JP2004296577A - 入出力端子および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】入出力端子の平板部となるセラミックグリーンシートの積層間に剥がれが生じるのを抑制することにより、入出力端子の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子の作動性を向上させること。
【解決手段】入出力端子3は、上面に配線導体3Aを有するとともに下面に接地導体層3bを有する平板部8と、平板部8の上面に立壁部7とを具備しており、平板部8は、その内部の配線導体3Aの直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたって帯状の内層導体層3cが形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層3cから平板部8の上下面の少なくとも一方にかけて内層導体層3cの中央部よりも幅が狭い、内面に導体層6aが形成された溝6が設けられており、内層導体層3cは、溝6に接する端部が溝6に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝6と同じである。
【選択図】 図2
【解決手段】入出力端子3は、上面に配線導体3Aを有するとともに下面に接地導体層3bを有する平板部8と、平板部8の上面に立壁部7とを具備しており、平板部8は、その内部の配線導体3Aの直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたって帯状の内層導体層3cが形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層3cから平板部8の上下面の少なくとも一方にかけて内層導体層3cの中央部よりも幅が狭い、内面に導体層6aが形成された溝6が設けられており、内層導体層3cは、溝6に接する端部が溝6に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝6と同じである。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子収納用パッケージの入出力端子に関し、特に入出力端子における平板部の内部の内層導体層に関するものであり、またこの入出力端子を用いた半導体素子収納用パッケージ、さらにこの半導体素子収納用パッケージを用いた半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体素子収納用パッケージ(以下、単にパッケージともいう)に用いられる入出力端子の斜視図を図6に示す。
【0003】
同図において、108はアルミナ(Al2O3)質セラミックス,窒化アルミニウム(AlN)質セラミックス,ムライト(3Al2O3・2SiO2)質セラミックス等の誘電体から成る四角形状の平板部である。平板部108は、その上面に一辺から対向する他辺にかけて、タングステン(W),モリブデン(Mo)マンガン(Mn)等のメタライズ層から成る線路導体103aやこの線路導体103aに平行な同一面接地導体103f等の配線導体103Aが形成されている。さらに、平板部108の下面には、その全面に配線導体103Aと同様のメタライズ層から成る接地導体層103bが形成されている。
【0004】
また、平板部108の上面には、配線導体103Aの一部を間に挟んで接合されているとともに、上面に上部接地導体層103eを有するAl2O3質セラミックス,AlN質セラミックス,3Al2O3・2SiO2質セラミックス等の誘電体から成る直方体状の立壁部107が設置されている。これにより、線路導体103aは、平板部108と立壁部107とに狭持されていない部位がマイクロストリップ線路となり、平板部108と立壁部107とに狭持されている部位がストリップ線路となる。
【0005】
さらに、これらの平板部108および立壁部107は、線路導体103aの線路方向に平行な側面に配線導体103Aと同様のメタライズ層から成る側面接地導体層103dが形成されている。
【0006】
また平板部108は、内部の配線導体103Aの直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたってW,Mo,Mn等のメタライズ層から成る帯状の内層導体層103cが形成されている。さらにこの一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層103cから平板部108の上下面の少なくとも一方にかけて内層導体層103cよりも幅が狭い、内面にW,Mo,Mn等のメタライズ層から成る導体層106aが形成された溝106が設けられている。これにより、線路導体103aと内層導体層103cと、または接地導体層103bと内層導体層103cとを電気的に接続することができる。
【0007】
このような入出力端子103は以下のようにして作製される。例えば、Al2O3質焼結体から成る場合、先ずAl2O3、酸化珪素(SiO2)、酸化マグネシウム(MgO)および酸化カルシウム(CaO)等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して泥漿状と成す。これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成形技術により複数のセラミックグリーンシートを得る。
【0008】
次に、このセラミックグリーンシートに、W,Mo等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを、スクリーン印刷法等の厚膜形成技術により印刷塗布して、配線導体103A、接地導体層103b、内層導体層103c、上部接地導体層103eを所定パターンに形成する。また、溝106となる切り欠き部106を金型等を用いた打ち抜き加工によって形成するとともに切り欠き部106の内面に導体層106aを形成する。その後、セラミックグリーンシートを複数枚積層し、側面接地導体層103dとなるW,Mo等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを塗布する。そして、これを還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成することにより製作することができる。
【0009】
このような平板部108と立壁部107とから構成された入出力端子103は、パッケージに設けられ、パッケージ内外を電気的に接続するための導電路として機能するとともに、パッケージ内外を気密に遮断し、その内部を封止することができる(例えば、下記の特許文献1参照)。
【0010】
この入出力端子103において、図7に示すように、導体層106aを溝106の内面の全面に設け、内層導体層103cとの接触面積を大きくすることによって、溝106内面の導体層106a全面を入出力信号や電源電流等の電流を伝送させるための導体として有効に機能させることができる。
【0011】
この入出力端子103が取着されたパッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、上側主面に載置部を囲繞するように取着された枠体と、この枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子103の取付部と、この取付部に嵌着された上記の入出力端子103とを具備している。枠体が金属から成る場合、枠体を貫通してまたは切り欠いて形成した取付部に入出力端子103を嵌着し、いわゆるメタルウォールタイプのパッケージとして使用されている。また、枠体がセラミックスから成る場合、入出力端子103が枠体と一体的に形成され、いわゆるセラミックウォールタイプのパッケージとして使用されている。これらは用途に応じて適宜選択され使用されている。
【0012】
【特許文献1】
特開2003−37208号公報
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の入出力端子103では、セラミックグリーンシートを積層して平板部108を形成する際に、溝106となる切り欠き部を形成したセラミックグリーンシートに内層導体層103cとなる金属ペーストを塗布後、この内層導体層103cを挟み込むようにセラミックグリーンシートを積層すると、内層導体層103cの端部の切り欠き部106の周囲がセラミックグリーンシートとの密着性の低い金属ペーストで囲まれているため、切り欠き部106の周囲において金属ペーストとセラミックグリーンシートと間で剥がれが生じるという問題点を有していた。
【0014】
そして、このような剥がれが生じた平板部108となるセラミックグリーンシート積層体を焼成して外形加工を施し、入出力端子103を製造した後、この入出力端子103をパッケージに組み込んで、例えばパッケージを通信用システム等に組みこんだ場合、内層導体層103cの端部の剥がれを起点として入出力端子103にクラックが発生してパッケージ内部を気密に封止できなくなったり、または内層導体層103cの端部の剥がれによって導体層106aと内層導体層103cとの接続部が断線したりし、その結果、半導体素子が良好に作動しなくなるという問題点を有していた。
【0015】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、パッケージの入出力端子を作製する際の平板部となるセラミックグリーンシートの積層間に剥がれが生じるのを抑制することにより、入出力端子の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子の作動性を向上させることにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の入出力端子は、上面に一辺側から対向する他辺側にかけて形成された配線導体を有するとともに下面に接地導体層を有する誘電体からなる四角形状の平板部と、該平板部の上面に前記配線導体の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備しており、前記平板部は、その内部の前記配線導体の直下の部位に前記一辺側の側面および前記他辺側の側面の間にわたって帯状の内層導体層が形成されているとともに、前記一辺側の側面および前記他辺側の側面の少なくとも一方に、前記内層導体層から前記平板部の上下面の少なくとも一方にかけて前記内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、前記内層導体層は、前記溝に接する端部が前記溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が前記溝と同じであることを特徴とする。
【0017】
本発明の入出力端子は、平板部の内部の配線導体の直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたって帯状の内層導体層が形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層から平板部の上下面の少なくとも一方にかけて内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、内層導体層は、溝に接する端部が溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝と同じであることから、セラミックグリーンシートを積層して平板部を形成する際、溝となる切り欠き部を有するセラミックグリーンシートを内層導体層を挟み込むように積層しても、内層導体層の端部が溝となる切り欠き部に向かって漸次幅が狭くなって内層導体層を挟んだ上下のセラミックグリーンシート同士の密着面積が大きくなり、セラミックグリーンシート間に剥がれが生じるのを有効に抑制することができる。その結果、入出力端子の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子の作動性を向上させることができる。
【0018】
また、内層導体層の先端の幅は溝と同じであることから、内層導体層が溝となる切り欠き部を全面にわたって覆っているので、溝の内面の全面に導体層を形成することにより導体層と内層導体層との接触面積を大きくすることができ、配線導体と内層導体層とを、あるいは接地導体層と内層導体層とを低抵抗で導体層を介して接続することができる。その結果、入出力端子の電気的特性を良好にすることができる。
【0019】
本発明の入出力端子は、上面に一辺側から対向する他辺側にかけて形成された配線導体を有するとともに下面に接地導体層を有する誘電体からなる四角形状の平板部と、該平板部の上面に前記配線導体の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備しており、前記平板部は、その内部の前記配線導体の直下の部位に前記一辺側の側面および前記他辺側の側面の間にわたって複数の帯状の内層導体層が上下に間隔を空けて位置するように形成されているとともに、前記一辺側の側面および前記他辺側の側面の少なくとも一方に、前記内層導体層のうちの少なくとも2つの間にわたって、それら内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、それら内層導体層は、前記溝に接する端部が前記溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が前記溝と同じであることを特徴とする。
【0020】
本発明の入出力端子は、平板部の内部の配線導体の直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたって複数の帯状の内層導体層が上下に間隔を空けて位置するように形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層のうちの少なくとも2つの間にわたって、それら内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、それら内層導体層は、溝に接する端部が溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝と同じであることから、セラミックグリーンシートを積層して平板部を形成する際、溝となる切り欠き部を有するセラミックグリーンシートを内層導体層を挟み込むように積層しても、内層導体層の端部が溝となる切り欠き部に向かって漸次幅が狭くなって内層導体層を挟んだ上下のセラミックグリーンシート同士の密着面積が大きくなり、セラミックグリーンシート間に剥がれが生じるのを有効に抑制することができる。その結果、入出力端子の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子の作動性を向上させることができる。
【0021】
また、内層導体層の先端の幅は溝と同じであることから、内層導体層が溝となる切り欠き部を全面にわたって覆っているので、溝の内面の全面に導体層を形成することにより導体層と内層導体層との接触面積を大きくすることができ、複数の内層導体層のうちの少なくとも2つの内層導体層同士を低抵抗で導体層を介して接続することができる。その結果、入出力端子の電気的特性を良好にすることができる。
【0022】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記上側主面に前記載置部を囲繞するように取着された枠体と、該枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、前記取付部に嵌着された上記本発明の入出力端子とを具備していることを特徴とする。
【0023】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、上側主面に載置部を囲繞するように取着された枠体と、この枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、取付部に嵌着された上記本発明の入出力端子とを具備していることから、上記本発明の入出力端子を用いた気密性および導通信頼性に優れたものとなり、半導体素子を長期にわたって正常かつ安定に作動させることができる。
【0024】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする
本発明の半導体装置は、上記の構成により、上記本発明の入出力端子および半導体素子収納用パッケージを用いた気密性および導通信頼性に優れたものとなる。
【0025】
【発明の実施の形態】
本発明の入出力端子について以下に詳細に説明する。図1は本発明の入出力端子の斜視図である。図2は本発明の入出力端子の平板部の要部拡大断面図を示し、図3は平板部の要部拡大側面図である。また、図4は本発明のパッケージの上面図、図5は本発明のパッケージの断面図である。同図において、1は基体、2は枠体、3は入出力端子であり、基体1、枠体2、入出力端子3および蓋体5で、半導体素子4をパッケージ内に収容する容器が基本的に構成される。
【0026】
本発明の入出力端子3は、外部電気回路基板とパッケージに収容された半導体素子との高周波信号の入出力を行う機能と電源電流等の大電流の入力を行う機能とを有しており、また、パッケージの内部を気密に封止する機能も有する。この入出力端子3は、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された高周波信号や電源電流を入出力するための線路導体3aおよび線路導体3aに対する接地導体としての同一面接地導体3f等の配線導体3Aを有する誘電体から成る平板部8と、平板部8の上面に複数の配線導体3Aを間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部7とから主に構成されている。
【0027】
入出力端子3は、パッケージを構成する基体1や枠体2と熱膨張係数が近似するAl2O3質セラミックス等のセラミックスから成り、立壁部7と平板部8とが重なる部位が枠体2を貫通してまたは切り欠いて形成された取付部に嵌着される。また、平板部8の下面および立壁部7の上面には、配線導体3Aと同様のメタライズ層から成る接地導体層3bおよび上部接地導体層3eをそれぞれ有している。さらに、平板部8の側面および立壁部7の側面には配線導体3Aと同様のメタライズ層から成る側面接地導体層3dが形成され、接地導体層3bおよび上部接地導体層3eが側面接地導体層を介して電気的に接続されている。
【0028】
また、平板部8は、内部の配線導体3Aの直下の部位に一辺側の側面から他辺側の側面の間にわたって帯状のW,Mo,Mn等のメタライズ層から成る内層導体層3cが形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層3cから平板部8の上下面の少なくとも一方にかけて内層導体層3cの中央部よりも幅が狭い、内面にW,Mo,Mn等のメタライズ層から成る導体層6aが形成された溝6が設けられており、内層導体層3cは溝6に接する端部が溝6に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝6と同じである。
【0029】
このような内面に導体層6aを有する溝6は、図3(a)に示すように内層導体層3cと配線導体3Aとを電気的に接続したり、図3(b)に示すように内層導体層3cと接地導体層3bとを電気的に接続したり、あるいは配線導体3Aから接地導体層3bにかけて溝6を設けて、配線導体3A、内層導体層3cおよび接地導体層3bを電気的に接続してもよい。
【0030】
溝6の横断面形状は、図2(a)に示すような半円等の円弧状、図2(b)に示すような四角形等の多角形状、放物線状、U字状あるいはV字状等種々の形状とし得る。
【0031】
このような入出力端子3は以下のようにして作製される。例えば、Al2O3質セラミックスから成る場合、先ずAl2O3、SiO2、MgOおよびCaO等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して泥漿状と成す。これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成形技術により複数のセラミックグリーンシートを得る。
【0032】
次に、このセラミックグリーンシートに、W,Mo等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを、スクリーン印刷法等の厚膜形成技術により印刷塗布して、配線導体3A、接地導体層3b、内層導体層3c、上部接地導体層3eを所定パターンに形成する。また、平板部8となるセラミックグリーンシートに金型等によって打ち抜き加工を施すことによって、溝6となる切り欠き部6を形成し、切り欠き部6の内面に導体層6aとなるW,Mo等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを塗布する。
【0033】
その後、これらのセラミックグリーンシートを複数枚積層し、側面接地導体層3dとなるW,Mo等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを塗布する。そして、これを還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成することにより製作することができる。
【0034】
導体層6aの厚さは5〜30μmがよく、5μm未満では、W等のメタライズにより導体層6aを形成するのが困難となって均一な厚みの導体層6aを形成できず断線し易くなる。また、30μmを超えると、導体層6aと平板部8との間の熱膨張差により平板部8に加わる応力が大きくなり平板部8が破損し易くなる。
【0035】
また、内層導体層3cの厚さは5〜20μmがよく、5μm未満では、W等のメタライズにより内層導体層3cを形成するのが困難となって均一な厚みの内層導体層3cを形成できず断線し易くなる。また、20μmを超えると、内層導体層3cと立壁部7との間の熱膨張差により立壁部7に加わる応力が大きくなり立壁部7が破損し易くなる。
【0036】
本発明の内層導体層3cは、図2に示すように、溝6に接する端部が溝6に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝6と同じである。この構成により、セラミックグリーンシートを積層して平板部8を形成する際、溝6となる切り欠き部6を有するセラミックグリーンシートを内層導体層3cを挟み込むように積層しても、内層導体層3cの端部が溝6となる切り欠き部6に向かって漸次幅が狭くなって内層導体層3cを挟んだ上下のセラミックグリーンシート同士の密着面積が大きくなり、セラミックグリーンシート間に剥がれが生じるのを有効に抑制することができる。その結果、入出力端子3の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子4の作動性を向上させることができる。
【0037】
また、内層導体層3cの先端の幅は溝6と同じであることから、内層導体層3cが溝6となる切り欠き部6を全面にわたって覆っているので、溝6の内面の全面に導体層6aを形成することにより導体層6aと内層導体層3cとの接触面積を大きくすることができ、配線導体3Aと内層導体層3cとを、あるいは接地導体層3bと内層導体層3cとを低抵抗で導体層6aを介して接続することができる。その結果、入出力端子3の電気的特性を良好にすることができる。
【0038】
また、平板部8の上面には、配線導体3Aの一部を間に挟んで接合されているとともに、上面に上部接地導体層3eを有するAl2O3質セラミックス,AlN質セラミックス,3Al2O3・2SiO2質セラミックス等の誘電体から成る直方体状の立壁部7が設置されている。これにより、線路導体3aは、平板部8と立壁部7とに狭持されていない部位のマイクロストリップ線路と、平板部8と立壁部7とに狭持されている部位のストリップ線路とを有するものとなる。また、平板部8と立壁部7の線路導体3aの線路方向に平行な側面には配線導体3Aと同様のメタライズ層から成る側面接地導体層3dが形成されている。
【0039】
なお、入出力端子3の配線導体3A、接地導体層3b、内層導体層3c、側面接地導体層3d、上部接地導体層3eの表面に露出する部分には厚さ0.5〜9μmのニッケル(Ni)層と厚さ0.5〜5μmの金(Au)層を順次メッキ法により被着しておくのがよく、配線導体3A、接地導体層3b、内層導体層3c、側面接地導体層3d、上部接地導体層3eが酸化腐蝕するのを有効に防止できるとともに、線路導体3aの電気抵抗を低減させ導電性を向上させることができる。
【0040】
また本発明の他の発明において、入出力端子3は、平板部8の内部の配線導体3Aの直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたって複数の帯状の内層導体層3cが上下に間隔を空けて位置するように形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層3cのうちの少なくとも2つの間にわたって、それら内層導体層3cの中央部よりも幅が狭い、内面に導体層6aが形成された溝6が設けられており、それら内層導体層3cは、溝6に接する端部が溝6に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝6と同じである。
【0041】
これにより、セラミックグリーンシートを積層して平板部8を形成する際、溝6となる切り欠き部6を有するセラミックグリーンシートを内層導体層3cを挟み込むように積層しても、内層導体層3cの端部が溝となる切り欠き部6に向かって漸次幅が狭くなって内層導体層3cを挟んだ上下のセラミックグリーンシート同士の密着面積が大きくなり、セラミックグリーンシート間に剥がれが生じるのを有効に抑制することができる。その結果、入出力端子3の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子4の作動性を向上させることができる。
【0042】
また、内層導体層3cの先端の幅は溝6と同じであることから、内層導体層3cが溝6となる切り欠き部6を全面にわたって覆っているので、溝6の内面の全面に導体層6aを形成することにより導体層6aと内層導体層3cとの接触面積を大きくすることができ、複数の内層導体層3cのうちの少なくとも2つの内層導体層3c同士を低抵抗で導体層6aを介して接続することができる。その結果、入出力端子3の電気的特性を良好にすることができる。
【0043】
このような内面に導体層6aを有する溝6は、図3(c)に示すように複数の内層導体層3cのうちの少なくとも2つを電気的に接続しており、その横断面形状は、図2(a)に示すような半円等の円弧状、図2(b)に示すような四角形等の多角形状、放物線状、U字状あるいはV字状等種々の形状とし得る。
【0044】
次に本発明のパッケージについて、図4,5に基づき詳細に説明する。基体1は、その上側主面に集積回路(IC),半導体レーザ(LD),フォトダイオード(PD)等の半導体素子4を載置するための載置部1aを有している。
【0045】
この基体1は、鉄(Fe)−Ni−コバルト(Co)合金,銅(Cu)−タングステン(W)等の金属材料や、Al2O3質セラミックス,AlN質セラミックス,3Al2O3・2SiO2質セラミックス等の誘電体から成る。金属材料から成る場合、例えば、Fe−Ni−Co合金のインゴット(塊)に圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作される。一方、セラミックスから成る場合、その原料粉末に適当な有機バインダーや溶剤等を添加混合しペースト状と成し、このペーストをドクターブレード法やカレンダーロール法によってセラミックグリーンシートと成し、しかる後、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層し焼成することによって作製される。
【0046】
なお、基体1が金属材料から成る場合、その表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜9μmのNi層と厚さ0.5〜5μmのAu層を順次メッキ法により被着しておくのがよく、基体1が酸化腐蝕するのを有効に防止できるとともに、基体1の上側主面の載置部1aに半導体素子4を強固に接着固定することができる。一方、基体1がセラミックスから成る場合、半導体素子4を載置する載置部1aに耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜9μmのNi層と厚さ0.5〜5μmのAu層を順次メッキ法により被着しておくのがよく、基体1の上側主面の載置部1aに半導体素子4を熱電冷却素子5を間に介して強固に接着固定することができる。
【0047】
枠体2は、基体1の上側主面に載置部1aを囲繞するように取着され、Fe−Ni−Co合金やFe−Ni合金等の金属材料やAl2O3質セラミックス,AlN質セラミックス,3Al2O3・2SiO2質セラミックス等の誘電体から成る。例えば、Fe−Ni−Co合金から成る場合、Fe−Ni−Co合金のインゴットをプレス加工により所定の枠状となすことによって製作される。
【0048】
また、枠体2の側部には、貫通孔または切ち欠きから成る入出力端子3の取付部が形成されている。取付部には本発明の入出力端子3がAgロウ、Ag−Cuロウ等のロウ材により嵌着接合されている。そして、入出力端子3の接地導体層3b、上部接地導体層3eおよび側面接地導体層3dは、枠体2および基体1が誘電体からなる場合、取付部の内面に形成された導電層に接続されることにより接地され、ケースグランドとなる。あるいは、枠体2および基体1が金属からなる場合、入出力端子3の接地導体層3b、上部接地導体層3eおよび側面接地導体層3dは、金属製の枠体2や基体1に接続されて接地され、ケースグランドとなる。
【0049】
入出力端子3は、枠体2の外側の線路導体3aの露出した部位にFe−Ni−Co合金等の金属材料から成るリード端子11が銀(Ag)ロウ等のロウ材を介して接合されるとともに、枠体2の内側の線路導体3aの露出した部位に半導体素子4と電気的に接続するためのボンディングワイヤが接合される。そして、リード端子11が外部電気回路に接続されることにより、外部電気回路と半導体素子4との間で高周波信号の入出力を行なうことができる。
【0050】
また、枠体2の上面にはFe−Ni−Co合金等の金属材料から成るシールリングがAgロウ等のロウ材で接合されていてもよく、上面に蓋体5をシーム溶接等により接合するための接合媒体として機能する。特に、取付部が枠体2を切り欠いてなり、入出力端子3の上面と枠体2の上面とが面一となっている場合、シールリングを枠体2の上面および入出力端子3の上面に接合することにより、蓋体5との接合面を良好に平坦化することができ、蓋体5の接合強度を向上するとともにパッケージの気密性を向上することができる。
【0051】
このようなパッケージの載置部1aに半導体素子4が接着固定され、半導体素子4の電極をボンディングワイヤを介して線路導体3aに接続させる。次に、枠体2の上面に蓋体5をロウ付け法や溶接法などで取着し、基体1と枠体2と入出力端子3と蓋体5とから成る容器内部に半導体素子4を気密に収容することによって、最終製品としての半導体装置となる。そして、半導体素子4と外部電気回路との信号の授受が可能となる。
【0052】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【0053】
【発明の効果】
本発明の入出力端子は、上面に一辺側から対向する他辺側にかけて形成された配線導体を有するとともに下面に接地導体層を有する誘電体からなる四角形状の平板部と、この平板部の上面に配線導体の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備しており、平板部は、その内部の配線導体の直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたって帯状の内層導体層が形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層から平板部の上下面の少なくとも一方にかけて内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、内層導体層は、溝に接する端部が溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝と同じであることから、セラミックグリーンシートを積層して平板部を形成する際、溝となる切り欠き部を有するセラミックグリーンシートを内層導体層を挟み込むように積層しても、内層導体層の端部が溝となる切り欠き部に向かって漸次幅が狭くなって内層導体層を挟んだ上下のセラミックグリーンシート同士の密着面積が大きくなり、セラミックグリーンシート間に剥がれが生じるのを有効に抑制することができる。その結果、入出力端子の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子の作動性を向上させることができる。
【0054】
また、内層導体層の先端の幅は溝と同じであることから、内層導体層が溝となる切り欠き部を全面にわたって覆っているので、溝の内面の全面に導体層を形成することにより導体層と内層導体層との接触面積を大きくすることができ、配線導体と内層導体層とを、あるいは接地導体層と内層導体層とを低抵抗で導体層を介して接続することができる。その結果、入出力端子の電気的特性を良好にすることができる。
【0055】
本発明の入出力端子は、上面に一辺側から対向する他辺側にかけて形成された配線導体を有するとともに下面に接地導体層を有する誘電体からなる四角形状の平板部と、この平板部の上面に配線導体の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備しており、平板部は、その内部の配線導体の直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたって複数の帯状の内層導体層が上下に間隔を空けて位置するように形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層のうちの少なくとも2つの間にわたって、それら内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、それら内層導体層は、溝に接する端部が溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝と同じであることから、セラミックグリーンシートを積層して平板部を形成する際、溝となる切り欠き部を有するセラミックグリーンシートを内層導体層を挟み込むように積層しても、内層導体層の端部が溝となる切り欠き部に向かって漸次幅が狭くなって内層導体層を挟んだ上下のセラミックグリーンシート同士の密着面積が大きくなり、セラミックグリーンシート間に剥がれが生じるのを有効に抑制することができる。その結果、入出力端子の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子の作動性を向上させることができる。
【0056】
また、内層導体層の先端の幅は溝と同じであることから、内層導体層が溝となる切り欠き部を全面にわたって覆っているので、溝の内面の全面に導体層を形成することにより導体層と内層導体層との接触面積を大きくすることができ、複数の内層導体層のうちの少なくとも2つの内層導体層同士を低抵抗で導体層を介して接続することができる。その結果、入出力端子の電気的特性を良好にすることができる。
【0057】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、上側主面に載置部を囲繞するように取着された枠体と、この枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、前記取付部に嵌着された上記本発明の入出力端子とを具備していることことから、上記本発明の入出力端子を用いた気密性および導通信頼性に優れたものとなり、半導体素子を長期にわたって正常かつ安定に作動させることができる。
【0058】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置固定されるとともに入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることにより、上記本発明の入出力端子および半導体素子収納用パッケージを用いた気密性および導通信頼性に優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の入出力端子について実施の形態の例を示す斜視図である。
【図2】(a)は本発明の入出力端子における平板部の要部拡大断面図、(b)は本発明の入出力端子における平板部ついて実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図3】(a)〜(c)は本発明の入出力端子における平板部の各種例を示す要部拡大側面図である。
【図4】本発明の半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の例を示す平面図である。
【図5】図4の半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図6】従来の入出力端子の斜視図である。
【図7】従来の入出力端子における平板部の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
1:基体
2:枠体
3:入出力端子
3A:配線導体
3b:接地導体層
3c:内層導体層
4:半導体素子
5:蓋体
6:溝
6:導体層
7:立壁部
8:平板部
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子収納用パッケージの入出力端子に関し、特に入出力端子における平板部の内部の内層導体層に関するものであり、またこの入出力端子を用いた半導体素子収納用パッケージ、さらにこの半導体素子収納用パッケージを用いた半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体素子収納用パッケージ(以下、単にパッケージともいう)に用いられる入出力端子の斜視図を図6に示す。
【0003】
同図において、108はアルミナ(Al2O3)質セラミックス,窒化アルミニウム(AlN)質セラミックス,ムライト(3Al2O3・2SiO2)質セラミックス等の誘電体から成る四角形状の平板部である。平板部108は、その上面に一辺から対向する他辺にかけて、タングステン(W),モリブデン(Mo)マンガン(Mn)等のメタライズ層から成る線路導体103aやこの線路導体103aに平行な同一面接地導体103f等の配線導体103Aが形成されている。さらに、平板部108の下面には、その全面に配線導体103Aと同様のメタライズ層から成る接地導体層103bが形成されている。
【0004】
また、平板部108の上面には、配線導体103Aの一部を間に挟んで接合されているとともに、上面に上部接地導体層103eを有するAl2O3質セラミックス,AlN質セラミックス,3Al2O3・2SiO2質セラミックス等の誘電体から成る直方体状の立壁部107が設置されている。これにより、線路導体103aは、平板部108と立壁部107とに狭持されていない部位がマイクロストリップ線路となり、平板部108と立壁部107とに狭持されている部位がストリップ線路となる。
【0005】
さらに、これらの平板部108および立壁部107は、線路導体103aの線路方向に平行な側面に配線導体103Aと同様のメタライズ層から成る側面接地導体層103dが形成されている。
【0006】
また平板部108は、内部の配線導体103Aの直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたってW,Mo,Mn等のメタライズ層から成る帯状の内層導体層103cが形成されている。さらにこの一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層103cから平板部108の上下面の少なくとも一方にかけて内層導体層103cよりも幅が狭い、内面にW,Mo,Mn等のメタライズ層から成る導体層106aが形成された溝106が設けられている。これにより、線路導体103aと内層導体層103cと、または接地導体層103bと内層導体層103cとを電気的に接続することができる。
【0007】
このような入出力端子103は以下のようにして作製される。例えば、Al2O3質焼結体から成る場合、先ずAl2O3、酸化珪素(SiO2)、酸化マグネシウム(MgO)および酸化カルシウム(CaO)等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して泥漿状と成す。これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成形技術により複数のセラミックグリーンシートを得る。
【0008】
次に、このセラミックグリーンシートに、W,Mo等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを、スクリーン印刷法等の厚膜形成技術により印刷塗布して、配線導体103A、接地導体層103b、内層導体層103c、上部接地導体層103eを所定パターンに形成する。また、溝106となる切り欠き部106を金型等を用いた打ち抜き加工によって形成するとともに切り欠き部106の内面に導体層106aを形成する。その後、セラミックグリーンシートを複数枚積層し、側面接地導体層103dとなるW,Mo等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを塗布する。そして、これを還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成することにより製作することができる。
【0009】
このような平板部108と立壁部107とから構成された入出力端子103は、パッケージに設けられ、パッケージ内外を電気的に接続するための導電路として機能するとともに、パッケージ内外を気密に遮断し、その内部を封止することができる(例えば、下記の特許文献1参照)。
【0010】
この入出力端子103において、図7に示すように、導体層106aを溝106の内面の全面に設け、内層導体層103cとの接触面積を大きくすることによって、溝106内面の導体層106a全面を入出力信号や電源電流等の電流を伝送させるための導体として有効に機能させることができる。
【0011】
この入出力端子103が取着されたパッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、上側主面に載置部を囲繞するように取着された枠体と、この枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子103の取付部と、この取付部に嵌着された上記の入出力端子103とを具備している。枠体が金属から成る場合、枠体を貫通してまたは切り欠いて形成した取付部に入出力端子103を嵌着し、いわゆるメタルウォールタイプのパッケージとして使用されている。また、枠体がセラミックスから成る場合、入出力端子103が枠体と一体的に形成され、いわゆるセラミックウォールタイプのパッケージとして使用されている。これらは用途に応じて適宜選択され使用されている。
【0012】
【特許文献1】
特開2003−37208号公報
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の入出力端子103では、セラミックグリーンシートを積層して平板部108を形成する際に、溝106となる切り欠き部を形成したセラミックグリーンシートに内層導体層103cとなる金属ペーストを塗布後、この内層導体層103cを挟み込むようにセラミックグリーンシートを積層すると、内層導体層103cの端部の切り欠き部106の周囲がセラミックグリーンシートとの密着性の低い金属ペーストで囲まれているため、切り欠き部106の周囲において金属ペーストとセラミックグリーンシートと間で剥がれが生じるという問題点を有していた。
【0014】
そして、このような剥がれが生じた平板部108となるセラミックグリーンシート積層体を焼成して外形加工を施し、入出力端子103を製造した後、この入出力端子103をパッケージに組み込んで、例えばパッケージを通信用システム等に組みこんだ場合、内層導体層103cの端部の剥がれを起点として入出力端子103にクラックが発生してパッケージ内部を気密に封止できなくなったり、または内層導体層103cの端部の剥がれによって導体層106aと内層導体層103cとの接続部が断線したりし、その結果、半導体素子が良好に作動しなくなるという問題点を有していた。
【0015】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、パッケージの入出力端子を作製する際の平板部となるセラミックグリーンシートの積層間に剥がれが生じるのを抑制することにより、入出力端子の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子の作動性を向上させることにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明の入出力端子は、上面に一辺側から対向する他辺側にかけて形成された配線導体を有するとともに下面に接地導体層を有する誘電体からなる四角形状の平板部と、該平板部の上面に前記配線導体の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備しており、前記平板部は、その内部の前記配線導体の直下の部位に前記一辺側の側面および前記他辺側の側面の間にわたって帯状の内層導体層が形成されているとともに、前記一辺側の側面および前記他辺側の側面の少なくとも一方に、前記内層導体層から前記平板部の上下面の少なくとも一方にかけて前記内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、前記内層導体層は、前記溝に接する端部が前記溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が前記溝と同じであることを特徴とする。
【0017】
本発明の入出力端子は、平板部の内部の配線導体の直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたって帯状の内層導体層が形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層から平板部の上下面の少なくとも一方にかけて内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、内層導体層は、溝に接する端部が溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝と同じであることから、セラミックグリーンシートを積層して平板部を形成する際、溝となる切り欠き部を有するセラミックグリーンシートを内層導体層を挟み込むように積層しても、内層導体層の端部が溝となる切り欠き部に向かって漸次幅が狭くなって内層導体層を挟んだ上下のセラミックグリーンシート同士の密着面積が大きくなり、セラミックグリーンシート間に剥がれが生じるのを有効に抑制することができる。その結果、入出力端子の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子の作動性を向上させることができる。
【0018】
また、内層導体層の先端の幅は溝と同じであることから、内層導体層が溝となる切り欠き部を全面にわたって覆っているので、溝の内面の全面に導体層を形成することにより導体層と内層導体層との接触面積を大きくすることができ、配線導体と内層導体層とを、あるいは接地導体層と内層導体層とを低抵抗で導体層を介して接続することができる。その結果、入出力端子の電気的特性を良好にすることができる。
【0019】
本発明の入出力端子は、上面に一辺側から対向する他辺側にかけて形成された配線導体を有するとともに下面に接地導体層を有する誘電体からなる四角形状の平板部と、該平板部の上面に前記配線導体の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備しており、前記平板部は、その内部の前記配線導体の直下の部位に前記一辺側の側面および前記他辺側の側面の間にわたって複数の帯状の内層導体層が上下に間隔を空けて位置するように形成されているとともに、前記一辺側の側面および前記他辺側の側面の少なくとも一方に、前記内層導体層のうちの少なくとも2つの間にわたって、それら内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、それら内層導体層は、前記溝に接する端部が前記溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が前記溝と同じであることを特徴とする。
【0020】
本発明の入出力端子は、平板部の内部の配線導体の直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたって複数の帯状の内層導体層が上下に間隔を空けて位置するように形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層のうちの少なくとも2つの間にわたって、それら内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、それら内層導体層は、溝に接する端部が溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝と同じであることから、セラミックグリーンシートを積層して平板部を形成する際、溝となる切り欠き部を有するセラミックグリーンシートを内層導体層を挟み込むように積層しても、内層導体層の端部が溝となる切り欠き部に向かって漸次幅が狭くなって内層導体層を挟んだ上下のセラミックグリーンシート同士の密着面積が大きくなり、セラミックグリーンシート間に剥がれが生じるのを有効に抑制することができる。その結果、入出力端子の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子の作動性を向上させることができる。
【0021】
また、内層導体層の先端の幅は溝と同じであることから、内層導体層が溝となる切り欠き部を全面にわたって覆っているので、溝の内面の全面に導体層を形成することにより導体層と内層導体層との接触面積を大きくすることができ、複数の内層導体層のうちの少なくとも2つの内層導体層同士を低抵抗で導体層を介して接続することができる。その結果、入出力端子の電気的特性を良好にすることができる。
【0022】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記上側主面に前記載置部を囲繞するように取着された枠体と、該枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、前記取付部に嵌着された上記本発明の入出力端子とを具備していることを特徴とする。
【0023】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、上側主面に載置部を囲繞するように取着された枠体と、この枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、取付部に嵌着された上記本発明の入出力端子とを具備していることから、上記本発明の入出力端子を用いた気密性および導通信頼性に優れたものとなり、半導体素子を長期にわたって正常かつ安定に作動させることができる。
【0024】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする
本発明の半導体装置は、上記の構成により、上記本発明の入出力端子および半導体素子収納用パッケージを用いた気密性および導通信頼性に優れたものとなる。
【0025】
【発明の実施の形態】
本発明の入出力端子について以下に詳細に説明する。図1は本発明の入出力端子の斜視図である。図2は本発明の入出力端子の平板部の要部拡大断面図を示し、図3は平板部の要部拡大側面図である。また、図4は本発明のパッケージの上面図、図5は本発明のパッケージの断面図である。同図において、1は基体、2は枠体、3は入出力端子であり、基体1、枠体2、入出力端子3および蓋体5で、半導体素子4をパッケージ内に収容する容器が基本的に構成される。
【0026】
本発明の入出力端子3は、外部電気回路基板とパッケージに収容された半導体素子との高周波信号の入出力を行う機能と電源電流等の大電流の入力を行う機能とを有しており、また、パッケージの内部を気密に封止する機能も有する。この入出力端子3は、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された高周波信号や電源電流を入出力するための線路導体3aおよび線路導体3aに対する接地導体としての同一面接地導体3f等の配線導体3Aを有する誘電体から成る平板部8と、平板部8の上面に複数の配線導体3Aを間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部7とから主に構成されている。
【0027】
入出力端子3は、パッケージを構成する基体1や枠体2と熱膨張係数が近似するAl2O3質セラミックス等のセラミックスから成り、立壁部7と平板部8とが重なる部位が枠体2を貫通してまたは切り欠いて形成された取付部に嵌着される。また、平板部8の下面および立壁部7の上面には、配線導体3Aと同様のメタライズ層から成る接地導体層3bおよび上部接地導体層3eをそれぞれ有している。さらに、平板部8の側面および立壁部7の側面には配線導体3Aと同様のメタライズ層から成る側面接地導体層3dが形成され、接地導体層3bおよび上部接地導体層3eが側面接地導体層を介して電気的に接続されている。
【0028】
また、平板部8は、内部の配線導体3Aの直下の部位に一辺側の側面から他辺側の側面の間にわたって帯状のW,Mo,Mn等のメタライズ層から成る内層導体層3cが形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層3cから平板部8の上下面の少なくとも一方にかけて内層導体層3cの中央部よりも幅が狭い、内面にW,Mo,Mn等のメタライズ層から成る導体層6aが形成された溝6が設けられており、内層導体層3cは溝6に接する端部が溝6に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝6と同じである。
【0029】
このような内面に導体層6aを有する溝6は、図3(a)に示すように内層導体層3cと配線導体3Aとを電気的に接続したり、図3(b)に示すように内層導体層3cと接地導体層3bとを電気的に接続したり、あるいは配線導体3Aから接地導体層3bにかけて溝6を設けて、配線導体3A、内層導体層3cおよび接地導体層3bを電気的に接続してもよい。
【0030】
溝6の横断面形状は、図2(a)に示すような半円等の円弧状、図2(b)に示すような四角形等の多角形状、放物線状、U字状あるいはV字状等種々の形状とし得る。
【0031】
このような入出力端子3は以下のようにして作製される。例えば、Al2O3質セラミックスから成る場合、先ずAl2O3、SiO2、MgOおよびCaO等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して泥漿状と成す。これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成形技術により複数のセラミックグリーンシートを得る。
【0032】
次に、このセラミックグリーンシートに、W,Mo等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを、スクリーン印刷法等の厚膜形成技術により印刷塗布して、配線導体3A、接地導体層3b、内層導体層3c、上部接地導体層3eを所定パターンに形成する。また、平板部8となるセラミックグリーンシートに金型等によって打ち抜き加工を施すことによって、溝6となる切り欠き部6を形成し、切り欠き部6の内面に導体層6aとなるW,Mo等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを塗布する。
【0033】
その後、これらのセラミックグリーンシートを複数枚積層し、側面接地導体層3dとなるW,Mo等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを塗布する。そして、これを還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成することにより製作することができる。
【0034】
導体層6aの厚さは5〜30μmがよく、5μm未満では、W等のメタライズにより導体層6aを形成するのが困難となって均一な厚みの導体層6aを形成できず断線し易くなる。また、30μmを超えると、導体層6aと平板部8との間の熱膨張差により平板部8に加わる応力が大きくなり平板部8が破損し易くなる。
【0035】
また、内層導体層3cの厚さは5〜20μmがよく、5μm未満では、W等のメタライズにより内層導体層3cを形成するのが困難となって均一な厚みの内層導体層3cを形成できず断線し易くなる。また、20μmを超えると、内層導体層3cと立壁部7との間の熱膨張差により立壁部7に加わる応力が大きくなり立壁部7が破損し易くなる。
【0036】
本発明の内層導体層3cは、図2に示すように、溝6に接する端部が溝6に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝6と同じである。この構成により、セラミックグリーンシートを積層して平板部8を形成する際、溝6となる切り欠き部6を有するセラミックグリーンシートを内層導体層3cを挟み込むように積層しても、内層導体層3cの端部が溝6となる切り欠き部6に向かって漸次幅が狭くなって内層導体層3cを挟んだ上下のセラミックグリーンシート同士の密着面積が大きくなり、セラミックグリーンシート間に剥がれが生じるのを有効に抑制することができる。その結果、入出力端子3の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子4の作動性を向上させることができる。
【0037】
また、内層導体層3cの先端の幅は溝6と同じであることから、内層導体層3cが溝6となる切り欠き部6を全面にわたって覆っているので、溝6の内面の全面に導体層6aを形成することにより導体層6aと内層導体層3cとの接触面積を大きくすることができ、配線導体3Aと内層導体層3cとを、あるいは接地導体層3bと内層導体層3cとを低抵抗で導体層6aを介して接続することができる。その結果、入出力端子3の電気的特性を良好にすることができる。
【0038】
また、平板部8の上面には、配線導体3Aの一部を間に挟んで接合されているとともに、上面に上部接地導体層3eを有するAl2O3質セラミックス,AlN質セラミックス,3Al2O3・2SiO2質セラミックス等の誘電体から成る直方体状の立壁部7が設置されている。これにより、線路導体3aは、平板部8と立壁部7とに狭持されていない部位のマイクロストリップ線路と、平板部8と立壁部7とに狭持されている部位のストリップ線路とを有するものとなる。また、平板部8と立壁部7の線路導体3aの線路方向に平行な側面には配線導体3Aと同様のメタライズ層から成る側面接地導体層3dが形成されている。
【0039】
なお、入出力端子3の配線導体3A、接地導体層3b、内層導体層3c、側面接地導体層3d、上部接地導体層3eの表面に露出する部分には厚さ0.5〜9μmのニッケル(Ni)層と厚さ0.5〜5μmの金(Au)層を順次メッキ法により被着しておくのがよく、配線導体3A、接地導体層3b、内層導体層3c、側面接地導体層3d、上部接地導体層3eが酸化腐蝕するのを有効に防止できるとともに、線路導体3aの電気抵抗を低減させ導電性を向上させることができる。
【0040】
また本発明の他の発明において、入出力端子3は、平板部8の内部の配線導体3Aの直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたって複数の帯状の内層導体層3cが上下に間隔を空けて位置するように形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層3cのうちの少なくとも2つの間にわたって、それら内層導体層3cの中央部よりも幅が狭い、内面に導体層6aが形成された溝6が設けられており、それら内層導体層3cは、溝6に接する端部が溝6に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝6と同じである。
【0041】
これにより、セラミックグリーンシートを積層して平板部8を形成する際、溝6となる切り欠き部6を有するセラミックグリーンシートを内層導体層3cを挟み込むように積層しても、内層導体層3cの端部が溝となる切り欠き部6に向かって漸次幅が狭くなって内層導体層3cを挟んだ上下のセラミックグリーンシート同士の密着面積が大きくなり、セラミックグリーンシート間に剥がれが生じるのを有効に抑制することができる。その結果、入出力端子3の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子4の作動性を向上させることができる。
【0042】
また、内層導体層3cの先端の幅は溝6と同じであることから、内層導体層3cが溝6となる切り欠き部6を全面にわたって覆っているので、溝6の内面の全面に導体層6aを形成することにより導体層6aと内層導体層3cとの接触面積を大きくすることができ、複数の内層導体層3cのうちの少なくとも2つの内層導体層3c同士を低抵抗で導体層6aを介して接続することができる。その結果、入出力端子3の電気的特性を良好にすることができる。
【0043】
このような内面に導体層6aを有する溝6は、図3(c)に示すように複数の内層導体層3cのうちの少なくとも2つを電気的に接続しており、その横断面形状は、図2(a)に示すような半円等の円弧状、図2(b)に示すような四角形等の多角形状、放物線状、U字状あるいはV字状等種々の形状とし得る。
【0044】
次に本発明のパッケージについて、図4,5に基づき詳細に説明する。基体1は、その上側主面に集積回路(IC),半導体レーザ(LD),フォトダイオード(PD)等の半導体素子4を載置するための載置部1aを有している。
【0045】
この基体1は、鉄(Fe)−Ni−コバルト(Co)合金,銅(Cu)−タングステン(W)等の金属材料や、Al2O3質セラミックス,AlN質セラミックス,3Al2O3・2SiO2質セラミックス等の誘電体から成る。金属材料から成る場合、例えば、Fe−Ni−Co合金のインゴット(塊)に圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作される。一方、セラミックスから成る場合、その原料粉末に適当な有機バインダーや溶剤等を添加混合しペースト状と成し、このペーストをドクターブレード法やカレンダーロール法によってセラミックグリーンシートと成し、しかる後、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層し焼成することによって作製される。
【0046】
なお、基体1が金属材料から成る場合、その表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜9μmのNi層と厚さ0.5〜5μmのAu層を順次メッキ法により被着しておくのがよく、基体1が酸化腐蝕するのを有効に防止できるとともに、基体1の上側主面の載置部1aに半導体素子4を強固に接着固定することができる。一方、基体1がセラミックスから成る場合、半導体素子4を載置する載置部1aに耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜9μmのNi層と厚さ0.5〜5μmのAu層を順次メッキ法により被着しておくのがよく、基体1の上側主面の載置部1aに半導体素子4を熱電冷却素子5を間に介して強固に接着固定することができる。
【0047】
枠体2は、基体1の上側主面に載置部1aを囲繞するように取着され、Fe−Ni−Co合金やFe−Ni合金等の金属材料やAl2O3質セラミックス,AlN質セラミックス,3Al2O3・2SiO2質セラミックス等の誘電体から成る。例えば、Fe−Ni−Co合金から成る場合、Fe−Ni−Co合金のインゴットをプレス加工により所定の枠状となすことによって製作される。
【0048】
また、枠体2の側部には、貫通孔または切ち欠きから成る入出力端子3の取付部が形成されている。取付部には本発明の入出力端子3がAgロウ、Ag−Cuロウ等のロウ材により嵌着接合されている。そして、入出力端子3の接地導体層3b、上部接地導体層3eおよび側面接地導体層3dは、枠体2および基体1が誘電体からなる場合、取付部の内面に形成された導電層に接続されることにより接地され、ケースグランドとなる。あるいは、枠体2および基体1が金属からなる場合、入出力端子3の接地導体層3b、上部接地導体層3eおよび側面接地導体層3dは、金属製の枠体2や基体1に接続されて接地され、ケースグランドとなる。
【0049】
入出力端子3は、枠体2の外側の線路導体3aの露出した部位にFe−Ni−Co合金等の金属材料から成るリード端子11が銀(Ag)ロウ等のロウ材を介して接合されるとともに、枠体2の内側の線路導体3aの露出した部位に半導体素子4と電気的に接続するためのボンディングワイヤが接合される。そして、リード端子11が外部電気回路に接続されることにより、外部電気回路と半導体素子4との間で高周波信号の入出力を行なうことができる。
【0050】
また、枠体2の上面にはFe−Ni−Co合金等の金属材料から成るシールリングがAgロウ等のロウ材で接合されていてもよく、上面に蓋体5をシーム溶接等により接合するための接合媒体として機能する。特に、取付部が枠体2を切り欠いてなり、入出力端子3の上面と枠体2の上面とが面一となっている場合、シールリングを枠体2の上面および入出力端子3の上面に接合することにより、蓋体5との接合面を良好に平坦化することができ、蓋体5の接合強度を向上するとともにパッケージの気密性を向上することができる。
【0051】
このようなパッケージの載置部1aに半導体素子4が接着固定され、半導体素子4の電極をボンディングワイヤを介して線路導体3aに接続させる。次に、枠体2の上面に蓋体5をロウ付け法や溶接法などで取着し、基体1と枠体2と入出力端子3と蓋体5とから成る容器内部に半導体素子4を気密に収容することによって、最終製品としての半導体装置となる。そして、半導体素子4と外部電気回路との信号の授受が可能となる。
【0052】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【0053】
【発明の効果】
本発明の入出力端子は、上面に一辺側から対向する他辺側にかけて形成された配線導体を有するとともに下面に接地導体層を有する誘電体からなる四角形状の平板部と、この平板部の上面に配線導体の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備しており、平板部は、その内部の配線導体の直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたって帯状の内層導体層が形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層から平板部の上下面の少なくとも一方にかけて内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、内層導体層は、溝に接する端部が溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝と同じであることから、セラミックグリーンシートを積層して平板部を形成する際、溝となる切り欠き部を有するセラミックグリーンシートを内層導体層を挟み込むように積層しても、内層導体層の端部が溝となる切り欠き部に向かって漸次幅が狭くなって内層導体層を挟んだ上下のセラミックグリーンシート同士の密着面積が大きくなり、セラミックグリーンシート間に剥がれが生じるのを有効に抑制することができる。その結果、入出力端子の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子の作動性を向上させることができる。
【0054】
また、内層導体層の先端の幅は溝と同じであることから、内層導体層が溝となる切り欠き部を全面にわたって覆っているので、溝の内面の全面に導体層を形成することにより導体層と内層導体層との接触面積を大きくすることができ、配線導体と内層導体層とを、あるいは接地導体層と内層導体層とを低抵抗で導体層を介して接続することができる。その結果、入出力端子の電気的特性を良好にすることができる。
【0055】
本発明の入出力端子は、上面に一辺側から対向する他辺側にかけて形成された配線導体を有するとともに下面に接地導体層を有する誘電体からなる四角形状の平板部と、この平板部の上面に配線導体の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備しており、平板部は、その内部の配線導体の直下の部位に一辺側の側面および他辺側の側面の間にわたって複数の帯状の内層導体層が上下に間隔を空けて位置するように形成されているとともに、この一辺側の側面および他辺側の側面の少なくとも一方に、内層導体層のうちの少なくとも2つの間にわたって、それら内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、それら内層導体層は、溝に接する端部が溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が溝と同じであることから、セラミックグリーンシートを積層して平板部を形成する際、溝となる切り欠き部を有するセラミックグリーンシートを内層導体層を挟み込むように積層しても、内層導体層の端部が溝となる切り欠き部に向かって漸次幅が狭くなって内層導体層を挟んだ上下のセラミックグリーンシート同士の密着面積が大きくなり、セラミックグリーンシート間に剥がれが生じるのを有効に抑制することができる。その結果、入出力端子の気密性および導通信頼性を向上させ、半導体素子の作動性を向上させることができる。
【0056】
また、内層導体層の先端の幅は溝と同じであることから、内層導体層が溝となる切り欠き部を全面にわたって覆っているので、溝の内面の全面に導体層を形成することにより導体層と内層導体層との接触面積を大きくすることができ、複数の内層導体層のうちの少なくとも2つの内層導体層同士を低抵抗で導体層を介して接続することができる。その結果、入出力端子の電気的特性を良好にすることができる。
【0057】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、上側主面に載置部を囲繞するように取着された枠体と、この枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、前記取付部に嵌着された上記本発明の入出力端子とを具備していることことから、上記本発明の入出力端子を用いた気密性および導通信頼性に優れたものとなり、半導体素子を長期にわたって正常かつ安定に作動させることができる。
【0058】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置固定されるとともに入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることにより、上記本発明の入出力端子および半導体素子収納用パッケージを用いた気密性および導通信頼性に優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の入出力端子について実施の形態の例を示す斜視図である。
【図2】(a)は本発明の入出力端子における平板部の要部拡大断面図、(b)は本発明の入出力端子における平板部ついて実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図3】(a)〜(c)は本発明の入出力端子における平板部の各種例を示す要部拡大側面図である。
【図4】本発明の半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の例を示す平面図である。
【図5】図4の半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図6】従来の入出力端子の斜視図である。
【図7】従来の入出力端子における平板部の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
1:基体
2:枠体
3:入出力端子
3A:配線導体
3b:接地導体層
3c:内層導体層
4:半導体素子
5:蓋体
6:溝
6:導体層
7:立壁部
8:平板部
Claims (4)
- 上面に一辺側から対向する他辺側にかけて形成された配線導体を有するとともに下面に接地導体層を有する誘電体からなる四角形状の平板部と、該平板部の上面に前記配線導体の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備しており、前記平板部は、その内部の前記配線導体の直下の部位に前記一辺側の側面および前記他辺側の側面の間にわたって帯状の内層導体層が形成されているとともに、前記一辺側の側面および前記他辺側の側面の少なくとも一方に、前記内層導体層から前記平板部の上下面の少なくとも一方にかけて前記内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、前記内層導体層は、前記溝に接する端部が前記溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が前記溝と同じであることを特徴とする入出力端子。
- 上面に一辺側から対向する他辺側にかけて形成された配線導体を有するとともに下面に接地導体層を有する誘電体からなる四角形状の平板部と、該平板部の上面に前記配線導体の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備しており、前記平板部は、その内部の前記配線導体の直下の部位に前記一辺側の側面および前記他辺側の側面の間にわたって複数の帯状の内層導体層が上下に間隔を空けて位置するように形成されているとともに、前記一辺側の側面および前記他辺側の側面の少なくとも一方に、前記内層導体層のうちの少なくとも2つの間にわたって、それら内層導体層の中央部よりも幅が狭い、内面に導体層が形成された溝が設けられており、それら内層導体層は、前記溝に接する端部が前記溝に向かって漸次幅が狭くなっているとともに先端の幅が前記溝と同じであることを特徴とする入出力端子。
- 上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記上側主面に前記載置部を囲繞するように取着された枠体と、該枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、前記取付部に嵌着された請求項1または請求項2記載の入出力端子とを具備していることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
- 請求項3記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする半導体装置。
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