JP2001094187A - 半導体レーザ素子搭載用基板およびそれを用いた半導体レーザモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＬＤ素子に対して迅速かつ高精度な温度制御を
行い得るようにすること。 【解決手段】絶縁基板７上にＬＤ素子４を搭載するため
の搭載部８を有するとともに、搭載部８直下の絶縁基板
７内部に発熱抵抗体９を埋設して成るＬＤ基板６および
これを使用したＬＤモジュールである。ＬＤ素子４の作
動停止時にＬＤ素子４を作動時と同様の高温としておく
ことができ、ＬＤ素子４の作動開始時等に迅速かつ高精
度の温度制御を可能とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
を搭載するとともに温度調節機能を有する半導体レーザ
素子搭載用基板、およびこれを使用した光通信用の半導
体レーザモジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光通信用の半導体レーザ（Laser
Diode で、以下、ＬＤという）モジュールに使用される
ＬＤ素子は、その発振波長や光出力等がＬＤ素子の温度
により変化することが判っている。従って、ＬＤ素子を
安定して作動させるためには、ＬＤ素子の温度を所定の
温度に制御することが必要となる。従来より、ＬＤ素子
の温度制御は、ＬＤ素子の温度を測定するための測温素
子と、この測温素子が測定した温度情報を基にＬＤ素子
の冷却または加熱を行なうペルチェ素子とにより行なわ
れている。そして、このような測温素子およびペルチェ
素子は、ＬＤ素子とともに気密封止が可能なパッケージ
内に収められてＬＤモジュールを構成する。

【０００３】ここで、従来のＬＤモジュールを図４の断
面図で示す。従来のＬＤモジュールは、基体２１と蓋体
２２とから成るパッケージ２０の内部に、ペルチェ素子
２３，ＬＤ素子２４および測温素子２５を気密可能に収
容して成る。なお、ＬＤ素子２４および測温素子２５
は、これらを搭載するためのＬＤ素子搭載用基板（サブ
キャリア）２６の上に配置されている。

【０００４】パッケージ２０を構成する基体２１は、酸
化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）質焼結体等のセラミック
スや銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金，鉄（Ｆｅ）
−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等の金属か
ら成り、主として平板状の底板部２１ａと枠状の側壁部
２１ｂとから構成され、上面が開口された箱状とされて
いる。基体２１の底板部２１ａの上面にはペルチェ素子
２３が搭載固定されており、このペルチェ素子２３の上
面には、ＬＤ素子２４および測温素子２５がＬＤ素子搭
載用基板２６の上に配置された状態で搭載されている。

【０００５】また、基体２１の側壁部２１ｂには、鉄−
ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属か
ら成る光ファイバ固定部材としてのパイプ２７が取着さ
れており、このパイプ２７の内部には光ファイバ２８が
挿通されＬＤ素子２４と光学的に結合した状態で固定さ
れている。光ファイバ２８は、その先端の光入出射端が
ＬＤ素子２４と対向して配置されており、ＬＤ素子２４
からのレーザ光を光ファイバ２８を介して外部に伝送で
きるようになっている。

【０００６】さらに、基体２１の底板部２１ａまたは側
壁部２１ｂには、リード端子２９が固定されており、こ
のリード端子２９はペルチェ素子２３，ＬＤ素子２４，
測温素子２５と電気的に接続されている。

【０００７】また、蓋体２２は、鉄−ニッケル−コバル
ト合金や鉄−ニッケル合金等の金属から成る平板状のも
のであり、基体２１の側壁部２１ｂの上面に例えばシー
ム溶接法により接合されることにより、基体２１と蓋体
２２とから成るパッケージを構成して、その内部にペル
チェ素子２３およびＬＤ素子２４ならびに測温素子２５
を収納し、気密に封止している。

【０００８】この従来のＬＤモジュールにおいて使用さ
れるＬＤ素子搭載用基板（以下、ＬＤ基板と略す）２６
について、図５を用いてより詳細に説明する。図５は、
図４のＬＤ基板２６とその上に配置されたＬＤ素子２４
および測温素子２５とを示す斜視図である。ＬＤ基板２
６は、例えば酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材
料から成る基板３０の上面の一端側に、ＬＤ素子２４を
搭載するための金属薄膜から成る搭載部３１を有してい
る。搭載部３１を構成する金属薄膜は、例えばチタン
（Ｔｉ）膜，白金（Ｐｔ）膜，金（Ａｕ）膜から成る３
層構造の金属薄膜である。この搭載部３１の上に、ＬＤ
素子２４が例えば金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）合金から成る
ろう材を介して固定される。ＬＤ基板２６はまた、その
裏面にも例えばチタン膜，白金膜，金膜から成る３層構
造の金属薄膜（不図示）が略全面に被着されており、こ
の裏面の金属薄膜とペルチェ素子２３とをろう付けする
ことにより、ＬＤ基板２６がペルチェ素子２３上に接合
固定されている。

【０００９】なお、測温素子２５は、例えばサーミスタ
等から成り、基板３０の上面の光ファイバと反対側にＬ
Ｄ素子２４に隣接して搭載されている。この測温素子２
５は、温度によってその電気抵抗値が変化し、その電気
抵抗値の変化をリード端子２９を介して外部の制御回路
に伝え、この制御回路からの指示でペルチェ素子２３を
駆動することによりＬＤ素子２４を所定の温度に制御す
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記従来のＬＤモジュ
ールにおいては、ＬＤ素子２４は作動時には発熱して高
温となり、作動停止時にはその温度が下がる。そこで、
ＬＤ素子２４の作動時にはＬＤ素子２４を冷却し、逆に
作動停止時には加熱しなければならない。しかしなが
ら、ペルチェ素子２３はある程度の熱容量を有すること
およびＬＤ素子２４との間にＬＤ基板２６を介している
ことから、ペルチェ素子２３による冷却状態と加熱状態
とがすぐには切り替わらず、例えばＬＤ素子２４の作動
開始時等にＬＤ素子２４が定温状態となるまでに時間が
かかり、迅速かつ高精度なＬＤ素子２４の作動および温
度制御を行うことが困難であるという問題点を有してい
た。

【００１１】本発明はかかる従来の問題点に鑑み完成さ
れたものであり、その目的は、迅速かつ高精度な作動お
よび温度制御を行なうことが可能なＬＤ基板およびＬＤ
モジュールを提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子搭載用基板は、絶縁基板上に半導体レーザ素子を搭載
するための搭載部を有するとともに、該搭載部直下の前
記基板内部に発熱抵抗体を埋設したことを特徴とするも
のである。

【００１３】また、本発明のＬＤモジュールは、上記の
半導体レーザ素子搭載用基板上に半導体レーザ素子を搭
載するとともに、これらを気密封止されたパッケージの
内部にペルチェ素子を介して収容して成ることを特徴と
する。

【００１４】本発明のＬＤ基板およびＬＤモジュールに
よれば、ＬＤ素子が搭載されるＬＤ基板の搭載部の直下
に発熱抵抗体が埋設されていることから、この発熱抵抗
体により加熱することによって、作動停止時のＬＤ素子
を常に作動時と同様の高温としておくことができ、これ
によりＬＤ素子の作動開始時等に迅速かつ高精度な作動
開始および温度制御を行うことができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
詳細に説明する。図１は、本発明のＬＤ基板およびこれ
を使用したＬＤモジュールの実施形態の一例を示す断面
図であり、本発明のＬＤモジュールは、基本的に、基体
１と蓋体２とから成るパッケージの内部にペルチェ素子
３，ＬＤ素子４，測温素子５ならびにＬＤ基板６を気密
に収容して成る。

【００１６】パッケージを構成する基体１は、酸化アル
ミニウム質焼結体や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結
体，ムライト（３Ａｌ₂ Ｏ₃ ・２ＳｉＯ₂ ）質焼結体，
炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体，窒化珪素（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）
質焼結体，ガラス−セラミックス等のセラミックス材
料、あるいは銅を含浸させたタングステン多孔質体や鉄
−ニッケル合金，鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属
から成り、基体１の主要部は略平板状の底板部１ａと枠
状の側壁部１ｂとから構成されている。なお、底板部１
ａと側壁部１ｂとは同じ材料から形成されていてもよい
し、互いに異なる材料から形成されていてもよい。ただ
し、底板部１ａと側壁部１ｂとを互いに異なる材料で形
成する場合には、両者の熱膨張係数の差ができるだけ小
さいものとなる組み合わせを選択することが好ましい。

【００１７】基体１の底板部１ａの上面には、ペルチェ
素子３が搭載固定される。ペルチェ素子３は、ＬＤ素子
４を所定の温度に冷却するための熱ポンプとして機能
し、測温素子５により測定したＬＤ素子４の温度情報を
基にＬＤ素子４が所定の温度となるように冷却する。そ
して、ペルチェ素子３の上面には、ＬＤ基板６が搭載固
定されており、このＬＤ基板６上にはＬＤ素子４および
測温素子５が配置されている。なお、測温素子５はサー
ミスタ等から成る。

【００１８】ＬＤ基板６は、図２の斜視図で示すよう
に、酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼
結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ガラス−
セラミックス等の電気絶縁性の材料から成る、長方形等
の四角平板状の２層の絶縁層７ａ，７ｂを、積層一体化
した絶縁基板７の上面にＬＤ素子４を搭載するための搭
載部８を有するとともに、この搭載部８直下で絶縁層７
ａと７ｂとの間にＬＤ素子４を加熱するための発熱抵抗
体９が埋設されて成る。このＬＤ基板６は、下層の絶縁
層７ｂの測温素子５側の一端部が上層の絶縁層７ａから
突出しており、この突出部の上面に発熱抵抗体９の両端
部が導出している。また、絶縁基板７の下面には、ＬＤ
基板６をペルチェ素子３に接合するための接合用金属層
（不図示）が被着されている。なお、図２では絶縁基板
７が２層の絶縁層７ａ，７ｂを積層させた構成であるが
３層以上の絶縁層を積層させた構成としても構わない。

【００１９】また絶縁基板７は、例えば酸化アルミニウ
ム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム，酸化珪
素，酸化マグネシウム，酸化カルシウム等のセラミック
粉末に適当な有機バインダ，溶剤を添加混合して得た泥
漿状のペーストを、公知のドクタブレード法によりシー
ト状に成形することにより、絶縁層７ａ，７ｂ用の２枚
のセラミックグリーンシートを準備し、これらのセラミ
ックグリーンシートに適当な打ち抜き加工や切断加工を
施した後、上下に積層し、この成形体を約１６００℃の
温度で焼成することによって製作される。

【００２０】なお、絶縁基板７は、窒化アルミニウム質
焼結体や炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体で形成す
ると、これらの材料はその熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以
上と高いため、ＬＤ基板６上に搭載されるＬＤ素子４と
ペルチェ素子３との間の熱伝導を良好に行なうことがで
き、ＬＤ素子４の温度制御を迅速に行なうことが可能と
なる。絶縁基板７の上面に配設された搭載部８は、絶縁
基板７にＬＤ素子４を接合するための下地金属として機
能し、その上面にはＬＤ素子４が金−錫合金等の低融点
ろう材を介して取着される。ＬＤ基板６用の絶縁基板７
の厚さは０．０５ｍｍ〜５ｍｍ程度が好ましく、０．０
５ｍｍ未満では、絶縁基板７の強度が弱くなり、ＬＤ素
子４を搭載する際等に外力が加わると割れやクラックが
発生し易くなる。また、５ｍｍを超えると、ＬＤ基板６
を介したペルチェ素子３による冷却が迅速に行えなくな
るとともに、ＬＤ基板６の高さが高くなってＬＤモジュ
ールの小型化が困難になる傾向にある。

【００２１】前記搭載部８は、例えば絶縁基板７の側か
らチタン膜，白金膜，金膜の順で積層された３層構造の
金属薄膜から形成されている。チタン膜は、絶縁基板７
に密着させるための密着金属であり、厚みは１００〜２
０００Å程度が良い。１００Å未満では、絶縁基板７に
強固に密着することが困難になる傾向にあり、２０００
Åを超えると、成膜時にチタン膜に発生する内部応力に
よって剥離が発生し易いものとなる傾向にある。

【００２２】また、白金膜はチタン膜中のチタンが金膜
に拡散するのを防止するバリア層であり、厚みは５００
〜１００００Å程度が良い。５００Å未満では、チタン
の拡散を十分に防止することができなくなる傾向にあ
り、１００００Åを超えると、成膜時に白金膜に発生す
る内部応力によって剥離が発生し易い傾向がある。

【００２３】さらに、金膜は、搭載部８にＬＤ素子２を
取着する際のろう材との濡れ性を向上させるためのもの
であり、厚みは１０００〜５００００Å程度が良い。１
０００Å未満では、十分な濡れ性が得られにくく、５０
０００Åを超えると、成膜時に発生する内部応力により
剥離が発生し易くなる。

【００２４】なお、搭載部８用のチタン膜，白金膜，金
膜は、スパッタリング法やイオンプレーティング法，蒸
着法等の公知の薄膜成形技術を採用することによって、
これらの金属膜を絶縁基板７の上面に被着させるととも
に、公知のフォトリソグラフィー技術を用いて所定のパ
ターンにエッチングすることによって形成される。

【００２５】また、絶縁基板７の搭載部８直下に埋設さ
れた発熱抵抗体９は、ＬＤ素子４を加熱するための発熱
抵抗体であり、例えばタングステン，モリブデン，タン
グステン−モリブデン合金，タングステン−レニウム合
金，白金等の抵抗体材料から成る。このように、ＬＤ基
板６には、搭載部８の直下に発熱抵抗体９が埋設されて
いることから、ＬＤ素子４の作動停止時に発熱抵抗体９
を発熱させてＬＤ素子４を作動時と同様の高温としてお
くことができ、その結果ＬＤ素子４の作動開始時に迅速
かつ高精度の作動開始および温度制御を行うことがで
き、ＬＤ素子４を常に安定かつ確実に作動させることが
可能となる。

【００２６】発熱抵抗体９は、例えばタングステン−モ
リブデン合金から成る場合であれば、１０〜９０重量％
のタングステン粉末および１０〜９０重量％のモリブデ
ン粉末に適当な有機バインダ，溶剤を添加混合して得た
抵抗体ペーストを、絶縁基板７となるセラミックグリー
ンシートに公知のスクリーン印刷法により所定のパター
ンに印刷塗布するとともに、これを前記セラミックグリ
ーンシートと同時焼成することによって絶縁基板７の搭
載部８直下に埋設するように形成される。なお、発熱抵
抗体９の電気抵抗を高いものとするとともにその熱膨張
係数を調整するために、前記抵抗体ペースト中に絶縁基
板７用のセラミックグリーンシートに含有されるセラミ
ック粉末を５〜３０重量％程度含有させてもよい。

【００２７】そして、本発明のＬＤ基板６においては、
発熱抵抗体９が絶縁基板７内部で搭載部８直下に埋設さ
れていることが重要である。また、本発明の発熱抵抗体
９は、図２に示すように線状または帯状とされ、ＬＤ素
子４の裏面全体に対応するように、綴ら折り状または螺
旋状に形成するのが好ましい。

【００２８】発熱抵抗体９は、その入出力用の両端部を
絶縁基板７の表面に導出させるようにして、搭載部８と
の間に好ましくは０. ０１〜１ｍｍの間隔をあけて搭載
部８の直下に埋設されており、これによりＬＤ素子４を
短い距離で短時間に加熱することができ、迅速かつ精度
の高い温度制御が可能となる。このように発熱抵抗体９
は、搭載部８の直下に埋設させたので絶縁基板７上に大
きな領域を占有することがない。その結果、ＬＤ基板６
が大型化することはない。そして、発熱抵抗体９と搭載
部８との間隔が０. ０１ｍｍ未満の場合、発熱抵抗体９
と搭載部８との間に電気的な短絡が生じる危険性があ
り、他方１ｍｍを超えると、搭載部８に搭載されるＬＤ
素子４から発熱抵抗体９までの間隔が大きすぎて、ＬＤ
素子４を迅速に加熱することが困難になる傾向にある。

【００２９】また、発熱抵抗体９の厚みは５〜５０μｍ
程度が良い。発熱抵抗体９の厚みが５μｍ未満である
と、発熱抵抗体９に断線が発生する恐れが高くなる。他
方、５０μｍを超えると、発熱抵抗体９の電気抵抗値が
小さくなり過ぎて、発熱の効率が低下する。発熱抵抗体
９の幅は０．０５〜０．５ｍｍ程度が好ましく、０．０
５ｍｍ未満では、発熱抵抗体９に断線が発生し易くな
り、０．５ｍｍを超えると、発熱抵抗体９の電気抵抗が
小さくなりすぎて発熱の効率が低下する。発熱抵抗体９
の長さは０．５〜５０ｍｍ程度が好ましく、０．５ｍｍ
未満では、発熱抵抗体９として十分な電気抵抗を得るの
が困難となる傾向にあり、５０ｍｍを超えると、発熱抵
抗体９を絶縁基板７内に形成することが困難となる傾向
にある。

【００３０】本発明の発熱抵抗体９の発熱量は０．１〜
１０００ｍＷ程度が好ましく、０．１ｍＷ未満では、Ｌ
Ｄ素子４を十分に加熱することが困難となり、１０００
ｍＷを超えると、ＬＤ素子４が高温になり過ぎる傾向に
ある。また、一般にＬＤ素子４が駆動される温度は約２
０〜８０℃であり、前記範囲内で温度を変化させること
により発振周波数を制御することもできる。

【００３１】さらに、絶縁基板７の表面に導出した発熱
抵抗体９の両端部には、外部の制御回路等に電気的に接
続される端子電極９ａが形成されている。この端子電極
９ａは、絶縁基板７の絶縁層７ｂの上面において、線状
の発熱抵抗体９の両端部を金属薄膜により覆うようにし
て形成される。例えば、搭載部８を構成する金属薄膜と
同じ構成の金属薄膜を被着させて成る。このような端子
電極９ａは、例えば予め絶縁基板７の内部に発熱抵抗体
９となる抵抗体材料を、その両端部が絶縁基板７の上面
に露出するようにして形成するとともに、その上を覆う
ようにして搭載部８および端子電極９ａとなる金属薄膜
を被着させ、この金属薄膜を搭載部８および端子電極９
ａの部分が残るようにエッチングすることにより搭載部
８と同時に形成することができる。

【００３２】また、絶縁基板７の下面（裏面）に被着さ
せた接合用金属層は、搭載部８を構成する金属薄膜と同
じ構成の金属薄膜から形成すればよい。

【００３３】そして、図１に示すように、基体１の側壁
１ｂにはこれを貫通するようにして鉄−ニッケル合金や
鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る光ファイ
バ固定部材としてのパイプ１０が取着固定されている。
パイプ１０は、パッケージに光ファイバ１１を固定する
ためのものであり、その内部に光ファイバ１１が挿通固
定される。光ファイバ１１は、その先端がＬＤ素子４と
対向するように配置されており、これによりＬＤ素子４
から発生する光を光ファイバ１１を介して外部に伝送す
ることができる。

【００３４】さらに、基体１の底板部１ａまたは側壁部
１ｂには、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト
合金等の金属から成るリード端子１２がパッケージの外
部に突出するように設けられる。このリード端子１２
は、基体１の底板部１ａまたは側壁部１ｂを貫通するよ
うに設けられる、または基体１の内部から外部に導出す
る配線導体に接合されることにより、パッケージの内部
と外部とを電気的に接続可能とする。そして、リード端
子１２には、パッケージ内部のペルチェ素子３，ＬＤ素
子４，測温素子５が電気的に接続されている。

【００３５】他方、蓋体２は、鉄−ニッケル合金や鉄−
ニッケル−コバルト合金等の金属から成る略平板であ
り、基体１の側壁部１ｂの上面に例えばシーム溶接によ
り接合される。そして、これにより基体１と蓋体２とか
ら成る箱状のパッケージの内部に、ペルチェ素子３，Ｌ
Ｄ素子４および測温素子５等が気密に封止される。な
お、蓋体２をシーム溶接により側壁部１ｂに接合する場
合であって、側壁部１ｂがセラミック材料や銅を含浸さ
せたタングステン多孔質体から成る場合、側壁部１ｂの
上面に鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金
から成る金属枠体をシーム溶接のための下地金属部材と
して予め取着させておく必要がある。

【００３６】かくして、本発明のＬＤ基板およびＬＤモ
ジュールによれば、ＬＤ素子４の作動停止時にＬＤ素子
４を作動時と同様の高温に加熱することにより、迅速か
つ高精度の温度制御が可能となる。

【００３７】なお、本発明のＬＤ基板およびＬＤモジュ
ールは上述の実施形態に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能で
ある。例えば、上述の実施形態の一例では、ＬＤ基板６
の搭載部８および端子電極９ａを形成する金属薄膜は、
密着金属としてチタンを、バリア層として白金を使用し
たが、密着金属としてクロム（Ｃｒ），ニクロム（Ｎｉ
−Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）等を使用してもよく、また
バリア層としてパラジウム（Ｐｄ），ニクロム，チタン
−タングステン合金等を用いてもよい。

【００３８】さらに、上述の実施形態の一例では、ＬＤ
基板６は、絶縁基板７を構成する下層の絶縁層７ｂの一
端部を上層の絶縁層７ａから突出させ、その突出した部
位の上面に発熱抵抗体９の両端部を導出させるととも
に、この両端部に端子電極９ａを接続させたが、図３の
斜視図で示すように、上下の絶縁層７ａ，７ｂを同じ大
きさとし、発熱抵抗体９を絶縁基板７の表面に導出させ
ず、上層の絶縁層７ａに端子電極９ａを設け、この端子
電極９ａを絶縁層７ａに設けたビア導体Ｖを介して発熱
抵抗体９に接続した構成としてもよい。なお、ビア導体
Ｖは、タングステン，モリブデン，白金，銅，銀，銀−
パラジウム等の金属粉末メタライズで形成すればよい。
例えばタングステンから成る場合、絶縁層７ａとなるセ
ラミックグリーンシートに貫通孔を形成するとともに、
この貫通孔内にタングステンペーストを充填し、これを
セラミックグリーンシートと同時焼成することによって
形成する。

【００３９】また、ＬＤ基板６の搭載部８の上面にＬＤ
素子４を取着するための、例えば金−錫合金から成るろ
う材を、スパッタリング法等により所定の厚みに被着さ
せてもよい。この場合には、搭載部８にＬＤ素子４を搭
載する際にろう材を配置する手間を省くことができる。

【００４０】

【発明の効果】本発明のＬＤ搭載用基板およびＬＤモジ
ュールは、ＬＤ素子が搭載されるＬＤ基板の搭載部の直
下に発熱抵抗体が埋設されていることから、この発熱抵
抗体により加熱することによって作動停止時のＬＤ素子
を作動時と同様の高温としておくことができ、これによ
ってＬＤ素子の作動開始時等に、迅速にＬＤ素子の作動
開始が行え、かつ即時に高精度な温度制御を行うことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＬＤモジュールの一実施形態の断面図
である。

【図２】図１のＬＤモジュールに使用される本発明のＬ
Ｄ基板の斜視図である。

【図３】本発明のＬＤ基板の他の実施形態の斜視図であ
る。

【図４】従来のＬＤモジュールの断面図である。

【図５】図４のＬＤモジュールに使用されるＬＤ基板の
斜視図である。

【符号の説明】

１：基体 ２：蓋体 ３：ペルチェ素子 ４：ＬＤ素子 ５：測温素子 ６：ＬＤ基板 ７：絶縁基板 ８：搭載部 ９：発熱抵抗体

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基板上に半導体レーザ素子を搭載する
   搭載部を有するとともに、該搭載部直下の前記絶縁基板
   内部に発熱抵抗体を埋設したことを特徴とする半導体レ
   ーザ素子搭載用基板。
2. 【請求項２】請求項１記載の半導体レーザ素子搭載用基
   板上に半導体レーザ素子を搭載するとともに、これらを
   気密封止されたパッケージの内部にペルチェ素子を介し
   て収容して成ることを特徴とする半導体レーザモジュー
   ル。