JP5847644B2 - 光源一体型光センサの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、光源一体型光センサの製造方法に関する。
基板上に不透明な樹脂を挟んで発光チップおよび受光チップを設け、これら発光チップおよび受光チップを透明樹脂で覆った光源一体型光センサが知られている(特許文献1参照)。
米国特許出願公開第2010/0258710号明細書
従来技術では、発光チップで発生する熱が受光チップ側へ伝わることによって、受光チップ上の透明樹脂の表面の平坦形状が損なわれ変形したり、受光チップ上の透明樹脂が変質や変色したりするおそれがあった。受光チップ上の透明樹脂の表面の変形や変色は、受光感度の低下など受光特性の劣化につながる。
(1)請求項1の発明による光源一体型光センサの製造方法は、基板上の所定領域に受光部および発光部をそれぞれ設ける工程と、受光部と発光部との間においてマスク部材を設ける工程と、マスク部材をマスクとして、受光部および発光部以外の領域上にマスク部材より低い遮光部材を塗布する工程と、受光部、発光部、および遮光部材の領域上にそれぞれ透光部材を形成する工程と、マスク部材を除去する工程と、を工程順に行うことを特徴とする。
(2)請求項4の発明による光源一体型光センサの製造方法は、基板上の所定領域に、受光部および発光部を、それぞれ、ダイマウントし、受光部を基板上に設けられたパターンにボンディングワイヤにより接続する工程と、受光部および発光部の領域上にそれぞれ透光部材を、発光部または受光部の領域からはみ出さないように形成する工程と、透光部材が形成された領域の周囲に、それぞれ、ボンディングワイヤの全体を覆って、遮光部材を形成する工程と、を工程順に行うことを特徴とする。
(3)請求項5の発明による光源一体型光センサの製造方法は、基板上の所定領域に、受光部および発光部を、それぞれ、ダイマウントし、受光部を基板上に設けられたパターンにボンディングワイヤにより接続する工程と、受光部上の周囲および発光部上の周囲を含み、受光部および発光部以外の領域上に、それぞれ、ボンディングワイヤの全体を覆って、遮光部材を形成する工程と、受光部および発光部の領域上における遮光部材に囲まれた領域内に、それぞれ透光部材を形成する工程と、を工程順に行うことを特徴とする。
本発明によれば、発光部からの熱による特性劣化を抑えた光源一体型光センサを提供できる。
本発明の第一の実施形態による光源一体型光センサの断面図である。 (a),(b),(c)は、光源一体型光センサの製造手順を説明する図である。 第二の実施形態による光源一体型光センサの断面図である。 光源一体型光センサの製造手順を説明する図である。 第三の実施形態による光源一体型光センサの断面図である。 光源一体型光センサの製造手順を説明する図である。 変形例2の光源一体型光センサの製造手順を説明する図である。 第四の実施形態による光源一体型光センサの断面図である。 光源一体型光センサの製造手順を説明する図である。 光源一体型光センサの製造手順を説明する図である。
以下、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。
(第一の実施形態)
図1は、本発明の第一の実施形態による光源一体型光センサ1の断面図である。光源一体型光センサ1は、発光素子および受光素子を一体に構成したものであり、例えば、発光素子から発した光が外部対象物で反射され、その反射光が受光素子で受光されるか否かに基づいて外部対象物の存否を判定する用途などに用いられる。
図1において、有機材料、セラミック、リードフレームなどで構成される基板10の上面に、受光素子(フォトダイオード)および周辺回路を有する受光チップ(PDIC)20が設けられている。受光チップ20は、ボンディングワイヤ21、22によって基板10上のパターン11、12と接続されている。
基板10の上面にはさらに、発光素子で構成される発光チップ30が設けられている。発光チップ30は、例えば発光ダイオード(LED)のアノード電極およびカソード電極のうち一方が、金属で構成されたスルーホール15を介して、基板10の下面に形成されているパターン14と接続される。発光チップ30の他方の電極は、ボンディングワイヤ31によって基板10上の図示しないパターンと接続されている。
上記受光チップ20および発光チップ30の間には金属板70が設けられ、金属板70を挟んで受光チップ20側に不透明樹脂51Bが、発光チップ30側に不透明樹脂51Cが、それぞれ設けられている。受光チップ20を挟んで不透明樹脂51Bと反対側には、不透明樹脂51Aが設けられている。また、発光チップ30を挟んで不透明樹脂51Cと反対側には、不透明樹脂51Dが設けられている。
不透明樹脂51A、受光チップ20、および不透明樹脂51Bの上には、これらをボンディングワイヤ21、22の接着部とともに覆うように透明樹脂41Aが設けられる。また、不透明樹脂51C、発光チップ30、および不透明樹脂51Dの上には、これらをボンディングワイヤ31の接着部とともに覆うように透明樹脂41Bが設けられる。
なお、基板10上のパターン11、12は、スルーホール15と同様の他のスルーホール、または、図示しない貫通ビアを介して基板10の下面に形成されているパターン13などと接続可能に構成されている。
上述した光源一体型光センサ1の製造手順について、図2を参照して説明する。図2(a)において、パターンが形成されている回路基板10の上面の所定位置に受光チップ20をダイマウントする。発光チップ30は、スルーホール15と接続されているパターン上にダイマウントする。続いて、受光チップ20の複数の電極と、基板10のパターン11、12および他のパターンとの間をそれぞれボンディングワイヤ21、22、および不図示のボンディングワイヤでボンディング接続する。また、発光チップ30の上側の電極と、基板10の所定パターンとの間をボンディングワイヤ31によってボンディング接続する。さらに、スルーホール16の真上にダム材60を貼り付ける。ダム材60は、後述する不透明樹脂51、透明樹脂41を形成する際のマスクとして用いる。
図2(b)において、基板10の表面を覆うように不透明樹脂51を塗布する。これにより、受光チップ20の左側に不透明樹脂51Aが、受光チップ20およびダム材60間に不透明樹脂51Bが、ダム材60および発光チップ30間に不透明樹脂51Cが、発光チップ30の右側に不透明樹脂51Dが、それぞれ設けられる。なお、不透明樹脂51には、熱伝導率が低い断熱性材料を用いる。
図2(c)において、不透明樹脂51A、51B、51C、51D、受光チップ20、ダム材60、および発光チップ30の上から透明樹脂41を塗布した後、ダム材60をはがして除去する。ダム材60があった位置に溝(基板10の表面まで達する空間65)ができるので、透明樹脂41は、ダム材60があった位置の左側の透明樹脂41Aと、ダム材60があった位置の右側の透明樹脂41Bとに分離される。
図2(c)の状態で空間65の中に金属板70を設けることにより、図1に例示した光源一体型光センサ1が得られる。なお、金属板70と不透明樹脂51Cとの間、金属板70と不透明樹脂51Bとの間は、熱を金属板70へ吸収しやすくするために充填剤を塗布して隙間を埋めることもできる。また、金属板70と不透明樹脂51Bとの間は、両者間の熱伝導を避けるために空隙を設けておくとよいが、充填剤で隙間を埋める場合もある。空間65をスルーホール16の真上に設けておいたことにより、導熱性材料である金属板70がスルーホール16上に位置するため、発光チップ30側の熱が金属板70に伝わった場合には、スルーホール16を介して基板10下側へ効率よく逃がせる。
以上説明した第一の実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
(1)光源一体型光センサ1の製造方法は、基板10上の所定領域に受光チップ20および発光チップ30をそれぞれ設ける工程と、受光チップ20と発光チップ30との間においてダム材60を設ける工程と、受光チップ20および発光チップ30以外の領域上に不透明樹脂51を形成する工程と、受光チップ20、発光チップ30、および不透明樹脂51の領域上にそれぞれ透明樹脂41を形成する工程と、ダム材60を除去する工程と、を上記工程順に行うようにした。これにより、透明樹脂41(不透明樹脂51)は、上記除去した位置の左側の透明樹脂41A(不透明樹脂51B)と、除去した位置の右側の透明樹脂41B(不透明樹脂51C)とに分離されることから、発光チップ30から受光チップ20を覆う透明樹脂41Aへの熱伝導が緩和される。この結果、熱による特性の劣化を抑えた光源一体型光センサ1を提供できる。具体的には、受光チップ20を覆う透明樹脂41Aの表面が熱により変形したり、透明樹脂41Aが変色したりすることを防止するので、受光特性の劣化が抑えられる。
(2)上記光源一体型光センサ1の製造方法において、不透明樹脂51には断熱性材料を用いるようにしたので、発光チップ30から受光チップ20を覆う透明樹脂41Aへの熱伝導を効果的に緩和する光源一体型光センサ1を提供できる。
(3)図2(c)の状態で空間65の中に金属板70を設け、発光チップ30側から金属板70へ伝わった熱を、直下のスルーホール16を介して基板10の下面側パターンへ放熱するようにした。金属板70を設けて放熱効果を高めたことにより、発光チップ30側から受光チップ20側への熱伝導がさらに緩和される。このように、熱による特性の劣化を抑えた光源一体型光センサ1を提供できる。
(変形例1)
図2(c)の状態で金属板70を空間65内へ実装することなく、図2(c)の状態の光源一体型光センサとしてもよい。金属板70を設けなくても、空間65を設けたことによって発光チップ30側から受光チップ20側への熱伝導が緩和されるため、受光チップ20を覆う透明樹脂41Aの表面が熱により変形したり、透明樹脂41Aが変色したりすることを防止できる。なお、変形例1の場合は、空間65内へ外光が入射されたとしても、不透明樹脂51Bによって受光チップ20で受光しないように遮光される。
(第二の実施形態)
図3は、本発明の第二の実施形態による光源一体型光センサ1Bの断面図である。図3による光源一体型光センサ1Bは、上述した光源一体型光センサ1と比べて、発光チップ30と受光チップ20との間に金属板70(または空間65)を設けない点、基板10Bに放熱用のスルーホール16を設けていない点、受光チップ20の開口部(受光部)の周囲を不透明樹脂51A、51Bで囲んだ点が異なる。不透明樹脂51A、51Bは、後述する透明樹脂41を形成する際のマスクとして用いる。
上述した光源一体型光センサ1Bの製造手順について、図4を参照して説明する。図4において、パターンが形成されている回路基板10Bの上面の所定位置に受光チップ20をダイマウントする。発光チップ30は、スルーホール15と接続されているパターン上にダイマウントする。続いて、受光チップ20の複数の電極と、基板10Bのパターン11、12および他のパターンとの間をそれぞれボンディングワイヤ21、22、および不図示のボンディングワイヤでボンディング接続する。また、発光チップ30の上側の電極と、基板10Bの所定パターンとの間をボンディングワイヤ31によってボンディング接続する。
さらに、受光チップ20の開口部(入射口)の周囲を囲むように不透明樹脂51Aおよび51Bを用いてダム材を形成する。不透明樹脂51A、51Bには、熱伝導率が低い断熱性材料を用いる。
図4の状態で、基板10Bおよび受光チップ20、発光チップ30の上から透明樹脂41を塗布する。ダム材として不透明樹脂51Aおよび51Bを設けておいたことにより、透明樹脂41は、ダム材の内側で受光チップ20の開口部(受光部)を覆う領域41Aと、ダム材の外側の領域41Bとに分離される。
以上説明した第二の実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
(1)光源一体型光センサ1Bの製造方法は、基板10B上の所定領域に受光チップ20および発光チップ30をそれぞれ設ける工程と、受光チップ20上において入射開口部を囲むように不透明樹脂51A,51Bを形成する工程と、不透明樹脂51A,51Bの内側および外側それぞれに透明樹脂41を形成する工程と、を上記工程順に行うようにした。これにより、透明樹脂41は、上記不透明樹脂51A,51Bの内側の透明樹脂41Aと、不透明樹脂51A,51Bの外側の透明樹脂41Bとに分離されることから、発光チップ30から受光チップ20を覆う透明樹脂41Aへの熱伝導が緩和される。この結果、発光チップ30からの熱による特性の劣化を抑えた光源一体型光センサ1Bを提供できる。
(2)上記光源一体型光センサ1Bの製造方法において、不透明樹脂51A、51Bには、断熱性材料を用いるようにしたので、発光チップ30から受光チップ20を覆う透明樹脂41Aへの熱伝導を効果的に緩和する光源一体型光センサ1Bを提供できる。
(第三の実施形態)
図5は、本発明の第三の実施形態による光源一体型光センサ1Cの断面図である。図5による光源一体型光センサ1Cは、上述した光源一体型光センサ1Bと比べて、受光チップ20の開口部(受光部)を透明樹脂41Cでレンズ状に封止した点が異なる。
上述した光源一体型光センサ1Cの製造手順について、図6を参照して説明する。図6において、パターンが形成されている回路基板10Bの上面の所定位置に受光チップ20をダイマウントする。発光チップ30は、スルーホール15と接続されているパターン上にダイマウントする。続いて、受光チップ20の複数の電極と、基板10Bのパターン11、12および他のパターンとの間をそれぞれボンディングワイヤ21、22、および不図示のボンディングワイヤでボンディング接続する。また、発光チップ30の上側の電極と、基板10Bの所定パターンとの間をボンディングワイヤ31によってボンディング接続する。
さらに、受光チップ20の開口部(受光部)を覆うように透明樹脂41Cをポッティングにより盛り上げてレンズ状に封止する。また、発光チップ30の開口部(発光部)を覆うように透明樹脂41Dをポッティングにより盛り上げてレンズ状に封止する。これらは、レンズ効果を有する。
図6の状態で、基板10Bおよび受光チップ20、発光チップ30の上から不透明樹脂51を塗布する。先にポッティングした透明樹脂41Cおよび41Dをそれぞれ避けて塗布することにより、透明樹脂41C、41Dと、不透明樹脂51A,51B、51Cとを分離して形成する。
以上説明した第三の実施形態によれば、以下の作用効果が得られる。
(1)光源一体型光センサ1Cの製造方法は、基板10B上の所定領域に受光チップ20および発光チップ30をそれぞれ設ける工程と、受光チップ20および発光チップ30の領域上にそれぞれ透明樹脂41C、41Dを形成する工程と、受光チップ20および発光チップ30以外の領域上に不透明樹脂51A、51B、51Cを透明樹脂41C、41Dより高く形成する工程と、を上記工程順に行うようにした。これにより、透明樹脂41Cは、上記不透明樹脂51A,51Bから分離されることから、発光チップ30から受光チップ20を覆う透明樹脂41Cへの熱伝導が緩和される。この結果、発光チップ30からの熱による特性の劣化を抑えた光源一体型光センサ1Cを提供できる。
(2)上記光源一体型光センサ1Cの製造方法において、透光部材に樹脂41Cを用いるので、ガラス材に比べて軽量で安価に製造できる。樹脂は熱により変形や変色が生じるので、発光チップ30から受光チップ20を覆う透明樹脂41Cへの熱伝導を緩和することはとくに重要である。
(変形例2)
上述した図5の光源一体型光センサ1Cを、変形例2の製造手順によって製造することもできる。変形例2では、透明樹脂41Cおよび41Dをポッティングする前に不透明樹脂51を塗布する点が第三の実施形態の手順と異なる。変形例2の製造手順について、図7を参照して説明する。
図7において、透明樹脂41Cのポッティング予定位置、および透明樹脂41Dのポッティング予定位置を避けて、基板10Bおよび受光チップ20、発光チップ30の上から不透明樹脂51を塗布する。次に、透明樹脂41Cおよび41Dをそれぞれポッティングすることにより、レンズ状に封止する。
変形例2の製造手順でも、受光チップ20の受光部をレンズ状に封止した透明樹脂41Cを、他の封止部材である不透明樹脂51Bと分離できるので、発光チップ30側から透明樹脂41Cへの熱伝導が緩和されるため、受光チップ20の受光部を覆う透明樹脂41Cの表面が熱により変形したり、透明樹脂41Cが変色したりすることを防止できる。
(第四の実施形態)
図8は、本発明の第四の実施形態による光源一体型光センサ1Dの断面図である。図8による光源一体型光センサ1Dは、上述した光源一体型光センサ1Cと比べて、受光チップ20の開口部(受光部)および発光チップ30の開口部(発光部)上に透明樹脂41をポッティングしない点、および受光チップ20の開口部(受光部)上にガラス材80を設ける点が異なる。
上述した光源一体型光センサ1Dの製造手順について、図9および図10を参照して説明する。図9において、パターンが形成されている回路基板10Bの上面の所定位置に受光チップ20をダイマウントする。発光チップ30は、スルーホール15と接続されているパターン上にダイマウントする。続いて、受光チップ20の複数の電極と、基板10Bのパターン11、12および他のパターンとの間をそれぞれボンディングワイヤ21、22、および不図示のボンディングワイヤでボンディング接続する。また、発光チップ30の上側の電極と、基板10Bの所定パターンとの間をボンディングワイヤ31によってボンディング接続する。さらに、受光チップ20の開口部(受光部)の上に、ガラス材80を接着する。
図10において、ガラス材80、および発光チップ30の開口部(発光部)を避けて、基板10Bおよび受光チップ20、発光チップ30の上から不透明樹脂51A、51B、および51Cを塗布する。そして、最後に透明樹脂41を塗布してコーティングする。これにより、図8に例示したように、発光チップ30を覆う領域41Bと、左端の領域41Aとが形成される。
以上説明した第四の実施形態によれば、以下の作用効果が得られる。すなわち、基板10B上の所定領域に受光チップ20および発光チップ30をそれぞれ設ける工程と、受光チップ20の領域上にガラス材80を設ける工程と、ガラス材80および発光チップ30以外の領域上に、不透明樹脂51A,51B、51Cを発光チップ30より高く形成する工程と、発光チップ30および不透明樹脂51A,51B、51Cの領域上に透明樹脂41A、41Bを形成する工程と、を前記工程順に行うので、発光チップ30側からガラス材80へ熱が伝わったとしても、透明樹脂の場合と異なり、変形や変色が生じないから、発光チップ30からの熱による特性の劣化を抑えた光源一体型光センサ1Dを提供できる。
以上の説明はあくまで一例であり、上記の実施形態の構成に何ら限定されるものではない。
1、1B、1C、1D…光源一体型光センサ
10、10B…基板
11、12、13、14…パターン
15、16…スルーホール
20…受光チップ
21、22、31…ボンディングワイヤ
30…発光チップ
40、41A、41B、41C、41D…透明樹脂
51、51A、51B、51C…不透明樹脂
60…ダム材
65…空間
70…金属板

Claims (6)

  1. 基板上の所定領域に受光部および発光部をそれぞれ設ける工程と、
    前記受光部と前記発光部との間においてマスク部材を設ける工程と、
    前記マスク部材をマスクとして、前記受光部および前記発光部以外の領域上に前記マスク部材より低い遮光部材を塗布する工程と、
    前記受光部、前記発光部、および前記遮光部材の領域上にそれぞれ透光部材を形成する工程と、
    前記マスク部材を除去する工程と、
    を前記工程順に行うことを特徴とする光源一体型光センサの製造方法。
  2. 請求項1に記載の光源一体型光センサの製造方法において、
    さらに、前記マスク部材が設けられていた領域に金属板を設ける工程を備えることを特徴とする光源一体型光センサの製造方法。
  3. 請求項2に記載の光源一体型光センサの製造方法において、
    前記受光部および前記発光部を設ける工程の前に、前記基板にスルーホールおよび前記スルーホールに接続される下面前パターンを形成する工程を備え、前記金属板は、前記スルーホール上に形成することを特徴とする光源一体型光センサの製造方法。
  4. 基板上の所定領域に、受光部および発光部を、それぞれ、ダイマウントし、前記受光部を前記基板上に設けられたパターンにボンディングワイヤにより接続する工程と、
    前記受光部および前記発光部の領域上にそれぞれ透光部材を、前記発光部または前記受光部の領域からはみ出さないように形成する工程と、
    前記透光部材が形成された領域の周囲に、それぞれ、前記ボンディングワイヤの全体を覆って、遮光部材を形成する工程と、
    を前記工程順に行うことを特徴とする光源一体型光センサの製造方法。
  5. 基板上の所定領域に、受光部および発光部を、それぞれ、ダイマウントし、前記受光部を前記基板上に設けられたパターンにボンディングワイヤにより接続する工程と、
    前記受光部上の周囲および前記発光部上の周囲を含み、前記受光部および前記発光部以外の領域上に、それぞれ、前記ボンディングワイヤの全体を覆って、遮光部材を形成する工程と、
    前記受光部および前記発光部の領域上における前記遮光部材に囲まれた領域内に、それぞれ透光部材を形成する工程と、
    を前記工程順に行うことを特徴とする光源一体型光センサの製造方法。
  6. 請求項4または5に記載の光源一体型光センサの製造方法において、
    前記透光部材は、ポッティングによりレンズ状に形成することを特徴とする光源一体型光センサの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11694468B2 (en) 2020-03-23 2023-07-04 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6450569B2 (ja) * 2014-11-20 2019-01-09 新日本無線株式会社 フォトリフレクタ及びその製造方法
KR102480234B1 (ko) * 2017-07-21 2022-12-22 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 센서 패키지
KR102515594B1 (ko) * 2017-07-21 2023-03-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 센서 패키지
DE102018130510A1 (de) * 2018-11-30 2020-06-04 Vishay Semiconductor Gmbh Strahlungssensor und Herstellungsverfahren hierfür
JPWO2021192148A1 (ja) * 2020-03-26 2021-09-30
JP2024012998A (ja) * 2022-07-19 2024-01-31 タカハタプレシジョン株式会社 センサモジュール

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61204989A (ja) * 1985-03-08 1986-09-11 Toshiba Corp 半導体光電変換装置
JPH05152603A (ja) * 1991-11-28 1993-06-18 Sharp Corp 反射型光結合装置
JPH11289105A (ja) * 1998-04-03 1999-10-19 Citizen Electronics Co Ltd フォトリフレクタとその製造方法
JP3696839B2 (ja) * 2001-03-14 2005-09-21 松下電器産業株式会社 照明装置
JP2006338785A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Sony Corp 受発光集積装置及び光ディスク装置
JP4955953B2 (ja) * 2005-07-28 2012-06-20 シャープ株式会社 光半導体装置および電子機器
JP2010093127A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光装置
JP2010114141A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Sharp Corp 受光・発光一体型光半導体装置および電子機器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11694468B2 (en) 2020-03-23 2023-07-04 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same

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