CN104272474B - 光源一体式光传感器以及光源一体式光传感器的制造方法 - Google Patents

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Abstract

光源一体式光传感器具备：设置在基板上的规定区域的受光部；设置在基板上的与受光部不同的区域的发光部；以覆盖该受光部的方式设置在受光部上的第一透光部件；与第一透光部件隔着空间设置，且以覆盖该发光部的方式设置在发光部上的第二透光部件；以及形成于空间的一部分的遮光部件。

Description

光源一体式光传感器以及光源一体式光传感器的制造方法
技术领域
本发明涉及光源一体式光传感器及其制造方法。
背景技术
公知有在基板上隔着不透明的树脂设置发光芯片以及受光芯片，并用透明树脂覆盖这些发光芯片以及受光芯片的光源一体式光传感器(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2010/0258710号说明书
发明内容
发明所要解决的课题
在现有技术中，由于由发光芯片产生的热向受光芯片侧传导，因而存在受光芯片上的透明树脂的表面的平坦形状受损变形、或者受光芯片上的透明树脂变质或变色的可能性。受光芯片上的透明树脂的表面的变质或变色关系到受光灵敏度下降等受光特性的劣化。
用于解决课题的方案
根据本发明的第1方案，光源一体式光传感器具备：设置在基板上的规定区域的受光部；设置在基板上的与受光部不同的区域的发光部；以覆盖该受光部的方式设置在受光部上的第一透光部件；与第一透光部件隔着空间设置，且以覆盖该发光部的方式设置在发光部上的第二透光部件；以及形成于空间的一部分的遮光部件。
根据本发明的第2方案，在第1方案的光源一体式光传感器中，优选遮光部件由绝热性材料构成。
根据本发明的第3方案，在第1方案的光源一体式光传感器中，优选遮光部件由导热性材料构成。
根据本发明的第4方案，在第3方案的光源一体式光传感器中，优选导热性材料位于基板上所设的通孔上。
根据本发明的第5方案，在第1～第4方案的光源一体式光传感器中，优选至少第一透光部件由树脂形成。
根据本发明的第6方案，光源一体式光传感器的制造方法按下述工序顺序进行：在基板上的规定区域分别设置受光部以及发光部的工序；在受光部与发光部之间设置掩模部件的工序；在受光部以及发光部以外的区域上形成遮光部件的工序；在受光部、发光部、以及遮光部件的区域上分别形成透光部件的工序；以及除去掩模部件的工序。
根据本发明的第7方案，光源一体式光传感器的制造方法按下述工序顺序进行：在基板上的规定区域分别设置受光部以及发光部的工序；在受光部以及发光部的区域上分别形成透光部件的工序；以及在受光部以及发光部以外的区域上，将遮光部件形成为比透光部件高的工序。
根据本发明的第8方案，光源一体式光传感器的制造方法按下述工序顺序进行：在基板上的规定区域分别设置受光部以及发光部的工序；在受光部以及发光部以外的区域上形成遮光部件的工序；以及在受光部以及发光部的区域上，分别将透光部件形成为比遮光部件低的工序。
根据本发明的第9方案，光源一体式光传感器的制造方法按下述工序顺序进行：在基板上的规定区域分别设置受光部以及发光部的工序；在受光部上，以包围入射口的方式形成遮光部件的工序；以及在遮光部件的内侧以及外侧各自的区域上形成透光部件的工序。
根据本发明的第10方案，光源一体式光传感器的制造方法按下述工序顺序进行：在基板上的规定区域分别设置受光部以及发光部的工序；在受光部的区域上设置玻璃部件的工序；在玻璃部件以及发光部以外的区域上，将遮光部件形成为比发光部高的工序；以及在发光部以及遮光部件的区域上形成透光部件的工序。
根据本发明的第11方案，在第6～第10方案的光源一体式光传感器的制造方法中，优选遮光部件使用绝热性材料。
发明的效果如下。
在本发明的光源一体式光传感器中，可抑制来自发光部的热引起的特性劣化。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的光源一体式光传感器的剖视图。
图2(a)、图2(b)、图2(c)、图2(d)是说明光源一体式光传感器的制造方法的图。
图3是变形例1的光源一体式光传感器的剖视图。
图4是变形例2的光源一体式光传感器的剖视图。
图5是变形例3的光源一体式光传感器的剖视图。
图6是变形例4的光源一体式光传感器的剖视图。
图7是变形例8的光源一体式光传感器的剖视图。
图8(a)、图8(b)、图8(c)是说明光源一体式光传感器的制造方法的图。
图9是第二实施方式的光源一体式光传感器的剖视图。
图10(a)、图10(b)、图10(c)是说明光源一体式光传感器的制造顺序的图。
图11是第三实施方式的光源一体式光传感器的剖视图。
图12是说明光源一体式光传感器的制造顺序的图。
图13是第四实施方式的光源一体式光传感器的剖视图。
图14是说明光源一体式光传感器的制造顺序的图。
图15是说明变形例9的光源一体式光传感器的制造顺序的图。
图16是第五实施方式的光源一体式光传感器的剖视图。
图17是说明光源一体式光传感器的制造顺序的图。
图18是说明光源一体式光传感器的制造顺序的图。
图19是表示第二实施方式的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。
图20是表示第四实施方式的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。
图21是表示变形例9的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。
图22是表示第三实施方式的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。
图23是表示第五实施方式的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。
具体实施方式
以下参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。
＜第一实施方式＞
图1是本发明的第一实施方式的光源一体式光传感器1的剖视图。光源一体式光传感器1是将发光元件以及受光元件构成为一体而成的传感器，例如用于以下用途等，即、从发光元件发出的光由外部对象物反射，基于该反射光是否由受光元件接受来判定外部对象物的有无。
在图1中，在由有机材料、陶瓷、引线框等构成的基板10的上表面，设有具有受光元件(光电二极管)以及周边电路的受光芯片(PDIC)20。受光芯片20通过接合线21、22而与基板10上的图形11、12连接。
在基板10的上表面还设有由发光元件构成的发光芯片30。发光芯片30例如是发光二极管(LED)，发光芯片30的正极电极以及负极电极中的一方经由用金属构成的通孔15而与形成于基板10的下表面的图形14连接。发光芯片30的另一方的电极通过接合线31而与基板10上的未图示的图形连接。
在上述受光芯片20以及发光芯片30之间设有空间60，隔着空间60分别在受光芯片20侧设有不透明树脂51A、在发光芯片30侧设有不透明树脂51B。关于不透明树脂51B的高度，至少遮蔽从发光芯片30向受光芯片20侧射出的光，确保受光芯片20不会受到来自发光芯片30的直接光的高度。不透明树脂51A的高度与不透明树脂51B的高度大致相同。不透明树脂51A设为不使受光芯片20受到向空间60入射的外部光。
在不透明树脂51A的受光芯片20侧，以覆盖受光芯片20以及接合线21、22的方式设有透明树脂41A。另外，在不透明树脂51B的发光芯片30侧，以覆盖发光芯片30以及接合线31的方式设有透明树脂41B。
此外，基板10上的图形11、12经由与通孔15相同的其他通孔或者未图示的贯通孔而与形成于基板10的下表面的图形13等连接。
参照图2对上述的光源一体式光传感器1的制造方法进行说明。在图2(a)中，在形成有图形的电路基板10的上表面的规定位置安装受光芯片20。在与通孔15连接的图形上安装发光芯片30。接着，分别用接合线21、22、以及未图示的接合线对受光芯片20的多个电极与基板10的图形11、12以及其他的图形之间接合连接。另外，用接合线31将发光芯片30的上侧的电极与基板10的规定图形之间接合连接。
在图2(b)中，以分别覆盖受光芯片20以及接合线21、22、以及发光芯片30以及接合线31的方式用透明树脂41密封。在图2(c)中，在受光芯片20以及发光芯片30间，对透明树脂41的一部分实施进行切削的切片加工，直至到达基板10的表面。由此，透明树脂41分离为透明树脂41A和41B。此外，切削的深度也可以比基板10的表面深。
在图2(d)中，在透明树脂41A与41B之间填充不透明树脂51。不透明树脂51使用热传导率低的绝热性材料。并且，对所填充的不透明树脂51的一部分实施进行切削的切片加工，直至到达基板10的表面。由此，不透明树脂51分离为不透明树脂51A和51B，得到图1中例示的光源一体式光传感器1。
根据以上说明的第一实施方式，可得到以下的作用效果。
(1)光源一体式光传感器1具备：设置在基板10上的规定区域的受光芯片20；设置在基板10上的与受光芯片20不同的区域的发光芯片30；以覆盖该受光芯片20的方式设置在受光芯片20上的透明树脂41A；与透明树脂41A隔着空间60设置且以覆盖该发光芯片30的方式设置在发光芯片30上的透明树脂41B；以及形成于空间60的一部分的不透明树脂51A、51B，因此能够抑制来自发光芯片30的热产生的影响。具体而言，防止覆盖受光芯片20的透明树脂41A的表面因热而变形、或者透明树脂41A变色，因此可抑制受光特性的劣化。另外，受光芯片20不接受来自发光芯片30的直接光，并且受光芯片20也不接受向透明树脂41A与透明树脂41B之间的空间60入射的外部光，因此能够排除不需要光的受光。
(2)在上述(1)的光源一体式光传感器1中，由于用绝热性材料构成不透明树脂51A、51B，因此可缓和从发光芯片30向覆盖受光芯片20的透明树脂41A的热传导。由此，能够抑制来自发光芯片30的热产生的影响(受光特性的劣化)。
(3)在上述(1)的光源一体式光传感器1中，由于用透明树脂41A覆盖受光芯片20，因此与用玻璃材料覆盖的情况相比，轻量且将成本抑制得较低。
(变形例1)
图3是变形例1的光源一体式光传感器1B的剖视图。图3的光源一体式光传感器1B与上述的光源一体式光传感器1相比，仅在空间60的受光芯片20侧设有不透明树脂51这点不同。
关于变形例1的光源一体式光传感器1B，在图2(d)中例示的不透明树脂51的透明树脂41B侧，对不透明树脂51的一部分实施进行切削的切片加工，直至到达基板10的表面。通过该加工，仅在空间60的受光芯片20侧残留有不透明树脂51，在空间60的发光芯片30侧未残留不透明树脂。通过设置不透明树脂51，即使外部光向空间60入射，也能够遮蔽外部光，不使受光芯片20受光。此外，上述切削的深度也可以比基板10的表面深。
变形例1的情况下，通过设置空间60，也可缓和从自发光芯片30侧向受光芯片20侧的热传导，因此能够防止覆盖受光芯片20的透明树脂41A的表面因热而变形、或者透明树脂41A变色。
(变形例2)
图4是变形例2的光源一体式光传感器1C的剖视图。图4的光源一体式光传感器1C与上述的光源一体式光传感器1相比，在透明树脂41A的面向空间60的一侧面上形成有遮光膜51C这点不同。
在变形例2的光源一体式光传感器1C中，对图2(c)中例示的透明树脂41A的右侧面(空间侧)溅射蒸镀规定的金属材料而形成遮光膜51C。由此，在透明树脂41A以及透明树脂41B隔着空间60分离的状态下，能够遮蔽向空间60入射的外部光，不会由受光芯片20接受。
变形例2的情况下，通过设置空间60，也可缓和从发光芯片30侧向受光芯片20侧的热传导，因此能够防止覆盖受光芯片20的透明树脂41A的表面因热而变形、或者透明树脂41A变色。
(变形例3)
图5是变形例3的光源一体式光传感器1D的剖视图。图5的光源一体式光传感器1D与图1的光源一体式光传感器1相比，在空间60内设有热传导率较高的材料、例如金属板70这点、以及与金属板70的正下方的位置一致地形成有通孔16这点不同。
在变形例3的光源一体式光传感器1D中，对在基板10追加形成有通孔16的基板10B实施与光源一体式光传感器1相同的处理，除此以外，在通孔16的正方上设置作为导热性材料的金属板70。关于从发光芯片30侧向金属板70传导的热，能够经由通孔16从基板10B的下表面侧图形17散热。
此外，为了容易将发光芯片30侧的热吸收到金属板70，在金属板70与不透明树脂51B之间涂敷填充剂来填埋间隙即可。另外，为了避免两者间的热传导，在金属板70与不透明树脂51A之间设置空隙即可。由于金属板70位于通孔16上，因此在发光芯片30侧的热传导到金属板70的情况下，经由通孔16向基板10下侧效率良好动释放该热。
变形例3的情况下，由于通过设置不透明树脂51A、51B以及金属板70可缓和从发光芯片30侧向受光芯片20侧的热传导，因此能够防止覆盖受光芯片20的透明树脂41A的表面因热而变形、或者透明树脂41A变色。
(变形例4)
图6是变形例4的光源一体式光传感器1E的剖视图。图6的光源一体式光传感器1E与图3的光源一体式光传感器1B相比，在空间60内设有热传导率较高的材料、例如金属板70这点、以及与金属板70的正下方的位置一致地形成有通孔16这点不同。
在变形例4的光源一体式光传感器1E中，对在基板10追加形成有通孔16的基板10B实施与光源一体式光传感器1B相同的处理，除此以外，在通孔16的正上方设置作为导热性材料的金属板70。关于从发光芯片30侧向金属板70传导的热，能够经由通孔16从基板10B的下表面侧图形17散热。
变形例4的情况下，由于通过设置不透明树脂51以及金属板70可缓和从发光芯片30侧向受光芯片20侧的热传导，因此能够防止覆盖受光芯片20的透明树脂41A的表面因热而变形、或者透明树脂41A变色。
(变形例5)
在变形例3或变形例4中，在设置金属板70的情况下，也可以省略不透明树脂51A、51B或不透明树脂51。该情况下，能够从发光芯片30向受光芯片20侧射出的直接光由金属板70遮蔽。
(变形例6)
在上述的说明中，对使空间60的深度为到达基板10的表面的深度的例子进行了说明。也可以代替其而构成为，在不为到达基板10的表面的深度也能够缓和热的影响的情况下，使空间60的深度停留在未到达基板10的中途的深度。
(变形例7)
对将受光芯片20、发光芯片30与基板10的图形之间进行接合连接的例子进行了说明，但也可以使用除此以外的连接方法、例如倒装片连接、TAB连接。
(变形例8)
图7是变形例8的光源一体式光传感器1P的剖视图。图7的光源一体式光传感器1P与上述实施方式的光源一体式光传感器1相比，在基板10上层叠不透明树脂的层18A、18B、18C、18D这点不同。
参照图2(a)以及图8对变形例8的光源一体式光传感器1P的制造方法进行说明。在图2(a)中例示的电路基板10上，以分别与受光芯片20以及发光芯片30的外周面相接的方式涂敷不透明树脂18，设置由不透明树脂18构成的遮光层。在图8(a)中，在受光芯片20的左侧形成不透明树脂18A，在受光芯片20以及发光芯片30之间形成不透明树脂18，在发光芯片30的右侧形成不透明树脂18D。
接着，分别用透明树脂41密封受光芯片20以及接合线21、22、发光芯片30以及接合线31、以及上述不透明树脂18A、18、18D。在图8(b)中，在受光芯片20以及发光芯片30之间，对透明树脂41以及不透明树脂18的一部分实施比基板10的表面切削得深的切片加工。由此，透明树脂41分离为透明树脂41A和41B，不透明树脂18分离为不透明树脂18B和18C。
在图8(c)中，在切削后的空间填充不透明树脂51。不透明树脂51使用热传导率低的绝热性材料。并且，对填充的不透明树脂51的一部分实施进行切削的切片加工，直至到达填充该不透明树脂51的空间的底(即基板10)。由此，不透明树脂51分离为不透明树脂51A和51B，得到图7中例示的光源一体式光传感器1P。
变形例8的光源一体式光传感器1P起到与光源一体式传感器1相同的作用效果。光源一体式光传感器1P还在基板10上层叠不透明树脂层18，由于在比不透明树脂层18的遮光层切削得深的空间60内，以与不透明树脂18B、18C分别相接的方式形成不透明树脂51A、51B，因此能够抑制来自发光芯片30的光在基板10内传导而到达受光芯片20的所谓的漏光。
＜第二实施方式＞
对与第一实施方式的光源一体式光传感器1不同的光源一体式光传感器1F及其制造方法进行说明。图9是本发明的第二实施方式的光源一体式光传感器1F的剖视图。对于与第一实施方式的光源一体式光传感器1(图1)相同的结构，标注与图1共用的符号并省略说明。
在图9中，在受光芯片20以及发光芯片30之间设有金属板70，隔着金属板70分别在受光芯片20侧设有不透明树脂51K，在发光芯片30侧设有不透明树脂51L。在隔着受光芯片20而与不透明树脂51K相反的一侧设有不透明树脂51J。另外，在隔着发光芯片30而与不透明树脂51L相反的一侧设有不透明树脂51M。
在不透明树脂51J、受光芯片20、以及不透明树脂51K上，以均覆盖这些部件与接合线21、22的粘接部的方式设有透明树脂41A。另外，在不透明树脂51L、发光芯片30、以及不透明树脂51M上，以均覆盖这些部件与接合线31的粘接部的方式设有透明树脂41B。
此外，基板10B上的图形11、12经由与通孔15相同的其他通孔、或者未图示的贯通孔而与形成于基板10B的下表面的图形13等连接。
参照图10对上述的光源一体式光传感器1的制造顺序进行说明。在图10(a)中，在形成有图形的电路基板10B的上表面的规定位置安装受光芯片20。在与通孔15连接的图形上安装发光芯片30。接着，分别用接合线21、22以及未图示的接合线对受光芯片20的多个电极、与基板10B的图形11、12以及其他图形之间进行接合连接。另外，用接合线31对发光芯片30的上侧的电极与基板10B的规定图形之间进行接合连接。并且，在通孔16的正上方贴附阻挡材料(ダム材)65。阻挡材料65作为后述的形成不透明树脂51、透明树脂41时的掩模而使用。
在图10(b)中，以覆盖基板10B的表面的方式涂敷不透明树脂51。由此，分别在受光芯片20的左侧设有不透明树脂51J，在受光芯片20以及阻挡材料65间设有不透明树脂51K，在阻挡材料65以及发光芯片30间设有不透明树脂51L，在发光芯片30的右侧设有不透明树脂51M。此外，不透明树脂51使用热传导率低的绝热性材料。
接着，从不透明树脂51J、51K、51L、51M、受光芯片20、阻挡材料65、以及发光芯片30上涂敷透明树脂41之后，剥下并除去阻挡材料65。在图10(c)中，由于能够在阻挡材料65所处的位置形成槽(直至到达基板10B的表面的空间60)，因此透明树脂41分离为阻挡材料65所处的位置的左侧的透明树脂41A、和阻挡材料65所处的位置的右侧的透明树脂41B。
通过以图10(c)的状态在空间60中设置金属板70，可得到图9中例示的光源一体式光传感器1F。此外，为了容易将热吸收到金属板，还能够在金属板70与不透明树脂51L之间、以及金属板70与不透明树脂51K之间涂敷填充剂来填埋间隙。另外，虽然为了避免两者间的热传导而在金属板70与不透明树脂51K之间设置有空隙为宜，但也存在用填充剂填埋间隙的情况。通过在通孔16的正上方设置空间60，而作为导热性材料的金属板70位于通孔16上，因此在发光芯片30侧的热传到金属板70的情况下，经由通孔16向基板10B下侧效率良好地释放该热。
参照图19对以上说明的第二实施方式的作用效果进行说明。图19是表示第二实施方式的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。
(1)光源一体式光传感器1F的制造方法按以下工序顺序进行，即、在基板10B上的规定区域分别设置受光芯片20以及发光芯片30的工序(图19的S1)；在受光芯片20与发光芯片30之间设置阻挡材料65的工序(图19的S2)；在受光芯片20以及发光芯片30以外的区域上形成不透明树脂51的工序(图19的S3)；在受光芯片20、发光芯片30、以及不透明树脂51的区域上分别形成透明树脂41的工序(图19的S4)；以及除去阻挡材料65的工序(图19的S5)。由此，将透明树脂41以及不透明树脂51简单地分离为除去了阻挡材料65的位置的左侧的透明树脂41A以及不透明树脂51K、以及除去了阻挡材料65的位置的右侧的透明树脂41B以及不透明树脂51L。
(2)除去阻挡材料65的工序(图19的S5)之后，进一步在图10(c)的空间60中设置金属板70，关于从发光芯片30侧向金属板70传导的热，经由正下方的通孔16而向基板10B的下表面侧图形17(图9)散热。通过设置金属板70来提高散热效果，从而可缓和从发光芯片30侧向受光芯片20侧的热传导。这样，能够提供抑制热引起的特性劣化的光源一体式光传感器1F。
(3)在上述光源一体式光传感器1F的制造方法中，由于不透明树脂51使用绝热性材料，因此能够提供有效地缓和从发光芯片30向覆盖受光芯片20的透明树脂41A的热传导的光源一体式光传感器1F。
(变形例9)
也可以不向图10(c)的空间60内安装金属板70，而是做成图10(c)的状态的光源一体式光传感器。即使不安装金属板70，通过设置空间60可缓和从发光芯片30侧向受光芯片20侧的热传导，因此能够防止覆盖受光芯片20的透明树脂41A的表面因热而变形、或者透明树脂41A变色。此外，在变形例9的情况下，即使外部光向空间60内入射，也由不透明树脂51K遮光，不会使受光芯片20受光。
＜第三实施方式＞
图11是本发明的第三实施方式的光源一体式光传感器1G的剖视图。图11的光源一体式光传感器1G与上述的光源一体式光传感器1F相比，在发光芯片30与受光芯片20之间未设置金属板70(或者空间60)这点、在基板10未设置散热用的通孔16这点、用不透明树脂51J、51K包围受光芯片20的开口部(受光部)的周围这点不同。不透明树脂51J、51K做成后述的形成透明树脂41时的掩模而使用。
参照图12对上述的光源一体式光传感器1G的制造顺序进行说明。在图12中，在形成有图形的电路基板10的上表面的规定位置安装受光芯片20。将发光芯片30安装在与通孔15连接的图形上。接着，分别用接合线21、22、以及未图示的接合线对受光芯片20的多个电极、与基板10的图形11、12以及其他图形之间进行接合连接。另外，用接合线31对发光芯片30的上侧的电极与基板10的规定图形之间进行接合连接。
并且，以包围受光芯片20的开口部(入射口)的周围的方式，使用不透明树脂51J以及51K形成阻挡材料。不透明树脂51J、51K使用热传导率低的绝热性材料。
在图12的状态下，从基板10以及受光芯片20、发光芯片30上涂敷透明树脂41。通过设置不透明树脂51J及51K作为阻挡材料，从而透明树脂41如图11所示，分离为在阻挡材料的内侧覆盖受光芯片20的开口部(受光部)的区域41A、和阻挡材料的外侧的区域41B。
参照图22对以上说明的第三实施方式的作用效果进行说明。图22是表示第三实施方式的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。
(1)光源一体式光传感器1G的制造方法按下述工序顺序进行，即、在基板10上的规定区域分别设置受光芯片20以及发光芯片30的工序(图22的S31)；在受光芯片20上以包围入射开口部的方式形成不透明树脂51J、51K的工序(图22的S32)；以及在不透明树脂51J、51K的内侧以及外侧分别形成透明树脂41的工序(图22的S33)。由此，透明树脂41分离为上述不透明树脂51J、51K的内侧的透明树脂41A、和不透明树脂51J、51K的外侧的透明树脂41B，因此可缓和从发光芯片30向覆盖受光芯片20的透明树脂41A的热传导。其结果，能够提供抑制了来自发光芯片30的热引起的特性劣化的光源一体式光传感器1G。
(2)在上述光源一体式光传感器1G的制造方法中，由于不透明树脂51J、51K使用绝热性材料，因此能够提供有效地缓和从发光芯片30向覆盖受光芯片20的透明树脂41A的热传导的光源一体式光传感器1G。
＜第四实施方式＞
图13是本发明的第四实施方式的光源一体式光传感器1H的剖视图。图13的光源一体式光传感器1H与上述的光源一体式光传感器1G相比，在用透明树脂41C将受光芯片20的开口部(受光部)密封成透镜状这点不同。
参照图14对上述的光源一体式光传感器1H的制造顺序进行说明。在图14中，在形成有图形的电路基板10的上表面的规定位置安装受光芯片20。将发光芯片30安装在与通孔15连接的图形上。接着，分别用接合线21、22、以及未图示的接合线对受光芯片20的多个电极、与基板10的图形11、12以及其他图形之间进行接合连接。另外，用接合线31对发光芯片30的上侧的电极与基板10的规定图形之间进行接合连接。
并且，用通过灌注隆起成透镜状的透明树脂41C来密封受光芯片20的开口部(受光部)。另外，用通过灌注隆起成透镜状的透明树脂41D来密封发光芯片30的开口部(发光部)。这些分别具有透镜效果。
在图14的状态下，从基板10以及受光芯片20、发光芯片30上涂敷不透明树脂51。通过分别避开先前灌注的透明树脂41C以及41D地进行涂敷，从而分离地形成透明树脂41C、41D和不透明树脂51J、51K、51L。此时，将不透明树脂51J、51K、51L形成为比透明树脂41C、41D高。
参照图20对以上说明的第四实施方式的作用效果进行说明。图20是表示第四实施方式的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。
(1)光源一体式光传感器1H的制造方法按下述工序顺序进行，即、在基板10上的规定区域分别设置受光芯片20以及发光芯片30的工序(图20的S11)；在受光芯片20以及发光芯片30的区域上分别形成透明树脂41C、41D的工序(图20的S12)；以及在受光芯片20以及发光芯片30以外的区域上将不透明树脂51J、51K、51L形成为比透明树脂41C、41D高的工序(图20的S13)。由此，透明树脂41C从上述不透明树脂51J、51K分离，因此可缓和从发光芯片30向覆盖受光芯片20的透明树脂41C的热传导。其结果，能够提供抑制来自发光芯片30的热引起的特性劣化的光源一体式光传感器1H。由于树脂容易产生热引起的变形或变色，因此重要的是缓和从发光芯片30向覆盖受光芯片20的透明树脂41C的热传导。
(2)在上述光源一体式光传感器1H的制造方法中，由于在透光部件使用树脂41C，因此与玻璃材料相比，能够轻量且廉价地制造。
(变形例10)
也能够按照变形例10的制造顺序制造上述的图13的光源一体式光传感器1H。图21是表示变形例10的制造顺序的流程图。在变形例10中，在灌注透明树脂41C以及41D(图21的S23)之前涂敷不透明树脂51这点(图21的S22)与第四实施方式的顺序不同。参照图15对变形例10的制造顺序进行说明。
在图15中，避开透明树脂41C的灌注预定位置、以及透明树脂41D的灌注预定位置，从基板10以及受光芯片20、发光芯片30上涂敷不透明树脂51(S22)。接着，通过分别以透镜状灌注透明树脂41C以及41D，从而对受光芯片20的开口部(受光部)以及发光芯片30的开口部(发光部)进行密封(S23)。此时，将透明树脂41C、41D形成为比不透明树脂51低。
在变形例10的制造顺序中，也能够将以透镜状密封受光芯片20的受光部的透明树脂41C与作为其他密封部件的不透明树脂51K分离，因此可缓和从发光芯片30侧向透明树脂41C的热传导。因此，能够防止覆盖受光芯片20的受光部的透明树脂41C的表面因热而变形、或者透明树脂41C变色。
＜第五实施方式＞
图16是本发明的第五实施方式的光源一体式光传感器1I的剖视图。图16的光源一体式光传感器1I与上述的光源一体式光传感器1H相比，在受光芯片20的开口部(受光部)以及发光芯片30的开口部(发光部)上灌注透明树脂41这点、以及在受光芯片20的开口部(受光部)上设置玻璃材料80这点不同。
参照图16以及图17对上述的光源一体式光传感器1I的制造顺序进行说明。在图17中，在形成有图形的电路基板10的上表面的规定位置安装受光芯片20。将发光芯片30安装在与通孔15连接的图形上。接着，分别用接合线21、22、以及未图示的接合线对受光芯片20的多个电极与基板10的图形11、12以及其他图形之间进行接合连接。另外，用接合线31对发光芯片30的上侧的电极与基板10的规定图形之间进行接合连接。并且，在受光芯片20的开口部(受光部)上粘接玻璃材料80。
在图18中，避开玻璃材料80、以及发光芯片30的开口部(发光部)，从基板10以及受光芯片20、发光芯片30上涂敷不透明树脂51J、51K、以及51L。此时，使不透明树脂51J、51K、51L比发光芯片30高。并且，最后涂敷透明树脂41进行涂层，如图16中例示的那样，形成覆盖发光芯片30的区域41B和左端的区域41A。
参照图23对以上说明的第五实施方式的作用效果进行说明。图23是表示第五实施方式的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。在该制造方法中，按下述工序顺序进行，即、在基板10上的规定区域分别设置受光芯片20以及发光芯片30的工序(图23的S41)；在受光芯片20的区域上设置玻璃材料80的工序(图23的S42)；在玻璃材料80以及发光芯片30以外的区域上将不透明树脂51J、51K、51L形成为比发光芯片30高的工序(图23的S43)；以及在发光芯片30以及不透明树脂51J、51K、51L的区域上形成透明树脂41A、41B的工序(图23的S44)，因此即使从发光芯片30侧向玻璃材料80传导热，也与透明树脂的情况不同，不产生变形或变色。因此，能够提供可抑制来自发光芯片30的热引起的特性劣化的光源一体式光传感器1I。
在上述说明中，对各种实施方式以及变形例进行了说明，但本发明并不限定于这些内容。各实施方式以及各变形例的结构也可以适当组合。在本发明的技术思想的范围内考虑到的其他方式也包含在本发明的范围内。
以下优先权基础申请的公开内容作为引用文献录入于此。
日本国专利申请2012年第105940号(2012年5月7日申请)
日本国专利申请2012年第105941号(2012年5月7日申请)
日本国专利申请2013年第564号(2013年1月7日申请)

Claims (3)

1.一种光源一体式光传感器，其特征在于，具备：
设置在基板上的规定区域，由第一透光部件密封的受光元件；
设置在上述基板上的与上述受光元件不同的区域，由第二透光部件密封的发光元件；
在上述受光元件以及上述发光元件之间设置在上述第一透光部件的侧面的绝热性的第一遮光部件；
设置在上述第一遮光部件以及上述第二透光部件之间的空间，
绝热性的第二遮光部件，该第二遮光部件在上述第一遮光部件以及上述发光元件之间设置在上述第二透光部件的侧面，以及
层叠在上述基板上并与上述受光元件以及上述发光元件的外周面分别相接的不透明树脂层，上述不透明树脂层包括第一不透明树脂层、第二不透明树脂层、第三不透明树脂层和第四不透明树脂层，上述第一不透明树脂层形成在上述受光元件的与上述第二不透明树脂层侧相反的一侧，上述第二不透明树脂层以与上述受光元件和上述第一遮光部件分别相接的方式形成在上述受光元件与上述第一遮光部件之间，上述第三不透明树脂层以与上述第二遮光部件和上述发光元件分别相接的方式形成在上述第二遮光部件与上述发光元件之间，上述第四不透明树脂层形成在上述发光元件的与上述第三不透明树脂层侧相反的一侧。
2.根据权利要求1所述的光源一体式光传感器，其特征在于，
上述空间设置在上述第一遮光部件以及上述第二遮光部件之间。
3.根据权利要求1或2所述的光源一体式光传感器，其特征在于，
至少上述第一透光部件由树脂形成。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104332524B (zh) 2014-08-26 2018-01-09 日月光半导体制造股份有限公司 电子装置、光学模块及其制造方法
EP3059764B1 (en) * 2015-02-18 2021-04-28 Nokia Technologies Oy Apparatus for emitting light and method of manufacturing the same
CN106469721A (zh) * 2015-08-21 2017-03-01 意法半导体有限公司 邻近传感器及其制造方法
CN106653741B (zh) 2015-11-02 2020-03-24 意法半导体有限公司 邻近传感器、电子设备以及制造邻近传感器的方法
KR20180008214A (ko) * 2016-07-15 2018-01-24 엘지이노텍 주식회사 광 감지 소자 및 광 감지 장치
KR102068161B1 (ko) * 2018-03-14 2020-01-20 (주)파트론 광학 센서 패키지 및 그 제조 방법
WO2020130936A1 (en) * 2018-12-20 2020-06-25 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optoelectronic module with an optical emitter and an optical receiver
CN111053450A (zh) * 2019-01-15 2020-04-24 上海爱餐机器人(集团)有限公司 智能炒菜机及其菜盘检测装置
WO2020197507A1 (en) * 2019-03-28 2020-10-01 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optoelectronic module
CN110931371B (zh) * 2019-11-25 2022-04-22 合肥速芯微电子有限责任公司 半导体装置及其制备方法
TWI744987B (zh) * 2020-07-17 2021-11-01 新加坡商光寶科技新加坡私人有限公司 光學感測器封裝結構及其製造方法
CN112017976B (zh) * 2020-11-02 2021-02-05 甬矽电子(宁波)股份有限公司 光电传感器封装结构制作方法和光电传感器封装结构

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61204989A (ja) * 1985-03-08 1986-09-11 Toshiba Corp 半導体光電変換装置
JPH11289105A (ja) * 1998-04-03 1999-10-19 Citizen Electronics Co Ltd フォトリフレクタとその製造方法
JP2004071734A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 New Japan Radio Co Ltd 受発光素子の製造方法
JP2010114141A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Sharp Corp 受光・発光一体型光半導体装置および電子機器
US8324602B2 (en) 2009-04-14 2012-12-04 Intersil Americas Inc. Optical sensors that reduce specular reflections

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