JP2004071734A - 受発光素子の製造方法 - Google Patents
受発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004071734A JP2004071734A JP2002226997A JP2002226997A JP2004071734A JP 2004071734 A JP2004071734 A JP 2004071734A JP 2002226997 A JP2002226997 A JP 2002226997A JP 2002226997 A JP2002226997 A JP 2002226997A JP 2004071734 A JP2004071734 A JP 2004071734A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting
- resin
- receiving
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】受発光素子を構成する発光素子と受光素子との組を基板上に複数組配置し、該基板を樹脂封止した後、少なくとも前記発光素子と受光素子との間に遮光領域を形成し、個々の受発光素子に切断分離する受発光素子の製造方法であって、前記遮光領域の形成予定領域の封止樹脂を除去し凹部を形成する工程と、該凹部内に遮光性樹脂を充填する工程とを含むようにした。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、チルトセンサや反射型インタラプタ等に利用される、発光部と受光部とを同一基板上に設けた面実装型の受発光素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図6は、面実装型受発光素子の従来の製造方法の一例の説明図である。本例は、リードフレームを基体として樹脂モールドにより遮光部及び外枠を形成し、各素子を搭載後、樹脂封止して受発光素子を製作するものである。
【0003】
本説明図では、受発光素子の各部は簡略化した形で示されている。図中、2は受発光素子のS/N比を向上させるために発光部と受光部との間に設けられる遮光部、11は外枠、12は発光素子、13は受光素子、14はディスペンサ、15は樹脂、16はリードフレーム部、17は受発光素子を示す。概略、以下の工程順で製作が行われる。
【0004】
先ず、第1工程にて、リードフレーム部16にインジェクションモールドにより、遮光部2、外枠11を形成する(図6工程1)。
【0005】
次に、第2工程にて、発光素子12及び受光素子13を、それぞれ銀ペースト等の導電性ペーストによりリードフレーム部16の素子電極ダイパッド部上にダイボンドし、金線、アルミニウム線等の導電線によりリードフレーム部16のリード部にワイヤボンドする(図6工程2)。
【0006】
次に、第3工程にて、ディスペンサ14により遮光部2と外枠11で囲まれた枠内にエポキシ樹脂等の樹脂15を注入する(図6工程3)。
【0007】
次に、第4工程にて、樹脂15を硬化させ,切断分離することにより個々の受発光素子17が完成される(図6工程4)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上述した面実装型受発光素子の製造方法では、遮光部や外枠の形成に金型を用いるが、樹脂を金型の隅々まで注入する必要上、樹脂通路部の寸法を十分大きく取らざるを得ず、素子サイズが大きくなるという問題があった。
【0009】
また、遮光部のサイズを変更しようとする場合、新たな金型を用意する必要があり、多品種少量生産の場合、コストアップの要因となるという問題があった。
【0010】
本発明は、上記問題点を解消し、面実装型受発光素子の小型化を可能とし、且つ低コスト化を実現する新規な製造方法を提供しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に係る発明は、受発光素子を構成する発光素子と受光素子との組を基板上に複数組配置し、該基板を樹脂封止した後、少なくとも前記発光素子と受光素子との間に遮光領域を形成し、個々の受発光素子に切断分離する受発光素子の製造方法であって、前記遮光領域の形成予定領域の封止樹脂を除去し凹部を形成する工程と、該凹部内に遮光性樹脂を充填する工程とを含むようにした。
【0012】
請求項2に係る発明は、受発光素子を構成する発光素子と受光素子との組を基板上に複数組配置し、該基板を樹脂封止した後、少なくとも前記発光素子と受光素子との間に遮光領域を形成し、個々の受発光素子に切断分離する受発光素子の製造方法であって、前記遮光領域の形成予定領域の封止樹脂を除去し凹部を形成する工程と、少なくとも該凹部の側壁部を遮光性膜で被覆する工程とを含むようにした。
【0013】
請求項3に係る発明は、上記請求項2に係る発明において、前記遮光領域形成予定領域にレーザ光を照射し、前記封止樹脂を除去すると共に、少なくとも前記凹部の側壁部を炭化し、前記遮光性膜を形成するようにした。
【0014】
【発明の実施の形態】
[第1の実施の形態]
以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は第1の実施の形態の製造方法を示した説明図、図2は本発明により製作される受発光素子の説明図、図3は個々の受発光素子に切断分離する工程の説明図である。
【0015】
本発明の製造方法は、集合基板に複数組の発光素子及び受光素子を搭載し、樹脂封止した後、個々の受発光素子に分割する方式で行うが、図1に示す各工程の説明図は、一組の受発光素子を表している。また、基板としてプリント配線板、発光素子としてLED、受光素子としてフォトトランジスタを用いた場合について説明している。プリント配線板1の上面には素子接続用の各電極、裏面には実装用の各電極が設けられ、対応する電極間はスルーホールで接続されている。
【0016】
先ず、第1の工程にて、プリント配線板1上のLED・正電極5にLED9を、フォトトランジスタ・コレクタ電極7にフォトトランジスタ10を、それぞれ銀ペースト等によりダイボンドする。またLED・負電極6及びフォトトランジスタ・エミッタ電極8に、対応する素子電極をそれぞれ金線、アルミニウム線等によりワイヤボンドして、両素子を基板に搭載する(図1工程1)。
【0017】
次に、第2の工程にて、前工程による両素子搭載したプリント配線板1をポッティング又は印刷により、エポキシ樹脂等の樹脂15で一括封止する(図1工程2)。
【0018】
次に、第3の工程にて、図3に示すLED9とフォトトランジスタ10との間を通るラインZに沿ってダイシングブレードを走行させ、樹脂15のみを除去し、遮光領域形成のため溝状の凹部を形成する。この凹部の幅は、ダイシングブレードの幅により変えることができる(図1工程3)。
【0019】
次に、第4の工程にて、前工程で形成された凹部に、遮光性樹脂をポッティング又は印刷により注入し、高温恒温槽にて加熱硬化させ、遮光部2を形成する。遮光性樹脂としては、凹部内に充填可能なエポキシ樹脂を用いる。形成された遮光部2の透過度は、使用するエポキシ樹脂の種類により決まる(図1工程4)。
【0020】
次に、図3に示すダイシングラインX1、X2及びY1、Y2に沿ってダイシングブレードを走行させ、樹脂15、遮光部12に注入された遮光性樹脂及びプリント配線板1を切断し、個々の受発光素子に切断分割し、製作を完了する。このように製作された受発光素子を図2に示す。図2に示すように、LEDが封止された発光部3とフォトトランジスタが封止された受光部4の間に、遮光性樹脂が注入された遮光部2を備えた受発光素子を形成することができた。
【0021】
本発明の製造方法によれば、金型を用いることなく遮光部を形成することができる。また、外枠を必要としないことに加えて、遮光部の幅を十分な遮光特性が得られる樹脂が注入でき、かつダイシングブレード幅程度に狭くすることができるので、素子サイズを小さくすることが可能となる。
【0022】
さらに、上述の第3の工程では、ダイシングブレードにより樹脂15を除去して凹部を形成したが、レーザ光を照射することで樹脂15を除去し、凹部を形成することもできる。この方法は、ダイシングブレードを使用する場合と比較して、遮光部の幅をさらに狭くすることができ、素子サイズの小型化に効果が大きい。
【0023】
[第2の実施の形態]
図4は、本発明の第2の実施の形態を工程順に示した説明図、図5は受発光素子を示す。以下の説明では、第1の実施の形態と共通する部分は説明を省略する。第2の実施の形態の第1の実施の形態との違いは、発光部と受光部との間に設ける遮光領域の形成方法の違いであり、第1の工程及び第2の工程は、第1の実施の形態と同じである。
【0024】
本実施の形態では、第3の工程において、図3に示すLED9とフォトトランジスタ10との間を通るラインZに沿ってレーザ光を照射する。その際、炭化水素雰囲気としてライン上の樹脂を除去し、溝状の凹部を形成する。その結果、凹部側壁部に炭化物が生成する。生成した炭化物は遮光性膜として機能し、遮光領域を形成する。ここで、炭化物生成量は、雰囲気内の炭化水素の種類や量及びレーザ出力等により調整することができる。
【0025】
以下、図3に示すようなダイシングラインX1、X2及びY1、Y2に沿ってダイシングを行い、個々の受発光素子に切断分割し、製作を完了する(図5)。
【0026】
なお、第3の工程におけるレーザ光照射を、受発光素子の周辺部にも施し、周辺を炭化した遮光性膜で覆うようにしてもよい。その場合、入射光は上方からのみとなり遮光性は更に高まる。
【0027】
また、第3の工程において、凹部の形成を行うと共に、レ−ザ光照射により受発光素子に分離するための切断分離を行うことができる。なお、切断分離の場合は炭化水素雰囲気とする必要はない。
【0028】
また、受発光素子の樹脂部のみの分離をレ−ザ光照射により行い、基板の切断はダイシングブレードで行うようにしてもよい。さらに、ダイシングブレードで樹脂15を除去し凹部を形成した後、その側面にレーザ光照射して、遮光性膜を形成することも可能である。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、遮光部を一括封止した樹脂を除去し凹部を形成した後、凹部内に遮光性樹脂を充填して形成し、また凹部の側壁部を遮光性膜で被覆して形成するように構成したので、従来の製造方法で必要とされた金型を用いる必要がなくなり、初期投資の低コスト化が可能になった。また同時に、素子サイズの小型化が可能となる。
【0030】
遮光領域形成のためにレーザ光照射を用いる場合は、炭化水素雰囲気で行うことにより、凹部の形成と同時に炭化による遮光性膜の形成が可能となり、製造工程を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の受発光素子製造方法の第1の実施の形態の説明図である。
【図2】第1の実施の形態により製作される受発光素子の説明図である。
【図3】本発明の実施の形態で用いる切断分離工程の説明図である。
【図4】本発明の受発光素子製造方法の第2の実施の形態の説明図である。
【図5】第2の実施の形態により製作される受発光素子の説明図である。
【図6】受発光素子の製造方法の従来例の説明図である。
【符号の説明】
1:プリント配線板、2:遮光部、3:発光部、4:受光部、5:LED正電極、6:LED負電極、7:フォトトランジスタ・コレクタ電極、8:フォトトランジスタ・エミッタ電極、9:LED、10:フォトトランジスタ、11:外枠、12:発光素子、13:受光素子、14:ディスペンサ、15:樹脂、16:リードフレーム部、17:受発光素子。
Claims (3)
- 受発光素子を構成する発光素子と受光素子との組を基板上に複数組配置し、該基板を樹脂封止した後、少なくとも前記発光素子と受光素子との間に遮光領域を形成し、個々の受発光素子に切断分離する受発光素子の製造方法であって、前記遮光領域の形成予定領域の封止樹脂を除去し凹部を形成する工程と、該凹部内に遮光性樹脂を充填する工程とを含むことを特徴とする受発光素子の製造方法。
- 受発光素子を構成する発光素子と受光素子との組を基板上に複数組配置し、該基板を樹脂封止した後、少なくとも前記発光素子と受光素子との間に遮光領域を形成し、個々の受発光素子に切断分離する受発光素子の製造方法であって、前記遮光領域の形成予定領域の封止樹脂を除去し凹部を形成する工程と、少なくとも該凹部の側壁部を遮光性膜で被覆する工程とを含むことを特徴とする受発光素子の製造方法。
- 請求項2記載の受発光素子の製造方法において、前記遮光領域形成予定領域にレーザ光を照射し、前記封止樹脂を除去し凹部を形成すると共に、少なくとも前記凹部の側壁部を炭化し、前記遮光性膜を形成することを特徴とする受発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002226997A JP2004071734A (ja) | 2002-08-05 | 2002-08-05 | 受発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002226997A JP2004071734A (ja) | 2002-08-05 | 2002-08-05 | 受発光素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004071734A true JP2004071734A (ja) | 2004-03-04 |
Family
ID=32014152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002226997A Pending JP2004071734A (ja) | 2002-08-05 | 2002-08-05 | 受発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004071734A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007005687A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | New Japan Radio Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP2008027997A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | New Japan Radio Co Ltd | 受発光素子及びその製造方法 |
DE102007009531A1 (de) * | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Strahlvorrichtung |
WO2010120650A2 (en) * | 2009-04-14 | 2010-10-21 | Intersil Americas Inc. | Optical sensors and methods for providing optical sensors |
US8324602B2 (en) | 2009-04-14 | 2012-12-04 | Intersil Americas Inc. | Optical sensors that reduce specular reflections |
WO2013168442A1 (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-14 | アオイ電子株式会社 | 光源一体型光センサ、および光源一体型光センサの製造方法 |
JP2013254930A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-12-19 | Aoi Electronics Co Ltd | 光源一体型光センサ |
WO2013191235A1 (ja) * | 2012-06-20 | 2013-12-27 | アオイ電子株式会社 | 光源一体型光センサ |
JP2014099468A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Pioneer Electronic Corp | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス |
KR20140141691A (ko) * | 2012-05-07 | 2014-12-10 | 아오이 전자 주식회사 | 광원 일체형 광센서 및 광원 일체형 광센서의 제조방법 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1093132A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Sharp Corp | 光結合装置 |
JPH1129377A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-02-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 表面被覆炭窒化チタン焼結体 |
JPH1187740A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Stanley Electric Co Ltd | 面実装部品の形成方法 |
JPH11204825A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
JPH11214766A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Asahi Kasei Denshi Kk | 小型磁電変換素子とその製造方法 |
JPH11289105A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトリフレクタとその製造方法 |
JPH11354832A (ja) * | 1998-06-12 | 1999-12-24 | Stanley Electric Co Ltd | 近接センサ |
JP2000269544A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Stanley Electric Co Ltd | 受発光素子の及びその製造方法 |
JP2001035972A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002139568A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Canon Inc | 放射線検出装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
-
2002
- 2002-08-05 JP JP2002226997A patent/JP2004071734A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1093132A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Sharp Corp | 光結合装置 |
JPH1129377A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-02-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 表面被覆炭窒化チタン焼結体 |
JPH1187740A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Stanley Electric Co Ltd | 面実装部品の形成方法 |
JPH11204825A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
JPH11214766A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Asahi Kasei Denshi Kk | 小型磁電変換素子とその製造方法 |
JPH11289105A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトリフレクタとその製造方法 |
JPH11354832A (ja) * | 1998-06-12 | 1999-12-24 | Stanley Electric Co Ltd | 近接センサ |
JP2000269544A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Stanley Electric Co Ltd | 受発光素子の及びその製造方法 |
JP2001035972A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002139568A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Canon Inc | 放射線検出装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007005687A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | New Japan Radio Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP2008027997A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | New Japan Radio Co Ltd | 受発光素子及びその製造方法 |
DE102007009531A1 (de) * | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Strahlvorrichtung |
US8324602B2 (en) | 2009-04-14 | 2012-12-04 | Intersil Americas Inc. | Optical sensors that reduce specular reflections |
WO2010120650A3 (en) * | 2009-04-14 | 2011-01-13 | Intersil Americas Inc. | Optical sensors and methods for providing optical sensors |
US8232541B2 (en) | 2009-04-14 | 2012-07-31 | Intersil Americas Inc. | Optical sensors that reduce specular reflections |
WO2010120650A2 (en) * | 2009-04-14 | 2010-10-21 | Intersil Americas Inc. | Optical sensors and methods for providing optical sensors |
WO2013168442A1 (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-14 | アオイ電子株式会社 | 光源一体型光センサ、および光源一体型光センサの製造方法 |
JP2013254930A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-12-19 | Aoi Electronics Co Ltd | 光源一体型光センサ |
KR20140141691A (ko) * | 2012-05-07 | 2014-12-10 | 아오이 전자 주식회사 | 광원 일체형 광센서 및 광원 일체형 광센서의 제조방법 |
CN104272474A (zh) * | 2012-05-07 | 2015-01-07 | 青井电子株式会社 | 光源一体式光传感器以及光源一体式光传感器的制造方法 |
KR101659677B1 (ko) * | 2012-05-07 | 2016-09-26 | 아오이 전자 주식회사 | 광원 일체형 광센서 및 광원 일체형 광센서의 제조방법 |
WO2013191235A1 (ja) * | 2012-06-20 | 2013-12-27 | アオイ電子株式会社 | 光源一体型光センサ |
JP2014099468A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Pioneer Electronic Corp | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4215306B2 (ja) | 半導体のパッケージおよびその製造方法 | |
KR101476771B1 (ko) | 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
KR20150067368A (ko) | 다수의 광전자 반도체 소자의 제조 방법 | |
JP6086738B2 (ja) | Led装置 | |
KR20150107086A (ko) | 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
JP2004071734A (ja) | 受発光素子の製造方法 | |
CN1498063A (zh) | 电路装置的制造方法 | |
JP2008027999A (ja) | 発光装置の製造方法および発光装置 | |
KR20120008458A (ko) | 발광 디바이스의 제조 방법 | |
KR101461154B1 (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
JP3604108B2 (ja) | チップ型光半導体の製造方法 | |
US20130236996A1 (en) | Method for manufacturing led package struture and method for manufacturing leds using the led packange struture | |
JP2009152482A (ja) | 反射枠付表面実装型led | |
KR101291092B1 (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
JPS624351A (ja) | 半導体キヤリアの製造方法 | |
JP2012182357A (ja) | Led発光素子用リードフレーム基板、led発光素子装置、およびled発光素子用リードフレーム | |
TWI410164B (zh) | 固態發光元件之光條的製作方法 | |
US20130200405A1 (en) | Optoelectronic Semiconductor Component | |
JP2004147220A (ja) | Sawチップの構造、その製造方法、表面実装型sawデバイス、及びその製造方法 | |
JP2007035779A (ja) | リードレス中空パッケージ及びその製造方法 | |
US20170062382A1 (en) | Production of optoelectronic components | |
JP6525259B2 (ja) | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 | |
KR101450216B1 (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
JP2012227254A (ja) | Led素子用リードフレーム基板及びその製造方法 | |
KR101460742B1 (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050607 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080731 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090127 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090210 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090626 |