JP2002280473A

JP2002280473A - 入出力端子および半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置

Info

Publication number: JP2002280473A
Application number: JP2001077068A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Ogasawara; 厚志小笠原
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-03-16
Filing date: 2001-03-16
Publication date: 2002-09-27
Anticipated expiration: 2021-03-16
Also published as: JP4522010B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体パッケージの入出力端子の破損を有効
に防止することにより、半導体素子と外部電気回路基板
との高周波信号の伝送効率を良好に保持し、伝送特性を
向上させること。【解決手段】略長方形の誘電体板から成り、上面の一
辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体１ａお
よび線路導体１ａの両側に等間隔をもって形成された同
一面接地導体１ｂとを有する平板部１と、平板部１の上
面に線路導体１ａを間に挟んで接合された誘電体から成
る立壁部２とを具備し、立壁部２は、線路導体１ａの伝
送方向に略垂直な対向する両側面の下端部に線路導体１
ａを囲むように切欠き部２ｃが形成されているととも
に、切欠き部２ｃの伝送方向に略平行な内面に接地導体
層２ｄが形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波で作動する
半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケー
ジの入出力部に使用される入出力端子、この入出力端子
を用いた半導体素子収納用パッケージ、およびこの半導
体素子収納用パッケージを用いた半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、マイクロ波帯やミリ波帯等の高周
波信号により作動する半導体素子を収納する半導体素子
収納用パッケージ（以下、半導体パッケージという）に
は、半導体素子と外部電気回路基板とを電気的に接続す
るための入出力端子が設けられている。この入出力端子
を図３に斜視図で示す。

【０００３】同図において、１０１はアルミナ（Ａｌ₂
Ｏ₃）セラミックス，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラ
ミックス，ムライト（３Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂）セラミ
ックス等の誘電体から成る平板部であり、その上面の略
中央部に、一辺から対向する辺にかけて形成された線路
導体１０１ａを有するとともに、この線路導体１０１ａ
の両側に所定の間隔をもって形成された同一面接地導体
１０１ｂを有する。また、平板部１０１の側面には側面
接地導体１０１ｃ、下面には下面接地導体１０１ｄが形
成されている。

【０００４】また、平板部１０１の上面には、線路導体
１０１ａを挟持するとともに、上面に上面接地導体層１
０２ａを有し、側面に側面接地導体１０１ｃから延出す
るように形成された側面接地導体層１０２ｂを有する、
Ａｌ₂Ｏ₃セラミックス，ＡｌＮセラミックス，３Ａｌ₂
Ｏ₃・２ＳｉＯ₂セラミックス等の誘電体から成る立壁部
１０２が接合される。そのため、線路導体１０１ａは、
平板部１０１と立壁部１０２とに挟持されていない部位
（露出部位）のマイクロストリップ線路と、平板部１０
１と立壁部１０２とに挟持された部位のストリップ線路
とから成る。

【０００５】線路導体１０１ａのストリップ線路は、上
面接地導体層１０２ａ，側面接地導体層１０２ｂ，側面
接地導体１０１ｃおよび下面接地導体１０１ｄにより擬
似同軸構造とされている。一方、線路導体１０１ａのマ
イクロストリップ線路は、同一面接地導体１０１ｂによ
りマイクロストリップ構造とされている。即ち、線路導
体１０１ａのストリップ線路を伝送する高周波信号の伝
搬モードはＴＥＭモードであり、また線路導体１０１ａ
のマイクロストリップ線路を伝送する高周波信号の伝搬
モードは準ＴＥＭモードである。

【０００６】このような平板部１０１，立壁部１０２か
ら構成される入出力端子１０３は、半導体パッケージの
構成部材の１つである金属枠体に形成された切欠または
貫通孔から成る取付部に嵌着されることにより、半導体
パッケージ内外を遮断しその内部を封止する機能を有す
るとともに、外部電気回路基板との高周波信号の入出力
を行う機能を有することと成る。

【０００７】また、上記の半導体パッケージ内部に載置
固定された半導体素子と、半導体パッケージ上面に取着
された蓋体とを具備することにより半導体装置となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の入出力端子１０３では、半導体素子が例えば１０Ｇ
Ｈｚ以上の高周波信号により作動するものの場合、スト
リップ線路１０１ａの長さを短くすることにより、半導
体素子と外部電気回路基板との高周波信号の入出力時に
おける伝送損失を小さくし、伝送効率を良好なものとで
きるが、これに伴い立壁部１０２の幅を小さくせざるを
得なかった。

【０００９】このように立壁部１０２の幅を小さくした
入出力端子１０３を半導体パッケージに用いた場合、立
壁部１０２と、半導体パッケージの構成部材の１つであ
る金属枠体との間に発生する熱膨張差による熱歪みを有
効に緩和し抑制することができなかった。その結果、平
板部１０１や立壁部１０２にクラック等の破損が発生
し、半導体素子と外部電気回路基板との高周波信号の伝
送効率が損なわれるという問題点を有していた。

【００１０】従って、本発明は上記問題点に鑑み完成さ
れたものであり、その目的は、半導体パッケージの信号
線路部材としての入出力端子の破損を有効に防止すると
ともに、線路導体を伝送する高周波信号の伝送損失を小
さくして伝送効率を良好なものとし、その結果半導体素
子と外部電気回路基板との高周波信号の伝送効率を良好
に保持し伝送特性を向上させることにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の入出力端子は、
略長方形の誘電体板から成り、上面の一辺から対向する
他辺にかけて形成された線路導体および該線路導体の両
側に等間隔をもって形成された同一面接地導体とを有す
る平板部と、該平板部の上面に前記線路導体を間に挟ん
で接合された誘電体から成る立壁部とを具備した入出力
端子において、前記立壁部は、前記線路導体の伝送方向
に略垂直な対向する両側面の下端部に前記線路導体を囲
むように切欠き部が形成されているとともに、該切欠き
部の前記伝送方向に略平行な内面に接地導体層が形成さ
れていることを特徴とする。

【００１２】本発明は、上記の構成により、誘電体に挟
持されるストリップ線路部の長さを短くすることがで
き、その結果線路導体を伝送する高周波信号の伝送損失
を小さくし、伝送効率を良好なものとできる。

【００１３】本発明の半導体素子収納用パッケージは、
上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、
該基体の上面に前記載置部を囲繞するように取着された
金属枠体と、該金属枠体に形成された切欠きまたは貫通
孔から成る入出力端子の取付部と、該取付部に嵌着され
た請求項１記載の入出力端子とを具備したことを特徴と
する。

【００１４】本発明の半導体素子収納用パッケージは、
上記の構成により、上記入出力端子を半導体パッケージ
の構成部材の１つである金属枠体の取付部に嵌着して
も、入出力端子と金属枠体との間に発生する熱膨張差に
よる熱歪みを有効に抑制でき、半導体パッケージ内部の
気密性や、半導体素子と外部電気回路基板との高周波信
号の伝送効率を非常に良好なものとできる。

【００１５】本発明の半導体装置は、本発明の半導体素
子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定された半
導体素子と、前記金属枠体の上面に取着された蓋体とを
具備したことを特徴とする。

【００１６】本発明の半導体装置は、上記の構成によ
り、半導体素子が例えば１０ＧＨｚ以上の高周波信号に
より作動するものの場合であっても、半導体素子を長期
に亘り正常かつ安定に作動させ得る。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の入出力端子について添付
の図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の入出
力端子の実施の形態の一例を示す斜視図、図２は本発明
の半導体パッケージを示す斜視図である。また、図２に
示すように、本発明の半導体パッケージに半導体素子を
載置固定するとともに、蓋体を接合することにより本発
明の半導体装置となる。

【００１８】図１において、１はＡｌ₂Ｏ₃セラミック
ス，ＡｌＮセラミックス，３Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂セラ
ミックス等の誘電体から成る平板部であり、この平板部
１は上面の略中央部に一辺から対向する他辺にかけて形
成された線路導体１ａと、この線路導体１ａの両側に所
定間隔をもって形成されて成る同一面接地導体１ｂとを
有する。また、平板部１の側面には側面接地導体１ｃ、
下面には下面接地導体１ｄが形成されている。

【００１９】また、平板部１の上面には、線路導体１
ａ，同一面接地導体１ｂを挟持するとともに、上面に上
面接地導体層２ａ、側面に側面接地導体１ｃを延出する
ようにして形成された側面接地導体層２ｂを有する、Ａ
ｌ₂Ｏ₃セラミックス，ＡｌＮセラミックス，３Ａｌ₂Ｏ₃
・２ＳｉＯ₂セラミックス等の誘電体から成る立壁部２
が接合される。

【００２０】これら平板部１と立壁部２とで入出力端子
３が構成される。なお、入出力端子３の作製は以下のよ
うになされる。まず、線路導体１ａ，同一面接地導体１
ｂ，側面接地導体１ｃ，下面接地導体１ｄ，上面接地導
体層２ａ，側面接地導体層２ｂとなるメタライズ層用の
金属ペーストを、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍ
ｏ），マンガン（Ｍｎ）等の粉末に有機溶剤，溶媒を添
加混合して得る。次に、誘電体となる原料粉末に適当な
有機バインダや溶剤等を添加混合しペースト状と成すと
ともにこのペーストをドクターブレード法やカレンダー
ロール法によって成形されたセラミックグリーンシート
に、上記金属ペーストを予め従来周知のスクリーン印刷
法により所望の形状に印刷塗布し、約１６００℃の高温
で焼結することにより、作製される。

【００２１】本発明の入出力端子３は、立壁部２が、線
路導体１ａの伝送方向に略垂直な対向する両側面の下端
部に線路導体１ａを囲むように切欠き部２ｃが形成され
ているとともに、切欠き部２ｃの伝送方向に略平行な内
面に接地導体層２ｄが形成されている。また切欠き部２
ｃは、好ましくは、切欠き部２ｃの内面のうち線路導体
１ａの伝送方向に平行な対向する２内側面の下端が、同
一面接地導体１ｂの端に位置するかまたは同一面接地導
体１ｂ内に位置するように形成されるのがよい。

【００２２】本発明の上記構成の入出力端子３は以下の
ような効果を奏する。即ち、線路導体１ａの接地導体層
２ｄで囲まれている部位の高周波信号の伝搬モードは、
囲まれていない部位の伝搬モードである準ＴＥＭモード
と、平板部１と立壁部２との間に挟持されている部位の
伝搬モードであるＴＥＭモードとの中間程度である。こ
の中間的な伝搬モードが存在することにより、線路導体
１ａに高周波信号が伝送された場合、従来のように準Ｔ
ＥＭモードからＴＥＭモードに切り替わった際に伝搬モ
ードの変化部でインピーダンスがステップ状に変化する
ことがなく、高周波信号の反射を大幅に低減できる。従
って、本発明では、線路導体１ａに高周波信号が伝送さ
れた場合、準ＴＥＭモードから、準ＴＥＭモードとＴＥ
Ｍモードとの中間程度のモード、そしてＴＥＭモード
と、順次非常に緩やかにモードが変化するため、伝搬モ
ードの変化部でインピーダンスが緩やかに変化し高周波
信号の反射を極力抑制できる。

【００２３】また、好ましくは、切欠き部２ｃの内面の
うち線路導体１ａの伝送方向に平行な対向する２内側面
（接地導体層２ｄ）の下端が、同一面接地導体１ｂの端
に位置するかまたは同一面接地導体１ｂ内に位置するよ
うに形成されることにより、接地導体層２ｄは同一面接
地導体１ｂに直接的に導通される。または、立壁部２を
複数の誘電体層を積層して形成し、これら誘電体層の間
に設けられた層間接地導体層を介して、接地導体層２ｄ
と同一面接地導体１ｂとを間接的に導通させることもで
きる。これにより、接地導体層２ｄは線路導体１ａに対
するグランドとして機能することになる。

【００２４】一方、接地導体層２ｄの下端が同一面接地
導体１ｂの端に位置するかまたは同一面接地導体１ｂ内
に位置するように形成されていない場合、即ち接地導体
層２ｄの下端が線路導体１ａと同一面接地導体１ｂとの
間にある場合、線路導体１ａを伝送する高周波信号が、
立壁部２の誘電体が露出している側面により誘電体損失
が発生し伝送効率が損なわれる傾向にある。

【００２５】また、切欠き部２ｃ内面の線路導体１ａの
伝送方向に垂直となる面（最奥の面）には、接地導体層
２ｄとなるメタライズ層が線路導体１ａに導通しないよ
うに被着されているのが好ましい。即ち、切欠き部２ｃ
内面の線路導体１ａの伝送方向に垂直となる面にメタラ
イズ層が形成されていない場合、線路導体１ａの接地導
体層２ｄで囲まれている部位を伝送する高周波信号が、
切欠き部２ｃ内面の線路導体１ａの伝送方向に垂直な面
で誘電体損失が発生し伝送効率が損なわれる傾向にあ
る。

【００２６】この場合、切欠き部２ｃ内面の線路導体１
ａの伝送方向に垂直となる面（最奥の面）に形成され
る、接地導体層２ｄとなるメタライズ層は、最奥の面の
上端から線路導体１ａの表面に達しないように形成する
が、メタライズ層の下端と線路導体１ａとの間隔は０．
１〜０．２ｍｍ程度あればよい。０．１ｍｍ未満では、
メタライズ層用の金属ペーストを塗布した際に線路導体
１ａに接触してショートし易くなり、０．２ｍｍを超え
ると、メタライズ層の非形成部が大きくなり、最奥の面
の露出した誘電体部で誘電体損失で発生し伝送損失が増
大し易くなる。

【００２７】なお、切欠き部２ｃの平板部１上面からの
高さは、立壁部２の高さの２／３以下であることが好ま
しい。２／３を超えると、立壁部２の強度が低下し、半
導体パッケージの構成部材の１つである金属枠体との熱
膨張差による熱歪みにより、入出力端子３が破損する傾
向にある。

【００２８】また、一つの切欠き部２ｃの深さ（奥行
き）は、｛（立壁部２の伝送方向の幅）−（平板部１と
立壁部２とで挟持された線路導体１ａの部位の長さ）｝
／２であれば良い。即ち、二つの切欠き部２ｃの深さは
同一であるのが良い。この理由は、半導体パッケージの
金属枠体との熱膨張差による熱歪みを立壁部２から平板
部１に均等に分散させるためである。均等に分散されな
い場合、熱応力分散のバランスがくずれて入出力端子３
が破損する傾向にある。

【００２９】また、平板部１と立壁部２とで挟持される
線路導体１ａの部位の長さは、０．３〜０．８ｍｍであ
るのが良い。０．３ｍｍ未満の場合、切欠き部２ｃの長
さが非常に長くなり、半導体パッケージの金属枠体との
熱膨張差による熱歪みにより、入出力端子３が破損する
傾向にある。一方、０．８ｍｍを超えると、半導体素子
と外部電気回路基板との間での高周波信号の入出力時に
おける伝送損失が非常に大きくなる。

【００３０】なお、切欠き部２ｃの形状は、切欠き部２
ｃ内面の接地導体層２ｄが平板部１と立壁部２とに挟持
された線路導体１ａに導通しないものであればよく、例
えば図１のような方形状に限らず、半円形状等の種々の
形状とし得る。

【００３１】本発明の入出力端子３によれば、線路導体
１ａの伝送方向に略垂直な対向する両側面であって、立
壁部２の誘電体が露出している面の下端部に、切欠き部
２ｃを形成したことにより、線路導体１ａの平板部１と
立壁部２とに挟持された部分、即ち線路導体１ａのスト
リップ線路の長さを０．３〜０．８ｍｍと非常に短くで
きる。また、線路導体１ａを伝送する高周波信号の伝搬
モードが、準ＴＥＭモードから、準ＴＥＭモードとＴＥ
Ｍモードとの中間程度のモード、そしてＴＥＭモードと
なるようにできるため、線路導体１ａを伝送する高周波
信号は、ストリップ線路を伝送することにより失われる
誘電体損失や、伝搬モードが急激に変化することによる
反射損失が非常に小さくなる。

【００３２】次に、本発明の半導体パッケージを図２に
基づいて説明する。同図は本発明の半導体パッケージの
実施の形態の一例を示す斜視図である。同図において、
１１は基体であり、その上面にはＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体素子１４を載置するための載置部１１ａを有してい
る。この基体１１は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−
コバルト（Ｃｏ）合金，銅（Ｃｕ）−タングステン
（Ｗ）合金等の金属材料や、Ａｌ₂Ｏ₃セラミックス，Ａ
ｌＮセラミックス，３Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂セラミック
ス等の誘電体から成る。

【００３３】基体１１が金属材料から成る場合、そのイ
ンゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知
の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作され
る。一方、誘電体から成る場合、その原料粉末に適当な
有機バインダや溶剤等を添加混合しペースト状と成すと
ともに、このペーストをドクターブレード法やカレンダ
ーロール法によってセラミックグリーンシートと成し、
しかる後セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施し、これを複数枚積層し約１６００℃の高温で焼
成することによって作製される。

【００３４】なお、基体１１が金属材料から成る場合、
その表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる
金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ
０．５〜５μｍのＡｕ層を順次メッキ法により被着させ
ておくのがよく、基体１１が酸化腐蝕するのを有効に防
止できるとともに、基体１１上面の載置部１１ａに半導
体素子１４を強固に接着固定させることができる。

【００３５】一方、基体１１が誘電体から成る場合、半
導体素子１４を載置する載置部１１ａに、Ｗ，Ｍｏ−Ｍ
ｎ等のメタライズ層を下地層として、耐蝕性に優れかつ
ロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５
〜９μｍのＮｉ層と、厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順
次メッキ法により被着させておくのがよく、基体１１上
面の載置部１１ａに半導体素子１４を強固に接着固定さ
せることができる。

【００３６】また、１２は基体１１上に載置部１１ａを
囲繞するように、プリフォームとされた銀（Ａｇ）ロウ
等のロウ材を介して取着された、金属材料から成る金属
枠体である。

【００３７】なお、この金属枠体１２の壁の幅（厚さ）
は、０．８ｍｍ以上かつ入出力端子３の最上面（立壁部
２上面）の幅より狭くするのが良い。金属枠体１２の幅
が０．８ｍｍ未満の場合、半導体パッケージとして要求
される剛性を満足できなくなる。また、金属枠体１２の
幅が入出力端子３の最上面の幅よりも大きくなると、金
属枠体１２上面に蓋体１６を接合した際に、蓋体１６と
金属枠体１２との熱膨張差または、蓋体１６と入出力端
子３との熱膨張差により発生する熱歪みが大きくなる。
その結果、入出力端子３にその熱歪みが加わりクラック
等による破損が発生し、半導体素子１４と外部電気回路
基板との高周波信号の伝送効率や、半導体パッケージ内
部の気密性が損なわれる。

【００３８】また、１２ａは金属枠体１２の側面に切欠
または貫通孔を形成して成る入出力端子３の取付部であ
り、取付部１２ａの内周面に入出力端子３がＡｇロウ等
のロウ材で嵌着される。

【００３９】また、入出力端子３の半導体パッケージ外
側の線路導体１ａの上面には、外部電気回路基板と入出
力端子３とを電気的に接続するための、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料から成るリード端
子１５が、Ａｇロウ等のロウ材で接合される。このリー
ド端子１５の表面には、耐蝕性に優れかつロウ材との濡
れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮ
ｉ層と、厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順次メッキ法に
より被着させておくのがよく、リード端子１５が酸化腐
蝕するのを有効に防止できる。

【００４０】このような本発明の半導体パッケージは、
本発明の入出力端子３を具備していることから、高周波
信号の入出力による誘電体損失を最小限に抑え、高周波
信号による伝送損失を小さくした、良好な伝送効率を有
するものとなる。また、入出力端子３の最上面の幅を上
記の範囲としているため、金属枠体１２と入出力端子３
との間の熱膨張差による熱歪みを有効に抑制したものと
なる。そのため、半導体パッケージ内部の気密性も損な
われることなく十分なものとなる。

【００４１】また、本発明の半導体装置は、上記本発明
の半導体パッケージと、載置部１１ａに載置固定された
半導体素子１４と、金属枠体１２上面に取着された蓋体
１６とを具備する構成である。

【００４２】そして、本発明の半導体装置は具体的には
以下のようにして作製される。載置部１１ａ上面に半導
体素子１４を載置し、樹脂接着剤，ロウ材等の接着剤で
固定した後、半導体パッケージ内側の線路導体１ａと半
導体素子１４の電極とをボンディングワイヤ，リボン等
（図示せず）で電気的に接続する。次に、金属枠体１２
の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金
属材料や、Ａｌ₂Ｏ₃セラミックス等のセラミックスから
成る蓋体１６を、Ａｕ−錫（Ｓｎ）等の低融点ロウ材や
シームウエルド法等により接合することにより、半導体
素子１４が半導体パッケージ内部に収納された製品とし
ての半導体装置となる。なお、蓋体１６を接合する際に
は、半導体パッケージ内部の気密性がとれるように接合
したほうが、半導体素子１４の酸化腐食等を有効に防止
でき、半導体素子１４をより長期に亘り正常かつ安定に
作動させ得る。

【００４３】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で
あれば種々の変更は可能である。例えば、半導体素子１
４が半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）
等の光半導体素子であっても良く、この場合半導体パッ
ケージは光ファイバ等の光学部品を接続可能な所謂光半
導体パッケージとなる。

【００４４】

【発明の効果】本発明の入出力端子は、略長方形の誘電
体板から成り、上面の一辺から対向する他辺にかけて形
成された線路導体および線路導体の両側に等間隔をもっ
て形成された同一面接地導体とを有する平板部と、平板
部の上面に線路導体を間に挟んで接合された誘電体から
成る立壁部とを具備し、立壁部は、線路導体の伝送方向
に略垂直な対向する両側面の下端部に線路導体を囲むよ
うに切欠き部が形成されているとともに、切欠き部の伝
送方向に略平行な内面に接地導体層が形成されているこ
とにより、線路導体の平板部と立壁部とに挟持された部
分、即ち線路導体のストリップ線路の長さを、０．３〜
０．８ｍｍと非常に短くでき、また線路導体を伝送する
高周波信号の伝搬モードが、準ＴＥＭモードから、準Ｔ
ＥＭモードとＴＥＭモードとの中間程度のモード、そし
てＴＥＭモードと成るようにできるため、線路導体を伝
送する高周波信号はストリップ線路を伝送することによ
り失われる誘電体損失や、伝搬モードが変化することに
よる反射損失が非常に小さくなる。

【００４５】また、本発明の半導体パッケージは、上面
に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、基体
の上面に載置部を囲繞するように取着された金属枠体
と、金属枠体に形成された切欠きまたは貫通孔から成る
入出力端子の取付部と、取付部に嵌着された本発明の入
出力端子とを具備したことから、高周波信号の入出力に
よる誘電体損失を最小限に抑え、高周波信号による伝送
損失を小さくした、良好な伝送特性を有するものとな
る。また、入出力端子の最上面の幅を従来と同様として
いるため、金属枠体と入出力端子との間の熱膨張差によ
る熱歪みを有効に抑制し得る。そのため、半導体パッケ
ージ内部の気密性も良好に保持される。

【００４６】また、本発明の半導体装置は、本発明の半
導体素子収納用パッケージと、載置部に載置固定された
半導体素子と、金属枠体の上面に取着された蓋体とを具
備したことにより、半導体素子が例えば１０ＧＨｚ以上
の高周波信号で作動する場合であっても、半導体素子を
長期に亘り正常かつ安定に作動させ得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の入出力端子について実施の形態の例を
示す斜視図である。

【図２】本発明の半導体パッケージについて実施の形態
の例を示す斜視図である。

【図３】従来の入出力端子の斜視図である。

【符号の説明】

１：平板部１ａ：線路導体１ｂ：同一面接地導体２：立壁部２ｃ：切欠き部２ｄ：接地導体層３：入出力端子１１：基体１１ａ：載置部１２：金属枠体１２ａ：取付部１４：半導体素子１６：蓋体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】略長方形の誘電体板から成り、上面の一
辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体および
該線路導体の両側に等間隔をもって形成された同一面接
地導体とを有する平板部と、該平板部の上面に前記線路
導体を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを
具備した入出力端子において、前記立壁部は、前記線路
導体の伝送方向に略垂直な対向する両側面の下端部に前
記線路導体を囲むように切欠き部が形成されているとと
もに、該切欠き部の前記伝送方向に略平行な内面に接地
導体層が形成されていることを特徴とする入出力端子。
【請求項２】上面に半導体素子が載置される載置部を
有する基体と、該基体の上面に前記載置部を囲繞するよ
うに取着された金属枠体と、該金属枠体に形成された切
欠きまたは貫通孔から成る入出力端子の取付部と、該取
付部に嵌着された請求項１記載の入出力端子とを具備し
たことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】請求項２記載の半導体素子収納用パッケ
ージと、前記載置部に載置固定された半導体素子と、前
記金属枠体の上面に取着された蓋体とを具備したことを
特徴とする半導体装置。