15ｂが脱落し易くなる。
【００３４】
また、金属部材１５ａ，１５ｂは、その角部（屈曲部）の内側が円弧状の凹んだ曲面とされている。この構成により、金属部材１５ａ，１５ｂの角部の内側にろう材の溜りが適度に形成されて、金属部材１５ａ，１５ｂの接合強度が向上するとともに、電気的な接続が劣化し易い絶縁基台１の角部の接続性を補強することができる。
【００３５】
配線導体層としての第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃは、スパッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成法により成膜されるが、絶縁基台１の上面と一側面に別々に形成することが好ましい。この場合、絶縁基台１の上面と一側面との間の角部が一つの稜線（角部）で形成されているが、一側面に配線導体層を形成する際に部分的に上面に形成された配線導体層に重複して形成されるようにすればよく、金属部材15ａ，15ｂによる接続性向上に加え電気的な接続の信頼性がさらに向上し好ましいものとなる。
【００３６】
本発明の基体８は、Ａｌ2Ｏ3質焼結体、ＡｌＮ質焼結体、ムライト質焼結体、ＳｉＣ質焼結体、Ｓｉ3Ｎ4質焼結体、ガラスセラミックス等のセラミックス、またはＣｕを含浸させたタングステン多孔質体、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る。基体８を構成する底板部８ａと側壁部８ｂとは同じ材料から形成されていても良いし、異なる材料から形成されていても良い。ただし、底板部８ａと側壁部８ｂとを異なる材料で形成する場合、両者の熱膨張係数差ができるだけ小さいものとなる組合せを選択することが好ましい。また、底板部８ａと側壁部８ｂとは一体的に形成されていてもよい。
【００３７】
基体８の底板部８ａの上面には、回路基板20と、ペルチェ素子７が接着固定されている。ペルチェ素子７は、ＬＤ４を所定の温度に冷却または加熱するための熱ポンプとして機能し、測温素子６により測定したＬＤ４の温度を検知し、ＬＤ４が所定の温度となるように冷却または加熱する。そして、このペルチェ素子７の上面には、サブマウント５が搭載されており、サブマウント５上にＬＤ４および測温素子６が隣接して設置される。
【００３８】
さらに、基体８の底板部８ａまたは側壁部８ｂには、Ｆｅ−Ｎｉ合金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る外部リード端子12が容器の外部に突出するようにして設けられている。この外部リード端子12は、基体８の底板部８ａまたは側壁部８ｂを貫通するようにして設けられるかまたは基体８の内部から外部に導出されたメタライズ層等の配線導体に接合されることにより、容器の内部と外部とを電気的に接続している。そして、外部リード端子12には、容器内部の回路基板20、ＬＤ４、測温素子６、ペルチェ素子７が電気的に接続される。
【００３９】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【００４０】
【発明の効果】
本発明の光半導体素子のサブキャリアは、略直方体の絶縁基台と、絶縁基台の一側面に形成された、光半導体素子が接合される導体層と、絶縁基台の上面から一側面にかけて形成された、導体層に接続される第一の配線導体層および光半導体素子に電気的に接続される第二の配線導体層と、第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面と一側面との間の角部の部位にそれぞれ第一および第二の配線導体層を覆うようにろう材で接合された、屈曲部の内側が円弧状の凹んだ曲面とされているＬ字状の金属部材とを具備したことにより、光半導体装置の組立工程で光半導体素子のサブキャリアをコレット等の搬送治具で挟んで移動させた際に、金属部材が第一および第二の配線導体層を保護し、搬送治具の接触等によって第一および第二の配線導体層に断線不良や導通抵抗の増大等が発生するのを防止することができる。また、絶縁基台の上面と一側面に別々に第一および第二の配線導体層を形成すると、上面と一側面との間の一つの稜線（角部）だけで第一および第二の配線導体層が相互に接続されることとなるが、金属部材によって第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面側と一側面側とが確実に接続されることとなり、電気的な接続の信頼性が向上する。
【００４１】
さらに、第一および第二の配線導体層よりもかなり厚い金属部材が設けられていることから、第一および第二の配線導体層における導通抵抗がきわめて小さくなり、その結果、光半導体素子の作動性が非常に良好になる。
【００４２】
本発明の光半導体装置は、上面に凹部が形成されているとともに凹部から外側面にかけて形成された貫通孔を有する基体と、貫通孔に嵌着された筒状の光ファイバ固定部材と、凹部の底面に載置された本発明の光半導体素子のサブキャリアと、このサブキャリアの導体層に接合されるとともに第一および第二の配線導体層に電気的に接続された光半導体素子と、基体の上面の凹部の周囲に接合された蓋体とを具備したことにより、電気的接続の信頼性の高い本発明の光半導体素子のサブキャリアを用いた高信頼性かつ高性能のものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の光半導体装置について実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】 本発明の光半導体素子のサブキャリアについて実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図３】 従来の光半導体装置を示す断面図である。
【図４】 従来の光半導体素子のサブキャリアを示す斜視図である。
【符号の説明】
１：絶縁基台
２：ＰＤ
４：ＬＤ
８：基体
９：蓋体
１０：光ファイバ固定部材
１４ｂ：第一の配線パターン
１４ｃ：第二の配線パターン
１５ａ，１５ｂ：金属部材
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信分野等で用いられ、フォトダイオード（ＰＤ），半導体レーザ（ＬＤ）等の光半導体素子を搭載するためのサブキャリアおよび光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信分野においては、光半導体装置が高周波信号を電気−光変換し光ファイバ等へ光信号として伝送するために用いられており、10Ｇ（ギガ）ビット／秒（ｂｐｓ）を超えるデータ通信のビットレートを持つものが広く用いられるようになってきている。
【０００３】
従来のＰＤ，ＬＤ等の光半導体素子を具備した光半導体装置を図３に示す。図３に示すように、101は光半導体素子を搭載するための絶縁基台（サブキャリア）、102はＰＤ、103ａはＰＤ102の上部電極と絶縁基台101表面の配線パターンとを電気的に接続する第一のボンディングワイヤ、103ｂは絶縁基台101表面の配線パターンと回路基板120の回路配線とを電気的に接続するための第二のボンディングワイヤである。また、104はＬＤ、105はＬＤ搭載用のサブマウント、106は測温素子、107はペルチェ素子、108はセラミックス等から成る基体、108ａは基体108の平板状の底板部、108ｂは基体108の側壁部である。また、109は金属等から成る蓋体、110は金属等から成る筒状の光ファイバ固定部材（以下、固定部材ともいう）、111は光ファイバ、112は外部リード端子、120はＰＤ102を制御するための制御回路やインピーダンス整合用の線路導体等が形成された回路基板である。
【０００４】
絶縁基台101は、図４に示すように、セラミックス等から成る略直方体の絶縁基材113の表面に導体層から成る各種機能部が形成されており、絶縁基材113の一側面にＰＤが搭載される導体層から成るＰＤ搭載部114ａが形成され、絶縁基材113の上面に第一の配線パターン114ｂおよび第二の配線パターン114ｃが形成されている。また、絶縁基材113の一側面には、ＰＤ搭載部114ａと第一の配線パターン114ｂを電気的に接続する接続部114ｄ、および第二の配線パターン114ｃと電気的に接続され、第一のボンディングワイヤ103ａがボンディングされるボンディング部114ｅが形成されている。さらに、絶縁基材113の下面には、基体108の底板部108ａの上面にＡｕ−Ｓｎロウ材等を介して接着固定される下部導体層114ｆが形成されている。
【０００５】
ＰＤ102は、絶縁基台101のＰＤ搭載部114ａにＡｕ−Ｓｎロウ材等を介して接着固定される。ＰＤ102が搭載された絶縁基台101は、基体108の底板部108ａの上面にＰＤ102の受光面がＬＤ104や光ファイバ111と光学的に結合するように接着固定されている。また、基体108の底板部108ａの上面には、ＬＤ104および測温素子106が搭載されたサブマウント105がペルチェ素子107を介して載置されている。
【０００６】
光ファイバ111はＬＤ104から発光される光を外部に伝送するとともに、光ファイバ111から伝送された光をＰＤ102に受光させて光信号を電気信号に変換させる。または、ＰＤ102はＬＤ104から後方へ出射された光をモニタするためのものである。
【０００７】
基体108の下面には、外部リード端子112が固定されており、ＰＤ102、ＬＤ104、測温素子106、ペルチェ素子107が電気的に接続されている。また、基体108の上面に蓋体109がシーム溶接法等により接合されることにより、光半導体装置を気密に封止する。
【０００８】
この光半導体装置は、ＰＤ102が絶縁基台101のＰＤ搭載部114ａにＡｕ−Ｓｎ合金等から成る低融点ろう材を介して接着固定される。その後、ＰＤ102の上部電極とボンディング部114ｅとを、ＡｕやＡｌ等からなる第一のボンディングワイヤ103ａを介して電気的に接続する。そして、ＰＤ102が搭載された絶縁基台101は、その下部導体層114ｆが基体108の底板部108ａの上面に、Ａｕ−Ｓｎ合金やＰｂ−Ｓｎ合金等から成るろう材を介して接着固定される。その後、絶縁基台101の第一の配線パターン114ｂおよび第二の配線パターン114ｃを、回路基板120の回路配線や線路導体に、ＡｕやＡｌ等からなる第二のボンディングワイヤ103ｂにより電気的に接続する。同様に、ＬＤ104と測温素子106をサブマウント105の上面にろう材を介して接着固定した後、予めろう材を介して基体108の底板部108ａの上面に接着固定されたペルチェ素子107の上面にサブマウント105をろう材を介して接着固定する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の光半導体装置においては、ＰＤ102が搭載された絶縁基台101は、組立工程において、コレット等の搬送治具により挟まれた状態で移動して、基体108の底板部108ａの上面に載置されるが、その際、第一の配線パターン114ｂと接続部114ｄおよび第二の配線パターン114ｃとボンディング部114ｅが電気的に接続される絶縁基材113の稜部が搬送治具と接触し、稜部で導体層が傷付いたり削り取られて、第一の配線パターン114ｂと接続部114ｄおよび第二の配線パターン114ｃとボンディング部114ｅが断線したり、導通抵抗が増大してしまうという問題点があった。
【００１０】
また、絶縁基台101は、ＰＤ搭載部114ａ、接続部114ｄおよびボンディング部114ｅが絶縁基材113の同じ一側面に形成されているため、スパッタリング法、真空蒸着法、フォトリソグラフィ法、エッチング法等を用いて同時に形成される。その後、第一の配線パターン114ｂ、第二の配線パターン114ｃが形成されるが、これら配線パターンの形成がＰＤ搭載部114ａ、接続部114ｄおよびボンディング部114ｅの形成と別々となるため、それらが電気的に接続される稜部において、断線が発生し易いという問題点があった。
【００１１】
従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、電気的接続の信頼性を高くして絶縁基材の上面から側面にわたって配線導体層を形成した絶縁基台を具備した光半導体装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の光半導体素子のサブキャリアは、略直方体の絶縁基台と、該絶縁基台の一側面に形成された、光半導体素子が接合される導体層と、前記絶縁基台の上面から前記一側面にかけて形成された、前記導体層に接続される第一の配線導体層および前記光半導体素子に電気的に接続される第二の配線導体層と、前記第一および第二の配線導体層の前記絶縁基台の上面と前記一側面との間の角部の部位にそれぞれ前記第一および第二の配線導体層を覆うようにろう材で接合された、屈曲部の内側が円弧状の凹んだ曲面とされているＬ字状の金属部材とを具備したことを特徴とする。
【００１３】
本発明の光半導体素子のサブキャリアは、第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面と一側面との間の角部の部位にそれぞれ第一および第二の配線導体層を覆うようにろう材で接合された、屈曲部の内側が円弧状の凹んだ曲面とされているＬ字状の金属部材を有していることから、光半導体装置の組立工程で光半導体素子のサブキャリアをコレット等の搬送治具で挟んで移動させた際に、金属部材が第一および第二の配線導体層を保護し、搬送治具の接触等によって第一および第二の配線導体層に断線不良や導通抵抗の増大等が発生するのを防止することができる。また、絶縁基台の上面と一側面に別々に第一および第二の配線導体層を形成すると、上面と一側面との間の一つの稜線（角部）だけで第一および第二の配線導体層が相互に接続されることとなるが、金属部材によって第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面側と一側面側とが確実に接続されることとなり、電気的な接続の信頼性が向上する。
【００１４】
さらに、第一および第二の配線導体層よりもかなり厚い金属部材が設けられていることから、第一および第二の配線導体層における導通抵抗がきわめて小さくなり、その結果、光半導体素子の作動性が非常に良好になる。
【００１５】
本発明の光半導体装置は、上面に凹部が形成されているとともに該凹部から外側面にかけて形成された貫通孔を有する基体と、前記貫通孔に嵌着された筒状の光ファイバ固定部材と、前記凹部の底面に載置された本発明の光半導体素子のサブキャリアと、該サブキャリアの前記導体層に接合されるとともに前記第一および第二の配線導体層に電気的に接続された光半導体素子と、前記基体の上面の前記凹部の周囲に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする。
【００１６】
本発明の光半導体装置は、上記の構成により、電気的接続の信頼性の高い本発明のサブキャリアを用いた高信頼性かつ高性能のものとなる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の光半導体素子のサブキャリアおよび光半導体装置について以下に詳細に説明する。図１は本発明の光半導体装置について実施の形態の一例を示す断面図、図２は本発明の光半導体装置に搭載される光半導体素子のサブキャリアについて実施の形態の一例を示す斜視図である。
【００１８】
これらの図において、１は光半導体素子のサブキャリアを成す絶縁基台、２は光半導体素子としてのＰＤ、３ａはＰＤ２の上部電極と絶縁基台１表面の配線パターンとを電気的に接続する第一のボンディングワイヤ、３ｂは絶縁基台１表面の配線パターンと回路基板20の回路配線とを電気的に接続するための第二のボンディングワイヤ、４はＬＤ、５はサブマウント、６は測温素子、７はペルチェ素子、８は基体、８ａは基体８の底板部、８ｂは基体８の側壁部、９は蓋体、１０は光ファイバ固定部材、１１は光ファイバ、１２は外部リード端子である。
【００１９】
また、13は絶縁基台１を構成する略直方体の絶縁基材、14ａは絶縁基台１の一側面に形成された導体層としてのＰＤ搭載部、14ｂは絶縁基台１の上面に形成された第一の配線導体層としての第一の配線パターン、14ｃは絶縁基台１の上面に形成された第二の配線導体層としての第二の配線パターン、14ｄはＰＤ搭載部14ａと第一の配線パターン14ｂとを電気的に接続する接続部、14ｅは第二の配線パターン14ｃと電気的に接続され、第一のボンディングワイヤ３ａがボンディングされるボンディング部、14ｆは基体８の底板部８ａの上面にＡｕ−Ｓｎロウ材等を介して接着固定される下部導体層、15ａ，15ｂは第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃの絶縁基台１の上面と一側面との間の角部の部位にそれぞれ第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃを覆うように接合されたＬ字状の金属部材である。
【００２０】
なお、第一の配線パターン14ｂはＰＤ搭載部14ａに直接的に接続されるようにＰＤ搭載部14ａと一体的に形成されているが、第二の配線パターン14ｃと同様にＰＤ搭載部14ａとは別々に形成してボンディングワイヤで電気的に接続してもよい。また、第二の配線パターン14ｃは第一のボンディングワイヤ３ａを介してＰＤ２の露出した主面や受光面等に形成された電極等に電気的に接続される。
【００２１】
さらに、20は、第二のボンディングワイヤ３ｂを介して絶縁基台１の配線パターンと電気的に接続される回路基板である。この回路基板20は、ＰＤ２を制御するための制御回路やインピーダンス整合用の線路導体等が形成されたものであり、その上面には回路配線や線路導体が形成されており、第一の配線パターン４ｂおよび第二の配線パターン４ｃを、回路基板20の回路配線や線路導体に、ＡｕやＡｌ等からなる第二のボンディングワイヤ３ｂにより電気的に接続する。
【００２２】
本発明の光半導体素子のサブキャリアは、略直方体の絶縁基台１と、絶縁基台１の一側面に形成された、光半導体素子（ＰＤ２）が接合される導体層（ＰＤ搭載部１４ａ）と、絶縁基台１の上面から一側面にかけて形成された、導体層に接続される第一の配線導体層（第一の配線パターン１４ｂ）および光半導体素子に電気的に接続される第二の配線導体層（第二の配線パターン１４ｃ）と、第一および第二の配線導体層の絶縁基台１の上面と一側面との間の角部の部位にそれぞれ第一および第二の配線導体層を覆うようにろう材で接合された、屈曲部の内側が円弧状の凹んだ曲面とされているＬ字状の金属部材１５ａ，１５ｂとを具備した構成である。
【００２３】
また、本発明の光半導体装置は、上面に凹部が形成されているとともに凹部から外側面にかけて形成された貫通孔を有する基体８と、貫通孔に嵌着された筒状の光ファイバ固定部材１０と、凹部の底面に載置された本発明の光半導体素子のサブキャリアと、このサブキャリアの導体層に接合されるとともに第一および第二の配線導体層に電気的に接続された光半導体素子と、基体８の上面の凹部の周囲に接合された蓋体９とを具備した構成である。
【００２４】
本発明の光半導体装置は、基体８の底板部８ａの上面に載置された光半導体素子としてのＰＤ２が搭載された絶縁基台１と、ペルチェ素子７を介して載置されたＬＤ４および測温素子６が搭載されたサブマウント５とを具備しており、基体８の側壁部８ｂの上面に蓋体９を取着することにより気密封止されている。
【００２５】
基体８は、底板部８ａと側壁部８ｂとから成り、上面に各種部品を収容するための凹部が形成されている。この基体８は、底板部８ａと側壁部８ｂとが一体的に形成されたものであってもよい。基体８の側壁部８ｂには凹部から外側面にかけて貫通孔が形成され、その貫通孔には光ファイバ11を固定するための筒状の固定部材10が嵌着接合されている。
【００２６】
本発明の光半導体素子のサブキャリアにおいて、絶縁基台１の本体部分である絶縁基材１３は、セラミックス（焼結体）等の絶縁材料から成り、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等から成る。
【００２７】
絶縁基台１の第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃを含む各導体層は、例えば密着金属層、拡散防止層、主導体層が順次積層された３層構造の導体層から成る。そして、密着金属層は絶縁基材13との密着性の点で、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔａ2Ｎ等の少なくとも１種より成るのが良い。密着金属層の厚さは0.01〜0.2μｍ程度が良い。0.01μｍ未満では強固に密着することが困難となり、0.2μｍを超えると成膜時の内部応力によって剥離が生じ易くなる。
【００２８】
拡散防止層は、密着金属層と主導体層との相互拡散を防ぐうえで、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔｉ−Ｗ合金等の少なくとも１種より成るのが良い。拡散防止層の厚さは0.05〜１μｍ程度が良く、0.05μｍ未満では、ピンホール等の欠陥が発生して拡散防止層としての機能を果たしにくくなる。１μｍを超えると、成膜時の内部応力により剥離が生じ易くなる。拡散防止層にＮｉ−Ｃｒ合金を用いる場合、密着性も確保できるため密着金属層を省くこともできる。
【００２９】
さらに主導体層は電気抵抗の小さいＡｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ等より成るのが良く、その厚さは0.1〜５μｍ程度が良い。0.1μｍ未満では、電気抵抗が大きくなる傾向があり、５μｍを超えると、成膜時の内部応力により剥離を生じ易くなる。また、Ａｕは貴金属で高価であることから、低コスト化の点でなるべく薄く形成することが好ましい。Ｃｕは酸化し易いので、その上にＮｉおよびＡｕから成る保護層をメッキ法等で被着するのが良い。
【００３０】
絶縁基台１のＰＤ搭載部14ａにはＰＤ２を固定するための低融点ろう材をスパッタリング法等により所定厚みに被着させても良い。これにより、ＰＤ２を接着固定する際にろう材のプリフォームを配置する手間を省くことができる。低融点ろう材としては、Ａｕ−Ｇｅ合金（融点約356℃）、Ａｕ−Ｓｉ合金（融点約370℃）、Ａｕ−Ｓｎ合金（融点約183℃）、Ｉｎ−Ｐｂ合金（融点約172℃）、Ｉｎ（融点約157℃）等が好ましい。これらは融点が400℃以下であるため、接着温度を低くすることができる。その結果、光半導体素子が熱衝撃破壊されることがないという利点がある。また、組立工程において、低温接着ができることにより、昇温時間および冷却時間を短くすることができる。その結果、生産コストを低くすることができる。
【００３１】
絶縁基台１の上面から一側面にかけて形成された、導体層に接続される第一の配線パターン14ｂと接続部14ｄ、および光半導体素子に電気的に接続される第二の配線パターン14ｃおよびボンディング部14ｅは、絶縁基台1の角部（稜線部）において金属部材15ａ，15ｂがそれぞれ接合されている。金属部材15ａ，15ｂは、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｎｉ，銅（無酸素銅），ＳＵＳ（ステンレススチール），真鍮（Ｃｕ−Ｚｎ合金），Ｆｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）−Ｃｏ（コバルト）合金，Ｃｕ−Ｗ（タングステン）合金等の金属から成り、プレス金型による打抜き法や成型法、機械的研削法等により形成される。また、金属部材15ａ，15ｂは、その酸化防止とろう材との濡れ性を良好にするために、Ｎｉメッキ層，Ａｕメッキ層をメッキ法等で順次被着するのが良い。また、金属部材15ａ，15ｂは、上記の低融点ろう材で接合されていることが、上記の理由で好ましい。
【００３２】
また、金属部材15ａ，15ｂの絶縁基台1の上面における長さ（第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃの長手方向の長さ）Ｌ1（図２）および幅（第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃの幅方向の幅）Ｌ2（図２）は、0.1ｍｍ以上が良い。0.1ｍｍ未満だと、金属部材15ａ，15ｂと第一および第二の配線パターンとの接合位置を合わせるのが困難となったり、接合強度が低下し易くなる。その結果、絶縁基台1の角部における第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃの保護、補強の役目を果たさなくなり、電気的な接続の信頼性も低下する。また、幅Ｌ2は、第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃのそれぞれの幅の１／２倍以上１倍以下が好ましい。１／２倍未満では、金属部材15ａ，15ｂの幅が小さくなるため、接合強度が低下して、組立工程で搬送治具と接触したときに金属部材15ａ，15ｂが脱落したり、絶縁基台1の角部で導体層が傷付いたり削り取られて、断線不良や導通抵抗の増大が発生し易くなる。１倍を超えると、金属部材15ａ，15ｂを接合するためのろう材が繋がってショートが発生し易くなる。
【００３３】
金属部材15ａ，15ｂの厚さは0.05〜0.5ｍｍがよく、0.05ｍｍ未満では、金属部材15ａ，15ｂの形成時の形状安定性、加工性が劣化し易く、また強度が低下し易くなる。また、0.5ｍｍを超えると、組立工程で搬送治具と接触し易くなり金属部材15ａ，15ｂが脱落し易くなる。
【００３４】
また、金属部材１５ａ，１５ｂは、その角部（屈曲部）の内側が円弧状の凹んだ曲面とされている。この構成により、金属部材１５ａ，１５ｂの角部の内側にろう材の溜りが適度に形成されて、金属部材１５ａ，１５ｂの接合強度が向上するとともに、電気的な接続が劣化し易い絶縁基台１の角部の接続性を補強することができる。
【００３５】
配線導体層としての第一および第二の配線パターン14ｂ，14ｃは、スパッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成法により成膜されるが、絶縁基台１の上面と一側面に別々に形成することが好ましい。この場合、絶縁基台１の上面と一側面との間の角部が一つの稜線（角部）で形成されているが、一側面に配線導体層を形成する際に部分的に上面に形成された配線導体層に重複して形成されるようにすればよく、金属部材15ａ，15ｂによる接続性向上に加え電気的な接続の信頼性がさらに向上し好ましいものとなる。
【００３６】
本発明の基体８は、Ａｌ2Ｏ3質焼結体、ＡｌＮ質焼結体、ムライト質焼結体、ＳｉＣ質焼結体、Ｓｉ3Ｎ4質焼結体、ガラスセラミックス等のセラミックス、またはＣｕを含浸させたタングステン多孔質体、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る。基体８を構成する底板部８ａと側壁部８ｂとは同じ材料から形成されていても良いし、異なる材料から形成されていても良い。ただし、底板部８ａと側壁部８ｂとを異なる材料で形成する場合、両者の熱膨張係数差ができるだけ小さいものとなる組合せを選択することが好ましい。また、底板部８ａと側壁部８ｂとは一体的に形成されていてもよい。
【００３７】
基体８の底板部８ａの上面には、回路基板20と、ペルチェ素子７が接着固定されている。ペルチェ素子７は、ＬＤ４を所定の温度に冷却または加熱するための熱ポンプとして機能し、測温素子６により測定したＬＤ４の温度を検知し、ＬＤ４が所定の温度となるように冷却または加熱する。そして、このペルチェ素子７の上面には、サブマウント５が搭載されており、サブマウント５上にＬＤ４および測温素子６が隣接して設置される。
【００３８】
さらに、基体８の底板部８ａまたは側壁部８ｂには、Ｆｅ−Ｎｉ合金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る外部リード端子12が容器の外部に突出するようにして設けられている。この外部リード端子12は、基体８の底板部８ａまたは側壁部８ｂを貫通するようにして設けられるかまたは基体８の内部から外部に導出されたメタライズ層等の配線導体に接合されることにより、容器の内部と外部とを電気的に接続している。そして、外部リード端子12には、容器内部の回路基板20、ＬＤ４、測温素子６、ペルチェ素子７が電気的に接続される。
【００３９】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【００４０】
【発明の効果】
本発明の光半導体素子のサブキャリアは、略直方体の絶縁基台と、絶縁基台の一側面に形成された、光半導体素子が接合される導体層と、絶縁基台の上面から一側面にかけて形成された、導体層に接続される第一の配線導体層および光半導体素子に電気的に接続される第二の配線導体層と、第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面と一側面との間の角部の部位にそれぞれ第一および第二の配線導体層を覆うようにろう材で接合された、屈曲部の内側が円弧状の凹んだ曲面とされているＬ字状の金属部材とを具備したことにより、光半導体装置の組立工程で光半導体素子のサブキャリアをコレット等の搬送治具で挟んで移動させた際に、金属部材が第一および第二の配線導体層を保護し、搬送治具の接触等によって第一および第二の配線導体層に断線不良や導通抵抗の増大等が発生するのを防止することができる。また、絶縁基台の上面と一側面に別々に第一および第二の配線導体層を形成すると、上面と一側面との間の一つの稜線（角部）だけで第一および第二の配線導体層が相互に接続されることとなるが、金属部材によって第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面側と一側面側とが確実に接続されることとなり、電気的な接続の信頼性が向上する。
【００４１】
さらに、第一および第二の配線導体層よりもかなり厚い金属部材が設けられていることから、第一および第二の配線導体層における導通抵抗がきわめて小さくなり、その結果、光半導体素子の作動性が非常に良好になる。
【００４２】
本発明の光半導体装置は、上面に凹部が形成されているとともに凹部から外側面にかけて形成された貫通孔を有する基体と、貫通孔に嵌着された筒状の光ファイバ固定部材と、凹部の底面に載置された本発明の光半導体素子のサブキャリアと、このサブキャリアの導体層に接合されるとともに第一および第二の配線導体層に電気的に接続された光半導体素子と、基体の上面の凹部の周囲に接合された蓋体とを具備したことにより、電気的接続の信頼性の高い本発明の光半導体素子のサブキャリアを用いた高信頼性かつ高性能のものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の光半導体装置について実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】 本発明の光半導体素子のサブキャリアについて実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図３】 従来の光半導体装置を示す断面図である。
【図４】 従来の光半導体素子のサブキャリアを示す斜視図である。
【符号の説明】
１：絶縁基台
２：ＰＤ
４：ＬＤ
８：基体
９：蓋体
１０：光ファイバ固定部材
１４ｂ：第一の配線パターン
１４ｃ：第二の配線パターン
１５ａ，１５ｂ：金属部材
Claims (2)
- 略直方体の絶縁基台と、該絶縁基台の一側面に形成された、光半導体素子が接合される導体層と、前記絶縁基台の上面から前記一側面にかけて形成された、前記導体層に接続される第一の配線導体層および前記光半導体素子に電気的に接続される第二の配線導体層と、前記第一および第二の配線導体層の前記絶縁基台の上面と前記一側面との間の角部の部位にそれぞれ前記第一および第二の配線導体層を覆うようにろう材で接合された、屈曲部の内側が円弧状の凹んだ曲面とされているＬ字状の金属部材とを具備したことを特徴とする光半導体素子のサブキャリア。
- 上面に凹部が形成されているとともに該凹部から外側面にかけて形成された貫通孔を有する基体と、前記貫通孔に嵌着された筒状の光ファイバ固定部材と、前記凹部の底面に載置された請求項１記載の光半導体素子のサブキャリアと、該サブキャリアの前記導体層に接合されるとともに前記第一および第二の配線導体層に電気的に接続された光半導体素子と、前記基体の上面の前記凹部の周囲に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする光半導体装置。
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