JP2001102671A

JP2001102671A - 半導体レーザ素子搭載用基板および半導体レーザモジュール

Info

Publication number: JP2001102671A
Application number: JP27958699A
Authority: JP
Inventors: Tomoki Inoue; 友喜井上
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-09-30
Filing date: 1999-09-30
Publication date: 2001-04-13

Abstract

(57)【要約】【課題】ＬＤ素子に対して迅速かつ高精度な温度制御を
行ない得るようにすること。【解決手段】絶縁基板７上面に薄膜から成る発熱抵抗体
８および該発熱抵抗体８を覆う樹脂層９が被着されて成
るとともに、樹脂層９の上面にＬＤ素子４を搭載するた
めの金属薄膜から成る搭載部１０が被着されて成るＬＤ
基板６およびこれを使用したＬＤモジュールである。Ｌ
Ｄ素子４の作動停止時にＬＤ素子４を作動時と同様の高
温としておくことができ、ＬＤ素子４の作動開始時等に
迅速かつ高精度の温度制御を可能とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
を搭載するとともに温度調節機能を有する半導体レーザ
素子搭載用基板、およびこれを使用した光通信用の半導
体レーザモジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光通信用の半導体レーザ（Laser
Diode で、以下、ＬＤと略す）モジュールに使用される
ＬＤ素子は、その発振波長や光出力等がＬＤ素子の温度
により変化することが判っている。従って、ＬＤ素子を
安定して作動させるためには、ＬＤ素子の温度を所定の
温度に制御することが必要となる。従来より、ＬＤ素子
の温度制御は、ＬＤ素子の温度を測定するための測温素
子と、この測温素子が測定した温度情報を基にＬＤ素子
の冷却または加熱を行なうためのペルチェ素子とにより
行なわれている。そして、このような測温素子およびペ
ルチェ素子は、ＬＤ素子とともに気密封止が可能なパッ
ケージ内に収められてＬＤモジュールを構成する。

【０００３】ここで、従来のＬＤモジュールを図６に断
面図で示す。従来のＬＤモジュールは、基体２１と蓋体
２２とから成るパッケージ２０の内部に、ペルチェ素子
２３，ＬＤ素子２４および測温素子２５を気密に収容し
て成る。なお、ＬＤ素子２４および測温素子２５は、こ
れらを搭載するためのＬＤ素子搭載用基板（サブキャリ
ア）２６の上に配置されている。

【０００４】パッケージ２０を構成する基体２１は、酸
化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）質焼結体等のセラミック
スや銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金，鉄（Ｆｅ）
−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等の金属か
ら成り、主として平板状の底板部２１ａと枠状の側壁部
２１ｂとから構成され、上面が開口された箱状となって
いる。基体２１の底板部２１ａの上面にはペルチェ素子
２３が搭載固定されており、このペルチェ素子２３の上
面には、ＬＤ素子２４および測温素子２５がＬＤ素子搭
載用基板２６の上に配置された状態で搭載されている。

【０００５】また、基体２１の側壁部２１ｂには、鉄−
ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属か
ら成る光ファイバ固定部材としてのパイプ２７が取着さ
れており、このパイプ２７の内部には光ファイバ２８が
挿通されＬＤ素子２４と光学的に結合した状態で固定さ
れている。光ファイバ２８は、その先端の光入出射端が
ＬＤ素子２４と対向して配置されており、ＬＤ素子２４
からのレーザ光を光ファイバ２８を介して外部に伝送で
きるようになっている。

【０００６】さらに、基体２１の底板部２１ａまたは側
壁部２１ｂには、リード端子２９が固定されており、こ
のリード端子２９は、ペルチェ素子２３やＬＤ素子２
４，測温素子２５と電気的に接続されている。

【０００７】また、蓋体２２は、鉄−ニッケル−コバル
ト合金や鉄−ニッケル合金等の金属から成る平板状のも
のであり、基体２１の側壁部２１ｂの上面に例えばシー
ム溶接法により接合されることにより、基体２１と蓋体
２２とから成るパッケージを構成し、その内部にペルチ
ェ素子２３およびＬＤ素子２４ならびに測温素子２５を
収納し、気密に封止している。

【０００８】この従来のＬＤモジュールにおいて使用さ
れるＬＤ素子搭載用基板（以下ＬＤ基板と略す）２６に
ついて、図７を用いてより詳細に説明する。図７は、図
６のＬＤ基板２６とその上に配置されたＬＤ素子２４お
よび測温素子２５とを示す斜視図である。ＬＤ基板２６
は、例えば酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料
から成る基板３０の上面の一端側に、ＬＤ素子２４を搭
載するための金属薄膜から成る搭載部３１を有してい
る。搭載部３１を構成する金属薄膜は、例えばチタン
（Ｔｉ）膜，白金（Ｐｔ）膜，金（Ａｕ）膜からなる３
層構造の金属薄膜である。この搭載部３１の上に、ＬＤ
素子２４が例えば金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）合金から成る
ろう材を介して固定されている。ＬＤ基板２６はまた、
その裏面にも例えばチタン膜，白金膜，金膜からなる３
層構造の金属薄膜（不図示）が略全面に被着されてお
り、この裏面の金属薄膜とペルチェ素子２３とをろう付
けすることによりＬＤ基板２６がペルチェ素子２３上に
接合固定されている。

【０００９】なお、測温素子２５は、例えばサーミスタ
から成り、基板３０の上面の光ファイバと反対側にＬＤ
素子２４に隣接して搭載されている。この測温素子２５
は、温度によってその電気抵抗値が変化し、その電気抵
抗値の変化をリード端子２９を介して外部の制御回路に
伝え、この制御回路からの指示でペルチェ素子２３を駆
動することによりＬＤ素子２４を所定の温度に制御す
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記従来のＬＤモジュ
ールにおいては、ＬＤ素子２４は作動時には発熱して高
温となり、作動停止時にはその温度が下がる。そこで、
ＬＤ素子２４の作動時にはＬＤ素子２４を冷却し、逆に
作動停止時には加熱しなければならない。しかしなが
ら、ペルチェ素子２３はある程度の熱容量を有すること
およびＬＤ素子２４との間にＬＤ基板２６を介している
ことから、ペルチェ素子２３による冷却状態と加熱状態
とがすぐには切り替わらずに、例えばＬＤ素子２４の作
動開始時等にＬＤ素子２４が定温状態となるまでに時間
がかかり、迅速、かつ高精度なＬＤ素子２４の作動およ
び温度制御を行なうことが困難であるという問題点を有
していた。

【００１１】本発明はかかる従来の問題点に鑑み完成さ
れたものであり、その目的は、迅速でかつ高精度な作動
および温度制御を行なうことが可能なＬＤ素子搭載用基
板およびＬＤモジュールを提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子搭載用基板は、絶縁基板上面に薄膜から成る発熱抵抗
体および該発熱抵抗体を覆う樹脂層が被着されて成ると
ともに、該樹脂層の上面に半導体レーザ素子を搭載する
ための金属薄膜から成る搭載部が被着されて成ることを
特徴とするものである。

【００１３】また、本発明のＬＤモジュールは、上記の
半導体レーザ素子搭載用基板上に半導体レーザ素子を搭
載するとともに、これらを気密封止されたパッケージの
内部にペルチェ素子を介して収容して成ることを特徴と
する。

【００１４】本発明のＬＤ搭載用基板およびＬＤモジュ
ールによれば、ＬＤ素子が搭載される搭載部の下方に発
熱抵抗体が形成されていることから、この発熱抵抗体に
より加熱することによって、作動停止時のＬＤ素子を常
に作動時と同様の高温となしておくことができ、これに
よりＬＤ素子の作動開始時等に迅速かつ高精度な作動開
始および温度制御を行なうことができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
詳細に説明する。図１は、本発明のＬＤ基板およびこれ
を使用したＬＤモジュールの実施形態の一例を示す断面
図であり、本発明のＬＤモジュールは、基本的に、基体
１と蓋体２とから成るパッケージの内部にペルチェ素子
３，ＬＤ素子４，測温素子５ならびにＬＤ基板６を気密
に収容して成る。

【００１６】パッケージを構成する基体１は、酸化アル
ミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）質焼結体や窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）質焼結体，ムライト（３Ａｌ₂Ｏ₃，２Ｓｉ
Ｏ₂）質焼結体，炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体，窒化珪
素（Ｓｉ₃Ｎ₄）質焼結体，ガラスセラミックス等のセ
ラミックス材料、あるいは銅を含浸させたタングステン
多孔質体や鉄−ニッケル合金，鉄−ニッケル−コバルト
合金等の金属から成り、基体１の主要部は略平板状の底
板部１ａと枠状の側壁部１ｂとから構成されている。な
お、底板部１ａと側壁部１ｂとは同じ材料から形成され
ていてもよいし、互いに異なる材料から形成されていて
もよい。ただし、底板部１ａと側壁部１ｂとを互いに異
なる材料で形成する場合には、両者の熱膨張係数の差が
できるだけ小さいものとなる組み合わせを選択すること
が好ましい。

【００１７】基体１の底板部１ａの上面には、ペルチェ
素子３が搭載固定される。ペルチェ素子３は、ＬＤ素子
４を所定の温度に冷却するための熱ポンプとして機能
し、測温素子５により測定したＬＤ素子４の温度情報を
基にＬＤ素子４が所定の温度となるように冷却する。そ
して、このペルチェ素子３の上面には、ＬＤ基板６が搭
載固定されており、このＬＤ基板６上にはＬＤ素子４お
よび測温素子５が配置されている。なお、この例では測
温素子５はサーミスタ等から成る。

【００１８】ＬＤ基板６は、図２に斜視図で示すよう
に、酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼
結体，ムライト質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素
質焼結体，ガラスセラミックス等の電気絶縁性の材料か
ら成る、長方形等の四角平板状の絶縁基板７の上面にＬ
Ｄ素子４を加熱するための発熱抵抗体８およびこの発熱
抵抗体８を被覆する樹脂層９が被着されており、さらに
樹脂層９の上面にはＬＤ素子４を搭載するための金属薄
膜から成る搭載部１０が被着されている。また、絶縁基
板７の下面には、基板６をペルチェ素子３に接合するた
めの接合用金属層（不図示）が被着されている。

【００１９】絶縁基板７は、例えば酸化アルミニウム質
焼結体から成る場合、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸
化マグネシウム，酸化カルシウム等のセラミック粉末に
適当な有機バインダ，溶剤を添加混合して得た泥漿状の
ペーストを、公知のドクタブレード法によりシート状に
成形することによってセラミックグリーンシートを準備
し、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工や切断加工を施した後、この成形体を約１６００℃の
温度で焼成することによって製作される。

【００２０】なお、絶縁基板７は、窒化アルミニウム質
焼結体や炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体で形成す
ると、これらの材料はその熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以
上と高いため、基板６上に搭載されるＬＤ素子４とペル
チェ素子３との間の熱伝達を良好に行なうことができ、
ＬＤ素子４の温度制御を迅速に行なうことが可能とな
る。

【００２１】また、絶縁基板７の上面に被着された発熱
抵抗体８は、ＬＤ素子４を加熱するための発熱抵抗体で
あり、例えばチタン膜と白金膜とが積層された２層構造
の金属薄膜から形成されている。チタン膜は、絶縁基板
７に対する密着金属であり、その厚みが好ましくは１０
０〜２０００オングストローム（Å）程度である。チタ
ン膜の厚みが１００オングストローム未満では、絶縁基
体７に強固に密着することが困難となる傾向にあり、２
０００オングストロームを超えると、成膜時に発生する
内部応力によって剥離が発生しやすくなる。また、白金
膜は主要抵抗体として機能し、その厚みが好ましくは５
００〜１００００オングストローム程度である。白金膜
の厚みが５００オングストローム未満では、白金膜にピ
ンホール等の欠陥が発生しやすく、均質な発熱抵抗体８
を得ることが困難となる傾向にあり、１００００オング
ストロームを超えると、成膜時に発生する内部応力によ
って剥離が発生しやすくなる。このように、基板６に
は、絶縁基板７の上面に発熱抵抗体８が配置されている
ことから、ＬＤ素子４の作動停止時に発熱抵抗体８を発
熱させてＬＤ素子４を作動時と同様の高温としておくこ
とができ、その結果ＬＤ素子４の作動開始時に迅速かつ
高精度の作動開始および温度制御を行なうことができ、
半導体レーザ素子４を常に安定、かつ確実に作動させる
ことが可能となる。

【００２２】なお、発熱抵抗体８の発熱量は、０．１〜
１０００ｍＷ程度が好ましい。０．１ｍＷ未満ではＬＤ
素子４を十分に加熱することが困難となり、他方１００
０ｍＷを超えると、ＬＤ素子４が高温となりすぎる危険
がある。また、一般にＬＤ素子４が駆動される温度は約
２０〜８０℃であり、前記温度範囲内で温度を変化させ
ることにより発振波長を制御することもできる。

【００２３】また、発熱抵抗体８は、例えばチタン膜と
白金膜とが積層された２層構造の金属薄膜から成る場
合、絶縁基板７の上面にチタン膜および白金膜をスパッ
タリング法やイオンプレーティング法、蒸着法等の薄膜
形成技術により順次被着させるとともに、これらをフォ
トリソグラフィ技術により所定のパターンにエッチング
することによって絶縁基板７の上面に形成される。

【００２４】そして、本発明のＬＤ基板６においては、
発熱抵抗体８は線状または帯状であり、搭載部１０の下
方に綴ら折り状に配設されている。このように発熱抵抗
体８は、搭載部１０の下方に配設させたので、基板６上
に大きな領域を占有することがない。その結果、基板６
が大型化することはない。なお、発熱抵抗体８の幅は、
０．０１〜１ｍｍ程度が好ましい。発熱抵抗体８の幅が
０．０１ｍｍ未満では、発熱抵抗体８に断線が発生する
恐れが高くなる。他方１ｍｍを超えると、発熱抵抗体８
の電気抵抗値が小さくなり過ぎて、発熱の効率が低下す
る。また、発熱抵抗体８の長さは、０．５〜５０ｍｍ程
度が好ましい。発熱抵抗体８の長さが０．５ｍｍ未満で
は、発熱抵抗体としての十分な電気抵抗値を得るのが困
難となる傾向にあり、他方５０ｍｍを超えると、そのよ
うな長い発熱抵抗体８を絶縁基板７に設けるために基板
６を大型化する必要ある。

【００２５】また、発熱抵抗体８はその両端部を露出さ
せるようにして樹脂層９で覆われている。そして、露出
した両端部には、外部の制御回路等に電気的に接続され
る端子電極８ａが形成されている。この端子電極８ａ
は、発熱抵抗体８の露出した両端部に、例えば金の薄膜
を被着させて成る。

【００２６】発熱抵抗体８を覆う樹脂層９は、例えばポ
リイミド樹脂等の耐熱性の絶縁樹脂から成り、発熱抵抗
体８と搭載部１０との間の電気的絶縁を保つ作用をな
す。樹脂層９の厚みは、好ましくは５〜１００μｍ程度
である。樹脂層９の厚みが５μｍ未満では、発熱抵抗体
８と搭載部１０との間に電気的な短絡が生じる危険性が
あり、他方１００μｍを超えると、搭載部１０に搭載さ
れるＬＤ素子４から発熱抵抗体８までの間隔が大きすぎ
て、ＬＤ素子４を迅速に加熱することが困難になる傾向
にある。

【００２７】なお、樹脂層９は、これが例えばポリイミ
ド樹脂から成る場合、硬化することによってポリイミド
樹脂となる前駆体ペーストをスピンコート法やカーテン
コート法等のペースト塗布法により絶縁基板７の上面に
５〜１００μｍの厚みに塗布するとともに、これを乾燥
後、フォトリソグラフィ技術を採用して発熱抵抗体８の
両端部を露出させるようにエッチングし、これを約３０
０〜４５０℃の温度で加熱して熱硬化させることにより
絶縁基板７の上面に形成される。前駆体ペーストの塗布
は複数回に分けて行ってもよい。

【００２８】また、樹脂層９の上面には、金属薄膜から
成る搭載部１０が被着形成されている。搭載部１０は、
基板６にＬＤ素子４を接合するための下地金属として機
能し、その上面にはＬＤ素子４が金−錫合金等の低融点
ろう材を介して取着される。

【００２９】この搭載部１０は、例えば樹脂層９の側か
らチタン膜，白金膜，金膜の順で積層された３層構造の
金属薄膜から形成されている。チタン膜は、樹脂層９に
対する密着金属であり、その厚みが好ましくは１００〜
２０００オングストローム程度である。チタン膜の厚み
が１００オングストローム未満では、樹脂層９に強固に
密着することが困難となる傾向にあり、２０００オング
ストロームを超えると、成膜時に発生する内部応力によ
って剥離が発生しやすくなる。また、白金膜はチタン膜
中のチタンが金膜に拡散するのを防止するバリア層であ
り、その厚みが好ましくは５００〜１００００オングス
トローム程度である。白金膜の厚みが５００オングスト
ローム未満では、チタン膜中のチタンが金膜に拡散する
のを十分に防止することが困難となる傾向にあり、１０
０００オングストロームを超えると、成膜時に発生する
内部応力によって剥離が発生しやすくなる。さらに、金
膜は、搭載部１０にＬＤ素子４を取着する際のろう材と
の濡れ性を向上させるためのものであり、その厚みが好
ましくは１０００〜５００００オングストローム程度で
ある。金膜の厚みが１０００オングストローム未満で
は、ろう材に対する十分な濡れ性が得られなくなる傾向
にあり、５００００オングストロームを超えると、成膜
時に発生する内部応力によって剥離が発生しやすくな
る。

【００３０】なお、このような搭載部１０となるチタン
膜，白金膜，金膜は、スパッタリング法やイオンプレー
ティング法，蒸着法等の公知の薄膜成形技術を採用する
ことによって、これらの金属膜を絶縁層の上面に被着さ
せるとともに、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて
所定のパターンにエッチングすることによって形成され
る。

【００３１】また、絶縁基板７の下面（裏面）に被着さ
せた接合用金属層は、搭載部１０を構成する金属薄膜と
同じ構成の金属薄膜から形成すればよい。

【００３２】そして、図１に示すように、基体１の側壁
１ｂにはこれを貫通するようにして鉄−ニッケル合金や
鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成るパイプ１
１が取着固定されている。パイプ１１は、パッケージに
光ファイバ１２を固定するためのものであり、その内部
に光ファイバ１２が挿通固定される。光ファイバ１２
は、その先端がＬＤ素子４と対向するようにして配置さ
れており、これによりＬＤ素子４から発生するレーザ光
を光ファイバ１２を介して外部に伝送することができ
る。

【００３３】さらに、基体１の底板部１ａまたは側壁部
１ｂには、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト
合金等の金属から成るリード端子１３がパッケージの外
部に突出するようにして設けられる。このリード端子１
３は、基体１の底板部１ａまたは側壁部１ｂを貫通する
ようにして設けられる、または基体１の内部から外部に
導出する配線導体に接合されることにより、パッケージ
の内部と外部とを電気的に接続することを可能とする。
そして、リード端子１３には、パッケージ内部のペルチ
ェ素子３，ＬＤ素子４，測温素子５，発熱抵抗体８が電
気的に接続されている。

【００３４】他方、蓋体２は、鉄−ニッケル合金や鉄−
ニッケル−コバルト合金等の金属から成る略平板であ
り、基体１の側壁部１ｂの上面に例えばシーム溶接によ
り接合される。そして、これにより基体１と蓋体２とか
ら成る箱状のパッケージの内部にペルチェ素子３，ＬＤ
素子４および測温素子５等が気密に封止されている。な
お、蓋体２をシーム溶接により側壁部１ｂに接合する場
合であって、側壁部１ｂがセラミックス材料や銅を含浸
させたタングステン多孔質体から成る場合、側壁部１ｂ
の上面に鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合
金から成る金属枠体をシーム溶接のための下地金属部材
として予め取着させておく必要がある。

【００３５】かくして、本発明のＬＤ基板およびＬＤモ
ジュールによれば、ＬＤ素子の作動停止時にＬＤ素子を
作動時と同様の高温に加熱することにより、迅速かつ高
精度の温度制御が可能となる。

【００３６】なお、本発明のＬＤ基板およびＬＤモジュ
ールは上述の実施形態に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能で
ある。例えば、上述の実施形態の一例では、ＬＤ基板６
の発熱抵抗体８および搭載部１０は、密着金属としてチ
タンを、主要抵抗体およびバリア層として白金を使用し
たが、密着金属としては、クロム（Ｃｒ），タンタル
（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ），
窒化タンタル（Ｔａ₂Ｎ）等を使用してもよく、またバ
リア層および主要抵抗体としては、パラジウム（Ｐ
ｄ），ロジウム（Ｒｈ），ルテニウム（Ｒｕ），ニッケ
ル（Ｎｉ），チタン（Ｔｉ）−タングステン（Ｗ）合金
等を用いてもよい。

【００３７】また、ＬＤ基板６の搭載部１０の上面にＬ
Ｄ素子４を取着するための、例えば金−錫合金から成る
ろう材を、スパッタリング法等を採用して所定の厚みに
被着させてもよい。この場合には、搭載部１０にＬＤ素
子４を搭載する際にろう材を配置する手間を省くことが
できる。

【００３８】さらに、上述の実施形態例では、例えばサ
ーミスタ等から成る測温素子５をＬＤ基板６の上に搭載
したが、測温素子５は、図３，図４，図５にＬＤ基板６
の斜視図で示すように、絶縁基板７の上面に例えば発熱
抵抗体８と同様のチタン膜および白金膜の２層構造の金
属薄膜から成る測温抵抗体１４として設けられてもよ
い。これらの例の測温抵抗体１４はその両端部に外部の
制御回路に接続される端子電極１４ａが形成されてい
る。端子電極１４ａは、測温抵抗体１４の両端部の白金
膜上に金の薄膜を被着させて成る。このような測温抵抗
体１４は、温度によりその電気抵抗値が変化するので、
その電気抵抗値により温度を知ることができる。また、
測温抵抗体１４は発熱抵抗体８と同じ構成の金属薄膜か
ら成る場合、発熱抵抗体８を形成するのと同時に形成す
ればよく、これを設けるために新たな工程を必要としな
い。さらに、測温抵抗体１４を、図４に示すように搭載
部１０の直下に設けたり、あるいは図５に示すように搭
載部１０の周辺に設けると、ＬＤ基板６の小型化が容易
となり、ＬＤモジュールもその分、小型化できる。な
お、測温抵抗体１４は、発熱抵抗体８と同様の厚みで、
０．０１〜１ｍｍの幅、０．５〜５０ｍｍ長さを有する
ように形成すればよい。

【００３９】

【発明の効果】本発明のＬＤ基板およびＬＤモジュール
は、ＬＤ素子が搭載される基板の搭載部の下方に発熱抵
抗体が配設されていることから、この発熱抵抗体により
加熱することによって作動停止時のＬＤ素子を作動時と
同様の高温としておくことができ、これによってＬＤ素
子の作動開始時等に、迅速にＬＤ素子の作動開始が行な
え、かつ即時に高精度な温度制御を行なうことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＬＤモジュールの一実施形態の断面図
である。

【図２】図１のＬＤモジュールに使用される本発明のＬ
Ｄ基板の斜視図である。

【図３】本発明のＬＤ基板の他の実施形態の斜視図であ
る。

【図４】本発明のＬＤ基板の他の実施形態の斜視図であ
る。

【図５】本発明のＬＤ基板の他の実施形態の視斜視図で
ある。

【図６】従来のＬＤモジュールの断面図である。

【図７】図６のＬＤモジュールに使用されるＬＤ基板の
斜視図である。

【符号の説明】

１：基体２：蓋体３：ペルチェ素子４：ＬＤ素子５：測温素子６：ＬＤ基板７：絶縁基板８：発熱抵抗体９：樹脂層１０：搭載部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上面に薄膜から成る発熱抵抗体お
よび該発熱抵抗体を覆う樹脂層が被着されて成るととも
に、該樹脂層の上面に半導体レーザ素子を搭載するため
の金属薄膜から成る搭載部が被着されていることを特徴
とする半導体レーザ素子搭載用基板。
【請求項２】前記絶縁基板上面に薄膜から成る測温抵抗
体が被着されていることを特徴とする請求項１記載の半
導体レーザ素子搭載用基板。
【請求項３】請求項１または請求項２記載の半導体レー
ザ素子搭載用基板上に半導体レーザ素子を搭載するとと
もに、これらを気密封止されたパッケージの内部にペル
チェ素子を介して収容して成ることを特徴とする半導体
レーザモジュール。