JPH11214766A

JPH11214766A - 小型磁電変換素子とその製造方法

Info

Publication number: JPH11214766A
Application number: JP10016958A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Fukunaka; 敏昭福中; Hideki Araki; 秀輝荒木; Kaoru Kuraki; 薫久良木; Kenji Aoki; 堅治青木; Takeki Matsui; 雄毅松居
Original assignee: Asahi Kasei Electronics Co Ltd; Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Kasei Electronics Co Ltd; Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1998-01-29
Filing date: 1998-01-29
Publication date: 1999-08-06
Anticipated expiration: 2018-01-29
Also published as: JP3968384B2

Abstract

(57)【要約】【課題】樹脂で完全に覆われ、かつ極めて小さな投影
面積を可能とする新しい構造の磁電変換素子を提供す
る。【解決手段】基板上に形成された磁気を感ずる半導体
薄膜と内部電極を備えた半導体装置を有する磁電変換素
子である。内部電極の上に導電性物体が形成されてお
り、かつ磁電変換素子は導電性物体の少なくとも一部を
除いて樹脂により完全に覆われており、前導電性物体の
樹脂に覆われずに露出している部分が外部電極となって
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂で完全に覆わ
れ、かつ極めて小型の、実装のための部分も含めた投影
寸法が２ｍｍ×２ｍｍより小さい、新規な構造をもつ磁
電変換素子とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁電変換素子は、ＶＴＲ、フロッピーデ
ィスクやＣＤ−ＲＯＭ等のドライブモーター用の回転位
置検出センサあるいはポテンショメーター、歯車センサ
として広く用いられている。これら電子部品の小型化に
伴って、磁電変換素子もより小型化の要求が益々強まっ
ている。

【０００３】磁電変換素子の中、最も多く使用されてい
るホール素子を例にして小型化の状況を説明する。最も
小型のホール素子としては、旭化成電子（株）のＨＷ１
０６Ｃとして知られる素子があるが、その外形寸法は実
装用の外部電極であるリードフレームを含めて、２. ５
×１. ５ｍｍの投影寸法で高さが０. ６ｍｍである。こ
の素子は高さの低いことが特徴となっているが、感度で
ある定電圧駆動時の出力電圧は、０. ０５Ｔの磁界下、
１Ｖの入力電圧の際にホール出力電圧が最大７４ｍＶの
比較的小出力となっている。同じ条件でほぼ同じ出力の
でる素子で小型のものとしては、ＨＷ１０５Ｃとして知
られる素子があるが、その外形寸法はリードフレームを
含めて、２. １×２. １ｍｍの投影寸法で高さが０. ５
５ｍｍである。

【０００４】最大ホール出力電圧が２００ｍＶを超え、
かつ比較的小型の素子としてはＨＷ１０８Ａとして知ら
れる素子がある。この素子の外形寸法は２. １×２. １
ｍｍの投影寸法で高さが０. ８ｍｍとなっている。この
素子はＨＷ１０５Ｃの感度アップ素子として位置づけら
れるが、感度アップのために高さは大きくならざるを得
ない。高感度ホール素子のペレットは、一般に高透磁率
基板上に移動度の高い半導体薄膜が配置され、さらにそ
の上に、ほぼ直方体の磁気収束用磁性体チップが載せら
れている構造をなしているが、基板とチップの高さによ
って感度アップ率が決まるからである。現状で高さが
０. ６ｍｍ以下でかつホール出力が１００ｍＶ以上のホ
ール素子はできていない。

【０００５】リードフレームを介在させない方式として
テープキャリア方式が提案されている。この方式では、
半導体装置の電極部をテープにバンプで接続して、実装
基板等に実装するやり方である。これもテープの厚みの
介在分だけ厚さが制限される。また、素子自体が樹脂で
覆われにくい。

【０００６】コンデンサー等はいわゆるチップ素子にな
り、チップ・オン・ボード方式で実装基板に実装するや
り方がとられ、まさに小型化の要請に答えてきている。
このような概念を磁電変換素子に適用することができれ
ば良いのだが、樹脂で覆わないとどうしても信頼性上に
問題が生じる。

【０００７】特開平８−６４７２５号公報には、上記不
都合を解消し薄型化を達成する半導体装置とその製造方
法が開示されている。即ち、半導体チップの電極上にバ
ンプまたはＡｕボールを形成し、該バンプまたはＡｕボ
ールをモールド樹脂の表面に露出させたことを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置とその製造方法である。ＩＣカ
ードやメモリカード等の薄型化がこの方法で可能とな
る。しかし、本発明のごとく、極めて小型の磁電変換素
子に特開平８−６４７２５号公報の方法を適用してモー
ルド樹脂で完全に覆うためには、半導体装置を事前に個
別化する必要が生じて、生産性上極めて非効率となる。

【０００８】磁電変換素子に対しても、例えば特開昭６
０−２４４０８４号公報に記載されているように、チッ
プタイプのものが提案されている。予め切れ目を入れた
セラミック基板を準備し、ある角度でＩｎＳｂを蒸着す
ることによって、切れ目内の側面にもＩｎＳｂが蒸着さ
れ、これを利用して側面にも電極が形成されることを特
徴とするチップホール素子製造方法である。しかし、こ
の方法であると、上下の強磁性体で受感部を挟んで得ら
れる集磁効果で受感部に印加される磁束密度を上げてホ
ール素子を高感度化する構造にならない。また、環境に
対する信頼性向上のためにモールド樹脂で完全に覆うよ
うな構造にはならない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、樹脂で覆わ
れ、かつ極めて小さな投影面積を可能とする新しい構造
の磁電変換素子と、このような磁電変換素子を一括して
製造しうる製造方法を提供することを目的とするもので
ある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】現状の磁電変換素子は、
リードフレームのアイランドと呼ぶ部分に、内部電極を
有する磁気に感ずる半導体薄膜から本質的になる、半導
体装置を樹脂により固着し、リードフレームとその内部
電極を金属細線で結線し、次いで樹脂により半導体装置
を覆うリードフレームの一部を含めた部分をモールド
し、バリ取り、フォーミング、電磁気的検査等の工程を
経て製造されている。図９は、このようにして製造され
ている、感度も高く、かつ小型の旭化成電子（株）のＨ
Ｗ１０８Ａの外形を示す断面図である。図９において、
２１は高透磁率フェライト基板、２２は内部電極、２３
は受感部（感磁部）、２４は金属細線、２５は高透磁率
フェライトチップ、２６はリードフレーム、２７はリー
ドフレームのアイランド部、２８はモールド樹脂であ
る。

【００１１】本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、現
状のようなリードフレームを用いている限り小型化には
自ずと限界があるという結論に達した。素子はモールド
されるのであるが、モールド寸法自体は１. ５ｍｍ×
１. ５ｍｍ程度にはできてもそこからはみでたリードフ
レームを実装のためにフォーミングする必要があり、そ
のはみだし分が小型化の足かせになっていることであ
る。また、リードフレームの厚みに限界があること、リ
ードフレームの表裏をモールド樹脂で覆う必要があるこ
と等で高さにも限界がある。

【００１２】本発明は、その結論から出発し、磁電変換
素子全体の寸法を、実装用電極も含めてモールド寸法程
度にする工夫から本発明はなされた。

【００１３】すなわち、本発明は、基板上に形成された
磁気を感ずる半導体薄膜と内部電極を備えた半導体装置
を有する磁電変換素子において、前記内部電極の上に導
電性物体が形成されており、かつ前記磁電変換素子は前
記導電性物体の少なくとも一部を除いて樹脂により完全
に覆われており、前記導電性物体の前記樹脂に覆われず
に露出している部分が外部電極となっていることを特徴
とする、新規な構造をもった磁電変換素子である。ここ
で、導電性物体の厚みは少なくとも０．０２ｍｍであ
る。

【００１４】本発明の方法は、小型磁電変換素子の製造
方法であって、基板に形成された磁気に感ずる半導体薄
膜と内部電極を備えた多数個の半導体装置を準備する工
程、前記内部電極部分に導電性物体を載せる工程、前記
基板上の半導体装置を個別に隔離するように、最終製品
としての前記磁電変換素子の境界部に相当する基板位置
に厚み方向に切れ目を入れる工程、前記半導体装置およ
び前記導電性物体を樹脂で覆う工程、前記樹脂の表面を
前記導電性物体が見えるまで研磨する工程、前記基板の
前記半導体装置と反対側の面を少なくとも前記切れ目に
到達するまで研磨する工程、および前記半導体装置を個
別に切断する工程からなることを特徴とする磁電変換素
子の製造方法である。

【００１５】このような構造にすることで、例えば、前
述のような比較的感度の低い素子で０. ９×０. ９ｍｍ
の投影寸法で高さが０. １７ｍｍ、感度の高い素子でも
同程度の投影寸法で、高さが０. ３ｍｍといった極めて
小型の磁電変換素子が可能になった。

【００１６】本発明の半導体装置を構成する、磁気に感
ずる半導体薄膜としてはインジウムアンチモン、ガリウ
ム砒素、インジウム砒素等の化合物半導体あるいは（イ
ンジウム、ガリウム）ー（アンチモン、砒素）の３元系
または４元系化合物半導体薄膜から選択できる。いわゆ
る量子効果素子も使用できる。これらの化合物半導体薄
膜は種々の基板上に形成されるが、基板としてはシリコ
ン、ガリウム砒素等の化合物半導体の基板、石英等のガ
ラス基板、サファイア等の無機基板等を使用することが
できる。

【００１７】より高い感度の半導体装置は、高透磁率磁
性体、その上に形成されパターニングされた感磁部と電
極部を有する半導体薄膜、さらにその上に載せられたほ
ぼ直方体の磁気収束用磁性体チップが載せられたサンド
イッチ構造をなしている。例えば、特公昭５１−４５２
３４号公報には、移動度の高い半導体薄膜をこの構造体
の装置にするための方法が示されている。即ち、雲母等
の結晶性基板上に化合物半導体薄膜を形成し、所望のパ
ターニングを施した後、この半導体薄膜をエポキシ等の
接着剤を用いて高透磁率磁性体に接着し、その後結晶性
基板を除去する。次いで、半導体薄膜の感磁部の上に磁
気収束用磁性体を載せることによって上記の積層構造の
半導体装置を形成する方法である。このような半導体装
置は、本発明の小型で高感度の磁電変換素子を作るのに
好適である。この際、高透磁率強磁性体、磁気収束用チ
ップの材料としては、パーマロイ、鉄珪素合金、ＭｎＺ
ｎフェライト等の高透磁率フェライト、あるいはその他
の高透磁率材料を用いることができる。そのうち、切断
のし易さや、価格の安いことなどの理由から高透磁率フ
ェライトが好適なものとして利用できる。

【００１８】半導体装置は、一般に多段プロセスを経て
ウェハー上に多数個形成される。その際、磁電変換素子
として使用するために、１個の素子について２つ以上一
般に４つの内部電極が一括して形成される。内部電極の
材質としては、半導体薄膜の種類によって種々変える必
要があるが、銀、金、パラジウム、アルミニウムの１種
が少なくとも表層にあることが好ましい。例えば、銅の
上にニッケルをつけ、さらにその上に金を形成する形態
を取ることが出来る。その上に金属性パッドを積層する
本発明の形態上、積層しやすい材質の内部電極を形成し
ておくことが必要である。それを満たすものならどのよ
うな金属層でできていてもよい。

【００１９】その内部電極に金等の金属細線を介在しな
いで、直接外部電極に結線できるようにするのが本発明
のポイントである。そのようなウェハーを用意し、その
ウェハー上の多数個の半導体装置の多数個の内部電極の
上に導電性物体を０．０２ｍｍ以上の厚みに形成する。
導電性物体の厚みが０. ０２ｍｍ未満であると下記のよ
うな問題が生じる。素子の完成後、チップ素子を基板に
実装する際に、ハンダにより電極部を接続するが、ハン
ダの溶融時に導電性物体がハンダに食われ断線につなが
る場合がある。また、後述する表面受感部側に形成され
る樹脂が薄くなることにより、温度湿度ストレスに対す
る信頼性が低下する。従って、導電性物体の厚みは０.
０２ｍｍ以上が実用上好ましい厚みである。また、前述
したように感磁部の上に磁気集束用磁性体を載せる場
合、導電性物体の厚さはこの磁性体の厚さ以上になるの
はもちろんである。さらに、この厚さは後述する工程で
表面を研磨した後の導電性物体の厚さをいうのであっ
て、実際には研磨後表面に現れる導電性物体の形状が均
一になるように所望の厚さ以上の厚さで形成する。この
際の導電性物体を内部電極上に形成する方法としては種
々取り得る。まず、導電性物体が金属性バンプの場合で
は、１個毎の内部電極の上に金、銀、ハンダ等の金属の
ボールをワイヤバンピング法やスタッドバンプボンディ
ング法といったワイヤバンプ形成法として知られる方法
によって載せていく方法である。一般のワイヤボンダあ
るいはそれを改良した専用のバンプボンダが好適に使用
できる。これらの方法により、１個毎の内部電極の上に
金等の金属性のボールを形成していく方法である。金属
性ボールとしては、金、パラジウム、銀、アルミニウ
ム、アルミニウムと他の合金、金と他の金属との合金あ
るいはハンダ等の金属が使用できる。この際、不良の半
導体装置の部分はマークを付与しておき、ボンディング
時にその不良半導体装置を認識してその内部電極には金
属性ボールをボールボンディングしないようにすること
も可能である。所望の厚みにより金属性ボールを積層に
することも可能である。所望の厚みが０. １ｍｍの場
合、３つ金属性ボールの積層体を形成するような形態で
ある。

【００２０】あるいは、内部電極上に導電性樹脂を印刷
法等で形成する方法も取り得る。あるいは、このような
導電性樹脂がその上に形成する別の導電性物体を固定す
るための接着剤層を兼ねるような形態も取りうる。その
場合、まず導電性樹脂を付着後、例えば金、銀、銅、真
鍮、リン青銅等の小片をダイボンダーにより１個毎に載
せていく方法を取り得る。この小片を載せる方法として
は、特公平７−１３９８７号公報に記載の方法、すなわ
ち、上述の金属性小片を振動によりトレーに振り込んで
おき、その金属性小片を保持したトレーとウェハーとを
重ね合わせることによって行う方法も取り得る。この方
法においては、隣同士の半導体装置の内部電極が近接し
ている場合には、それらの電極上に一括してそれらの電
極に見合う大きさの金属性小片を載せることができる。
その場合には、後の切断工程でそれぞれの半導体装置を
分割する事が出来る。

【００２１】次いで、基板上の半導体装置を個別に引き
離すように、最終製品である磁電変換素子中の基板の厚
みまで切れ目を入れる工程が続く。これはダイシングに
より好適に行うことができる。

【００２２】本発明による小型磁電変換素子を得るため
には、上記の導電性物体を載せる工程と、切れ目を入れ
る工程を逆にすることもできる。

【００２３】さらに、半導体装置および導電性物体をカ
バーするように樹脂で覆う工程が続く。この際使用でき
る樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、イミ
ド変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、フェノキシ樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリベンツイミダゾール樹脂、ポ
リスチレン、ポリスルホン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポ
リビニールアセタール、ポリ酢酸ビニルアルコールとそ
のアロイ樹脂等の熱可塑性樹脂をあげることができる。
この際、ウェハー全体を一括成型することが好ましい。
スピンコーター等のコーターによる塗布やトランスファ
ーモールド等のモールディングによって本工程を行うこ
とができる次いで、樹脂層を研磨する工程が続く。本工
程において、先述の導電性物体が露出するようにする。
露出した部分が外部電極となる。導電性物体の種類によ
っては、外部基板への接着がよりうまくいくように、金
やハンダ等の他の金属層を付与することが可能である。
その際無電解メッキあるいはハンダ槽へのディッピング
によるのが好ましい。

【００２４】次いで、基板の半導体装置と反対側の面
を少なくとも上記切れ目に到達するまで研磨する工程が
続く。

【００２５】個別の半導体素子にするには、ダイシング
等によって個別に分離すれば良い。

【００２６】本発明は、種々の変形が可能である。上述
したような工程の場合にはウェハーの裏面が露出するよ
うになる。それが問題の場合には、最終工程あるいは途
中工程で、裏面に樹脂を付与すれば良い。この際の樹脂
としては、上記した半導体装置の上面に用いた樹脂が用
いうる。さらに、この際の樹脂として透明なものを用い
ると個別素子が格子状に目視できるので、半導体装置を
個別に切断する際にやりやすくなる。

【００２７】以上の工程での研磨は、一般の適当な粉末
を用いての研磨機あるいはグラインダーのような装置が
好適に使用できる。

【００２８】

【発明の実施の形態】次に、本発明による実施例を図面
に基づいて説明する。

【００２９】（実施例１）本発明の小型の磁電変換素子
の一実施例の構造を、断面透視図として図１に示す。１
はシリコン基板、２は半導体装置の内部電極、３は半導
体装置の受感部（感磁部）層、４は金ボール、５および
９は樹脂、６は外部接続用ハンダ、８はガラス層であ
る。なお、２ａは配線層である。

【００３０】図１のような半導体素子を作成するための
本発明の工程の例を図２〜図４を用いて説明する。図２
（１）はシリコン基板（シリコンウエハー）１上に磁電
変換素子のための内部電極２と受感部層３が多数個形成
されている状態を示す。このようなウェハーは次のよう
な工程を経て作った。径４吋で厚さが０．３５ｍｍのシ
リコンウエハー１上にコーニング社製７０５９ガラス８
を蒸着し、その上に移動度２０，０００ｃｍ² ／Ｖ／ｓ
ｅｃのＩｎＳｂ薄膜を形成した。フォトリソグラフィー
の手法でホール素子パターンを形成した。感磁部層の長
さは３５０μｍ、幅は１７０μｍであった。１個のペレ
ットの大きさは、０. ８ｍｍ角であった。配線層２ａお
よび電極部は銅で形成し、ボールボンディングのための
電極部２はニッケルおよび金を積層した構造とした。そ
のウェハーをボールボンダーに載せ、内部電極部に金ボ
ール４を２段重ねて載せた状態を図２（２）に示してい
る。溶融状態でボール状の金は内部電極上でつぶれて金
の全体の厚みが０．０８ｍｍになった。次いでシリコン
基板上の半導体装置を個別に引き離すように、０．１５
ｍｍ幅のブレードを使用してダイシングソーで基板１に
０．１ｍｍ＋αの深さに切れ目１ａを入れた状態を図２
（３）に示している。次いで金ボール４を覆うだけの厚
みに熱硬化性エポキシ樹脂５をポッティングして硬化し
た状態を図３（４）に示している。次いで樹脂の上面を
金ボール４が現れ、金の全体の厚みがほぼ０．０５ｍｍ
となるるまで研磨した状態を示したのが図３（５）であ
る。金が見えた部分を７で示す。次いで、基板１の半導
体装置と反対側の面を切れ目１ａまで研磨した状態を図
３（６）に示す。次いで基板を裏返してシリコンウェハ
ーの裏面に樹脂９をスピンコートし、さらに樹脂を硬化
させ、ほぼ０．０２ｍｍの厚さに樹脂層を形成した状態
を図４（７）に示してある。次いで表面に現れた金属製
バンプの部分にハンダ層６を形成した状態を図４（８）
に示す。

【００３１】図４（８）の状態のものを０．０５ｍｍ幅
のブレードを使用しダイシングソーにより個別素子に分
離した様子を図４（９）に示す。このようにして図１の
ような半導体素子が出来上がった。本実施例では、ハン
ダ層６は含めない寸法で０.９×０. ９ｍｍで厚さが
０．１７ｍｍのホール素子にした。

【００３２】（実施例２）本実施例の小型の完全に樹脂
で覆われた高感度磁電変換素子の構造を、断面透視図と
して図５に示す。１１は高透磁率フェライト基板、１２
は半導体装置の内部電極、１３は半導体装置の受感部
（感磁部）層、１４は金ボール、１５は磁気収束用の高
透磁率フェライトチップ、１６は樹脂、１７は外部接続
用ハンダである。１２ａは配線層、１８は樹脂層であ
る。

【００３３】図５のような半導体素子を作成するための
本発明の工程の例を図６〜図８を用いて説明する。図６
（１）は高透磁率フェライト基板１１上に磁電変換素子
のための内部電極１２と受感部層１３が多数個形成され
ている状態を示す。このようなウェハーは次のような工
程を経て作った。まず高透磁率フェライト上に半導体薄
膜によるホール素子パターンを形成するには以下のよう
な方法で行った。まず、劈開した雲母を蒸着基板にし
て、初めにＩｎ過剰のＩｎＳｂ薄膜を蒸着により形成
し、次いで過剰のＩｎと化合物を形成するＳｂを過剰に
蒸着する方法によって移動度４５，０００ｃｍ² ／Ｖ／
ｓｅｃのＩｎＳｂ薄膜を形成した。次に、５０ｍｍ角で
厚み０. ３ｍｍのＭｎＺｎフェライトからなる高透磁率
フェライトを準備し、上記のＩｎＳｂ薄膜上にポリイミ
ド樹脂１８を滴下し、高透磁率フェライト１１をその上
に重ね、重石を置いて２００℃で１２時間放置した。次
に室温に戻し、雲母を剥ぎ取って高透磁率フェライト１
１上にＩｎＳｂ薄膜が担持された構造体を作製した。次
いで、このＩｎＳｂ薄膜上にフォトリソグラフィーの手
法で多数のホール素子パターンを同時に形成した。それ
ぞれの感磁部層の長さは３５０μｍ、幅は１７０μｍで
あった。感磁部層への配線部１２ａとして銅を半導体薄
膜上に形成し、ボールボンディングのための内部電極部
１２はその上にニッケルおよび金を積層した構造とし
た。１個のペレットの大きさ（１個のホール素子パター
ンおよび４個の内部電極部が担持されている高透磁率フ
ェライトの寸法）は０. ８ｍｍ角であった。

【００３４】次に、特公平７−１３９８７号公報に記載
の方法によって、厚みが０. １ｍｍで、一辺の長さが３
５０μｍの直方体の高透磁率フェライトチップ１５を半
導体薄膜の感磁部１３の上に、シリコーン樹脂を接着剤
として載せた。

【００３５】上記のようにして作製したウェハーをボー
ルボンダーに載せ、内部電極部に金ボール１４を４段重
ねて載せた状態を図６（２）に示している。溶融状態で
ボール状の金は内部電極上でつぶれて金の全体の厚みが
０．１５ｍｍになった。次いで半導体装置を個別に引き
離すように基板１１に０．１５ｍｍ幅のブレードを使用
したダイシングソーで０．１５ｍｍ＋αの深さの切れ目
１１ａを加えるが、その状態を図６（３）に示してい
る。この切れ目をつけるのはダイシングが好適に使用で
きる。金ボール１４を覆うだけの厚みに熱硬化性エポキ
シ樹脂１６をポッティングして硬化した状態を図７
（４）に示している。次いで樹脂の上面を上記金ボール
が現れ、金の全体の厚みがほぼ０．１３ｍｍとなるまで
研磨した状態を示したのが図７（５）である。次いで、
基板を裏返してフェライト基板１１の裏面を切れ目１１
ａまで研磨した状態を図７（６）に示してある。次いで
研磨したフェライト基板１１の裏面に熱硬化性エポキシ
樹脂１９をスピンコーティングで塗布し、さらに樹脂を
硬化させ、ほぼ０．０２ｍｍの厚さに樹脂層を形成した
状態を図８（７）に示す。次いで表面に現れた金属性バ
ンプの部分にハンダ層１７を形成した状態を図８（８）
に示す。図８（８）の状態のものを０．０５ｍｍ幅のブ
レードを使用してダイシングソーにより個別素子に分離
した様子を図８（９）に示す。このようにして図５のよ
うな磁電変換素子が出来上がった。本実施例ではハンダ
層は含めない寸法で０. ９×０. ９ｍｍで厚さが０．３
ｍｍの大きさのホール素子にした。感度も１Ｖ、０. ０
５Ｔで２００ｍＶと極めて高いものであった。

【００３６】（実施例３）実施例１における金ボールに
代えてリン青銅を用いた場合を述べる。図２（１）の状
態のウェハーの内部電極部分にスクリーン印刷によりテ
クノα社製の導電性熱可塑性樹脂ＳＴＡＹＨＯＬＤを塗
布し、溶剤を飛ばして乾燥させた。１５０℃に加熱した
ダイボンダー上にウェハーを担持し、０. １ｍｍ角のほ
ぼ立方体のリン青銅をダイボンダーにより熱可塑性樹脂
部分に熱圧着して載せた。あとの工程は実施例１と同様
な工程を経て実施例１と同じ大きさのホール素子にし
た。

【００３７】これまでホール素子を例にして説明してき
たが、本発明の概念及び製造方法は他の磁電変換素子で
ある半導体ＭＲ（磁気抵抗素子）や強磁性体ＭＲ、ＧＭ
Ｒにも適用できるのは勿論である。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体装置が完全に樹脂で覆われ、かつ極めて小さい半
導体素子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁電変換素子の一実施例の断面透視図
である。

【図２】図１の磁電変換素子を作るための製造方法の工
程図である。

【図３】図１の磁電変換素子を作るための製造方法の図
２に続く工程図である。

【図４】図１の磁電変換素子を作るための製造方法の図
３に続く工程図である。

【図５】本発明の磁電変換素子の他の実施例の断面図で
ある。

【図６】図５の磁電変換素子を作るための製造方法の工
程図である。

【図７】図５の磁電変換素子を作るための製造方法の図
６に続く工程図である。

【図８】図５の磁電変換素子を作るための製造方法の図
７に続く工程図である。

【図９】比較例としてのこれまでの磁電変換素子の断面
図である。

【符号の説明】

１シリコン基板（シリコンウェハー）２、１２内部電極３、１３受感部（感磁部）層４、１４金属性ボール５、９、１６、１９樹脂６、１７ハンダボール１１高透磁率フェライト基板１５高透磁率フェライトチップ２１高透磁率フェライト基板２２内部電極２３受感部（感磁部）２４金属細線２５高透磁率フェライトチップ２６リードフレーム２７リードフレームのアイランド部２８モールド樹脂

フロントページの続き (72)発明者久良木薫宮崎県延岡市旭町６丁目4100番地旭化成電子株式会社内 (72)発明者青木堅治宮崎県延岡市旭町６丁目4100番地旭化成電子株式会社内 (72)発明者松居雄毅東京都千代田区有楽町１丁目１番２号旭化成電子株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された磁気を感ずる半導体
薄膜と内部電極を備えた半導体装置を有する小型磁電変
換素子において、前記内部電極の上に導電性物体が形成
されており、かつ前記磁電変換素子は前記導電性物体の
少なくとも一部を除いて樹脂により完全に覆われてお
り、前記導電性物体の前記樹脂に覆われずに露出してい
る部分が外部電極となっていることを特徴とする磁電変
換素子。
【請求項２】前記導電性物体の厚みが少なくとも０.
０２ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁電
変換素子。
【請求項３】前記導電性物体が金属であることを特徴
とする請求項１または２に記載の磁電変換素子。
【請求項４】前記導電性物体が導電性樹脂あるいは導
電性樹脂と金属との積層構造体であることを特徴とする
請求項１または２に記載の磁電変換素子。
【請求項５】前記基板が高透磁率磁性体であり、前記
磁気に感ずる半導体薄膜の感磁部が高透磁率磁性体によ
って挟まれていることを特徴とする請求項１から４のい
ずれかに記載の磁電変換素子。
【請求項６】前記高透磁率磁性体がフェライトである
ことを特徴とする請求項５に記載の磁電変換素子。
【請求項７】前記導電性物体上にさらに金属層を有す
ることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の
磁電変換素子。
【請求項８】小型磁電変換素子の製造方法であって、
基板に形成された磁気に感ずる半導体薄膜と内部電極を
備えた多数個の半導体装置を準備する工程、前記内部電
極部分に導電性物体を載せる工程、前記基板上の半導体
装置を個別に隔離するように、最終製品としての前記磁
電変換素子の境界部に相当する基板位置に厚み方向に切
れ目を入れる工程、前記半導体装置および前記導電性物
体を樹脂で覆う工程、該樹脂の表面を前記導電性物体が
見えるまで研磨する工程、前記基板の前記半導体装置と
反対側の面を少なくとも前記切れ目に到達するまで研磨
する工程、および前記半導体装置を個別に切断する工程
からなることを特徴とする磁電変換素子の製造方法。
【請求項９】前記研磨する工程後に前記基板の研磨面
に樹脂を覆う工程をさらに付加することを特徴とする請
求項８に記載の磁電変換素子の製造方法。
【請求項１０】前記導電性物体の研磨後表面に現れた
部分に金属層を付与する工程をさらに有することを特徴
とする請求項８または９に記載の磁電変換素子の製造方
法。