JP2004356391A - 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子収納用パッケージを小型化するとともに気密性を高め、信号を良好に伝送させること。
【解決手段】上面に第1の線路導体11が形成されたセラミックスから成る第1の平板部3aと、第1の平板部3a上に積層され、上面の一辺から対向する他辺に向かって第1の線路導体11と平行でかつ第1の線路導体11と上下方向で重ならないように延びるとともに途中で下面にかけて延びている第2の線路導体12が形成されたセラミックスから成る第2の平板部3bとを有しており、第2の線路導体12は第1の平板部3aの上面の他辺側に延出しており、第1の線路導体11の一端部に第1のリード端子5aが接続され、第2の線路導体12の一端部に第2のリード端子5bが接続されているとともに、第2のリード端子5bは第1のリード端子5aよりも短い入出力端子3とこれを具備する半導体装置。
【選択図】 図1
【解決手段】上面に第1の線路導体11が形成されたセラミックスから成る第1の平板部3aと、第1の平板部3a上に積層され、上面の一辺から対向する他辺に向かって第1の線路導体11と平行でかつ第1の線路導体11と上下方向で重ならないように延びるとともに途中で下面にかけて延びている第2の線路導体12が形成されたセラミックスから成る第2の平板部3bとを有しており、第2の線路導体12は第1の平板部3aの上面の他辺側に延出しており、第1の線路導体11の一端部に第1のリード端子5aが接続され、第2の線路導体12の一端部に第2のリード端子5bが接続されているとともに、第2のリード端子5bは第1のリード端子5aよりも短い入出力端子3とこれを具備する半導体装置。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージ(以下、パッケージともいう)を図4、図5、図6に示す。図4はパッケージの平面図、図5は図4のパッケージの断面図、図6は従来のパッケージの他の例を示す断面図である。これらの図において、21は四角形状の基体、22は枠体、23は入出力端子を示し、これら基体21、枠体22、入出力端子23とで、内部空間に半導体素子24を収容する容器が基本的に構成される。
【0003】
基体21は、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金、銅(Cu)−タングステン(W)等の金属から成り、基体21の上側主面の中央部には、半導体集積回路素子(IC、LSI)、半導体レーザ(LD)、フォトダイオード(PD)等の半導体素子24を載置するための載置部21bが設けられている。
【0004】
基体21の上側主面の外周部には、載置部21bを囲繞するようにして接合された枠体22が立設されている。この枠体22は、Fe−Ni−Co合金等の金属から成り、基体21に銀(Ag)ロウ等のロウ材を介してロウ付けされる。
【0005】
枠体22は、側部に貫通孔または切欠きから成る入出力端子23を取り付けるための取付部が形成されている。そして、アルミナ(Al2O3)質焼結体等のセラミックスから成る入出力端子23が枠体22の取付部にAgロウ等のロウ材を介してロウ付けされる。
【0006】
入出力端子23は、上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された枠体22の内外を導通する線路導体を有する四角形状の平板部およびこの平板部の上面に線路導体の一部を間に挟んで接合された直方体状の立壁部とから成り、この入出力端子23の枠体22外面側の線路導体にはFe−Ni−Co合金等の金属から成るリード端子25がAgロウ等のロウ材を介して電気的に接続されることによってパッケージが製作される
このような構成のパッケージの載置部21bに半導体素子24を載置固定した後、半導体素子24の電極と入出力端子23の枠体22内側の線路導体とをボンディングワイヤ等の電気的接続手段(図示せず)で電気的に接続し、枠体22の上面にFe−Ni−Co合金等から成る蓋体26をシーム溶接法等の溶接法により接合することによって、製品としての半導体装置と成る。そして、ネジ止め部21aにネジを挿入し、基体21を外部電気回路基板にネジ止め固定する。この半導体装置は、リード端子25が外部電気回路に接続され、半導体素子24が外部電気回路に電気的に接続されることによって、半導体素子24が高周波信号で作動することとなる。
【0007】
また、半導体素子24がLD、PD等の光半導体素子である場合には、枠体22の側部に光ファイバ27を挿通させるための貫通孔が設けられ、半導体素子24の光入出力端面と光ファイバ27の光入出力端面が対向するようにして、光ファイバ27が枠体22の貫通孔に挿通固定される(特許文献1参照)。
【0008】
また、図6に示すように入出力端子23の外側および内側が階段状となったものも提案されており、このパッケージではリード端子25の本数が増加しても入出力端子23の長さが長くなることを防止し、パッケージが大型化することを防止できる(特許文献2参照)。
【0009】
【特許文献1】
特開2003−37247号公報
【0010】
【特許文献2】
特開平2−97041号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1に示される構成においては、入出力端子23の端子数を増加させると、入出力端子23の長手方向が長くなり、その結果パッケージが大型化してしまい、近時のパッケージの小型化に適さないものとなるという問題点があった。また、入出力端子23の長手方向が長い場合、入出力端子23の反りが大きくなり、入出力端子23を枠体22の取付部に取り付けた際に枠体22の取付部との間に隙間を生じ易く、この枠体22と入出力端子23との間をロウ材で完全に埋めることができずパッケージ内部の気密を保持できなくなるという問題が発生していた。
【0012】
さらには、入出力端子23が長くなると枠体22との熱膨張差が大きくなって、入出力端子23に大きな熱応力が加わり、入出力端子23にクラック等の破損が生じやすくなり、パッケージ内部の気密を保持できなくなったり、入出力端子23のメタライズ層が断線し、入出力端子23で信号を入出力できなくなったりするという問題が発生していた。
【0013】
また特許文献2に示される構成においては、上記の問題点を解決することができるが、パッケージの内側で入出力端子23の上段に形成された線路導体から半導体素子24までの距離が大きくなり、半導体素子24と入出力端子23の上段に形成された線路導体とをボンディングワイヤ等の電気的手段で接続すると電気的手段で接続する長さが長くなってインダクタンス成分が増大し、線路導体を伝送する信号に伝送損失が発生してしまうという問題点があった。
【0014】
従って、本発明は上記従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、入出力端子の長手方向の大きさを小さくすることでパッケージの小型化を可能にするとともに気密性を高め、信号を良好に伝送させることにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子を載置する載置部が形成された四角形状の金属製の基体と、該基体の前記上側主面の外周部に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された金属製の枠体と、前記取付部に嵌着された、前記枠体の内外を電気的に導通する線路導体を有するセラミックスから成る入出力端子とを具備しており、該入出力端子は、上面の前記枠体外側の一辺から対向する前記枠体内側の他辺にかけて第1の線路導体が形成されたセラミックスから成る第1の平板部と、前記第1の線路導体の両端部が露出するように前記第1の平板部上に積層され、上面の前記枠体外側の一辺から対向する前記枠体内側の他辺に向かって前記第1の線路導体と平行でかつ前記第1の線路導体と上下方向で重ならないように延びるとともに途中で下面にかけて延びている第2の線路導体が形成されたセラミックスから成る第2の平板部と、前記第2の線路導体の前記枠体外側の一端部が露出するように前記第2の平板部上に積層された立壁部とを有しており、前記第2の線路導体は前記第1の平板部の上面の他辺側に延出しており、前記第1の線路導体の前記枠体外側の一端部に第1のリード端子が接続され、前記第2の線路導体の前記枠体外側の一端部に第2のリード端子が接続されているとともに、該第2のリード端子は前記第1のリード端子よりも短いことを特徴とするものである。
【0016】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、入出力端子は、上面の枠体外側の一辺から対向する枠体内側の他辺にかけて第1の線路導体が形成されたセラミックスから成る第1の平板部と、第1の線路導体の両端部が露出するように第1の平板部上に積層され、上面の枠体外側の一辺から対向する枠体内側の他辺に向かって第1の線路導体と平行でかつ第1の線路導体と上下方向で重ならないように延びるとともに途中で下面にかけて延びている第2の線路導体が形成されたセラミックスから成る第2の平板部と、第2の線路導体の枠体外側の一端部が露出するように第2の平板部上に積層された立壁部とを有していることより、入出力端子の長手方向を従来の半分程度にまで短くすることができる。その結果、パッケージ本体の小型化が可能となるとともに、入出力端子の反りを低減させパッケージ内部の気密を保持でき、さらに入出力端子の破損を防止し、そして入出力端子で信号を良好に入出力させることができる。
【0017】
さらに、第2の線路導体は第1の平板部の上面の他辺側に延出していることから、第2の線路導体が他辺側でボンディングワイヤ等の電気的手段によって半導体素子に接続される場合であっても、ボンディングワイヤ等の電気的手段の長さが長くなることを防止でき、電気的手段のインダクタンス成分が増大するのを防止して、信号に伝送損失が発生するのを有効に防止することができる。また、第1の平板部の線路方向の長さを短くできることから、パッケージ本体を小型にできる。
【0018】
また、第2の線路導体は第2の平板部の上面の枠体外側の一辺から対向する枠体内側の他辺に向かって形成され、その途中で貫通導体やキャスタレーション導体が設けられて下面にかけて延びているので、第1の線路導体よりもインピーダンス値が大きく成り易いが、第2のリード端子は第1のリード端子よりも短いことによって、外部電気回路から半導体素子までの第1の線路導体および第2の線路導体の全長におけるそれぞれのインピーダンス値をほぼ同一とすることができる。その結果、第1の線路導体と第2の線路導体とで、信号の伝送特性を同じとすることができる。
【0019】
また、本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に前記枠体の内側を塞ぐように接合された蓋体とを具備していることを特徴とするものである。
【0020】
本発明の半導体装置によれば、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを具備していることから、小型で気密性に関する信頼性の高い半導体装置とできる。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体素子収納用パッケージについて以下に詳細に説明する。図1は本発明のパッケージについて実施の形態の一例を示す平面図、図2は図1のパッケージを側面から見た断面図である。また、図3(a)、(b)は本発明のパッケージにおける入出力端子3の側面図および平面図である。これらの図において、1は基体、2は枠体、3は入出力端子、5はリード端子を示し、主に基体1と枠体2と入出力端子3とで半導体素子4を内部に収納するパッケージが基本的に構成される。
【0022】
本発明のパッケージは、図1〜図3に示すように、上側主面に半導体素子4が載置される載置部1bが形成されている四角形状の金属製の基体1と、この基体1の上側主面の外周部に載置部1bを囲繞するように取着され、側部に貫通孔または切欠きから成る入出力端子3の取付部2aが形成された金属製の枠体2と、取付部2aに嵌着された、枠体2の内外を電気的に導通する線路導体11,12を有するセラミックスから成る入出力端子3とを具備しており、入出力端子3は、上面の枠体2外側の一辺から対向する枠体2内側の他辺にかけて第1の線路導体11が形成されたセラミックスから成る第1の平板部3aと、第1の線路導体11の両端部が露出するように第1の平板部3a上に積層され、上面の枠体2外側の一辺から枠体2内側の対向する他辺に向かって第1の線路導体11と平行でかつ第1の線路導体11と上下方向で重ならないように延びるとともに途中で下面にかけて延びている第2の線路導体12が形成されたセラミックスから成る第2の平板部3bと、第2の線路導体12の枠体2外側の一端部が露出するように第2の平板部3b上に積層された立壁部3cとを有しており、第2の線路導体12は第1の平板部3aの上面の他辺側に延出しており、第1の線路導体11の枠体2外側の一端部に第1のリード端子5aが接続され、第2の線路導体12の枠体2外側の一端部に第2のリード端子5bが接続されているとともに、第2のリード端子5bは第1のリード端子5aよりも短いものである。
【0023】
本発明の基体1は、Fe−Ni−Co合金やCu−W等の金属から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すか、射出成形と切削加工等とを施すことによって所定の図1に示すような四角形状等に製作される。基体1の上側主面には、半導体素子4を載置する載置部1bが設けられる。この基体1は、半導体素子4が作動時に発する熱を外部に放熱させる放熱板の役割をも果たす。基体1の表面には、酸化腐食の防止や半導体素子4のロウ付け等による載置固定を良好にするために、厚さ0.5〜9μmのNi層や厚さ0.5〜5μmの金(Au)層から成る金属層をめっき法等により被着させておくとよい。また、半導体素子4の熱を効率よく外部へ放熱させるために、半導体素子4がペルチェ素子等の熱電冷却素子(図示せず)に搭載された状態で載置部1bに載置固定されていてもよい。
【0024】
また、基体1の上側主面の外周部には、載置部1bを囲繞するようにしてAgロウ等のロウ材を介して接合された枠体2が立設されており、枠体2は基体1とともにその内側に半導体素子4を収容する空所を形成する。枠体2は、Fe−Ni−Co合金やCu−W等の金属から成る平面視形状が四角形状の枠状体であり、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施したり、射出成形と切削加工等を施したりすることによって所定形状に製作され、基体1にAgロウ等のロウ材を介して接続される。また、枠体2の表面には、酸化腐食の防止や入出力端子3のロウ付け等による嵌着を良好にするために、厚さ0.5〜9μmのNi層や厚さ0.5〜5μmのAu層から成る金属層をめっき法等により被着させておくとよい。
【0025】
また、枠体2には、側部に貫通孔または切欠きから成る入出力端子3を取り付けるための取付部2aが形成されている。そして、入出力端子3が枠体2の取付部2aにAgロウ等のロウ材を介してロウ付けされる。
【0026】
入出力端子3は、上面に一辺から対向する他辺にかけて第1の線路導体11が形成されたセラミックスから成る第1の平板部3aと、第1の線路導体11の両端部が露出するように第1の平板部3a上に積層され、上面の一辺から対向する他辺に向かって第1の線路導体11と平行でかつ第1の線路導体11と上下方向で重ならないように延びるとともに途中で下面にかけて延びている第2の線路導体12が形成されたセラミックスから成る第2の平板部3bと、この第2の平板部3bの上面に第2の線路導体12の枠体2外側の一端部が露出するように一部を間に挟んで積層された直方体の立壁部3cとを有しており、第2の線路導体12はさらに第1の平板部3aの上面の他辺側に延出している。そして、入出力端子3は、枠体2の側部に設けられた取付部2aにAgロウ等のロウ材を介してロウ付けされる。
【0027】
入出力端子3を構成する上記の第1および第2の平板部3a,3bおよび立壁部3cは、酸化アルミニウム(Al2O3)質焼結体、窒化アルミニウム(AlN)質焼結体等のセラミックスから成り、セラミックグリーンシートを打ち抜き加工し、セラミックグリーンシートを多層積層し焼成することによって形成される。
【0028】
入出力端子3に形成された第1の線路導体11および第2の線路導体12は、W,Mo,Mn等の導体ペーストを焼成することにより形成され、枠体2外側の線路導体の一端にはFe−Ni−Co合金等の金属から成るリード端子5がAgロウ等のロウ材を介して電気的に接続される。リード端子5は、第1の線路導体11の一端側に接続される第1のリード端子5aと、第2の線路導体の一端側に接続される第2のリード端子5bとから構成され、第2のリード端子5bは第1のリード端子5aよりも短い。
【0029】
また、入出力端子3を枠体2の取付部2aにロウ付けするために、入出力端子3となるセラミックグリーンシートを積層したものの下面,側面,上面、すなわち第1の平板部3aの下面と側面、第2の平板部3bの側面、立壁部3cの側面と上面にも同じ導体ペーストを焼成してメタライズ層を形成しておくとよい。
【0030】
第1の線路導体11および第2の線路導体12の露出部分ならびに入出力端子3の下面,側面,上面に形成されたメタライズ層には厚さ0.5〜9μmのNi層や厚さ0.5〜5μmのAu層から成る金属層をめっき法等により被着させておくことが、線路導体またはメタライズ層の酸化防止やリード端子5等のロウ付けを良好に行なう上で好ましい。
【0031】
入出力端子3の平板部は第1の平板部3aと第2の平板部3bとから成る段状の構造をしており、これにより長手方向(第1,第2の線路導体11,12の線路方向と直交する方向。図3(b)においては紙面上下方向)を従来の図4,図5の入出力端子23の半分程度にまで短くすることができる。その結果、パッケージ本体の小型化が可能となるとともに、長手方向の長さが短いために入出力端子3の長手方向の反りを低減させることができて、入出力端子3を基体1と枠体2に形成された取付部2aとにしっかり嵌合させることができるので、パッケージ内部の気密を保持でき、さらに入出力端子3の長手方向の長さを短くすることにより、入出力端子3の基体1と枠体2に接合される長さを短くでき、入出力端子3に加わる基体1および枠体2との熱膨張差による熱応力を小さくできるので入出力端子3の破損を防止して入出力端子3を流れる信号を良好に入出力させることができる。
【0032】
さらに、第2の線路導体12は、枠体2の外側の一辺から対向する枠体2の内側の他辺に向かって延びてから途中で下面にかけて延び、第1の平板部3aの上面に接続されて第1の平板部3aの他辺側に延出して設けられていることから、第2の線路導体12が他辺側でボンディングワイヤ等の電気的手段8によって半導体素子4に接続される場合であっても、ボンディングワイヤ等の電気的手段8の長さが第1の線路導体11の他辺側に接続される場合と同じとなり、第1の線路導体1より長くなることによる電気的手段8のインダクタンス成分が増大するのを防止して、信号に伝送損失が発生するのを有効に防止することができる。
【0033】
さらにまた、図6に示す従来の入出力端子23は、パッケージの内側で上段に形成された線路導体を半導体素子24からボンディングワイヤ等の電気的手段で接続するためのボンディングパッド部分をパッケージの内側の入出力端子23の上段に設ける必要があるが、入出力端子3においては第1の平板部3aで半導体素子4との接続を行なうため、この上段のボンディングパッド部分が不要となり、パッケージを小型化することができる。
【0034】
なお、第1の線路導体11および第2の線路導体12は、リード端子5が接続される一端部では幅広としなければならないが、半導体素子4と接続される他端部では、リード端子5が接続されないので幅狭としても問題がない、従って、図3に示すように、他端部では第1の線路導体11および第2の線路導体12を一端部よりも幅狭として第1の平板部3a上に形成することができる。なお、第2の線路導体12において、線路幅が変わる箇所では急激に幅を変えるのではなく、漸次幅が狭くなるように線路幅を変化させると良い。これにより、第2の線路導体12を伝送する信号のインピーダンスを漸次変化させることができ、信号に発生する反射損失を最小限に抑えることができる。
【0035】
また、第2の線路導体12は第2の平板部3bの上面から途中で下面にかけて延び、その途中に貫通導体やキャスタレーション導体等の接続用導体12aが設けられるので、第1の線路導体11よりもインピーダンス値が大きく成り易いが、第2のリード端子5bは第1のリード端子5aよりも短いことによって、外部電気回路から半導体素子4までの第1の線路導体11および第2の線路導体12の全長におけるインピーダンス値をほぼ同一とすることができる。その結果、第1の線路導体11と第2の線路導体12とで、信号の伝送特性を同じとすることができる。
【0036】
第2の線路導体12を平板部3bの上面から途中で下面にかけて延びる部分に貫通導体12aを使う場合は、貫通導体12aは、第2の平板部3bの第2のリード端子5bが接合される部位の直下に形成するとよく、第2のリード端子5bを伝送する信号を第2の線路導体12を経由させずに直接貫通導体12aに伝送させることができ、伝送損失の発生を最小限に抑えることができる。
【0037】
また、キャスタレーション導体による場合は、第2の線路導体12は、第2の平板部3bの他辺の端まで延び、他辺に設けられたキャスタレーションによって上面から下面にかけて延ばされて第1の平板部3aの上面に電気的に接続されて平板部3aの他辺側に延出される。キャスタレーション導体による場合は、第2の平板部3bの他辺の上面から第1の平板部3aの上面への接続状態が目視により確認可能となる。
【0038】
上記構成のパッケージの載置部1bに半導体素子4を載置した後、半導体素子4の電極と入出力端子3の第1の線路導体11および第2の線路導体12の枠体2内側の部位とをボンディングワイヤ等の電気的手段8で電気的に接続し、枠体2の上面にFe−Ni−Co合金等から成る蓋体6をシーム溶接法等の溶接法により接合し、半導体素子4を気密に封止することにより、製品としての半導体装置となる。
【0039】
また、半導体素子4がLD、PD等の光半導体素子である場合には、枠体2の側部に光ファイバ7を挿通させるための貫通孔2bが設けられ、半導体素子4の光入出力端面と光ファイバ7の光入出力端面が対向するようにして、貫通孔2bに石英等の透光性材料からなる光ファイバ7がロウ付け等により挿通固定される。
【0040】
そして、ネジ止め部1aにネジを挿入し基体1を外部電気回路基板にネジ止め固定し、リード端子5を外部電気回路に接続することにより、半導体装置内部に収納した半導体素子4が外部電気回路に電気的に接続され、半導体素子4が電気信号で作動することとなる。
【0041】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは可能である。
【0042】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、上側主面に半導体素子を載置する載置部が形成された四角形状の金属製の基体と、基体の上側主面の外周部に載置部を囲繞するように取着され、側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された金属製の枠体と、取付部に嵌着された、枠体の内外を電気的に導通する線路導体を有するセラミックスから成る入出力端子とを具備しており、入出力端子は、上面の枠体外側の一辺から対向する枠体内側の他辺にかけて第1の線路導体が形成されたセラミックスから成る第1の平板部と、第1の線路導体の両端部が露出するように第1の平板部上に積層され、上面の枠体外側の一辺から対向する枠体内側の他辺に向かって第1の線路導体と平行でかつ第1の線路導体と上下方向で重ならないように延びるとともに途中で下面にかけて延びている第2の線路導体が形成されたセラミックスから成る第2の平板部と、第2の線路導体の枠体外側の一端部が露出するように第2の平板部上に積層された立壁部とを有しており、第2の線路導体は第1の平板部の上面の他辺側に延出しており、第1の線路導体の枠体外側の一端部に第1のリード端子が接続され、第2の線路導体の枠体外側の一端部には第2のリード端子が接続されているとともに、第2のリード端子は第1のリード端子よりも短いことより、入出力端子の長手方向を従来の半分程度にまで短くすることができ、パッケージ本体の小型化が可能となるとともに、入出力端子の反りを低減させパッケージ内部の気密を保持でき、さらに入出力端子の破損を防止し、そして入出力端子で信号を良好に入出力させることができる。
【0043】
さらに、第2の線路導体が他端側でボンディングワイヤ等の電気的手段によって半導体素子に接続される場合であっても、ボンディングワイヤ等の電気的手段の長さが長くなることを防止でき、電気的手段のインダクタンス成分が増大するのを防止して、信号に伝送損失が発生するのを有効に防止することができる。
【0044】
また、第1の平板部の線路方向の長さを短くできることから、パッケージ本体を小型にできる。
【0045】
また、第2の線路導体は第2の平板部の上面の枠体外側の一辺から対向する枠体内側の他辺に向かって形成され、その途中で貫通導体やキャスタレーション導体が設けられて下面にかけて延びているので、第1の線路導体よりもインピーダンス値が大きく成り易いが、第2のリード端子は第1のリード端子よりも短いことによって、外部電気回路から半導体素子までの第1の線路導体および第2の線路導体の全長におけるインピーダンス値をほぼ同一とすることができる。その結果、第1の線路導体と第2の線路導体とで、信号の伝送特性を同じとすることができる。
【0046】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置されるとともに入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に枠体の内側を塞ぐように接合された蓋体とを具備していることより、小型で気密性に関する信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す平面図である。
【図2】図1の半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図3】(a)は入出力端子の実施の形態の一例を示す側面から見た断面図であり、(b)は平面図である。
【図4】従来の半導体素子収納用パッケージの例を示す平面図である。
【図5】図4の半導体素子収納用パッケージの側面から見た断面図である。
【図6】従来の半導体素子収納用パッケージの他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
1:基体
1b:載置部
2:枠体
2a:取付部
3:入出力端子
3a:第1の平板部
3b:第2の平板部
3c:立壁部
4:半導体素子
5:リード端子
5a:第1のリード端子
5b:第2のリード端子
6:蓋体
11:第1の線路導体
12:第2の線路導体
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージ(以下、パッケージともいう)を図4、図5、図6に示す。図4はパッケージの平面図、図5は図4のパッケージの断面図、図6は従来のパッケージの他の例を示す断面図である。これらの図において、21は四角形状の基体、22は枠体、23は入出力端子を示し、これら基体21、枠体22、入出力端子23とで、内部空間に半導体素子24を収容する容器が基本的に構成される。
【0003】
基体21は、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金、銅(Cu)−タングステン(W)等の金属から成り、基体21の上側主面の中央部には、半導体集積回路素子(IC、LSI)、半導体レーザ(LD)、フォトダイオード(PD)等の半導体素子24を載置するための載置部21bが設けられている。
【0004】
基体21の上側主面の外周部には、載置部21bを囲繞するようにして接合された枠体22が立設されている。この枠体22は、Fe−Ni−Co合金等の金属から成り、基体21に銀(Ag)ロウ等のロウ材を介してロウ付けされる。
【0005】
枠体22は、側部に貫通孔または切欠きから成る入出力端子23を取り付けるための取付部が形成されている。そして、アルミナ(Al2O3)質焼結体等のセラミックスから成る入出力端子23が枠体22の取付部にAgロウ等のロウ材を介してロウ付けされる。
【0006】
入出力端子23は、上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された枠体22の内外を導通する線路導体を有する四角形状の平板部およびこの平板部の上面に線路導体の一部を間に挟んで接合された直方体状の立壁部とから成り、この入出力端子23の枠体22外面側の線路導体にはFe−Ni−Co合金等の金属から成るリード端子25がAgロウ等のロウ材を介して電気的に接続されることによってパッケージが製作される
このような構成のパッケージの載置部21bに半導体素子24を載置固定した後、半導体素子24の電極と入出力端子23の枠体22内側の線路導体とをボンディングワイヤ等の電気的接続手段(図示せず)で電気的に接続し、枠体22の上面にFe−Ni−Co合金等から成る蓋体26をシーム溶接法等の溶接法により接合することによって、製品としての半導体装置と成る。そして、ネジ止め部21aにネジを挿入し、基体21を外部電気回路基板にネジ止め固定する。この半導体装置は、リード端子25が外部電気回路に接続され、半導体素子24が外部電気回路に電気的に接続されることによって、半導体素子24が高周波信号で作動することとなる。
【0007】
また、半導体素子24がLD、PD等の光半導体素子である場合には、枠体22の側部に光ファイバ27を挿通させるための貫通孔が設けられ、半導体素子24の光入出力端面と光ファイバ27の光入出力端面が対向するようにして、光ファイバ27が枠体22の貫通孔に挿通固定される(特許文献1参照)。
【0008】
また、図6に示すように入出力端子23の外側および内側が階段状となったものも提案されており、このパッケージではリード端子25の本数が増加しても入出力端子23の長さが長くなることを防止し、パッケージが大型化することを防止できる(特許文献2参照)。
【0009】
【特許文献1】
特開2003−37247号公報
【0010】
【特許文献2】
特開平2−97041号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1に示される構成においては、入出力端子23の端子数を増加させると、入出力端子23の長手方向が長くなり、その結果パッケージが大型化してしまい、近時のパッケージの小型化に適さないものとなるという問題点があった。また、入出力端子23の長手方向が長い場合、入出力端子23の反りが大きくなり、入出力端子23を枠体22の取付部に取り付けた際に枠体22の取付部との間に隙間を生じ易く、この枠体22と入出力端子23との間をロウ材で完全に埋めることができずパッケージ内部の気密を保持できなくなるという問題が発生していた。
【0012】
さらには、入出力端子23が長くなると枠体22との熱膨張差が大きくなって、入出力端子23に大きな熱応力が加わり、入出力端子23にクラック等の破損が生じやすくなり、パッケージ内部の気密を保持できなくなったり、入出力端子23のメタライズ層が断線し、入出力端子23で信号を入出力できなくなったりするという問題が発生していた。
【0013】
また特許文献2に示される構成においては、上記の問題点を解決することができるが、パッケージの内側で入出力端子23の上段に形成された線路導体から半導体素子24までの距離が大きくなり、半導体素子24と入出力端子23の上段に形成された線路導体とをボンディングワイヤ等の電気的手段で接続すると電気的手段で接続する長さが長くなってインダクタンス成分が増大し、線路導体を伝送する信号に伝送損失が発生してしまうという問題点があった。
【0014】
従って、本発明は上記従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、入出力端子の長手方向の大きさを小さくすることでパッケージの小型化を可能にするとともに気密性を高め、信号を良好に伝送させることにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子を載置する載置部が形成された四角形状の金属製の基体と、該基体の前記上側主面の外周部に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された金属製の枠体と、前記取付部に嵌着された、前記枠体の内外を電気的に導通する線路導体を有するセラミックスから成る入出力端子とを具備しており、該入出力端子は、上面の前記枠体外側の一辺から対向する前記枠体内側の他辺にかけて第1の線路導体が形成されたセラミックスから成る第1の平板部と、前記第1の線路導体の両端部が露出するように前記第1の平板部上に積層され、上面の前記枠体外側の一辺から対向する前記枠体内側の他辺に向かって前記第1の線路導体と平行でかつ前記第1の線路導体と上下方向で重ならないように延びるとともに途中で下面にかけて延びている第2の線路導体が形成されたセラミックスから成る第2の平板部と、前記第2の線路導体の前記枠体外側の一端部が露出するように前記第2の平板部上に積層された立壁部とを有しており、前記第2の線路導体は前記第1の平板部の上面の他辺側に延出しており、前記第1の線路導体の前記枠体外側の一端部に第1のリード端子が接続され、前記第2の線路導体の前記枠体外側の一端部に第2のリード端子が接続されているとともに、該第2のリード端子は前記第1のリード端子よりも短いことを特徴とするものである。
【0016】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、入出力端子は、上面の枠体外側の一辺から対向する枠体内側の他辺にかけて第1の線路導体が形成されたセラミックスから成る第1の平板部と、第1の線路導体の両端部が露出するように第1の平板部上に積層され、上面の枠体外側の一辺から対向する枠体内側の他辺に向かって第1の線路導体と平行でかつ第1の線路導体と上下方向で重ならないように延びるとともに途中で下面にかけて延びている第2の線路導体が形成されたセラミックスから成る第2の平板部と、第2の線路導体の枠体外側の一端部が露出するように第2の平板部上に積層された立壁部とを有していることより、入出力端子の長手方向を従来の半分程度にまで短くすることができる。その結果、パッケージ本体の小型化が可能となるとともに、入出力端子の反りを低減させパッケージ内部の気密を保持でき、さらに入出力端子の破損を防止し、そして入出力端子で信号を良好に入出力させることができる。
【0017】
さらに、第2の線路導体は第1の平板部の上面の他辺側に延出していることから、第2の線路導体が他辺側でボンディングワイヤ等の電気的手段によって半導体素子に接続される場合であっても、ボンディングワイヤ等の電気的手段の長さが長くなることを防止でき、電気的手段のインダクタンス成分が増大するのを防止して、信号に伝送損失が発生するのを有効に防止することができる。また、第1の平板部の線路方向の長さを短くできることから、パッケージ本体を小型にできる。
【0018】
また、第2の線路導体は第2の平板部の上面の枠体外側の一辺から対向する枠体内側の他辺に向かって形成され、その途中で貫通導体やキャスタレーション導体が設けられて下面にかけて延びているので、第1の線路導体よりもインピーダンス値が大きく成り易いが、第2のリード端子は第1のリード端子よりも短いことによって、外部電気回路から半導体素子までの第1の線路導体および第2の線路導体の全長におけるそれぞれのインピーダンス値をほぼ同一とすることができる。その結果、第1の線路導体と第2の線路導体とで、信号の伝送特性を同じとすることができる。
【0019】
また、本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に前記枠体の内側を塞ぐように接合された蓋体とを具備していることを特徴とするものである。
【0020】
本発明の半導体装置によれば、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを具備していることから、小型で気密性に関する信頼性の高い半導体装置とできる。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体素子収納用パッケージについて以下に詳細に説明する。図1は本発明のパッケージについて実施の形態の一例を示す平面図、図2は図1のパッケージを側面から見た断面図である。また、図3(a)、(b)は本発明のパッケージにおける入出力端子3の側面図および平面図である。これらの図において、1は基体、2は枠体、3は入出力端子、5はリード端子を示し、主に基体1と枠体2と入出力端子3とで半導体素子4を内部に収納するパッケージが基本的に構成される。
【0022】
本発明のパッケージは、図1〜図3に示すように、上側主面に半導体素子4が載置される載置部1bが形成されている四角形状の金属製の基体1と、この基体1の上側主面の外周部に載置部1bを囲繞するように取着され、側部に貫通孔または切欠きから成る入出力端子3の取付部2aが形成された金属製の枠体2と、取付部2aに嵌着された、枠体2の内外を電気的に導通する線路導体11,12を有するセラミックスから成る入出力端子3とを具備しており、入出力端子3は、上面の枠体2外側の一辺から対向する枠体2内側の他辺にかけて第1の線路導体11が形成されたセラミックスから成る第1の平板部3aと、第1の線路導体11の両端部が露出するように第1の平板部3a上に積層され、上面の枠体2外側の一辺から枠体2内側の対向する他辺に向かって第1の線路導体11と平行でかつ第1の線路導体11と上下方向で重ならないように延びるとともに途中で下面にかけて延びている第2の線路導体12が形成されたセラミックスから成る第2の平板部3bと、第2の線路導体12の枠体2外側の一端部が露出するように第2の平板部3b上に積層された立壁部3cとを有しており、第2の線路導体12は第1の平板部3aの上面の他辺側に延出しており、第1の線路導体11の枠体2外側の一端部に第1のリード端子5aが接続され、第2の線路導体12の枠体2外側の一端部に第2のリード端子5bが接続されているとともに、第2のリード端子5bは第1のリード端子5aよりも短いものである。
【0023】
本発明の基体1は、Fe−Ni−Co合金やCu−W等の金属から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すか、射出成形と切削加工等とを施すことによって所定の図1に示すような四角形状等に製作される。基体1の上側主面には、半導体素子4を載置する載置部1bが設けられる。この基体1は、半導体素子4が作動時に発する熱を外部に放熱させる放熱板の役割をも果たす。基体1の表面には、酸化腐食の防止や半導体素子4のロウ付け等による載置固定を良好にするために、厚さ0.5〜9μmのNi層や厚さ0.5〜5μmの金(Au)層から成る金属層をめっき法等により被着させておくとよい。また、半導体素子4の熱を効率よく外部へ放熱させるために、半導体素子4がペルチェ素子等の熱電冷却素子(図示せず)に搭載された状態で載置部1bに載置固定されていてもよい。
【0024】
また、基体1の上側主面の外周部には、載置部1bを囲繞するようにしてAgロウ等のロウ材を介して接合された枠体2が立設されており、枠体2は基体1とともにその内側に半導体素子4を収容する空所を形成する。枠体2は、Fe−Ni−Co合金やCu−W等の金属から成る平面視形状が四角形状の枠状体であり、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施したり、射出成形と切削加工等を施したりすることによって所定形状に製作され、基体1にAgロウ等のロウ材を介して接続される。また、枠体2の表面には、酸化腐食の防止や入出力端子3のロウ付け等による嵌着を良好にするために、厚さ0.5〜9μmのNi層や厚さ0.5〜5μmのAu層から成る金属層をめっき法等により被着させておくとよい。
【0025】
また、枠体2には、側部に貫通孔または切欠きから成る入出力端子3を取り付けるための取付部2aが形成されている。そして、入出力端子3が枠体2の取付部2aにAgロウ等のロウ材を介してロウ付けされる。
【0026】
入出力端子3は、上面に一辺から対向する他辺にかけて第1の線路導体11が形成されたセラミックスから成る第1の平板部3aと、第1の線路導体11の両端部が露出するように第1の平板部3a上に積層され、上面の一辺から対向する他辺に向かって第1の線路導体11と平行でかつ第1の線路導体11と上下方向で重ならないように延びるとともに途中で下面にかけて延びている第2の線路導体12が形成されたセラミックスから成る第2の平板部3bと、この第2の平板部3bの上面に第2の線路導体12の枠体2外側の一端部が露出するように一部を間に挟んで積層された直方体の立壁部3cとを有しており、第2の線路導体12はさらに第1の平板部3aの上面の他辺側に延出している。そして、入出力端子3は、枠体2の側部に設けられた取付部2aにAgロウ等のロウ材を介してロウ付けされる。
【0027】
入出力端子3を構成する上記の第1および第2の平板部3a,3bおよび立壁部3cは、酸化アルミニウム(Al2O3)質焼結体、窒化アルミニウム(AlN)質焼結体等のセラミックスから成り、セラミックグリーンシートを打ち抜き加工し、セラミックグリーンシートを多層積層し焼成することによって形成される。
【0028】
入出力端子3に形成された第1の線路導体11および第2の線路導体12は、W,Mo,Mn等の導体ペーストを焼成することにより形成され、枠体2外側の線路導体の一端にはFe−Ni−Co合金等の金属から成るリード端子5がAgロウ等のロウ材を介して電気的に接続される。リード端子5は、第1の線路導体11の一端側に接続される第1のリード端子5aと、第2の線路導体の一端側に接続される第2のリード端子5bとから構成され、第2のリード端子5bは第1のリード端子5aよりも短い。
【0029】
また、入出力端子3を枠体2の取付部2aにロウ付けするために、入出力端子3となるセラミックグリーンシートを積層したものの下面,側面,上面、すなわち第1の平板部3aの下面と側面、第2の平板部3bの側面、立壁部3cの側面と上面にも同じ導体ペーストを焼成してメタライズ層を形成しておくとよい。
【0030】
第1の線路導体11および第2の線路導体12の露出部分ならびに入出力端子3の下面,側面,上面に形成されたメタライズ層には厚さ0.5〜9μmのNi層や厚さ0.5〜5μmのAu層から成る金属層をめっき法等により被着させておくことが、線路導体またはメタライズ層の酸化防止やリード端子5等のロウ付けを良好に行なう上で好ましい。
【0031】
入出力端子3の平板部は第1の平板部3aと第2の平板部3bとから成る段状の構造をしており、これにより長手方向(第1,第2の線路導体11,12の線路方向と直交する方向。図3(b)においては紙面上下方向)を従来の図4,図5の入出力端子23の半分程度にまで短くすることができる。その結果、パッケージ本体の小型化が可能となるとともに、長手方向の長さが短いために入出力端子3の長手方向の反りを低減させることができて、入出力端子3を基体1と枠体2に形成された取付部2aとにしっかり嵌合させることができるので、パッケージ内部の気密を保持でき、さらに入出力端子3の長手方向の長さを短くすることにより、入出力端子3の基体1と枠体2に接合される長さを短くでき、入出力端子3に加わる基体1および枠体2との熱膨張差による熱応力を小さくできるので入出力端子3の破損を防止して入出力端子3を流れる信号を良好に入出力させることができる。
【0032】
さらに、第2の線路導体12は、枠体2の外側の一辺から対向する枠体2の内側の他辺に向かって延びてから途中で下面にかけて延び、第1の平板部3aの上面に接続されて第1の平板部3aの他辺側に延出して設けられていることから、第2の線路導体12が他辺側でボンディングワイヤ等の電気的手段8によって半導体素子4に接続される場合であっても、ボンディングワイヤ等の電気的手段8の長さが第1の線路導体11の他辺側に接続される場合と同じとなり、第1の線路導体1より長くなることによる電気的手段8のインダクタンス成分が増大するのを防止して、信号に伝送損失が発生するのを有効に防止することができる。
【0033】
さらにまた、図6に示す従来の入出力端子23は、パッケージの内側で上段に形成された線路導体を半導体素子24からボンディングワイヤ等の電気的手段で接続するためのボンディングパッド部分をパッケージの内側の入出力端子23の上段に設ける必要があるが、入出力端子3においては第1の平板部3aで半導体素子4との接続を行なうため、この上段のボンディングパッド部分が不要となり、パッケージを小型化することができる。
【0034】
なお、第1の線路導体11および第2の線路導体12は、リード端子5が接続される一端部では幅広としなければならないが、半導体素子4と接続される他端部では、リード端子5が接続されないので幅狭としても問題がない、従って、図3に示すように、他端部では第1の線路導体11および第2の線路導体12を一端部よりも幅狭として第1の平板部3a上に形成することができる。なお、第2の線路導体12において、線路幅が変わる箇所では急激に幅を変えるのではなく、漸次幅が狭くなるように線路幅を変化させると良い。これにより、第2の線路導体12を伝送する信号のインピーダンスを漸次変化させることができ、信号に発生する反射損失を最小限に抑えることができる。
【0035】
また、第2の線路導体12は第2の平板部3bの上面から途中で下面にかけて延び、その途中に貫通導体やキャスタレーション導体等の接続用導体12aが設けられるので、第1の線路導体11よりもインピーダンス値が大きく成り易いが、第2のリード端子5bは第1のリード端子5aよりも短いことによって、外部電気回路から半導体素子4までの第1の線路導体11および第2の線路導体12の全長におけるインピーダンス値をほぼ同一とすることができる。その結果、第1の線路導体11と第2の線路導体12とで、信号の伝送特性を同じとすることができる。
【0036】
第2の線路導体12を平板部3bの上面から途中で下面にかけて延びる部分に貫通導体12aを使う場合は、貫通導体12aは、第2の平板部3bの第2のリード端子5bが接合される部位の直下に形成するとよく、第2のリード端子5bを伝送する信号を第2の線路導体12を経由させずに直接貫通導体12aに伝送させることができ、伝送損失の発生を最小限に抑えることができる。
【0037】
また、キャスタレーション導体による場合は、第2の線路導体12は、第2の平板部3bの他辺の端まで延び、他辺に設けられたキャスタレーションによって上面から下面にかけて延ばされて第1の平板部3aの上面に電気的に接続されて平板部3aの他辺側に延出される。キャスタレーション導体による場合は、第2の平板部3bの他辺の上面から第1の平板部3aの上面への接続状態が目視により確認可能となる。
【0038】
上記構成のパッケージの載置部1bに半導体素子4を載置した後、半導体素子4の電極と入出力端子3の第1の線路導体11および第2の線路導体12の枠体2内側の部位とをボンディングワイヤ等の電気的手段8で電気的に接続し、枠体2の上面にFe−Ni−Co合金等から成る蓋体6をシーム溶接法等の溶接法により接合し、半導体素子4を気密に封止することにより、製品としての半導体装置となる。
【0039】
また、半導体素子4がLD、PD等の光半導体素子である場合には、枠体2の側部に光ファイバ7を挿通させるための貫通孔2bが設けられ、半導体素子4の光入出力端面と光ファイバ7の光入出力端面が対向するようにして、貫通孔2bに石英等の透光性材料からなる光ファイバ7がロウ付け等により挿通固定される。
【0040】
そして、ネジ止め部1aにネジを挿入し基体1を外部電気回路基板にネジ止め固定し、リード端子5を外部電気回路に接続することにより、半導体装置内部に収納した半導体素子4が外部電気回路に電気的に接続され、半導体素子4が電気信号で作動することとなる。
【0041】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは可能である。
【0042】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、上側主面に半導体素子を載置する載置部が形成された四角形状の金属製の基体と、基体の上側主面の外周部に載置部を囲繞するように取着され、側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された金属製の枠体と、取付部に嵌着された、枠体の内外を電気的に導通する線路導体を有するセラミックスから成る入出力端子とを具備しており、入出力端子は、上面の枠体外側の一辺から対向する枠体内側の他辺にかけて第1の線路導体が形成されたセラミックスから成る第1の平板部と、第1の線路導体の両端部が露出するように第1の平板部上に積層され、上面の枠体外側の一辺から対向する枠体内側の他辺に向かって第1の線路導体と平行でかつ第1の線路導体と上下方向で重ならないように延びるとともに途中で下面にかけて延びている第2の線路導体が形成されたセラミックスから成る第2の平板部と、第2の線路導体の枠体外側の一端部が露出するように第2の平板部上に積層された立壁部とを有しており、第2の線路導体は第1の平板部の上面の他辺側に延出しており、第1の線路導体の枠体外側の一端部に第1のリード端子が接続され、第2の線路導体の枠体外側の一端部には第2のリード端子が接続されているとともに、第2のリード端子は第1のリード端子よりも短いことより、入出力端子の長手方向を従来の半分程度にまで短くすることができ、パッケージ本体の小型化が可能となるとともに、入出力端子の反りを低減させパッケージ内部の気密を保持でき、さらに入出力端子の破損を防止し、そして入出力端子で信号を良好に入出力させることができる。
【0043】
さらに、第2の線路導体が他端側でボンディングワイヤ等の電気的手段によって半導体素子に接続される場合であっても、ボンディングワイヤ等の電気的手段の長さが長くなることを防止でき、電気的手段のインダクタンス成分が増大するのを防止して、信号に伝送損失が発生するのを有効に防止することができる。
【0044】
また、第1の平板部の線路方向の長さを短くできることから、パッケージ本体を小型にできる。
【0045】
また、第2の線路導体は第2の平板部の上面の枠体外側の一辺から対向する枠体内側の他辺に向かって形成され、その途中で貫通導体やキャスタレーション導体が設けられて下面にかけて延びているので、第1の線路導体よりもインピーダンス値が大きく成り易いが、第2のリード端子は第1のリード端子よりも短いことによって、外部電気回路から半導体素子までの第1の線路導体および第2の線路導体の全長におけるインピーダンス値をほぼ同一とすることができる。その結果、第1の線路導体と第2の線路導体とで、信号の伝送特性を同じとすることができる。
【0046】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置されるとともに入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に枠体の内側を塞ぐように接合された蓋体とを具備していることより、小型で気密性に関する信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す平面図である。
【図2】図1の半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図3】(a)は入出力端子の実施の形態の一例を示す側面から見た断面図であり、(b)は平面図である。
【図4】従来の半導体素子収納用パッケージの例を示す平面図である。
【図5】図4の半導体素子収納用パッケージの側面から見た断面図である。
【図6】従来の半導体素子収納用パッケージの他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
1:基体
1b:載置部
2:枠体
2a:取付部
3:入出力端子
3a:第1の平板部
3b:第2の平板部
3c:立壁部
4:半導体素子
5:リード端子
5a:第1のリード端子
5b:第2のリード端子
6:蓋体
11:第1の線路導体
12:第2の線路導体
Claims (2)
- 上側主面に半導体素子を載置する載置部が形成された四角形状の金属製の基体と、該基体の前記上側主面の外周部に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された金属製の枠体と、前記取付部に嵌着された、前記枠体の内外を電気的に導通する線路導体を有するセラミックスから成る入出力端子とを具備しており、該入出力端子は、上面の前記枠体外側の一辺から対向する前記枠体内側の他辺にかけて第1の線路導体が形成されたセラミックスから成る第1の平板部と、前記第1の線路導体の両端部が露出するように前記第1の平板部上に積層され、上面の前記枠体外側の一辺から対向する前記枠体内側の他辺に向かって前記第1の線路導体と平行でかつ前記第1の線路導体と上下方向で重ならないように延びるとともに途中で下面にかけて延びている第2の線路導体が形成されたセラミックスから成る第2の平板部と、前記第2の線路導体の前記枠体外側の一端部が露出するように前記第2の平板部上に積層された立壁部とを有しており、前記第2の線路導体は前記第1の平板部の上面の他辺側に延出しており、前記第1の線路導体の前記枠体外側の一端部に第1のリード端子が接続され、前記第2の線路導体の前記枠体外側の一端部に第2のリード端子が接続されているとともに、該第2のリード端子は前記第1のリード端子よりも短いことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
- 請求項1記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に前記枠体の内側を塞ぐように接合された蓋体とを具備していることを特徴とする半導体装置。
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