JP2004296948A - 光半導体素子用サブキャリアおよび光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電気的接続の信頼性および、光―電気変換応答性を高くして絶縁基台の上面から一側面にわたって配線導体層を形成した光半導体素子サブキャリアを提供する。
【解決手段】直方体状の絶縁基台13と、この絶縁基台13の一側面に形成された、光半導体素子1が接合される導体層14aと、絶縁基台13の上面から一側面にかけて形成された、導体層14aに接続される第一の配線導体層14bおよび光半導体素子に電気的に接続される第二の配線導体層14cと、第一および第二の配線導体層14a・14bの絶縁基台13の上面と一側面との間の角部の部位に第一および第二の配線導体層14a・14bを覆うように被着された絶縁樹脂膜15とを具備する。
【選択図】 図2
【解決手段】直方体状の絶縁基台13と、この絶縁基台13の一側面に形成された、光半導体素子1が接合される導体層14aと、絶縁基台13の上面から一側面にかけて形成された、導体層14aに接続される第一の配線導体層14bおよび光半導体素子に電気的に接続される第二の配線導体層14cと、第一および第二の配線導体層14a・14bの絶縁基台13の上面と一側面との間の角部の部位に第一および第二の配線導体層14a・14bを覆うように被着された絶縁樹脂膜15とを具備する。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信分野等で用いられ、フォトダイオード(PD),半導体レーザ(LD)等の光半導体素子を搭載するためのサブキャリアおよびこれを用いた光半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、光通信分野においては、高周波信号を電気−光変換して光ファイバ等へ光信号として伝送するために光半導体装置が用いられており、このような光半導体装置としては、10Gビット/秒(bps)を超えるデータ通信のビットレートを持つものが広く用いられるようになってきている。
【0003】
従来のPD,LD等の光半導体素子を具備した光半導体装置を図3に断面図で示す。図3において、101は光半導体素子を搭載するための絶縁基台(サブキャリア)、102はPD、103aはPD102の上部電極と絶縁基台101表面に形成された配線パターン(図示せず)とを電気的に接続する第一のボンディングワイヤ、103bは絶縁基台101表面に形成された配線パターンと回路基板120の回路配線(図示せず)とを電気的に接続するための第二のボンディングワイヤであり、また、104はLD、105はLD搭載用のサブマウント、106は測温素子、107はペルチェ素子、108はセラミックス等から成る基体、108aは基体108の平板状の底板部、108bは基体108の側壁部である。さらに、109は金属等から成る蓋体、110は金属等から成る筒状の光ファイバ固定部材(以下、固定部材という)、111は光ファイバ、112は外部リード端子、120はPD102を制御するための制御回路やインピーダンス整合用の線路導体等が形成された回路基板である。
【0004】
なお、PD102を搭載するための絶縁基台101は、図4に斜視図で示すように、セラミックス等から成る略直方体の絶縁基材113の表面に導体層から成る各種機能部が形成されており、絶縁基材113の一側面にPDが搭載される導体層から成るPD搭載部114aが形成され、絶縁基材113の上面に第一の配線パターン114bおよび第二の配線パターン114cが形成されている。また、絶縁基材113の一側面には、PD搭載部114aと第一の配線パターン114bを電気的に接続する接続部114d、および第二の配線パターン114cと電気的に接続され、第一のボンディングワイヤ103aがボンディングされるボンディング部114eが形成されている。さらに、絶縁基材113の下面には、基体108の底板部108aの上面にAu−Snろう材等を介して接着固定される下部導体層114fが形成されている。
【0005】
そしてPD102は、絶縁基台101のPD搭載部114aにAu−Snろう材等を介して接着固定される。PD102が搭載された絶縁基台101は、基体108の底板部108aの上面にPD102の受光面がLD104や光ファイバ111と光学的に結合するように接着固定されている。また、基体108の底板部108aの上面には、LD104および測温素子106が搭載されたサブマウント105がペルチェ素子107を介して載置されている。
【0006】
なお、光ファイバ111は、LD104から発光される光を外部に伝送するとともに、光ファイバ111から伝送された光をPD102に受光させて光信号を電気信号に変換させる機能を有する。また、PD102は、LD104から後方へ出射された光をモニタするための機能を有する。
【0007】
さらに、基体108の底板部108aの下面には、外部リード端子112が固定されており、PD102、LD104、測温素子106およびペルチェ素子107が電気的に接続されている。そして、基体108の上面に蓋体109がシーム溶接法等により接合されることにより、光半導体装置が気密に封止される。
【0008】
なお、この光半導体装置においては、PD102は絶縁基台101のPD搭載部114aにAu−Sn合金等から成る低融点ろう材を介して接着固定され、その後、PD102の上部電極とボンディング部114eとが、AuやAl等から成る第一のボンディングワイヤ103aを介して電気的に接続される。そして、PD102が搭載された絶縁基台101は、その下部導体層114fが基体108の底板部108aの上面に、Au−Sn合金やPb−Sn合金等から成るろう材を介して接着固定される。さらに、絶縁基台101の第一の配線パターン114bおよび第二の配線パターン114cは、回路基板120の回路配線や線路導体に、AuやAl等からなる第二のボンディングワイヤ103bにより電気的に接続される。また同様に、LD104および測温素子106は、サブマウント105の上面にろう材を介して接着固定された後、予めろう材を介して基体108の底板部108aの上面に接着固定されたペルチェ素子107の上面にサブマウント105をろう材を介して接着固定される。
【0009】
【特許文献1】
特開平5−145091号公報
【特許文献2】
特開2001−15773号公報
【特許文献3】
特開2002−141600号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の光半導体装置においては、PD102が搭載された絶縁基台101は、組立工程において、コレット等の搬送治具により挟まれた状態で移送され基体108の底板部108aの上面に載置されるが、その際、第一の配線パターン114bと接続部114dおよび第二の配線パターン114cとボンディング部114eが電気的に接続されている絶縁基材113の稜部が搬送治具と接触し、稜部で導体層が傷付いたり削り取られて、第一の配線パターン114bと接続部114dとの間で、あるいは第二の配線パターン114cとボンディング部114eとの間で断線が発生したり、導通抵抗が増大してしまうという問題点を有していた。
【0011】
また、PD搭載部114a、接続部114dおよびボンディング部114eは、絶縁基材113の同じ一側面に形成されているため、これらはスパッタリング法や真空蒸着法、フォトリソグラフィ法、エッチング法等を用いて同時に形成されるが、第一の配線パターン114bおよび第二の配線パターン114cは、絶縁基材113の上面に形成され、PD搭載部114a、接続部114dおよびボンディング部114eとは別工程で、スパッタリング法や真空蒸着法、フォトリソグラフィ法、エッチング法等を用いて形成されるため、これらが電気的に接続される稜部において、電気的接続が不十分となり断線が発生し易いという問題点を有していた。
【0012】
本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、電気的接続信頼性に優れた光半導体素子を搭載するためのサブキャリアおよびこれを用いた光半導体装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の光半導体素子サブキャリアは、直方体状の絶縁基台と、この絶縁基台の一側面に形成された、光半導体素子が接合される導体層と、前記絶縁基台の上面から前記一側面にかけて形成された、前記導体層に接続される第一の配線導体層および前記光半導体素子に電気的に接続される第二の配線導体層と、前記第一および第二の配線導体層の前記絶縁基台の上面と前記一側面との間の角部の部位に前記第一および第二の配線導体層を覆うように被着された絶縁樹脂膜とを具備したことを特徴とするものである。
【0014】
本発明の光半導体素子サブキャリアによれば、第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面と一側面との間の角部の部位に第一および第二の配線導体層を覆うように絶縁樹脂膜が被着していることから、光半導体装置の組立工程で光半導体素子サブキャリアをコレット等の搬送治具で挟んで移動させた際に、絶縁樹脂膜が第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面と一側面との間の角部の部位を保護する、あるいは緩衝材の機能を果たすので、搬送治具の接触等によって第一および第二の配線導体層に断線不良や導通抵抗の増大等が発生するのを防止することができる。
【0015】
また、本発明の光半導体素子サブキャリアは、上記構成において、前記第一および第二の配線導体層は、表面に前記第一および第二の配線導体層のパターンをそれぞれ形成した絶縁フィルムを、前記絶縁基体の前記上面および前記一側面に貼り付けることにより形成されていることを特徴とするものである。
【0016】
本発明の光半導体素子サブキャリアによれば、上記構成において、第一および第二の配線導体層が表面に第一および第二の配線導体層のパターンをそれぞれ形成した絶縁フィルムを、絶縁基体の上面および一側面に貼り付けることにより形成されている場合には、第一および第二の配線導体層が絶縁基台の上面から一側面にかけて同時一体的に形成されるので、絶縁基体の上面および一側面間の稜部においても第一および第二の配線導体層の電気的接続が十分なものとなり、接続信頼性の高い光半導体素子サブキャリアとすることができる。
【0017】
本発明の光半導体装置は、上面に凹部が形成されているとともにこの凹部から外側面にかけて形成された貫通孔を有する基体と、前記貫通孔に嵌着された筒状の光ファイバ固定部材と、前記凹部の底面に載置された上述の光半導体素子用サブキャリアと、この光半導体素子用サブキャリアの前記導体層に接合されるとともに前記第一および第二の配線導体層に電気的に接続された光半導体素子と、前記基体の上面の前記凹部の周囲に接合された蓋体とを具備したことを特徴とするものである。
【0018】
本発明の光半導体装置によれば、電気的に接続信頼性の高い光半導体素子サブキャリアを用いたことから、高信頼性の光半導体装置とすることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の光半導体素子サブキャリアおよび光半導体装置を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明の光半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図、図2は本発明の光半導体素子サブキャリアの実施の形態の一例を示す斜視図である。
【0020】
これらの図において、1は光半導体素子サブキャリア、2は光半導体素子としてのPD、3aはPD2の上部電極と第二の配線導体層14cとを電気的に接続する第一のボンディングワイヤ、3bは第一の配線導体14bおよび/または第二の配線導体層14cと回路基板20の回路配線とを電気的に接続するための第二のボンディングワイヤ、4はLD、5はサブマウント、6は測温素子、7はペルチェ素子、8は基体、8aは基体8の底板部、8bは基体8の側壁部、9は蓋体、10は固定部材、11は光ファイバ、12は外部リード端子である。
【0021】
光半導体素子サブキャリア1は、PD等の光半導体素子2を搭載する機能を有し、0.2〜2.0mm×0.5〜0.4mm×0.5〜2.0mm程度の直方体状の絶縁基台13と、この一側面に形成された、光半導体素子が接合される導体層14aと、絶縁基台13の上面から一側面にかけて形成された、導体層14aに接続される第一の配線導体層14bおよび光半導体素子2に電気的に接続される第二の配線導体層14cとから構成されている。
【0022】
絶縁基台13は、セラミックス(焼結体)等の絶縁材料から成り、例えば酸化アルミニウム(Al2O3)質焼結体、窒化アルミニウム(AlN)質焼結体、炭化珪素(SiC)質焼結体、窒化珪素(Si3N4)質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等から成り、常法により製作される。
【0023】
また、導体層14a、第一の配線導体層14b、第二の配線導体層14cは、例えば密着金属層、拡散防止層、主導体層が順次積層された3層構造の導体層から成ることが好ましい。そして、密着金属層は絶縁基台13との密着性を良好にするという観点からは、Ti,Cr,Ta,Nb,Ni−Cr合金,Ta2Nの少なくとも1種より成ることが好ましく、その厚みは0.01〜0.2μmの範囲が好ましい。密着金属層の厚みが0.01μm未満の場合、密着金属層が絶縁基台13と強固に密着することが困難となる傾向があり、0.2μmを超えると成膜時の内部応力によって密着金属層が絶縁基台13から剥離し易く成る傾向がある。
【0024】
また、拡散防止層は、密着金属層と主導体層との相互拡散を防ぐという観点からは、Pt,Pd,Rh,Ni,Ni−Cr合金,Ti−W合金の少なくとも1種より成ることが好ましく、その厚みは0.05〜1μmの範囲が好ましい。拡散防止層の厚みが0.05μm未満の場合は、ピンホール等の欠陥が発生して拡散防止層としての機能を果たすことが困難となる傾向があり、1μmを超えると成膜時の内部応力により密着金属層や主導体層と剥離し易く成る傾向がある。なお、拡散防止層にNi−Cr合金を用いる場合、密着性も確保できるため密着金属層を省くこともできる。
【0025】
さらに、主導体層は電気抵抗の小さいAu,Cu,Ni,Agより成ることが好ましく、その厚みは0.1〜10μmの範囲が好ましい。主導体層の厚みが0.1μm未満の場合、電気抵抗が大きくなる傾向があり、10μmを超えると、成膜時の内部応力により主導体層が拡散防止層から剥離し易く成る傾向がある。なお、Auを用いる場合は、Auは貴金属で高価であることから、低コスト化の観点からはなるべく薄く形成することが好ましい。また、Cuは酸化し易いので、その上にNiおよびAuから成る保護層をめっき法等により被着してもよい。
【0026】
このような、導体層14a、第一の配線導体層14b、第二の配線導体層14cは、従来周知の真空蒸着法やスパッタ法、めっき法等により形成され、例えば密着金属層、拡散防止層および主導体層がそれぞれTi,PdおよびAuから成る場合は、これら金属を絶縁基台13側から順次積層し、必要に応じてエッチング法等を用いることにより所定形状に形成される。
【0027】
そして、本発明の光半導体素子用サブキャリア1においては、第一および第二の配線導体層14b・14cの絶縁基台13の上面と一側面との間の角部の部位に第一および第二の配線導体層14b・14cを覆うように絶縁樹脂膜16が被着されている。そしてこのことが重要である。
【0028】
本発明の光半導体素子用サブキャリア1によれば、第一および第二の配線導体層14b・14cの絶縁基台13の上面と一側面との間の角部の部位に第一および第二の配線導体層14b・14cを覆うように絶縁樹脂膜16を被着したことから、光半導体装置の組立工程で光半導体素子サブキャリア1をコレット等の搬送治具で挟んで移動させた際に、絶縁樹脂膜16が第一および第二の配線導体層14b・14cの絶縁基台13の上面と一側面との間の角部の部位を保護する、あるいは緩衝材の機能を果たすので、搬送治具の接触等によって第一および第二の配線導体層14b・14cに断線不良や導通抵抗の増大等が発生するのを防止することができる。
【0029】
このような絶縁樹脂膜16は、ポリイミド樹脂やポリフェニレンサルファイド樹脂,全芳香族ポリエステル樹脂,フッ素樹脂等の耐熱性樹脂から成り、例えば、ポリイミド樹脂をドクターブレード法等を用いて、乾燥後の厚みが2〜20μm程度となる未硬化のフィルムを得、これをプレス金型等により所望の大きさにした後に、第一および第二の配線導体層14b・14cの絶縁基台13の上面と一側面との間の角部の部位に、これを覆うように貼り付けることにより形成される。
【0030】
なお、絶縁樹脂膜16は、その厚みが2〜20μmの範囲が好ましく、厚みが2μm未満であると絶縁樹脂膜16の厚みが薄いものとなり、上面と一側面との間の角部の部位を良好に覆うことが困難となる傾向があり、厚みが20μmを超えると、上面と一側面との間の角部の部位で絶縁樹脂膜16を直角に折り曲げる際にクラックが発生して、第一および第二の配線導体層14b・14cを保護することが困難となる傾向がある。
【0031】
また、本発明の光半導体素子用サブキャリア1においては、第一および第二の配線導体層14b・14cは、表面に第一および第二の配線導体層14b・14cのパターンを形成した絶縁フィルム15を、絶縁基体13の上面および一側面に貼り付けることにより形成されていることが好ましい。
【0032】
本発明の光半導体素子用サブキャリア1によれば、第一および第二の配線導体層14b・14cが表面に第一および第二の配線導体層14b・14cのパターンを形成した絶縁フィルム15を、絶縁基体13の上面および一側面に貼り付けることにより形成されている場合には、第一および第二の配線導体層14b・14cが絶縁基台13の上面から一側面にかけて同時一体的に形成されるので、絶縁基体13の上面および一側面間の稜部においても第一および第二の配線導体層14b・14cの電気的接続が十分なものとなり、接続信頼性の高い光半導体素子サブキャリア1とすることができる。
【0033】
このような絶縁フィルム15は、絶縁樹脂膜16と同様に、ポリイミド樹脂やポリフェニレンサルファイド樹脂,全芳香族ポリエステル樹脂,フッ素樹脂等の耐熱性樹脂から成り、例えば、ポリイミド樹脂をドクターブレード法等を用いて、乾燥後の厚みが2〜20μm程度となる未硬化のフィルムを得、これをプレス金型等により所望の大きさにすることにより得られる。なお、絶縁フィルム15、その厚みが2〜20μmの範囲が好ましく、厚みが2μm未満であると絶縁フィルム15の厚みが薄いものとなり、絶縁フィルム15上に第一および第二の配線導体層14b・14cを形成する際の熱等によって、フィルムが変形する等の不具合が発生する傾向があり、厚みが20μmを超えると上面と一側面との間の角部の部位で絶縁フィルム15を直角に折り曲げる際にクラックが発生して、第一および第二の配線導体層14b・14cに断線を発生させてしまう危険性がある。
【0034】
なお、絶縁フィルム15に低誘電率の低い材料を用いた場合、絶縁フィルム15上に形成された第一および第二の配線導体層14b・14cの容量値を減少させることができ、その結果、光半導体素子2が光−電気信号変換した後の電気信号伝播遅延速度を増加させることができ、光半導体素子2の光−電気変換応答性を向上させることができる。このような、絶縁フィルム15の比誘電率としては、絶縁基台13の比誘電率の2分の1以下であることが望ましい。
【0035】
光半導体素子用サブキャリア1に形成される第一および第二の配線導体層14b・14cは、一般的にマイクロストリップライン構造を有しており、マイクロストリップライン構造における信号伝播遅延時間(Tpd)は理論式として、Tpd=(εr)1/2/C0(Tpd:電気信号伝播遅延時間、εr:誘電体の実効比誘電率、C0:光速)で表すことができ、C0:光速は定数であるため、信号伝播遅延時間(Tpd)は(εr)1/2に比例することとなるので、誘電体材料の比誘電率(εr)が小さくなるほど、信号伝播遅延時間(Tpd)も小さくすることができる。例えば、アルミナセラミックスの比誘電率(εr)は10、窒化アルミニウムの比誘電率(εr)は8.5であるのに対し、ポリイミド樹脂の比誘電率(εr)は3.5、テフロン(R)樹脂の比誘電率(εr)は2.4であることから、アルミナセラミックスや窒化アルミニウムから成る絶縁基台13上に直接形成された第一および第二の配線導体層14b・14cと比較し、例えばポリイミド樹脂やテフロン(R)樹脂からなる絶縁フィルム15上に形成された第一および第二の配線導体層14b・14cでは電気信号伝播遅延速度は50%以上高速化することとなる。
【0036】
なお、本実施例では、第一および第二の配線導体層14b・14cを絶縁フィルム15上に形成した例を示したが、絶縁フィルム15に、低融点ろう材をスパッタリング法等により所定厚みに被着させて導体層14aを形成してもよい。も良い。これにより、光半導体素子2を接着固定する際に、ろう材のプリフォームを配置する手間を省くことができる。このような低融点ろう材としては、Au−Ge合金(融点約356℃),Au−Si合金(融点約370℃),Pb−Sn合金(融点約183℃),Au−Sn合金(融点約280℃),In−Pb合金(融点約172℃),In(融点約157℃)等が好ましい。これらは低融点ろう材は、その融点が400℃以下であるため、光半導体素子2の接着固定温度を低くすることができ、その結果、光半導体素子2が熱衝撃破壊されることがないという利点、および、組立工程において低温接着をすることができることにより、昇温時間および冷却時間を短くすることができ、生産コストを低くすることができるという利点がある。
【0037】
かくして本発明の光半導体素子用サブキャリア1によれば、光半導体素子サブキャリア1を接続信頼性の高いものとすることができる。
【0038】
次に、本発明の光半導体装置について、説明する。
本発明の光半導体装置は、上面に凹部が形成されているとともにこの凹部から外側面にかけて形成された貫通孔を有する基体8と、貫通孔に嵌着された筒状の光ファイバ固定部材10と、凹部の底面に載置された光半導体素子用サブキャリア1と、この光半導体素子用サブキャリア1の導体層14aに接合されるとともに第一および第二の配線導体層14a・14bに電気的に接続された光半導体素子2と、基体8の上面の凹部の周囲に接合された蓋体9とを具備した構成である。
【0039】
また、本実施例において光半導体装置は、基体8の底板部8aの上面に載置された光半導体素子2としてのPDが搭載された光半導体素子サブキャリア13と対向するように、ペルチェ素子7を介して載置されたLD4および測温素子6が搭載されたサブマウント5が配されており、基体8の側壁部8bの上面に蓋体9を取着することにより気密封止されている。
【0040】
基体8は、底板部8aと側壁部8bとから成り、上面に各種部品を収容するための凹部が形成されている。この基体8は、底板部8aと側壁部8bとが一体的に形成されたものであってもよい。基体8の側壁部8bには凹部から外側面にかけて貫通孔が形成され、その貫通孔には光ファイバ11を固定するための筒状の固定部材10が嵌着接合されている。
【0041】
このような基体8は、Al2O3質焼結体やAlN質焼結体,ムライト質焼結体,SiC質焼結体,Si3N4質焼結体,、ガラスセラミックス等のセラミックス、あるいはCuを含浸させたタングステン多孔質体やFe−Ni合金,Fe−Ni−Co合金等の金属から成り、定法により製作される。基体8を構成する底板部8aと側壁部8bとは同じ材料から形成されていても良いし、異なる材料から形成されていても良い。ただし、底板部8aと側壁部8bとを異なる材料で形成する場合、両者の熱膨張係数差ができるだけ小さいものとなる組合せを選択することが好ましい。また、底板部8aと側壁部8bとは一体的に形成されていてもよい。
【0042】
また、基体8の底板部8aの上面には、回路基板20と、ペルチェ素子7が接着固定されている。ペルチェ素子7は、LD4を所定の温度に冷却または加熱するための熱ポンプとして機能し、測温素子6により測定したLD4の温度を検知し、LD4が所定の温度となるように冷却または加熱する。そして、このペルチェ素子7の上面には、サブマウント5が搭載されており、サブマウント5上にLD4および測温素子6が隣接して設置される。
【0043】
さらに、基体8の底板部8aまたは側壁部8bには、Fe−Ni合金やFe−Ni−Co合金等の金属から成る外部リード端子12が容器の外部に突出するようにして設けられている。この外部リード端子12は、基体8の底板部8aまたは側壁部8bを貫通するようにして設けられるか、または基体8の内部から外部に導出されたメタライズ層等の配線導体に接合されることにより、容器の内部と外部とを電気的に接続している。そして、外部リード端子12には、容器内部の回路基板20、LD4、測温素子6、ペルチェ素子7が電気的に接続される。
【0044】
そして、基体8の底板部8aに、光半導体素子用サブキャリア1を、ろう材を介して接合し、しかる後、第一の配線導体14bと回路基板20の回路配線とを第二のボンディングワイヤ、光半導体素子2の上部電極と第二の配線導体層14cとを第一のボンディングワイヤで電気的に接続し、さらに、基体8の側壁部8bの上面に蓋体9を取着することにより本発明の光半導体装置が製作される。
【0045】
なお、蓋体8は、アルミナ等のセラミックス材料や、Cu等の金属材料から成り、樹脂接着材やろう材により基体8の側壁部8bの上面に接合される。また、光半導体素子用サブキャリア1は、基体8の底板部8aにろう材を介して接合しするために、その底面にあらかじめろう材との接合用の金属層14cを、被着させておくことが好ましい。
【0046】
かくして、本発明の光半導体装置によれば、電気的に接続信頼性の高い光半導体素子サブキャリアを用いたことから、高信頼性の光半導体装置とすることができる。
【0047】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【0048】
【発明の効果】
本発明の光半導体素子サブキャリアによれば、第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面と一側面との間の角部の部位に第一および第二の配線導体層を覆うように絶縁樹脂膜が被着していることから、光半導体装置の組立工程で光半導体素子サブキャリアをコレット等の搬送治具で挟んで移動させた際に、絶縁樹脂膜が第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面と一側面との間の角部の部位を保護する、あるいは緩衝材の機能を果たすので、搬送治具の接触等によって第一および第二の配線導体層に断線不良や導通抵抗の増大等が発生するのを防止することができる。
【0049】
また、本発明の光半導体素子サブキャリアによれば、上記構成において、第一および第二の配線導体層が表面に第一および第二の配線導体層のパターンを形成した絶縁フィルムを、絶縁基体の上面および一側面に貼り付けることにより形成されている場合には、第一および第二の配線導体層が絶縁基台の上面から一側面にかけて同時一体的に形成されるので、絶縁基体の上面および一側面間の稜部においても第一および第二の配線導体層の電気的接続が十分なものとなり、接続信頼性の高い光半導体素子サブキャリアとすることができる。
【0050】
本発明の光半導体装置によれば、電気的に接続信頼性の高い光半導体素子サブキャリアを用いたことから、高信頼性の光半導体装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図2】本発明の光半導体素子サブキャリアの実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図3】従来の光半導体装置を示す断面図である。
【図4】従来の光半導体素子サブキャリアを示す斜視図である。
【符号の説明】
1・・・・・・・光半導体素子サブキャリア
2・・・・・・・光半導体素子
8・・・・・・・基体
9・・・・・・・蓋体
13・・・・・・・絶縁基台
14a・・・・・・・導体層
14b・・・・・・・第一の配線導体層
14c・・・・・・・第二の配線導体層
15・・・・・・・絶縁フィルム
16・・・・・・・絶縁樹脂膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信分野等で用いられ、フォトダイオード(PD),半導体レーザ(LD)等の光半導体素子を搭載するためのサブキャリアおよびこれを用いた光半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、光通信分野においては、高周波信号を電気−光変換して光ファイバ等へ光信号として伝送するために光半導体装置が用いられており、このような光半導体装置としては、10Gビット/秒(bps)を超えるデータ通信のビットレートを持つものが広く用いられるようになってきている。
【0003】
従来のPD,LD等の光半導体素子を具備した光半導体装置を図3に断面図で示す。図3において、101は光半導体素子を搭載するための絶縁基台(サブキャリア)、102はPD、103aはPD102の上部電極と絶縁基台101表面に形成された配線パターン(図示せず)とを電気的に接続する第一のボンディングワイヤ、103bは絶縁基台101表面に形成された配線パターンと回路基板120の回路配線(図示せず)とを電気的に接続するための第二のボンディングワイヤであり、また、104はLD、105はLD搭載用のサブマウント、106は測温素子、107はペルチェ素子、108はセラミックス等から成る基体、108aは基体108の平板状の底板部、108bは基体108の側壁部である。さらに、109は金属等から成る蓋体、110は金属等から成る筒状の光ファイバ固定部材(以下、固定部材という)、111は光ファイバ、112は外部リード端子、120はPD102を制御するための制御回路やインピーダンス整合用の線路導体等が形成された回路基板である。
【0004】
なお、PD102を搭載するための絶縁基台101は、図4に斜視図で示すように、セラミックス等から成る略直方体の絶縁基材113の表面に導体層から成る各種機能部が形成されており、絶縁基材113の一側面にPDが搭載される導体層から成るPD搭載部114aが形成され、絶縁基材113の上面に第一の配線パターン114bおよび第二の配線パターン114cが形成されている。また、絶縁基材113の一側面には、PD搭載部114aと第一の配線パターン114bを電気的に接続する接続部114d、および第二の配線パターン114cと電気的に接続され、第一のボンディングワイヤ103aがボンディングされるボンディング部114eが形成されている。さらに、絶縁基材113の下面には、基体108の底板部108aの上面にAu−Snろう材等を介して接着固定される下部導体層114fが形成されている。
【0005】
そしてPD102は、絶縁基台101のPD搭載部114aにAu−Snろう材等を介して接着固定される。PD102が搭載された絶縁基台101は、基体108の底板部108aの上面にPD102の受光面がLD104や光ファイバ111と光学的に結合するように接着固定されている。また、基体108の底板部108aの上面には、LD104および測温素子106が搭載されたサブマウント105がペルチェ素子107を介して載置されている。
【0006】
なお、光ファイバ111は、LD104から発光される光を外部に伝送するとともに、光ファイバ111から伝送された光をPD102に受光させて光信号を電気信号に変換させる機能を有する。また、PD102は、LD104から後方へ出射された光をモニタするための機能を有する。
【0007】
さらに、基体108の底板部108aの下面には、外部リード端子112が固定されており、PD102、LD104、測温素子106およびペルチェ素子107が電気的に接続されている。そして、基体108の上面に蓋体109がシーム溶接法等により接合されることにより、光半導体装置が気密に封止される。
【0008】
なお、この光半導体装置においては、PD102は絶縁基台101のPD搭載部114aにAu−Sn合金等から成る低融点ろう材を介して接着固定され、その後、PD102の上部電極とボンディング部114eとが、AuやAl等から成る第一のボンディングワイヤ103aを介して電気的に接続される。そして、PD102が搭載された絶縁基台101は、その下部導体層114fが基体108の底板部108aの上面に、Au−Sn合金やPb−Sn合金等から成るろう材を介して接着固定される。さらに、絶縁基台101の第一の配線パターン114bおよび第二の配線パターン114cは、回路基板120の回路配線や線路導体に、AuやAl等からなる第二のボンディングワイヤ103bにより電気的に接続される。また同様に、LD104および測温素子106は、サブマウント105の上面にろう材を介して接着固定された後、予めろう材を介して基体108の底板部108aの上面に接着固定されたペルチェ素子107の上面にサブマウント105をろう材を介して接着固定される。
【0009】
【特許文献1】
特開平5−145091号公報
【特許文献2】
特開2001−15773号公報
【特許文献3】
特開2002−141600号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の光半導体装置においては、PD102が搭載された絶縁基台101は、組立工程において、コレット等の搬送治具により挟まれた状態で移送され基体108の底板部108aの上面に載置されるが、その際、第一の配線パターン114bと接続部114dおよび第二の配線パターン114cとボンディング部114eが電気的に接続されている絶縁基材113の稜部が搬送治具と接触し、稜部で導体層が傷付いたり削り取られて、第一の配線パターン114bと接続部114dとの間で、あるいは第二の配線パターン114cとボンディング部114eとの間で断線が発生したり、導通抵抗が増大してしまうという問題点を有していた。
【0011】
また、PD搭載部114a、接続部114dおよびボンディング部114eは、絶縁基材113の同じ一側面に形成されているため、これらはスパッタリング法や真空蒸着法、フォトリソグラフィ法、エッチング法等を用いて同時に形成されるが、第一の配線パターン114bおよび第二の配線パターン114cは、絶縁基材113の上面に形成され、PD搭載部114a、接続部114dおよびボンディング部114eとは別工程で、スパッタリング法や真空蒸着法、フォトリソグラフィ法、エッチング法等を用いて形成されるため、これらが電気的に接続される稜部において、電気的接続が不十分となり断線が発生し易いという問題点を有していた。
【0012】
本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、電気的接続信頼性に優れた光半導体素子を搭載するためのサブキャリアおよびこれを用いた光半導体装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の光半導体素子サブキャリアは、直方体状の絶縁基台と、この絶縁基台の一側面に形成された、光半導体素子が接合される導体層と、前記絶縁基台の上面から前記一側面にかけて形成された、前記導体層に接続される第一の配線導体層および前記光半導体素子に電気的に接続される第二の配線導体層と、前記第一および第二の配線導体層の前記絶縁基台の上面と前記一側面との間の角部の部位に前記第一および第二の配線導体層を覆うように被着された絶縁樹脂膜とを具備したことを特徴とするものである。
【0014】
本発明の光半導体素子サブキャリアによれば、第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面と一側面との間の角部の部位に第一および第二の配線導体層を覆うように絶縁樹脂膜が被着していることから、光半導体装置の組立工程で光半導体素子サブキャリアをコレット等の搬送治具で挟んで移動させた際に、絶縁樹脂膜が第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面と一側面との間の角部の部位を保護する、あるいは緩衝材の機能を果たすので、搬送治具の接触等によって第一および第二の配線導体層に断線不良や導通抵抗の増大等が発生するのを防止することができる。
【0015】
また、本発明の光半導体素子サブキャリアは、上記構成において、前記第一および第二の配線導体層は、表面に前記第一および第二の配線導体層のパターンをそれぞれ形成した絶縁フィルムを、前記絶縁基体の前記上面および前記一側面に貼り付けることにより形成されていることを特徴とするものである。
【0016】
本発明の光半導体素子サブキャリアによれば、上記構成において、第一および第二の配線導体層が表面に第一および第二の配線導体層のパターンをそれぞれ形成した絶縁フィルムを、絶縁基体の上面および一側面に貼り付けることにより形成されている場合には、第一および第二の配線導体層が絶縁基台の上面から一側面にかけて同時一体的に形成されるので、絶縁基体の上面および一側面間の稜部においても第一および第二の配線導体層の電気的接続が十分なものとなり、接続信頼性の高い光半導体素子サブキャリアとすることができる。
【0017】
本発明の光半導体装置は、上面に凹部が形成されているとともにこの凹部から外側面にかけて形成された貫通孔を有する基体と、前記貫通孔に嵌着された筒状の光ファイバ固定部材と、前記凹部の底面に載置された上述の光半導体素子用サブキャリアと、この光半導体素子用サブキャリアの前記導体層に接合されるとともに前記第一および第二の配線導体層に電気的に接続された光半導体素子と、前記基体の上面の前記凹部の周囲に接合された蓋体とを具備したことを特徴とするものである。
【0018】
本発明の光半導体装置によれば、電気的に接続信頼性の高い光半導体素子サブキャリアを用いたことから、高信頼性の光半導体装置とすることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の光半導体素子サブキャリアおよび光半導体装置を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明の光半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図、図2は本発明の光半導体素子サブキャリアの実施の形態の一例を示す斜視図である。
【0020】
これらの図において、1は光半導体素子サブキャリア、2は光半導体素子としてのPD、3aはPD2の上部電極と第二の配線導体層14cとを電気的に接続する第一のボンディングワイヤ、3bは第一の配線導体14bおよび/または第二の配線導体層14cと回路基板20の回路配線とを電気的に接続するための第二のボンディングワイヤ、4はLD、5はサブマウント、6は測温素子、7はペルチェ素子、8は基体、8aは基体8の底板部、8bは基体8の側壁部、9は蓋体、10は固定部材、11は光ファイバ、12は外部リード端子である。
【0021】
光半導体素子サブキャリア1は、PD等の光半導体素子2を搭載する機能を有し、0.2〜2.0mm×0.5〜0.4mm×0.5〜2.0mm程度の直方体状の絶縁基台13と、この一側面に形成された、光半導体素子が接合される導体層14aと、絶縁基台13の上面から一側面にかけて形成された、導体層14aに接続される第一の配線導体層14bおよび光半導体素子2に電気的に接続される第二の配線導体層14cとから構成されている。
【0022】
絶縁基台13は、セラミックス(焼結体)等の絶縁材料から成り、例えば酸化アルミニウム(Al2O3)質焼結体、窒化アルミニウム(AlN)質焼結体、炭化珪素(SiC)質焼結体、窒化珪素(Si3N4)質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等から成り、常法により製作される。
【0023】
また、導体層14a、第一の配線導体層14b、第二の配線導体層14cは、例えば密着金属層、拡散防止層、主導体層が順次積層された3層構造の導体層から成ることが好ましい。そして、密着金属層は絶縁基台13との密着性を良好にするという観点からは、Ti,Cr,Ta,Nb,Ni−Cr合金,Ta2Nの少なくとも1種より成ることが好ましく、その厚みは0.01〜0.2μmの範囲が好ましい。密着金属層の厚みが0.01μm未満の場合、密着金属層が絶縁基台13と強固に密着することが困難となる傾向があり、0.2μmを超えると成膜時の内部応力によって密着金属層が絶縁基台13から剥離し易く成る傾向がある。
【0024】
また、拡散防止層は、密着金属層と主導体層との相互拡散を防ぐという観点からは、Pt,Pd,Rh,Ni,Ni−Cr合金,Ti−W合金の少なくとも1種より成ることが好ましく、その厚みは0.05〜1μmの範囲が好ましい。拡散防止層の厚みが0.05μm未満の場合は、ピンホール等の欠陥が発生して拡散防止層としての機能を果たすことが困難となる傾向があり、1μmを超えると成膜時の内部応力により密着金属層や主導体層と剥離し易く成る傾向がある。なお、拡散防止層にNi−Cr合金を用いる場合、密着性も確保できるため密着金属層を省くこともできる。
【0025】
さらに、主導体層は電気抵抗の小さいAu,Cu,Ni,Agより成ることが好ましく、その厚みは0.1〜10μmの範囲が好ましい。主導体層の厚みが0.1μm未満の場合、電気抵抗が大きくなる傾向があり、10μmを超えると、成膜時の内部応力により主導体層が拡散防止層から剥離し易く成る傾向がある。なお、Auを用いる場合は、Auは貴金属で高価であることから、低コスト化の観点からはなるべく薄く形成することが好ましい。また、Cuは酸化し易いので、その上にNiおよびAuから成る保護層をめっき法等により被着してもよい。
【0026】
このような、導体層14a、第一の配線導体層14b、第二の配線導体層14cは、従来周知の真空蒸着法やスパッタ法、めっき法等により形成され、例えば密着金属層、拡散防止層および主導体層がそれぞれTi,PdおよびAuから成る場合は、これら金属を絶縁基台13側から順次積層し、必要に応じてエッチング法等を用いることにより所定形状に形成される。
【0027】
そして、本発明の光半導体素子用サブキャリア1においては、第一および第二の配線導体層14b・14cの絶縁基台13の上面と一側面との間の角部の部位に第一および第二の配線導体層14b・14cを覆うように絶縁樹脂膜16が被着されている。そしてこのことが重要である。
【0028】
本発明の光半導体素子用サブキャリア1によれば、第一および第二の配線導体層14b・14cの絶縁基台13の上面と一側面との間の角部の部位に第一および第二の配線導体層14b・14cを覆うように絶縁樹脂膜16を被着したことから、光半導体装置の組立工程で光半導体素子サブキャリア1をコレット等の搬送治具で挟んで移動させた際に、絶縁樹脂膜16が第一および第二の配線導体層14b・14cの絶縁基台13の上面と一側面との間の角部の部位を保護する、あるいは緩衝材の機能を果たすので、搬送治具の接触等によって第一および第二の配線導体層14b・14cに断線不良や導通抵抗の増大等が発生するのを防止することができる。
【0029】
このような絶縁樹脂膜16は、ポリイミド樹脂やポリフェニレンサルファイド樹脂,全芳香族ポリエステル樹脂,フッ素樹脂等の耐熱性樹脂から成り、例えば、ポリイミド樹脂をドクターブレード法等を用いて、乾燥後の厚みが2〜20μm程度となる未硬化のフィルムを得、これをプレス金型等により所望の大きさにした後に、第一および第二の配線導体層14b・14cの絶縁基台13の上面と一側面との間の角部の部位に、これを覆うように貼り付けることにより形成される。
【0030】
なお、絶縁樹脂膜16は、その厚みが2〜20μmの範囲が好ましく、厚みが2μm未満であると絶縁樹脂膜16の厚みが薄いものとなり、上面と一側面との間の角部の部位を良好に覆うことが困難となる傾向があり、厚みが20μmを超えると、上面と一側面との間の角部の部位で絶縁樹脂膜16を直角に折り曲げる際にクラックが発生して、第一および第二の配線導体層14b・14cを保護することが困難となる傾向がある。
【0031】
また、本発明の光半導体素子用サブキャリア1においては、第一および第二の配線導体層14b・14cは、表面に第一および第二の配線導体層14b・14cのパターンを形成した絶縁フィルム15を、絶縁基体13の上面および一側面に貼り付けることにより形成されていることが好ましい。
【0032】
本発明の光半導体素子用サブキャリア1によれば、第一および第二の配線導体層14b・14cが表面に第一および第二の配線導体層14b・14cのパターンを形成した絶縁フィルム15を、絶縁基体13の上面および一側面に貼り付けることにより形成されている場合には、第一および第二の配線導体層14b・14cが絶縁基台13の上面から一側面にかけて同時一体的に形成されるので、絶縁基体13の上面および一側面間の稜部においても第一および第二の配線導体層14b・14cの電気的接続が十分なものとなり、接続信頼性の高い光半導体素子サブキャリア1とすることができる。
【0033】
このような絶縁フィルム15は、絶縁樹脂膜16と同様に、ポリイミド樹脂やポリフェニレンサルファイド樹脂,全芳香族ポリエステル樹脂,フッ素樹脂等の耐熱性樹脂から成り、例えば、ポリイミド樹脂をドクターブレード法等を用いて、乾燥後の厚みが2〜20μm程度となる未硬化のフィルムを得、これをプレス金型等により所望の大きさにすることにより得られる。なお、絶縁フィルム15、その厚みが2〜20μmの範囲が好ましく、厚みが2μm未満であると絶縁フィルム15の厚みが薄いものとなり、絶縁フィルム15上に第一および第二の配線導体層14b・14cを形成する際の熱等によって、フィルムが変形する等の不具合が発生する傾向があり、厚みが20μmを超えると上面と一側面との間の角部の部位で絶縁フィルム15を直角に折り曲げる際にクラックが発生して、第一および第二の配線導体層14b・14cに断線を発生させてしまう危険性がある。
【0034】
なお、絶縁フィルム15に低誘電率の低い材料を用いた場合、絶縁フィルム15上に形成された第一および第二の配線導体層14b・14cの容量値を減少させることができ、その結果、光半導体素子2が光−電気信号変換した後の電気信号伝播遅延速度を増加させることができ、光半導体素子2の光−電気変換応答性を向上させることができる。このような、絶縁フィルム15の比誘電率としては、絶縁基台13の比誘電率の2分の1以下であることが望ましい。
【0035】
光半導体素子用サブキャリア1に形成される第一および第二の配線導体層14b・14cは、一般的にマイクロストリップライン構造を有しており、マイクロストリップライン構造における信号伝播遅延時間(Tpd)は理論式として、Tpd=(εr)1/2/C0(Tpd:電気信号伝播遅延時間、εr:誘電体の実効比誘電率、C0:光速)で表すことができ、C0:光速は定数であるため、信号伝播遅延時間(Tpd)は(εr)1/2に比例することとなるので、誘電体材料の比誘電率(εr)が小さくなるほど、信号伝播遅延時間(Tpd)も小さくすることができる。例えば、アルミナセラミックスの比誘電率(εr)は10、窒化アルミニウムの比誘電率(εr)は8.5であるのに対し、ポリイミド樹脂の比誘電率(εr)は3.5、テフロン(R)樹脂の比誘電率(εr)は2.4であることから、アルミナセラミックスや窒化アルミニウムから成る絶縁基台13上に直接形成された第一および第二の配線導体層14b・14cと比較し、例えばポリイミド樹脂やテフロン(R)樹脂からなる絶縁フィルム15上に形成された第一および第二の配線導体層14b・14cでは電気信号伝播遅延速度は50%以上高速化することとなる。
【0036】
なお、本実施例では、第一および第二の配線導体層14b・14cを絶縁フィルム15上に形成した例を示したが、絶縁フィルム15に、低融点ろう材をスパッタリング法等により所定厚みに被着させて導体層14aを形成してもよい。も良い。これにより、光半導体素子2を接着固定する際に、ろう材のプリフォームを配置する手間を省くことができる。このような低融点ろう材としては、Au−Ge合金(融点約356℃),Au−Si合金(融点約370℃),Pb−Sn合金(融点約183℃),Au−Sn合金(融点約280℃),In−Pb合金(融点約172℃),In(融点約157℃)等が好ましい。これらは低融点ろう材は、その融点が400℃以下であるため、光半導体素子2の接着固定温度を低くすることができ、その結果、光半導体素子2が熱衝撃破壊されることがないという利点、および、組立工程において低温接着をすることができることにより、昇温時間および冷却時間を短くすることができ、生産コストを低くすることができるという利点がある。
【0037】
かくして本発明の光半導体素子用サブキャリア1によれば、光半導体素子サブキャリア1を接続信頼性の高いものとすることができる。
【0038】
次に、本発明の光半導体装置について、説明する。
本発明の光半導体装置は、上面に凹部が形成されているとともにこの凹部から外側面にかけて形成された貫通孔を有する基体8と、貫通孔に嵌着された筒状の光ファイバ固定部材10と、凹部の底面に載置された光半導体素子用サブキャリア1と、この光半導体素子用サブキャリア1の導体層14aに接合されるとともに第一および第二の配線導体層14a・14bに電気的に接続された光半導体素子2と、基体8の上面の凹部の周囲に接合された蓋体9とを具備した構成である。
【0039】
また、本実施例において光半導体装置は、基体8の底板部8aの上面に載置された光半導体素子2としてのPDが搭載された光半導体素子サブキャリア13と対向するように、ペルチェ素子7を介して載置されたLD4および測温素子6が搭載されたサブマウント5が配されており、基体8の側壁部8bの上面に蓋体9を取着することにより気密封止されている。
【0040】
基体8は、底板部8aと側壁部8bとから成り、上面に各種部品を収容するための凹部が形成されている。この基体8は、底板部8aと側壁部8bとが一体的に形成されたものであってもよい。基体8の側壁部8bには凹部から外側面にかけて貫通孔が形成され、その貫通孔には光ファイバ11を固定するための筒状の固定部材10が嵌着接合されている。
【0041】
このような基体8は、Al2O3質焼結体やAlN質焼結体,ムライト質焼結体,SiC質焼結体,Si3N4質焼結体,、ガラスセラミックス等のセラミックス、あるいはCuを含浸させたタングステン多孔質体やFe−Ni合金,Fe−Ni−Co合金等の金属から成り、定法により製作される。基体8を構成する底板部8aと側壁部8bとは同じ材料から形成されていても良いし、異なる材料から形成されていても良い。ただし、底板部8aと側壁部8bとを異なる材料で形成する場合、両者の熱膨張係数差ができるだけ小さいものとなる組合せを選択することが好ましい。また、底板部8aと側壁部8bとは一体的に形成されていてもよい。
【0042】
また、基体8の底板部8aの上面には、回路基板20と、ペルチェ素子7が接着固定されている。ペルチェ素子7は、LD4を所定の温度に冷却または加熱するための熱ポンプとして機能し、測温素子6により測定したLD4の温度を検知し、LD4が所定の温度となるように冷却または加熱する。そして、このペルチェ素子7の上面には、サブマウント5が搭載されており、サブマウント5上にLD4および測温素子6が隣接して設置される。
【0043】
さらに、基体8の底板部8aまたは側壁部8bには、Fe−Ni合金やFe−Ni−Co合金等の金属から成る外部リード端子12が容器の外部に突出するようにして設けられている。この外部リード端子12は、基体8の底板部8aまたは側壁部8bを貫通するようにして設けられるか、または基体8の内部から外部に導出されたメタライズ層等の配線導体に接合されることにより、容器の内部と外部とを電気的に接続している。そして、外部リード端子12には、容器内部の回路基板20、LD4、測温素子6、ペルチェ素子7が電気的に接続される。
【0044】
そして、基体8の底板部8aに、光半導体素子用サブキャリア1を、ろう材を介して接合し、しかる後、第一の配線導体14bと回路基板20の回路配線とを第二のボンディングワイヤ、光半導体素子2の上部電極と第二の配線導体層14cとを第一のボンディングワイヤで電気的に接続し、さらに、基体8の側壁部8bの上面に蓋体9を取着することにより本発明の光半導体装置が製作される。
【0045】
なお、蓋体8は、アルミナ等のセラミックス材料や、Cu等の金属材料から成り、樹脂接着材やろう材により基体8の側壁部8bの上面に接合される。また、光半導体素子用サブキャリア1は、基体8の底板部8aにろう材を介して接合しするために、その底面にあらかじめろう材との接合用の金属層14cを、被着させておくことが好ましい。
【0046】
かくして、本発明の光半導体装置によれば、電気的に接続信頼性の高い光半導体素子サブキャリアを用いたことから、高信頼性の光半導体装置とすることができる。
【0047】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【0048】
【発明の効果】
本発明の光半導体素子サブキャリアによれば、第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面と一側面との間の角部の部位に第一および第二の配線導体層を覆うように絶縁樹脂膜が被着していることから、光半導体装置の組立工程で光半導体素子サブキャリアをコレット等の搬送治具で挟んで移動させた際に、絶縁樹脂膜が第一および第二の配線導体層の絶縁基台の上面と一側面との間の角部の部位を保護する、あるいは緩衝材の機能を果たすので、搬送治具の接触等によって第一および第二の配線導体層に断線不良や導通抵抗の増大等が発生するのを防止することができる。
【0049】
また、本発明の光半導体素子サブキャリアによれば、上記構成において、第一および第二の配線導体層が表面に第一および第二の配線導体層のパターンを形成した絶縁フィルムを、絶縁基体の上面および一側面に貼り付けることにより形成されている場合には、第一および第二の配線導体層が絶縁基台の上面から一側面にかけて同時一体的に形成されるので、絶縁基体の上面および一側面間の稜部においても第一および第二の配線導体層の電気的接続が十分なものとなり、接続信頼性の高い光半導体素子サブキャリアとすることができる。
【0050】
本発明の光半導体装置によれば、電気的に接続信頼性の高い光半導体素子サブキャリアを用いたことから、高信頼性の光半導体装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図2】本発明の光半導体素子サブキャリアの実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図3】従来の光半導体装置を示す断面図である。
【図4】従来の光半導体素子サブキャリアを示す斜視図である。
【符号の説明】
1・・・・・・・光半導体素子サブキャリア
2・・・・・・・光半導体素子
8・・・・・・・基体
9・・・・・・・蓋体
13・・・・・・・絶縁基台
14a・・・・・・・導体層
14b・・・・・・・第一の配線導体層
14c・・・・・・・第二の配線導体層
15・・・・・・・絶縁フィルム
16・・・・・・・絶縁樹脂膜
Claims (3)
- 直方体状の絶縁基台と、該絶縁基台の一側面に形成された、光半導体素子が接合される導体層と、前記絶縁基台の上面から前記一側面にかけて形成された、前記導体層に接続される第一の配線導体層および前記光半導体素子に電気的に接続される第二の配線導体層と、前記第一および第二の配線導体層の前記絶縁基台の上面と前記一側面との間の角部の部位に前記第一および第二の配線導体層を覆うように被着された絶縁樹脂膜とを具備したことを特徴とする光半導体素子用サブキャリア。
- 前記第一および第二の配線導体層は、表面に前記第一および第二の配線導体層のパターンをそれぞれ形成した絶縁フィルムを、前記絶縁基体の前記上面および前記一側面に貼り付けて形成されていることを特徴とする請求項1記載の光半導体素子用サブキャリア。
- 上面に凹部が形成されているとともに該凹部から外側面にかけて形成された貫通孔を有する基体と、前記貫通孔に嵌着された筒状の光ファイバ固定部材と、前記凹部の底面に載置された請求項1または請求項2記載の光半導体素子用サブキャリアと、該光半導体素子用サブキャリアの前記導体層に接合されるとともに前記第一および第二の配線導体層に電気的に接続された光半導体素子と、前記基体の上面の前記凹部の周囲に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする光半導体装置。
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- 2003-03-27 JP JP2003089423A patent/JP2004296948A/ja active Pending
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