JP3372812B2 - 電子部品収納用パッケージ - Google Patents

電子部品収納用パッケージ

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や圧電
振動子・表面弾性波素子等の電子部品を気密に収容する
ための電子部品収納用パッケージに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子や圧電振動子・表面弾
性波素子等の電子部品を収容するための電子部品収納用
パッケージは、図3に断面図で示すように、酸化アルミ
ニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト
質焼結体・炭化珪素質焼結体・ガラスセラミックス質焼
結体等の電気絶縁材料から成り、その上面中央部に電子
部品14を収容するための凹部11aおよびこの凹部11aの
内部より外部にかけて導出するメタライズ配線層12を有
する絶縁基体11と、金属製蓋体13とから主に構成されて
おり、絶縁基体11の凹部11a底面に電子部品14をろう材
・ガラス・樹脂等の接着剤を介して接着固定するととも
にこの電子部品14の各電極をボンディングワイヤ15を介
してメタライズ配線層12に電気的に接続し、しかる後、
絶縁基体11の上面に金属製蓋体13を取着し、絶縁基体11
と金属製蓋体13とから成る容器内部に電子部品14を気密
に封止することによって製品としての電子装置となる。
【0003】なお、この従来の電子部品収納用パッケー
ジは、通常、絶縁基体11の上面に鉄−ニッケル合金や鉄
−ニッケル−コバルト合金等の金属材料から成る金属枠
体16を予め取着しておくとともにこの金属枠体16に金属
製蓋体13をシームウエルド法により溶接することによっ
て金属製蓋体13が絶縁基体11上面に取着され、これによ
って容器が気密に封止される。
【0004】また、絶縁基体11への金属枠体16の取着
は、絶縁基体11の上面に金属枠体の幅より広い幅を有す
る平坦な枠状のメタライズ金属層17を予め被着させてお
くとともにこのメタライズ金属層17上に金属枠体16を銀
ろう等のろう材18を介してろう付けすることによって行
なわれる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の電子部品収納用パッケージにおいては、メタライズ
金属層17の金属枠体16がろう材18を介して取着されてい
る表面は平坦であるため、このメタライズ金属層17に水
平方向の応力が印加された場合にはその応力がメタライ
ズ金属層17の端部に集中することから、金属枠体16に金
属製蓋体13をシームウエルド法によって溶接する際に金
属枠体16および金属製蓋体13に溶接の熱が印加されて金
属枠体16が絶縁基体11に比較して大きく熱膨張すること
により、絶縁基体11と金属枠体16との間に介在するメタ
ライズ金属層17の端部に大きな熱応力が作用してメタラ
イズ金属層17が絶縁基体11より剥離してしまい、その結
果、容器の気密封止が破れて内部に収容する電子部品14
を長期間にわたり正常かつ安定に作動させることができ
なくなるという欠点を有していた。
【0006】本発明の目的は、金属製蓋体を金属枠体に
溶接する際に金属枠体がろう付けされたメタライズ金属
層が絶縁基体から剥離することがなく、容器内部に収容
する電子部品を長期間にわたり正常かつ安定に作動させ
ることができる電子部品収納用パッケージを提供するこ
とにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品収納用
パッケージは、絶縁基体の表面に高融点金属粉末の金属
ペーストを焼成することによって形成した枠状のメタラ
イズ金属層に金属枠体をろう材を加熱溶融することによ
ってろう付けし、この金属枠体に金属製蓋体を溶接して
成る容器内部に電子部品を気密に収容する電子部品収納
用パッケージであって、前記枠状のメタライズ金属層
が、第一メタライズ金属層と、この第一メタライズ金属
層上に積層された、この第一メタライズ層および前記金
属枠体よりも幅の狭い第二メタライズ金属層とから成
り、前記第一メタライズ金属層の厚みが10乃至20μmで
あり、前記第二メタライズ金属層の厚みが10乃至50μm
であることを特徴とするものである。
【0008】また、本発明の電子部品収納用パッケージ
は、上記構成において、前記第二メタライズ金属層の幅
が前記金属枠体の幅よりも両側で0.1 mm以上ずつ狭い
ことを特徴とするものである。
【0009】
【0010】本発明の電子部品収納用パッケージによれ
ば、金属枠体がろう材を加熱溶融することによってろう
付けされた、高融点金属粉末の金属ペーストを焼成する
ことによって形成した枠状のメタライズ金属層が、第一
メタライズ金属層と、この第一メタライズ金属層上に積
層された、この第一メタライズ層および前記金属枠体の
幅よりも狭い幅を有する第二メタライズ金属層とから成
り、第一メタライズ金属層の厚みが10乃至20μmであ
り、第二メタライズ金属層の厚みが10乃至50μmである
ことから、金属枠体に金属製蓋体をシームウエルド法で
溶接する際に、溶接の熱により金属枠体が絶縁基体に比
較して大きく熱膨張して絶縁基体と金属枠体との間に介
在するメタライズ金属層に大きな熱応力が作用しても、
その熱応力は第一メタライズ金属層の端部とこの第一メ
タライズ金属層および金属枠体よりも幅の狭い第二メタ
ライズ金属層の端部との両方に分散されて小さいものと
なるので、メタライズ金属層が絶縁基体から剥離するこ
とはない。
【0011】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付の図面を基に説
明する。
【0012】図1は本発明の電子部品収納用パッケージ
を半導体素子を収容するための電子部品収納用パッケー
ジに適用した場合の実施の形態の一例を示す断面図であ
り、同図において1は絶縁基体、2は金属製蓋体であ
る。主にこの絶縁基体1と金属製蓋体2とで電子部品で
ある半導体素子4を内部に気密に収容する容器3が構成
される。
【0013】絶縁基体1にはその上面中央部に半導体素
子4を収容するための空所を形成する凹部1aが設けて
あり、この凹部1a底面に半導体素子4がろう材・ガラ
ス・樹脂等の接着剤を介して接着固定される。
【0014】前記絶縁基体1は、酸化アルミニウム質焼
結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・
炭化珪素質焼結体・ガラスセラミック焼結体等の電気絶
縁材料から成り、例えば酸化アルミニウム質焼結体から
成る場合、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化カルシウ
ム・酸化マグネシウム等の原料粉末に適当なバインダや
溶剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周
知のドクターブレード法等を採用してシート状となすこ
とによって複数枚のセラミックグリーンシートを得、し
かる後、所定のセラミックグリーンシートの各々に適当
な打ち抜き加工を施すとともにこれらを上下に積層し、
高温(約1600℃)で焼成することによって製作される。
【0015】また、絶縁基体1には凹部1a内から絶縁
基体1の外周部等にかけて複数個のメタライズ配線5が
被着形成されており、このメタライズ配線5の凹部1a
内部の部位には半導体素子4の各電極がボンディングワ
イヤ6を介して電気的に接続され、また絶縁基体1の外
周部に導出された部位は半田等の電気的接続手段を介し
て外部電気回路に接続される。
【0016】メタライズ配線5は、タングステン・モリ
ブデン・マンガン等の高融点金属粉末から成り、タング
ステン等の高融点金属粉末に適当な有機バインダや溶剤
を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1となるセ
ラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印
刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによっ
て絶縁基体1の凹部1a内から外周部等にかけて被着さ
れる。
【0017】なお、メタライズ配線5は、このメタライ
ズ配線5が酸化腐食するのを有効に防止するとともにメ
タライズ配線5とボンディングワイヤ6との接続性を良
好なものとするために、通常、その露出表面にニッケル
めっき層と金めっき層とが順次被着されている。
【0018】絶縁基体1は、またその上面に、金属枠体
8の形状に対応させて枠状のメタライズ金属層7が被着
形成されており、このメタライズ金属層7には金属枠体
8が銀ろう等のろう材9を介して取着されている。
【0019】メタライズ金属層7は、図2に図1の要部
拡大断面図で示すように、これにろう付けされる第一メ
タライズ金属層7aと、この第一メタライズ金属層7a
上に積層された、第一メタライズ金属層7aの幅および
金属枠体8の幅より狭い幅を有する第二メタライズ金属
層7bとから構成されている。なお、第一メタライズ金
属層7aは、図2に示すように、金属枠体8の幅より広
い幅を有するものとすることが好ましい。
【0020】このようにメタライズ金属層7が第一メタ
ライズ金属層7aと第二メタライズ金属層7bとから構
成されていることから、金属枠体8に金属製蓋体2をシ
ームウエルド法で溶接して半導体素子4を容器3内部に
気密封止する際に、金属枠体8および金属製蓋体2が溶
接の熱によって大きく熱膨張して絶縁基体1と金属枠体
8との間に介在するメタライズ金属層7に大きな熱応力
が作用したとしても、その熱応力は金属枠体8よりも広
い幅の第一メタライズ金属層7aの端部と金属枠体8よ
りも狭い幅の第二メタライズ金属層7bの端部との両方
に分散されて小さなものとなるので、メタライズ金属層
7が絶縁基体1より剥離することはなくなる。従って、
容器3の気密封止は常に維持され、内部に収容する半導
体素子4を長期間にわたり正常かつ安定に作動させるこ
とができる。
【0021】なお、メタライズ金属層7を構成する第二
メタライズ金属層7bは、その幅を金属枠体8の幅より
両側でそれぞれ0.1 mm以上ずつ小さなものとしておく
と、金属枠体8をメタライズ金属層7に銀ろう等のろう
材9を介して取着する際に第二メタライズ金属層7bの
両側で第一メタライズ金属層7a上面と金属枠体8下面
との間にろう材9の溜りが多く形成され、金属枠体8の
メタライズ金属層7への取着強度を極めて大きなものと
することができる。従って、メタライズ金属層7を構成
する第二メタライズ金属層7bは、その幅を金属枠体8
の幅より両側0.1 mm以上ずつ小さなものとしておくこ
とが好ましい。
【0022】また、メタライズ金属層7を構成する第一
メタライズ金属層7aは、その厚みが10μm未満である
と、この第一メタライズ金属層7aの絶縁基体1への被
着強度が不十分なものとなる傾向にあり、またその厚み
が20μmを超えるとこの第一メタライズ金属層7aの上
面に第二メタライズ金属層7bを強固に積層することが
困難となる傾向にある。従って、メタライズ金属層7を
構成する第一メタライズ金属層7aは、その厚みを10乃
至20μmとしておくことが好ましい。
【0023】さらに、メタライズ金属層7を構成する第
二メタライズ金属層7bは、その厚みが10μm未満であ
ると、金属枠体8に金属製蓋体2をシームウエルド法で
溶接して半導体素子4を容器3内部に気密封止する際に
発生する熱応力が第二メタライズ金属層7bの端部に効
果的に分散されずに第一メタライズ金属層7aの端部に
集中してメタライズ金属層7が絶縁基体から剥離し易い
ものとなる傾向があり、またその厚みが50μmを超える
と、第二メタライズ金属層7b上面部の強度が不十分な
ものとなって金属枠体8をメタライズ金属層7に強固に
ろう付けすることが困難となる傾向にある。従って、メ
タライズ金属層7を構成する第二メタライズ金属層7b
は、その厚みを10乃至50μmの範囲としておくことが好
ましい。
【0024】メタライズ金属層7は、タングステンやモ
リブデン等の金属粉末に適当なバインダや溶剤を添加混
合して得た金属ペーストを絶縁基体1となるセラミック
グリーンシート上に第一メタライズ金属層7aとなる幅
広パターンを印刷塗布するとともに、この第一メタライ
ズ金属層7aとなる幅広パターン上に第二メタライズ金
属層7bと成る幅狭パターンを印刷塗布し、これを絶縁
基体1となるセラミックグリーンシートと同時に焼成す
ることによって、絶縁基体1の上面に、その幅が金属枠
体の幅より広い第一メタライズ金属層7aと、この第一
メタライズ金属層上に積層されたその幅が金属枠体の幅
よりも狭い第二メタライズ金属層7bとで構成されるよ
うにして被着される。
【0025】また、メタライズ金属層7に銀ろう等のろ
う材9を介して取着される金属枠体8は、金属製蓋体2
を絶縁基体1に取着する際の下地金属部材として作用
し、金属枠体8に金属製蓋体2をシームウエルド法によ
り溶接することによって金属製蓋体2が絶縁基体1に取
着される。
【0026】金属枠体8は、鉄−ニッケル合金や鉄−ニ
ッケル−コバルト合金等の金属からなり、絶縁基体1の
上面に被着させたメタライズ金属層7上に銀ろう等のろ
う材箔を枠状に形成したろう材プリフォームと金属枠体
8とを順次載置し、しかる後、そのろう材プリフォーム
を加熱溶融させることによって、ろう材9によりメタラ
イズ金属層7上に取着される。
【0027】かくして本発明の電子部品収納用パッケー
ジによれば、絶縁基体1の凹部1a底面に半導体素子4
を接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子4の
各電極をボンディングワイヤ6を介してメタライズ配線
層5に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体1上の枠状
のメタライズ金属層7に取着させた金属枠体8に金属製
蓋体2をシームウエルド法により溶接し、絶縁基体1と
金属製蓋体2とから成る容器3内部に半導体素子4を気
密に封止することによって製品としての電子装置とな
る。
【0028】なお、本発明は上述の実施の形態の例に限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
であれば種々の変更は可能であり、例えば上述の実施の
形態の例では半導体素子を収容する電子部品収納用パッ
ケージを例に説明したが、本発明の電子部品収納用パッ
ケージは圧電振動子や表面弾性波素子等の他の電子部品
を収容する電子部品収納用パッケージにも適用され得る
ことは言うまでもない。
【0029】
【発明の効果】本発明の電子部品収納用パッケージによ
れば、金属枠体がろう材を加熱溶融することによってろ
う付けされた、高融点金属粉末の金属ペーストを焼成す
ることによって形成した枠状のメタライズ金属層が、第
一メタライズ金属層と、この第一メタライズ金属層上に
積層された、この第一メタライズ層および金属枠体より
も幅の狭い第二メタライズ金属層とから成り、第一メタ
ライズ金属層の厚みが10乃至20μmであり、第二メタラ
イズ金属層の厚みが10乃至50μmであることから、金属
枠体に金属製蓋体をシームウエルド法で溶接する際に溶
接の熱により金属枠体が絶縁基体に比較して大きく熱膨
張して絶縁基体と金属枠体との間に介在するメタライズ
金属層に大きな熱応力が作用しても、その熱応力は第一
メタライズ金属層の端部とこの第一メタライズ金属層お
よび金属枠体よりも幅の狭い第二メタライズ金属層の端
部との両方に分散されて小さいものとなるので、メタラ
イズ金属層が絶縁基体から剥離することはなくなり、そ
の結果、内部に収容する電子部品を長期間にわたり正常
かつ安定に動作させることができる電子部品収納用パッ
ケージとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子部品収納用パッケージを半導体素
子を収容する電子部品収納用パッケージに適用した場合
の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図2】図1に示す電子部品収納用パッケージの要部拡
大断面図である。
【図3】従来の電子部品収納用パッケージを示す断面図
である。
【符号の説明】
1・・・・絶縁基体 2・・・・金属製蓋体 3・・・・容器 4・・・・半導体素子(電子部品) 7・・・・枠状のメタライズ金属層 7a・・・第一メタライズ金属層 7b・・・第二メタライズ金属層 8・・・・金属枠体 9・・・・ろう材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−302708(JP,A) 特開 平3−283549(JP,A) 特開 平8−227947(JP,A) 特開 昭62−146082(JP,A) 特開 昭60−186041(JP,A) 特開 平8−167667(JP,A) 特開 平8−162555(JP,A) 特開 平6−169025(JP,A) 特開 平6−120364(JP,A) 特開 平6−120363(JP,A) 特開 平6−69363(JP,A) 特開 平5−304222(JP,A) 特開 平4−266050(JP,A) 特開 平4−266049(JP,A) 特開 昭55−18081(JP,A) 実開 平4−72636(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/10 H01L 23/06

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基体の表面に高融点金属粉末の金属
    ペーストを焼成することによって形成した枠状のメタラ
    イズ金属層に金属枠体をろう材を加熱溶融することによ
    ってろう付けし、該金属枠体に金属製蓋体を溶接して成
    る容器内部に電子部品を気密に収容する電子部品収納用
    パッケージであって、前記枠状のメタライズ金属層が、
    第一メタライズ金属層と、該第一メタライズ金属層上に
    積層された、該第一メタライズ層および前記金属枠体よ
    りも幅の狭い第二メタライズ金属層とから成り、前記第
    一メタライズ金属層の厚みが10乃至20μmであり、
    前記第二メタライズ金属層の厚みが10乃至50μmで
    あることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
  2. 【請求項2】 前記第二メタライズ金属層の幅が前記金
    属枠体の幅よりも両側で0.1mm以上ずつ狭いことを
    特徴とする請求項1記載の電子部品収納用パッケージ。
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