JP5306497B2 - 電子素子キャリア - Google Patents

Description

本発明は、電子素子が搭載される基板またはパッケージ等の電子素子キャリアに関し、外部回路とリード端子を介して導通される電子素子キャリアに関する。

従来、半導体チップを搭載するパッケージ本体にリードの一端が接合され、リードの他端にセラミックタイバーが接合されたフラットタイプのセラミックパッケージがあった。絶縁性のセラミックタイバーによってリードの他端を支持することにより、アセンブル状態で動作試験ができるというものである（例えば、特許文献１参照）。

実開平５−６７０１２号公報

上記従来のセラミックタイバーを有するセラミックパッケージをアセンブル状態で動作確認を行なう際は、リードに検査装置のプローブ等を直接接触させて行なうことができる。しかしながら、リードにプローブ等を接触させる際に、リードに曲がりや撓み等の変形が生じたり、リード表面にプローブ等との擦れによる傷が付いたりするという問題点が発生する場合があった。

また、リードが変形したりした場合、プローブとの接触を一定のものとするのが困難になり、測定値に誤差が生じてしまう場合があった。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は搭載された電子素子の動作確認を容易に正確に行なえる電子素子キャリアを提供することにある。

本発明の電子素子キャリアは、電子素子を搭載するための基体と、前記基体に一端が接合されたリードと、前記リードの他端に接合されたタイバーとを具備し、前記タイバーは、その表面に前記リードと接続され、且つ、前記リードの接続部と異なる部位まで延出された導体を有しており、前記導体は、前記リードが接続される前記タイバーの表面と、該表面と対向する面との間の側面に設けられたキャスタレーション導体部を有しているとともに、前記タイバーの側面に前記タイバーをチャックするための突起が形成されていることを特徴とする。

本発明の電子素子キャリアによれば、タイバーに設けられ、リードの接続部と異なる部位まで延出された導体にプローブ等を接触させることにより動作確認を行なうことができる。これによって、従来のようにリードにプローブ等を接触させずに済むので、リードに曲がりや撓み等の変形が生じたり、リード表面にプローブ等との擦れによる傷が付いたりするという従来の問題点を解決することができる。また、リードに変形が生じたとしても、プローブとの接触を一定のものとし、より正確な測定を行なうことができる。

（ａ）は、本発明の電子素子キャリアについての一実施形態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す電子素子キャリアのＸ−Ｘ’線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示す電子素子キャリアのタイバーを裏面から見た平面図である。 （ａ），（ｂ）はそれぞれ電子素子キャリアのタイバーの実施の形態の他の例を示し、タイバーを裏面から見た平面図である。 図３は、本発明の電子素子キャリアについての実施形態の他の例を示す平面図である。

本発明の電子素子キャリアについて、以下に詳細に説明する。

図１（ａ）は、本発明の電子素子キャリアの一実施形態を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す電子素子キャリアのＸ−Ｘ’線における断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）に示す電子素子キャリアのタイバーを裏面から見た平面図である。また、図２（ａ），図２（ｂ）はそれぞれ電子素子キャリアのタイバーの実施の形態の他の例を示し、タイバーを裏面から見た平面図である。図３は、本発明にかかる電子素子キャリアについて一実施形態の他の例を示す平面図である。

図中、１は基体、２はリード、３はタイバー、３ａはタイバー３の表面、３ｂはタイバー３の表面３ａと対向する面（裏面）、３ｃはタイバー３の一方側面、３ｄはタイバー３の他方側面、３ｅは貫通孔、３ｆは突起、４はタイバー３に設けられた導体、４ａは導体４のスルーホール導体部、４ｂは導体４の接続パッド、４ｃは導体４のキャスタレーション導体部、５は基体１に搭載される電子素子を示す。なお、図１（ａ），図１（ｃ），図２（ａ），図２（ｂ），図３において、分り易くするために導体４および配線導体１ｃにはクロスハッチングを付した。また、図１（ｃ），図２（ａ），図２（ｂ）の紙面下方側に基体１が配置されるが、リード２の途中から省略して図示していない。

本発明の電子素子キャリアは、電子素子５が表面に搭載される基体１と、基体１に一端が接合され、基体１に設けられた配線導体１ｃに電気的に接続されたリード２と、リード２の他端に接合されたタイバー３とを具備している。

タイバー３は、その表面３ａに導体４を有しており、リード２の他端（タイバー３側）は導体４と電気的に接続される。導体４は、タイバー３のリード２が接続される部位と、タイバー３のリード２が接続される部位より異なる部位まで延出された部位とを有する。異なる部位とは、例えば、タイバー３のリード２が接続される部位と異なるタイバー３の表面３ａ、裏面３ｂ、側面３ｃまたは側面３ｄ等のタイバー３の外部に露出する面を意味する。例えば、図１においては、導体４はタイバー３の裏面３ｂに設けられた接続パッド４ｂまで延出されている。

基体１は、絶縁体（誘電体）や金属等からなる。例えば、図１は、いわゆるパッケージ形態の基体１を示し、基体１は金属から成る底板１ａおよび絶縁体から成る側壁１ｂとから構成されている。また、図３は、いわゆる基板形態の基体１を示しており、この場合は、基体１は絶縁体で形成されている。リード２が接続される箇所は、絶縁体に取り囲まれた配線導体１ａが配置され、配線導体１ａ同士は絶縁体によって絶縁されている。

基体１の絶縁体部分は、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）質セラミックス，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質セラミックス，ムライト（３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）質セラミックス等のセラミックス、樹脂またはガラス等を用いることができる。

基体１がパッケージ形態である場合、好ましくは、リード２が接続される側壁１ｂはセラミックスによって形成されるのがよい。すなわち、樹脂やガラス等の他の誘電体材料に比べ気密信頼性が高いセラミックスを用いることでパッケージ内部の気密信頼性を向上さ
せることができる。

側壁１ｂは、従来周知のセラミックグリーンシート積層法を用いれば所定の寸法精度に好適に形成できる。

例えば、側壁１ｂがＡｌ_２Ｏ_３質セラミックスからなる場合は、Ａｌ_２Ｏ_３，酸化珪素（ＳｉＯ_２），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤等を混合添加してペースト状とし、ドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによって側壁１ｂとなるセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成する。

しかる後に、側壁１ｂのリード２の一端が接合される面に配線導体１ｃとなるタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等の金属粉末に適当なバインダ，溶剤を混合してなる導体ペーストを、セラミックグリーンシートの所定位置にスクリーン印刷法等によって所定パターンに印刷塗布することによって、側壁１ｂのリード２の一端が接合される面に配線導体１ｃとなる導体ペースト層を形成するのがよい。

このようなセラミックグリーンシートに側壁１ｂの外形と成る適当な打ち抜き加工を施した後に、このグリーンシートを複数枚積層し、約１６００℃の温度で焼成することによって側壁１ｂが作製される。

セラミックグリーンシート積層法によって形成されることによって、容易に所定形状の側壁１ｂを形成することができ、製造効率の良い側壁１ｂを提供することができる。

基体１が図３に示すような基板形態であり、基体１がセラミックスによって形成される場合も、上記と同様の方法によって基体１を作製することができる。

また、側壁１ｂに組み合わされる底板１ａには、金属，セラミックス，ガラスまたは樹脂等を用いることができる。

なお、底板１ａは、好ましくは、金属からなるのがよい。この構成により、底板１ａの熱伝導率を高いものとして、底板１ａに搭載される電子素子５から発生する熱を効率良く外部に熱放散させることが可能となる。底板１ａとなる金属としては、例えば、銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ），銅（Ｃｕ）−モリブデン（Ｍｏ），鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金，ステンレス鋼（ＳＵＳ），銅（Ｃｕ）等があげられる。底板１ａが金属からなる場合、底板１ａは金属のインゴットを圧延加工やプレス加工，切削加工等の金属加工を施すことにより所定形状に作製される。

別々に準備された底板１ａと側壁１ｂとは、この底板１ａの上面に銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等の接合材を介して側壁１ｂを接合する。この場合、底板１ａと側壁１ｂとの接合は底板１ａ上面と側壁１ｂの下面とを、底板１ａ上面に敷設したプリフォーム状のＡｇ−Ｃｕロウ等のロウ材を介して接合される。

なお、底板１ａと側壁１ｂとを同じ材質としてもよく、これらが一体に形成されていてもよい。例えば、セラミックス，ガラス，樹脂等によって一体成形した場合、リード２が接続される配線導体１ｃ周囲の絶縁も問題ない。

また、基体１がセラミックスやガラスから成る場合、配線導体１ｃは、薄膜形成法によって形成されていてもよく、その場合、配線導体１ｃは窒化タンタル（Ｔａ_２Ｎ）、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ合金）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）等から形
成される。

また、基体１が樹脂から成る場合、配線導体１ｃは、Ｃｕ等の金属層から成り、従来周知のメッキ法等によって被着形成される。

リード２は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金，Ｃｕ等の従来周知の導電性材料からなる。

特に、リード２には、抵抗率の小さいＣｕを用いることが望ましい。また、その表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、例えば厚み０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ０．５〜５μｍの金（Ａｕ）層とを順次メッキ法により被着させておくのがよく、リード２が酸化腐食するのを有効に防止できるとともに、リード２を基体１およびタイバー３に強固に接合することができる。

このような電子素子キャリアに電子素子５を搭載した後、延出された導体４部分に、プローブ等を接触させ電流を流すことにより、リード２を介して電子素子５の動作確認等を行なうことができる。タイバー３に形成された導体４部分にプローブ等を接触させるので、リード２部分に接触させるよりもプローブ等を確実に接触させることができる。また、リード２に変形が生じたとしても、導体４部分であれば、より確実に接触させることができる。

なお、導体４をリード２の接続部と異なる部位まで延出させ、タイバー３の裏面３ｂまで延出させた例を図１〜図３に示す。言うまでも無く、図１〜図３は一例であって、これに限ることはない。

例えば、図１〜図３においては、導体４は、導体４のリード２が接続される表面４ａから、表面４ａと対向する裏面４ｂにかけて延出されている。表面４ａから裏面４ｂにかけては、図１および図３に示すように、スルーホール導体部４ａ（ビアホール導体４ａ）を設けたり、図２に示すように、タイバー３のリード２の長さ方向と交わる一方側面３ｃおよび／または他方側面３ｄにキャスタレーション導体部４ｃ等を引き回すことによって延出させたりすることができる。

導体４は、裏面４ｂに延出する他にも、例えば、表面４ａのリード２が接続される部位よりも外側まで延出させ、そこに設けられた接続パッドに接続してもよい。また、側面３ｃ，３ｄにかけて延出させてもよい。

図１〜図３において、タイバー３は絶縁体からなり、複数本のリード２を互いに絶縁させた状態で支持する機能を有する。タイバー３となる絶縁体としては、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３質セラミックス，ＡｌＮ質セラミックス，３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２質セラミックス等のセラミックス，樹脂またはガラス等を用いることができる。

図１〜図３においては、タイバー３はセラミックスによって形成されている例を示しており、タイバー３の表面３ａのリード２接合部等の所定位置には導体４が形成されている。なお、図１〜図３において、分り易くするため導体４の形成部にはクロスハッチを施している。

例えば、タイバー３がＡｌ_２Ｏ_３質セラミックスからなる場合は、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，ＭｇＯ，ＣａＯ等の原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤等を混合添加してペースト状とし、ドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによって側壁１ｂとなるセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成する。

しかる後に、導体４となるＷ，Ｍｏ，Ｍｎ等の金属粉末に適当なバインダ，溶剤を混合してなる導体ペーストを、セラミックグリーンシートの所定位置にスクリーン印刷法，スルーホール導体（ビアホール導体）形成法，キャスタレーション導体形成法等によって所定パターンに塗布することによって、タイバー３の所定の箇所に導体４となる導体ペースト層を形成するのがよい。

このようなセラミックグリーンシートにタイバー３の外形と成る適当な打ち抜き加工を施した後に、必要に応じてこのグリーンシートを複数枚積層し、約１６００℃の温度で焼成することによってタイバー３が作製される。

また、タイバー３がセラミックスやガラスから成る場合、導体４は、薄膜形成法によって形成されていてもよく、その場合、導体４はＴａ_２Ｎ、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｐｔ等から形成されている。

また、タイバー３が樹脂から成る場合、導体４は、Ｃｕ等の金属層から成り、従来周知のメッキ法等によって被着形成されている。

リード２は、その一端が上述のように形成された基体１の配線導体１ｃに、他端が上述のように形成されたタイバー３の導体４に、Ａｇ−Ｃｕロウ，Ａｇロウ等によってロウ付けにより接合される、または金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田等によって半田付けされる、または、導電性粒子を含有する樹脂接着剤によって接合される。即ち、導電性接着剤を介して配線導体１ｃとリード２、および導体４とリード２とが電気的に接続されておればよい。

好ましくは、図１に示すように、導体４はタイバー３内に形成されたスルーホール導体部４ａを介して表面と対向する面３ｂに引き回されているのがよい。

導体４にスルーホール導体部４ａを用いることで、導体４の引き回しの自由度を向上させ、表面３ａと対向する面３ｂに設けられる導体４の位置の制約を少なくし、導体４をプローブ等に接触させ易い位置に引き回すことができるという効果を奏する。例えば、図１（ｃ）に示すように、タイバー３の裏面３ｂに、複数設けられた接続パッド４ｂを、交互に一方側面３ｃ側と他方側面３ｄ側とに寄せて配置することができる。

また、スルーホール導体部４ａとすることにより、タイバー３をコンパクトなものとすることができる。また、表面３ａ，裏面３ｂのスペースを有効に用いることができる。

好ましくは、図１，図３に示すようにスルーホール導体部４ａは、裏面３ｂに設けられた接続パッド４ｂに接続されているのがよい。そして、接続パッド４ｂにプローブ等を接触させるとともに、タイバーの表面３ａ側を支持体で支持し、これらでタイバーを挟むことによって接続パッド４ｂにプローブ等をより確実に接触させるようにできる。スルーホール導体部４ａの裏面３ｂに露出した部分にプローブを接触させて動作確認を行なうことも可能である。しかし、接続パッド４ｂを設けることにより、プローブとの接触をより容易に確実に行なうことができる。

この構成により、接続パッド４ｂにより導体４の面積を大きくすることができることから、表面と対向する面３ｂに設けられた接続パッド４ｂにプローブ等を所定の接触圧で接触させ易くすることができる。すなわち、導体４とプローブ等との接触を確実なものとでき、動作確認を行ない易くすることができるという効果を奏する。

また好ましくは、図１（ｃ），図２（ａ），図２（ｂ）に示すようにタイバー３は、リード２が接続される表面３ａと表面に対向する面３ｂとの間に一方側面３ｃおよびこれに対向する他方側面３ｄを有し、複数設けられた接続パッド４ｂが、交互に一方側面３ｃ側と他方側面３ｄ側とに寄せて配置されているのがよい。

この構成により、接続パッド４ｂがタイバー３の表面と対向する面３ｂの一方側面３ｃ側および他方側面３ｄ側に２列で配置されることになるので、タイバー３を長くすることなく、接続パッド４ｂの幅を広くすることができる。すなわち、電子素子キャリアを大型化させることなく、接続パッド４ｂの幅を広くすることができ、動作確認を行なうのが容易な小型の電子素子キャリアとすることができる。

タイバー３の側面に導体４を設ける場合、導体４はタイバー３となるセラミック生成形体の一側面にＷ，Ｍｏ，Ｍｎ等の粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを所定パターンに塗布しておき、焼成すればよい。若しくは、いわゆるキャスタレーション導体部４ｃをタイバー３となるセラミック生成形体の一側面に形成してもよい。キャスタレーション導体部４ｃは、タイバー３となるセラミック生成形体の側面に予め溝状のキャスタレーション（切り欠き）を形成しておき、このキャスタレーションの内面にＷ，Ｍｏ，Ｍｎ等の粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを塗布しておき、焼成することにより形成される。

図２（ａ），図２（ｂ）は、導体４が、タイバー３の表面３ａと、表面と対向する面３ｂ（裏面３ｂ）との間の側面３ｃ，３ｄに設けられたキャスタレーション導体部４ｃによって実現されている例を示す。

この構成により、キャスタレーション導体部４ｃにプローブ等を接触させて動作確認を行なうことができるようになる。プローブ等の先端をキャスタレーション導体部４ｃに接触させる場合、キャスタレーション導体部４ｃが溝状の凹面に形成されているので、プローブ等を凹面の所定の位置に接触させて、位置ずれするのを有効に防止することができる。

またこの構成により、キャスタレーション導体部４ｃをチャッキングする構造のプローブとすれば、動作確認を行なう際にタイバー３を固定でき、導体４に対してのプローブ等の位置ずれを確実に防止することができる。

また、キャスタレーション導体部４ｃを設けることにより、導体４にリード２をＡｇ−Ｃｕロウ，Ａｇロウ等によるロウ付け接合する場合、キャスタレーション導体部４ｃの内面とリードとの間に、ロウ材フィレットを形成するようにすることもできる。その結果、リード２を導体４に強固に接合することができる。

また図２（ｂ）に示すように、側面３ｃ，３ｄにキャスタレーション導体部４ｃを設け、さらに接続パッド４ｂを設ける構成としてもよい。そして、側面３ｃに設けられたキャスタレーション導体部４ｃに接続される接続パッドは裏面３ｂの側面３ｃ側に、側面３ｄに設けられたキャスタレーション導体部４ｃに接続される接続パッドは裏面３ｂの側面３ｄ側に配置する。この構成により、動作確認を行なう際にプローブ等を接続パッド４ｂ、またはキャスタレーション導体部４ｃの少なくとも一方に接触させることで動作確認の試験を行なうことができるようになる。すなわち、プローブ等と導体４との接触面積を大きくして、接触の確実性を高めることができる。

なお、図示しないが、導体４は、スルーホール導体部４ａとタイバー３の側面に設けた導体（キャスタレーション導体部４ｃ）との両方を設けてもよい。この構成により、タイ
バー３の表面３ａに設けられる導体４と表面と対向する面３ｂに設けられる導体４との間の電気的接続を確実なものとするとともに、電気抵抗値を小さなものとすることができる。

また、キャスタレーション導体部４ｃを側面導体として用いる例を示したが、キャスタレーションを設けずに、タイバー３の平坦な側面３ｃ，３ｄに側面導体を設けてもよい。

好ましくは、図１および図３に示すように、タイバー３の導体４が形成されない部位、例えば、図１および図３に示すように、タイバー３の上端部および／または下端部に貫通孔３ｅが設けられているのがよい。この構成により、貫通孔３ｅでタイバー３の位置を固定して動作確認の試験を行なうことができるようになる。従って、貫通孔３ｅでタイバー３を所定の位置に固定し、導体４が所定の位置に配置された状態で、プローブ等を接触させることができ、動作確認の試験を正確に行なうことができる。またプローブ等を接触させる際に、タイバー３が貫通孔３ｅで固定されて動くことがないので、リード２が撓むのを防止することができる。

好ましくは、図１および図３に示すように、貫通孔３ｅはタイバー３の複数箇所、例えば、上下両端の２箇所に設けられるのがよい。この構成により、タイバー３の固定をより確実なものとすることができる。

例えば、図１に示すパッケージの動作確認の試験を行なう際は、パッケージの電子部品５搭載部側を下向きにして、タイバー３に設けられた貫通孔３ｅ、および基体１に設けられた貫通孔１ｅを固定部材に固定させる。そして、タイバー３の表面と対向する面３ｂが上向きになるようにパッケージを載置する。表面と対向する面３ｂには接続パッド４ｂが形成されており、上側からプローブ等を接触させることで動作確認の試験を行なうことができる。

このように貫通孔１ｅ，３ｅ部分で下面から支えることによって、基体１およびタイバー３ともに固定されていることから、プローブ等を接触させる際や、タイバー３の自重によってリード２が撓むのを有効に防止することができる。

また、図１，図３に示すように、基体１の上面にリード２を接合するための配線導体１ｃが形成されている場合、導体４は基体１の上面と同じタイバー３の表面３ａ側に被着形成されているのがよい。この構成により、配線導体１ｃ，導体４の位置を上からの目視で確認しながら、リード２の位置合わせを行なうことができ、リード２を所定の配線導体１ｃ，導体４に載置させることができる。なお、配線導体１ｃを基体１の下面側に形成し、導体４のリード２との接続部もタイバー３の下表面に形成してもよい。

また好ましくは、図２に示すように、貫通孔３ｅに代えてタイバー３の側面に突起３ｆが形成されていてもよい。この構成により、突起３ｆでタイバー３を固定して動作確認の試験を行なうことができるようになる。従って、突起３ｆでタイバー３を所定の位置に固定し、導体４が所定の位置に配置された状態で、プローブ等を接触させることができ、動作確認の試験を正確に行なうことができる。またプローブ等を接触させる際に、タイバー３が突起３ｆで固定されて動くことがないので、リード２が撓むのを防止することができる。

好ましくは、図２に示すように、突起３ｆはタイバー３の複数箇所、例えば、両端の２箇所に設けられるのがよい。この構成により、タイバー３の固定をより確実なものとすることができる。

タイバー３に突起３ｆを設けることにより、タイバー３に貫通孔３ｅを設ける必要が無くなるので、タイバー３に貫通孔３ｅを設けるためのスペースが不要となる。従って、タイバー３の長さを短くして、電子素子キャリアを小型化できるという効果がある。

また、動作試験時、タイバー３を固定する際に、突起３ｆを外側からチャッキングするように固定することもでき、タイバー３を強固に固定することができるという効果もある。

以上のように、本発明の電子素子キャリアは、基体１と、リード２と、導体４が形成されたタイバー３とを備えており、導体４にプローブ等を接触させることで、リード２に動作確認用の電流を流すことができるものとすることができる。

なお、基体１の配線導体１ｃや金属の表面露出箇所やタイバー３の導体４表面露出箇所には、その表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層とを順次メッキ法により被着させておくのがよく、配線導体１ｃや導体４や金属が酸化腐食するのを有効に防止できるとともに、基体１に電子素子１５を強固に接着固定することができる。

このような電子素子キャリアには、図１および図３に示すように、基体１の所定位置に電子素子５等の電子部品が搭載され、電子素子５等の電子部品と配線導体１ｃとがボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して電気的に接続される。

電子素子５としては、半導体レーザー（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ），発光ダイオード（ＬＥＤ），トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の能動型電子素子、インダクタやキャパシタ等の受動型電子素子、または回路基板上にこれら半導体素子やキャパシタ等の受動部品を搭載した電子素子が搭載される。

なお、例えばＬＤ，ＰＤ等の電子素子５を収納する場合のパッケ−ジにおいては、側壁１ｂの一部に電子素子５と光結合するための光伝送路である光信号入出力窓が形成される。

次いで、図１に示すようなパッケージ形態の場合、基体１の上面に蓋体６を接合して内部を気密に封止する。図３に示すような基板形態の場合、基体１の上面の電子素子５を覆うように封止樹脂を設けて電子素子５を気密に封止する。

このようにして、本発明の電子素子キャリアを用いた電子装置を形成する。そして、電子装置となった状態で、タイバー３に形成された導体４に電流を流すことにより、リード２を介して電子素子５に電流が供給され、電子素子５の動作確認の試験を行なうことができる。

電子素子５の動作確認をして問題が無ければ、タイバー３の基体１側のリード２を切断しタイバー３を取り外すことで、製品としての電子装置が完成する。そして、電子装置のリード２を外部電気回路に接続させることによって、電子装置として作動することとなる。

また、図３に示すような基板形態の場合は、基板形態の基体１をパッケージ内部に実装し、電子装置内に実装する一部品として用いられることもある。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等支障ない。

１：基体
２：リード
３：タイバー
３ａ：表面
３ｂ：表面と対向する面（裏面）
３ｃ：一方側面
３ｄ：他方側面
３ｅ：貫通孔
３ｆ：突起
４：導体
４ａ：スルーホール導体部
４ｂ：接続パッド
４ｃ：キャスタレーション導体部
５：電子素子

Claims (6)

1. 電子素子を搭載するための基体と、
   前記基体に一端が接合されたリードと、
   前記リードの他端に接合されたタイバーとを具備し、
   前記タイバーは、その表面に前記リードと接続され、且つ、前記リードの接続部と異なる部位まで延出された導体を有しており、
   前記導体は、前記リードが接続される前記タイバーの表面と、該表面と対向する面との間の側面に設けられたキャスタレーション導体部を有しているとともに、
   前記タイバーの側面に前記タイバーをチャックするための突起が形成されていることを特徴とする電子素子キャリア。
2. 前記導体は、前記リードが接続される前記タイバーの表面と対向する面に設けられた接続パッドに接続されていることを特徴とする請求項１記載の電子素子キャリア。
3. 前記タイバーは、前記リードが接続される表面と該表面に対向する面との間に一方側面およびこれに対向する他方側面を有し、複数設けられた前記接続パッドが、交互に前記一方側面側と前記他方側面側とに寄せて配置されていることを特徴とする請求項２記載の電子素子キャリア。
4. 前記タイバーの前記導体が形成されない部位に貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子素子キャリア。
5. 前記貫通孔が前記タイバーの両端部に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電子素子キャリア。
6. 前記突起は、前記タイバーの複数箇所に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子素子キャリア。
   

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