KR101659677B1 - 광원 일체형 광센서 및 광원 일체형 광센서의 제조방법 - Google Patents

광원 일체형 광센서 및 광원 일체형 광센서의 제조방법 Download PDF

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Abstract

광원 일체형 광센서는 기판 위의 소정 영역에 설치된 수광부와, 기판 위의 수광부와 다른 영역에 설치된 발광부와, 수광부 위에 상기 수광부를 덮도록 설치된 제1 투광부재와, 제1 투광부재와 공간을 끼고 설치되고, 발광부 위에 상기 발광부를 덮도록 설치된 제2 투광부재와, 공간의 일부에 형성된 차광부재를 구비한다.

Description

광원 일체형 광센서 및 광원 일체형 광센서의 제조방법{LIGHT SOURCE-INTEGRATED OPTICAL SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT SOURCE-INTEGRATED OPTICAL SENSOR}
본 발명은 광원 일체형 광센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
기판상에 불투명한 수지를 끼고 발광칩 및 수광칩을 설치하고, 이들 발광칩 및 수광칩을 투명수지로 덮은 광원 일체형 광센서가 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
미국 특허출원공개 제2010/0258710호 명세서
종래 기술에서는 발광칩에서 발생하는 열이 수광칩측으로 전달되어 수광칩 위의 투명수지의 표면의 평탄형상이 손상되어 변형되거나, 수광칩 위의 투명수지가 변질이나 변색될 우려가 있었다. 수광칩 위의 투명수지의 표면의 변형이나 변색은, 수광감도의 저하 등 수광특성의 열화로 이어진다.
본 발명의 제1 형태에 따르면, 광원 일체형 광센서는 기판상의 소정 영역에 설치된 수광부; 상기 기판상의 상기 수광부와 다른 영역에 설치된 발광부; 상기 수광부상에 상기 수광부를 덮도록 설치된 제1 투광부재; 상기 제1 투광부재와 공간을 사이에 두고 설치되며, 상기 발광부상에 상기 발광부를 덮도록 설치된 제2 투광부재; 상기 공간의 일부에 형성된 열전도성 재료에 의해 구성되는 차광부재; 상기 공간에 대응하는 부분의 상기 기판에 설치되고, 상기 열전도성 재료에 열전도 가능하게 설치된 관통구멍; 및 상기 제1 투광부재와 상기 차광부재 사이 및 상기 제2 투광부재와 상기 차광부재와의 사이 중 적어도 한쪽에 설치된 불투명 수지;를 구비한다.
본 발명의 제2 형태에 따르면, 제1 형태에 의한 광원 일체형 광센서에서 상기 불투명 수지는 상기 제1 투광부재와 상기 차광부재와의 사이 및 상기 제2 투광부재와 상기 차광부재와의 사이의 양쪽에 설치되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제3 형태에 따르면, 제1 형태 또는 제2 형태에 의한 광원 일체형 광센서에서 상기 제1 투광부재와 상기 차광부재와의 사이에 설치된 상기 불투명 수지와; 상기 차광부재 사이에 공극이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제4 형태에 따르면, 광원 일체형 광센서는 기판상의 소정 영역에 설치된 수광부; 상기 기판상의 상기 수광부와 다른 영역에 설치된 발광부; 상기 수광부상에 상기 수광부를 덮도록 설치된 제1 투광부재; 상기 제1 투광부재와 공간을 사이에 두고 설치되며, 상기 발광부상에 상기 발광부를 덮도록 설치된 제2 투광부재; 및 상기 제1 투광부재만에서의 상기 공간측에 설치된 불투명 수지;를 구비하고, 상기 불투명 수지와 상기 제2 투광부재 사이에 공극이 형성되어 있다.
본 발명의 제5 형태에 따르면, 광원 일체형 광센서는 기판상의 소정 영역에 설치된 수광부; 상기 기판상의 상기 수광부와 다른 영역에 설치된 발광부; 상기 수광부상에 상기 수광부를 덮도록 설치된 제1 투광부재; 상기 제1 투광부재와 공간을 사이에 두고 설치되며, 상기 발광부상에 상기 발광부를 덮도록 설치된 제2 투광부재; 상기 제1 투광부재에서의 상기 공간측에 설치된 제1 불투명 수지; 상기 기판상에서의 상기 수광부의 외주에 상기 수광부의 상면을 노출하도록 상기 제1 투광부재의 하면에 적층하여 설치된 제2 불투명 수지; 상기 제2 투광부재에서의 상기 공간측에 설치된 제3 불투명 수지; 및 상기 기판상에서의 상기 발광부의 외주에 상기 발광부의 상면을 노출하도록 상기 제2 투광부재의 하면에 적층하여 설치된 제4 불투명 수지;를 구비한다.
본 발명의 제6 형태에 따르면, 광원 일체형 광센서의 제조방법은 기판상의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 설치하는 공정; 상기 수광부와 상기 발광부와의 사이에서 마스크 부재를 설치하는 공정; 상기 마스크 부재를 마스크로 하여 상기 수광부 및 상기 발광부 이외의 영역상에 상기 마스크 부재보다 낮은 차광부재를 도포하는 공정; 상기 수광부, 상기 발광부, 및 상기 차광부재의 영역상에 각각 투광부재를 형성하는 공정; 및 상기 마스크 부재를 제거하는 공정;을 상기 공정순으로 실시한다.
본 발명의 제7 형태에 따르면, 제6 형태에 의한 광원 일체형 광센서의 제조방법에서 상기 마스크 부재가 설치되어 있던 영역에 금속판을 설치하는 공정을 추가로 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제8 형태에 따르면, 제7 형태에 의한 광원 일체형 광센서의 제조방법에서 상기 수광부 및 상기 발광부를 설치하는 공정 전에, 상기 기판에 관통구멍 및 상기 관통구멍에 접속되는 하면 앞 패턴을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 금속판은 상기 관통구멍상에 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제9 형태에 따르면, 광원 일체형 광센서의 제조방법은 기판상의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 다이마운트하고, 상기 수광부를 상기 기판상에 설치된 패턴에 본딩와이어에 의해 접속하는 공정; 상기 수광부 및 상기 발광부의 영역상에 각각 투광부재를 상기 발광부 또는 상기 수광부의 영역으로부터 불거져 나오지 않도록 형성하는 공정; 및 상기 투광부재가 형성된 영역의 주위에 각각 상기 본딩와이어의 전체를 덮고 차광부재를 형성하는 공정;을 상기 공정순으로 실시한다.
본 발명의 제10 형태에 따르면, 광원 일체형 광센서의 제조방법은 기판상의 소정영역에 수광부 및 발광부를 각각 다이마운트하고, 상기 수광부를 상기 기판상에 설치된 패턴에 본딩와이어에 의해 접속하는 공정; 상기 수광부상의 주위 및 상기 발광부 상의 주위를 포함하며, 상기 수광부 및 상기 발광부 이외의 영역상에 각각 상기 본딩와이어의 전체를 덮고, 차광부재를 형성하는 공정; 및 상기 수광부 및 상기 발광부의 영역상에서의 상기 차광부재에 둘러싸인 영역내에 각각 투광부재를 형성하는 공정;을 상기 공정 순으로 실시한다.
본 발명의 제11 형태에 따르면, 제9 또는 제10 형태에 의한 광원 일체형 광센서의 제조방법에서 상기 투광부재는 포팅에 의해 렌즈 형상으로 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 광원 일체형 광센서에서는 발광부로부터의 열에 의한 특성열화를 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 2(a), 도 2(b), 도 2(c), 도 2(d)는 광원 일체형 광센서의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 3은 변형예 1에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 4는 변형예 2에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 5는 변형예 3에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 6은 변형예 4에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 7은 변형예 8에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 8(a), 도 8(b), 도 8(c)는 광원 일체형 광센서의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 9는 제2 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 10(a), 도 10(b), 도 10(c)는 광원 일체형 광센서의 제조수순을 설명하는 도면이다.
도 11은 제3 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 12는 광원 일체형 광센서의 제조수순을 설명하는 도면이다.
도 13은 제4 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 14는 광원 일체형 광센서의 제조수순을 설명하는 도면이다.
도 15는 변형예 10의 광원 일체형 광센서의 제조수순을 설명하는 도면이다.
도 16은 제5 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서의 단면도이다.
도 17은 광원 일체형 광센서의 제조수순을 설명하는 도면이다.
도 18은 광원 일체형 광센서의 제조수순을 설명하는 도면이다.
도 19는 제2 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시하는 플로우차트이다.
도 20은 제4 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.
도 21은 변형예 9에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.
도 22는 제3 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.
도 23은 제5 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 설명한다.
<제1 실시형태>
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서(1)의 단면도이다. 광원 일체형 광센서(1)는 발광소자 및 수광소자를 일체로 구성한 것이고, 예를 들어 발광소자로부터 발한 광이 외부 대상물에서 반사되고, 그 반사광이 수광소자에서 수광되는지의 여부에 기초하여 외부 대상물의 존재 여부를 판정하는 용도 등에 사용된다.
도 1에서 유기재료, 세라믹, 리드프레임 등으로 구성되는 기판(10)의 상면에, 수광소자(포토다이오드) 및 주변회로를 갖는 수광칩(PDIC)(20)이 설치되어 있다. 수광칩(20)은 본딩와이어(21, 22)에 의해 기판(10) 위의 패턴(11, 12)과 접속되어 있다.
기판(10)의 상면에는 또한, 발광소자로 구성되는 발광칩(30)이 설치되어 있다. 발광칩(30)은 예를 들어 발광 다이오드(LED)이고, 발광칩(30)의 애노드 전극 및 캐소드 전극 중 한쪽이, 금속으로 구성된 관통구멍(15)을 통하여, 기판(10)의 하면에 형성되어 있는 패턴(14)과 접속된다. 발광칩(30)의 다른쪽 전극은 본딩와이어(31)에 의해 기판(10) 위의 도시하지 않은 패턴과 접속되어 있다.
상기 수광칩(20) 및 발광칩(30)의 사이에는 공간(60)이 설치되고, 공간(60)을 끼고 수광칩(20)측에 불투명 수지(51A)가, 발광칩(30)측에 불투명 수지(51B)가, 각각 설치되어 있다. 불투명 수지(51B)의 높이에 대해서는 적어도 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)측으로 사출되는 광을 차폐하고, 수광칩(20)이 발광칩(30)으로부터의 직접광을 수광하지 않는 높이가 확보된다. 불투명 수지(51A)의 높이는 불투명 수지(51B)의 높이와 대략 동일하다. 불투명 수지(51A)는 공간(60)으로 입사된 외광을 수광칩(20)이 수광하지 않도록 설치된다.
불투명 수지(51A)의 수광칩(20)측에는 수광칩(20) 및 본딩와이어(21, 22)를 덮도록 투명수지(41A)가 설치된다. 또한, 불투명 수지(51B)의 발광칩(30)측에는 발광칩(30) 및 본딩와이어(31)를 덮도록 투명수지(41B)가 설치된다.
또한, 기판(10) 위의 패턴(11, 12)은 관통구멍(15)과 동일한 다른 관통구멍, 또는 도시하지 않은 관통비어를 통하여 기판(10)의 하면에 형성되어 있는 패턴(13) 등과 접속되어 있다.
전술한 광원 일체형 광센서(1)의 제조방법에 대해서, 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2(a)에서 패턴이 형성되어 있는 회로기판(10)의 상면의 소정 위치에 수광칩(20)을 다이마운트한다. 발광칩(30)을, 관통구멍(15)과 접속되어 있는 패턴 위에 다이마운트한다. 계속해서, 수광칩(20)의 복수의 전극과, 기판(10)의 패턴(11, 12) 및 다른 패턴과의 사이를 각각 본딩와이어(21, 22) 및 도시하지 않은 본딩와이어로 본딩 접속한다. 또한, 발광칩(30)의 상측의 전극과, 기판(10)의 소정 패턴과의 사이를 본딩와이어(31)에 의해 본딩 접속한다.
도 2(b)에서 수광칩(20) 및 본딩와이어(21, 22) 및 발광칩(30) 및 본딩와이어(31)를 각각 덮도록 투명수지(41)로 밀봉한다. 도 2(c)에서 수광칩(20) 및 발광칩(30)사이에서 투명수지(41)의 일부를 기판(10)의 표면에 도달할 때까지 절삭하는 다이싱 가공을 실시한다. 이에 의해, 투명수지(41)가 투명수지(41A)와 투명수지(41B)로 분리된다. 또한, 절삭의 깊이는 기판(10)의 표면보다 깊게 해도 좋다.
도 2(d)에서 투명수지(41A)와 투명수지(41B) 사이에 불투명 수지(51)를 충전한다. 불투명 수지(51)에는 열전도율이 낮은 단열성 재료를 사용한다. 그리고 충전한 불투명 수지(51)의 일부를 기판(10)의 표면에 도달할 때까지 절삭하는 다이싱 가공을 실시한다. 이에 의해, 불투명 수지(51)가 불투명 수지 "51A"와 "51B"로 분리되고, 도 1에 예시한 광원 일체형 센서(1)가 얻어진다.
이상 설명한 제1 실시형태에 따르면 다음 작용효과가 얻어진다.
(1) 광원 일체형 광센서(1)는 기판(1) 위의 소정 영역에 설치된 수광칩(20)과, 기판(10) 위의 수광칩(20)과 다른 영역에 설치된 발광칩(30)과, 수광칩(20) 위에 해당 수광칩(20)을 덮도록 설치된 투명수지(41A)와, 투명수지(41A)와 공간(60)을 두고 설치되고, 발광칩(30) 위에 해당 발광칩(30)을 덮도록 설치된 투명수지(41B)와, 공간(60)의 일부에 형성된 불투명 수지(51A, 51B)를 구비하도록 했으므로, 발광칩(30)으로부터의 열에 의한 영향을 억제할 수 있다. 구체적으로는 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)의 표면이 열에 의해 변형되거나, 투명 수지(41A)가 변색되는 것을 방지하므로, 수광 특성의 열화가 억제된다. 또한, 수광칩(20)이 발광칩(30)으로부터의 직접광을 수광하지 않고, 또한 투명수지(41A)와 투명수지(41B) 사이의 공간(60)으로 입사된 외광도 수광칩(20)이 수광하지 않으므로, 불필요한 광의 수광을 배제할 수 있다.
(2) 상기 (1)의 광원 일체형 광센서(1)에서 불투명 수지(51A, 51B)를 단열성 재료로 구성했으므로, 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)로의 열전도가 완화된다. 이에 의해, 발광칩(30)으로부터의 열에 의한 영향(수광특성의 열화)을 억제할 수 있다.
(3) 상기 (1)의 광원 일체형 광센서(1)에서 수광칩(20)을 투명수지(41A)로 덮으므로, 유리재로 덮는 경우에 비하여 경량이고 비용이 낮게 억제된다.
(변형예 1)
도 3은 변형예 1에 의한 광원 일체형 광센서(1B)의 단면도이다. 도 3에 의한 광원 일체형 광센서(1B)는 전술한 광원 일체형 광센서(1)와 비교하여 공간(60)의 수광칩(20)측에만, 불투명 수지(51)가 설치되어 있는 점에서 다르다.
변형예 1의 광원 일체형 광센서(1B)에 대해서는 도 2(d)에 예시한 불투명 수지(51)의 투명수지(41B)측에서, 불투명 수지(51)의 일부를 기판(10)의 표면에 도달할 때까지 절삭하는 다이싱 가공을 실시한다. 이 가공에 의해, 공간(60)의 수광칩(20)측에만 불투명 수지(51)가 남고, 공간(60)의 발광칩(30)측에는 불투명 수지가 남지 않는다. 불투명 수지(51)를 설치함으로써 공간(60)으로 외광이 입사되었다고 해도 수광칩(20)이 수광하지 않도록 외광을 차광할 수 있다. 또한, 상기 절삭깊이는 기판(10)의 표면보다 깊게 해도 좋다.
변형예 1의 경우도, 공간(60)을 설치함으로써 발광칩(30)측으로부터 수광칩(20)측으로의 열전도가 완화되므로, 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)의 표면이 열에 의해 변형되거나 투명수지(41A)가 변색되는 것을 방지할 수 있다.
(변형예 2)
도 4는 변형예 2에 의한 광원 일체형 광센서(1C)의 단면도이다. 도 4에 의한 광원 일체형 광센서(1C)는 전술한 광원 일체형 광센서(1)와 비교하여 투명수지(41A)의 공간(60)에 면하는 측면에, 차광막(51C)이 형성되어 있는 점에서 다르다.
변형예 2의 광원 일체형 광센서(1C)에서는 도 2(c)에 예시한 투명수지(41A)의 우측면(공간측)에 대해서 소정의 금속재료를 스퍼터 증착하여 차광막(51C)을 형성한다. 이에 의해, 공간(60)을 끼고 투명수지(41A) 및 투명수지(41B)가 분리된 상태에서, 공간(60)으로 입사된 외광이 수광칩(20)에 의해 수광되지 않도록 차광할 수 있다.
변형예 2의 경우도 공간(60)을 설치함으로써 발광칩(30)측으로부터 수광칩(20)측으로의 열전도가 완화되므로, 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)의 표면이 열에 의해 변형되거나, 투명수지(41A)가 변색되는 것을 방지할 수 있다.
(변형예 3)
도 5는 변형예 3에 의한 광원 일체형 광센서(1D)의 단면도이다. 도 5에 의한 광원 일체형 광센서(1D)는 도 1의 광원 일체형 광센서(1)와 비교하여, 공간(60)내에 열전도율이 높은 재료, 예를 들어 금속판(70)을 설치하고 있는 점, 및 금속판(70)의 바로 아래가 되는 위치에 맞추어 관통구멍(16)이 형성되는 점에서 다르다.
변형예 3의 광원 일체형 센서(1D)에서는 기판(10)에 관통구멍(16)이 추가 형성된 기판(10B)에 대해서 광원 일체형 광센서(1)와 동일한 처리를 실시한 상태에서, 관통구멍(16)의 바로 위에 열전도성 재료인 금속판(70)을 설치한다. 발광칩(30)측으로부터 금속판(70)으로 전달된 열에 관해서는 관통구멍(16)을 통하여 기판(10B)의 하면측 패턴(17)으로부터 방열 가능하다.
또한, 금속판(70)과 불투명 수지(51B) 사이에는 발광칩(30)측의 열을 금속판(70)으로 흡수하기 쉽게 하기 위해 충전제를 도포하여 간극을 메우면 좋다. 또한, 금속판(70)과 불투명 수지(51A) 사이에는 양자간의 열전도를 피하기 위해 공극을 설치해 두면 좋다. 금속판(70)이 관통구멍(16) 위에 위치하므로, 발광칩(30)측의 열이 금속판(70)에 전달된 경우에는 관통구멍(16)을 통하여 기판(10) 하측으로 효율 좋게 그 열을 빠져나가게 한다.
변형예 3의 경우는 불투명 수지(51A, 51B) 및 금속판(70)을 설치함으로써 발광칩(30)측으로부터 수광칩(20)측으로의 열전도가 완화되므로, 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)의 표면이 열에 의해 변형되거나 투명수지(41A)가 변색되는 것을 방지할 수 있다.
(변형예 4)
도 6은 변형예 4에 의한 광원 일체형 광센서(1E)의 단면도이다. 도 6에 의한 광원 일체형 광센서(1E)는 도 3의 광원 일체형 광센서(1B)와 비교하여, 공간(60)내에 열전도율이 높은 재료, 예를 들어 금속판(70)을 설치하고 있는 점, 및 금속판(70)의 바로 아래가 되는 위치에 맞추어 관통구멍(16)이 형성되는 점에서 다르다.
변형예 4의 광원 일체형 광센서(1E)에서는 기판(10)에 관통구멍(16)이 추가 형성된 기판(10B)에 대하여 광원 일체형 광센서(1B)와 동일한 처리를 실시한 상태에서, 관통구멍(16)의 바로 위에 열전도성 재료인 금속판(70)을 설치한다. 발광칩(30)측으로부터 금속판(70)으로 전달된 열에 관해서는 관통구멍(16)을 통하여 기판(10B)의 하면측 패턴(17)으로부터 방열 가능하다.
변형예 4의 경우는 불투명 수지(51) 및 금속판(70)을 설치함으로써 발광칩(30)측으로부터 수광칩(20)측으로의 열전도가 완화되므로, 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)의 표면이 열에 의해 변형되거나, 투명수지(41A)가 변색되는 것을 방지할 수 있다.
(변형예 5)
변형예 3 또는 변형예 4에서 금속판(70)을 설치하는 경우에는 불투명 수지(51A, 51B) 또는 불투명 수지(51)를 생략해도 좋다. 이 경우에는 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)측으로 사출되는 직접광을 금속판(70)으로 차폐시킨다.
(변형예 6)
전술한 설명에서는 공간(60)의 깊이를 기판(10)의 표면에 도달하는 깊이로 하는 예를 설명했다. 그 대신, 기판(10)의 표면에 달하는 깊이로 하지 않아도 열적인 영향을 완화시킬 수 있는 경우에는, 공간(60)의 깊이를 기판(10)까지 도달하지 않는 도중의 깊이에 그치게 한 구성으로 해도 좋다.
(변형예 7)
수광칩(20), 발광칩(30)과 기판(10)의 패턴과의 사이를 본딩 접속하는 예를 설명했지만, 이 이외의 접속방법, 예를 들어 플립칩 접속이나 TAB 접속을 사용해도 좋다.
(변형예 8)
도 7은 변형예 8에 의한 광원 일체형 광센서(1P)의 단면도이다. 도 7에 의한 광원 일체형 광센서(1P)는 상기 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서(1)와 비교하여 기판(10) 위에 불투명 수지의 층(18A, 18B, 18C, 18D)가 적층되어 있는 점에서 다르다.
변형예 8의 광원 일체형 광센서(1P)의 제조방법에 대해서 도 2(a) 및 도 8을 참조하여 설명한다. 도 2(a)에 예시한 회로기판(10) 위에 수광칩(20) 및 발광칩(30)의 외주면에 각각 접하도록 불투명 수지(18)를 도포하여 불투명 수지(18)로 이루어진 차광층을 설치한다. 도 8(a)에서 수광칩(20)의 좌측에 불투명 수지(18A)가 형성되고, 수광칩(20) 및 발광칩(30) 사이에 불투명 수지(18)가 형성되며, 발광칩(30)의 우측에 불투명 수지(18D)가 형성된다.
다음에, 수광칩(20) 및 본딩와이어(21, 22)와, 발광칩(30) 및 본딩와이어(31)와, 상기 불투명 수지(18A, 18, 18D)를, 각각 투명 수지(41)로 밀봉한다. 도 8(b)에서 수광칩(20) 및 발광칩(30) 사이에서 투명수지(41) 및 불투명 수지(18)의 일부를 기판(10)의 표면보다 깊게 절삭하는 다이싱 가공을 실시한다. 이에 의해, 투명수지(41)가 투명수지(41A)와 투명수지(41B)로 분리되고, 불투명 수지(18)가 불투명 수지(18B)와 불투명 수지(18C)로 분리된다.
도 8(c)에서 절삭한 공간에 불투명 수지(51)를 충전한다. 불투명 수지(51)에는 열전도율이 낮은 단열성 재료를 사용한다. 그리고 충전한 불투명 수지(51)의 일부를 상기 불투명 수지(51)가 충전되어 있는 공간의 바닥(즉 기판(10))에 도달할 때까지 절삭하는 다이싱 가공을 실시한다. 이에 의해, 불투명 수지(51)가 불투명 수지(51A)와 불투명 수지(51B)로 분리되고, 도 7에 예시한 광원 일체형 광센서(1P)가 얻어진다.
변형예 8에 의한 광원 일체형 광센서(1P)는 광원 일체형 센서(1)와 동일한 작용 효과를 갖는다. 광원 일체형 광센서(1P)는 또한, 기판(10) 위에 불투명 수지의 층(18)을 적층하고, 불투명 수지의 층(18)에 의한 차광층보다 깊게 절삭한 공간(60)내에, 불투명 수지(51A, 51B)를 불투명 수지(18B, 18C)와 각각 접하도록 형성했으므로, 발광칩(30)으로부터의 광이 기판(10)내를 통하여 수광칩(20)으로 도달하는, 소위 광누출을 억지할 수 있다.
<제2 실시형태>
제1 실시형태의 광원 일체형 광센서(1)와 다른 광원 일체형 광센서(1F), 및 이의 제조방법에 대해서 설명한다. 도 9는 본 발명의 제2 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서(1F)의 단면도이다. 제1 실시형태의 광원 일체형 광센서(1)(도 1)와 동일한 구성에는 도 1과 공통의 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 9에서 수광칩(20) 및 발광칩(30)의 사이에는 금속판(70)이 설치되고 금속판(70)을 끼고 수광칩(20)측에 불투명 수지(51K)가, 발광칩(30)측에 불투명 수지(51L)가, 각각 설치되어 있다. 수광칩(20)을 끼고 불투명 수지(51K)와 반대측에는, 불투명 수지(51J)가 설치되어 있다. 또한, 발광칩(30)을 끼고 불투명 수지(51L)와 반대측에는 불투명 수지(51M)가 설치되어 있다.
불투명 수지(51J), 수광칩(20), 및 불투명 수지(51K)의 위에는 이들과 본딩와이어(21, 22)의 접착부를 모두 덮도록, 투명수지(41A)가 설치된다. 또한, 불투명 수지(51L), 발광칩(30) 및 불투명 수지(51M) 위에는, 이들과 본딩와이어(31)의 접착부를 모두 덮도록 투명 수지(41B)가 설치된다.
또한, 기판(10B) 위의 패턴(11, 12)은 관통구멍(15)과 동일한 다른 관통구멍, 또는 도시하지 않은 관통비어를 통하여 기판(10B)의 하면에 형성되어 있는 패턴(13) 등과 접속되어 있다.
전술한 광원 일체형 광센서(1)의 제조수순에 대해서 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10(a)에서 패턴이 형성되어 있는 회로기판(10B)의 상면의 소정위치에 수광칩(20)을 다이마운트한다. 발광칩(30)을, 관통구멍(15)과 접속되어 있는 패턴 위에 다이마운트한다. 계속해서, 수광칩(20)의 복수의 전극과, 기판(10B)의 패턴(11, 12) 및 다른 패턴과의 사이를 각각 본딩와이어(21, 22) 및 도시하지 않은 본딩와이어로 본딩 접속한다. 또한, 발광칩(30)의 상측의 전극과, 기판(10B)의 소정 패턴과의 사이를 본딩와이어(31)에 의해 본딩 접속한다. 또한, 관통구멍(16)의 바로 위에 댐부재(65)를 접착한다. 댐부재(65)는 후술하는 불투명 수지(51), 투명수지(41)를 형성할 때의 마스크로서 사용된다.
도 10(b)에서 기판(10B)의 표면을 덮도록 불투명 수지(51)를 도포한다. 이에 의해, 수광칩(20)의 좌측에 불투명 수지(51J)가, 수광칩(20) 및 댐부재(65) 사이에 불투명 수지(51K)가, 댐부재(65) 및 발광칩(30) 사이에 불투명 수지(51L)가, 발광칩(30)의 우측에 불투명 수지(51M)가 각각 설치된다. 또한, 불투명 수지(51)에는 열전도율이 낮은 단열성 재료를 사용한다.
다음에, 불투명 수지(51J, 51K, 51L, 51M), 수광칩(20), 댐부재(65), 및 발광칩(30)의 위로부터 투명수지(41)를 도포한 후 댐부재(65)를 벗겨 제거한다. 도 10(c)에서 댐부재(65)가 있었던 위치에 홈(기판(10B)의 표면까지 도달하는 공간(60))이 생기므로, 투명수지(41)는 댐부재(65)가 있던 위치의 좌측의 투명수지(41A)와, 댐부재(65)가 있었던 위치의 우측의 투명수지(41B)로 분리된다.
도 10(c)의 상태에서 공간(60) 내에 금속판(70)을 설치함으로써 도 9에 예시한 광원 일체형 광센서(1F)가 얻어진다. 또한, 금속판(70)과 불투명 수지(51L)의 사이, 및 금속판(70)과 불투명 수지(51K) 사이에서, 열을 금속판(70)으로 흡수하기 쉽게 하기 위해 충전제를 도포하여 간극을 메울 수도 있다. 또한, 금속판(70)과 불투명 수지(51K) 사이에는 양자 사이의 열전도를 피하기 위해 공극을 설치해 두면 좋지만, 충전제로 간극을 메우는 것도 가능하다. 공간(60)을 관통구멍(16)의 바로 위에 설치해 둠으로써 열전도성 재료인 금속판(70)이 관통구멍(16) 위에 위치하므로 발광칩(30)측의 열이 금속판(70)에 전달된 경우에는 관통구멍(16)을 통하여 기판(10B) 하측으로 효율 좋게 그 열을 빼낸다.
이상 설명한 제2 실시형태에 의한 작용효과에 대해서 도 19를 참조하여 설명한다. 도 19는 제2 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.
(1) 광원 일체형 광센서(1F)의 제조방법은 기판(10B) 위의 소정 영역에 수광칩(20) 및 발광칩(30)을 각각 설치하는 공정(도 19의 S1)과, 수광칩(20)과 발광칩(30) 사이에서 댐부재(65)를 설치하는 공정(도 19의 S2)와, 수광칩(20) 및 발광칩(30) 이외의 영역 위에 불투명 수지(51)를 형성하는 공정(도 19의 S3)과, 수광칩(20), 발광칩(30), 및 불투명 수지(51)의 영역 위에 각각 투명수지(41)를 형성하는 공정(도 19의 S4)과, 댐부재(65)를 제거하는 공정(도 19의 S5)을 상기 공정순으로 실시하도록 했다. 이에 의해, 투명수지(41) 및 불투명 수지(51)를, 댐부재(65)를 제거한 위치의 좌측의 투명수지(41A) 및 불투명 수지(51K)와, 댐부재(65)를 제거한 위치의 우측의 투명수지(41B) 및 불투명 수지(51L)로 간단히 분리할 수 있다.
(2) 댐부재(65)를 제거하는 공정(도 19의 S5)의 후, 또한 도 10(c)의 공간(60) 중에 금속판(70)을 설치하여, 발광칩(30)측으로부터 금속판(70)으로 전달된 열에 관해서는 바로 아래의 관통구멍(16)을 통하여 기판(10B)의 하면측 패턴(17)(도 9)으로 방열하도록 했다. 금속판(70)을 설치하여 방열효과를 높임으로써, 발광칩(30)측으로부터 수광칩(20)측으로의 열전도가 완화된다. 이와 같이, 열에 의한 특성의 열화를 억제한 광원 일체형 광센서(1F)를 제공할 수 있다.
(3) 상기 광원 일체형 광센서(1F)의 제조방법에서 불투명 수지(51)에는 단열성 재료를 사용하도록 했으므로, 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)로의 열전도를 효과적으로 완화하는 광원 일체형 광센서(1F)를 제공할 수 있다.
(변형예 9)
도 10(c)의 공간(60) 내에 금속판(70)을 실장하지 않고 도 10(c)의 상태의 광원 일체형 광센서로 해도 좋다. 금속판(70)을 실장하지 않아도, 공간(60)을 설치함으로써 발광칩(30)측으로부터 수광칩(20)측으로의 열전도가 완화되므로, 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)의 표면이 열에 의해 변형되거나 투명수지(41A)가 변색되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 변형예 9의 경우는 공간(60)내로 외광이 입사되었다고 해도, 불투명 수지(51K)에 의해 수광칩(20)이 수광하지 않도록 차광된다.
<제3 실시형태>
도 11은 본 발명의 제3 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서(1G)의 단면도이다. 도 11에 의한 광원 일체형 광센서(1G)는 전술한 광원 일체형 광센서(1F)와 비교하여 발광칩(30)과 수광칩(20) 사이에 금속판(70)(또는 공간(60))을 설치하지 않는 점, 기판(10)에 방열용 관통구멍(16)을 설치하고 있지 않은 점, 수광칩(20)의 개구부(수광부)의 주위를 불투명 수지(51J, 51K)로 둘러싸는 점에서 다르다. 불투명 수지(51J, 51K)는 후술하는 투명수지(41)를 형성할 때의 마스크로서 사용된다.
전술한 광원 일체형 광센서(1G)의 제조수순에 대해서 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12에서 패턴이 형성되어 있는 회로기판(10)의 상면의 소정 위치에 수광칩(20)을 다이마운트한다. 발광칩(30)을, 관통구멍(15)과 접속되어 있는 패턴 위에 다이마운트한다. 계속해서, 수광칩(20)의 복수의 전극과, 기판(10)의 패턴(11, 12) 및 다른 패턴과의 사이를 각각 본딩와이어(21, 22), 및 도시하지 않은 본디와이어로 본딩 접속한다. 또한, 발광칩(30)의 상측의 전극과, 기판(10)의 소정 패턴과의 사이를 본딩와이어(31)에 의해 본딩 접속한다.
또한, 수광칩(20)의 개구부(입사구)의 주위를 둘러싸도록 불투명 수지(51J 및 51K)를 사용하여 댐부재를 형성한다. 불투명 수지(51J, 51K)에는 열전도율이 낮은 단열성 재료를 사용한다.
도 12의 상태에서 기판(10) 및 수광칩(20), 발광칩(30)의 위로부터 투명수지(41)를 도포한다. 댐부재로서 불투명 수지(51J 및 51K)를 설치해 둠으로써, 투명수지(41)는 도 11에 도시한 바와 같이 댐부재의 내측에서 수광칩(20)의 개구부(수광부)를 덮는 영역(41A)과, 댐부재의 외측의 영역(41B)으로 분리된다.
이상 설명한 제3 실시형태에 의한 작용효과에 대해서 도 22를 참조하여 설명한다. 도 22는 제3 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.
(1) 광원 일체형 광센서(1G)의 제조방법은 기판(10) 위의 소정 영역에 수광칩(20) 및 발광칩(30)을 각각 설치하는 공정(도 22의 S31)과, 수광칩(20) 위에서 입사 개구부를 둘러싸도록 불투명 수지(51J, 51K)를 형성하는 공정(도 22의 S32)과, 불투명 수지(51J, 51K)의 내측 및 외측 각각에 투명수지(41)를 형성하는 공정(도 22의 S33)을 상기 공정순으로 실시하도록 했다. 이에 의해, 투명수지(41)는 상기 불투명 수지(51J, 51K)의 내측의 투명수지(41A)와, 불투명 수지(51J, 51K)의 외측의 투명수지(41B)로 분리됨으로써, 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)로의 열전도가 완화된다. 그 결과, 발광칩(30)으로부터의 열에 의한 특성의 열화를 억제한 광원 일체형 광센서(1G)를 제공할 수 있다.
(2) 상기 광원 일체형 광센서(1G)의 제조방법에서 불투명 수지(51J, 51K)에는 단열성 재료를 사용하도록 했으므로, 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41A)로의 열전도를 효과적으로 완화하는 광원 일체형 광센서(1G)를 제공할 수 있다.
<제4 실시형태>
도 13은 본 발명의 제4 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서(1H)의 단면도이다. 도 13에 의한 광원 일체형 광센서(1H)는 전술한 광원 일체형 광센서(1G)와 비교하여, 수광칩(20)의 개구부(수광부)를 투명수지(41C)로 렌즈 형상으로 밀봉한 점에서 다르다.
전술한 광원 일체형 광센서(1H)의 제조수순에 대해서 도 14를 참조하여 설명한다. 도 14에서 패턴이 형성되어 있는 회로기판(10)의 상면의 소정위치에 수광칩(20)을 다이마운트한다. 발광칩(30)을, 관통구멍(15)과 접속되어 있는 패턴 위에 다이마운트한다. 계속해서, 수광칩(20)의 복수의 전극과, 기판(10)의 패턴(11, 12) 및 다른 패턴과의 사이를 각각 본딩와이어(21, 22) 및 도시하지 않은 본딩와이어로 본딩 접속한다. 또한, 발광칩(30)의 상측의 전극과, 기판(10)의 소정 패턴과의 사이를 본딩와이어(31)에 의해 본딩 접속한다.
또한, 포팅에 의해 렌즈형상으로 볼록해진 투명수지(41C)로, 수광칩(20)의 개구부(수광부)를 밀봉한다. 또한, 포팅에 의해 렌즈 형상으로 볼록해진 투명수지(41D)로 발광칩(30)의 개구부(발광부)를 밀봉한다. 이들은 각각 렌즈 효과를 갖는다.
도 14의 상태에서 기판(10) 및 수광칩(20), 발광칩(30)의 위로부터 불투명 수지(51)를 도포한다. 앞서 포팅한 투명수지(41C 및 41D)를 각각 피하여 도포함으로써 투명수지(41C, 41D)와, 불투명 수지(51J, 51K, 51L)를 분리하여 형성한다. 이때, 불투명 수지(51J, 51K, 51L)를 투명수지(41C, 41D)보다 높게 형성한다.
이상 설명한 제4 실시형태에 의한 작용효과에 대해서 도 20을 참조하여 설명한다. 도 20은 제4 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다.
(1) 광원 일체형 광센서(1H)의 제조방법은 기판(10) 위의 소정 영역에 수광칩(20) 및 발광칩(30)을 각각 설치하는 공정(도 20의 S11)과, 수광칩(20) 및 발광칩(30)의 영역 위에 각각 투명수지(41C, 41D)를 형성하는 공정(도 20의 S12))과, 수광칩(20) 및 발광칩(30) 이외의 영역 위에 불투명 수지(51J, 51K, 51L)를 투명수지(41C, 41D)보다 높게 형성하는 공정(도 20의 S13)을 상기 공정순으로 실시하도록 했다. 이에 의해, 투명수지(41C)는 상기 불투명 수지(51J, 51K)로부터 분리되는 점에서, 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41C)로의 열전도가 완화된다. 그 결과, 발광칩(30)으로부터의 열에 의한 특성의 열화를 억제한 광원 일체형 광센서(1H)를 제공할 수 있다. 수지는 열에 의한 변형이나 변색이 발생하기 쉬우므로, 발광칩(30)으로부터 수광칩(20)을 덮는 투명수지(41C)로의 열전도를 완화시킬 수 있는 것이 중요하다.
(2) 상기 광원 일체형 광센서(1H)의 제조방법에서 투광부재에 수지(41C)를 사용했으므로, 유리재에 비하여 경량이고 저렴하게 제조할 수 있다.
(변형예 10)
전술한 도 13의 광원 일체형 광센서(1H)를, 변형예 10의 제조수순에 의해 제조할 수도 있다. 도 21은 변형예 10의 제조수순을 도시한 플로우차트이다. 변형예 10에서는 투명수지(41C 및 41D)를 포팅하기(도 21의 S23) 전에 불투명 수지(51)를 도포하는 점(도 21의 S22)이, 제4 실시형태의 수순과 다르다. 변형예 10의 제조수순을 도 15를 참조하여 설명한다.
도 15에서 투명수지(41C)의 포팅예정위치, 및 투명수지(41D)의 포팅예정위치를 피하여, 기판(10) 및 수광칩(20), 발광칩(30)의 위로부터 불투명 수지(51)를 도포한다(S22). 다음에, 투명수지(41C 및 41D)를 각각 렌즈형상으로 포팅함으로써 수광칩(20)의 개구부(수광부) 및 발광칩(30)의 개구부(발광부)를 밀봉한다(S23). 이때, 투명수지(41C, 41D)를 불투명 수지(51)보다 낮게 형성한다.
변형예 10의 제조수순에서도 수광칩(20)의 수광부를 렌즈형상으로 밀봉한 투명수지(41C)를 다른 밀봉부재인 불투명 수지(51K)와 분리할 수 있으므로, 발광칩(30)측으로부터 투명수지(41C)로의 열전도가 완화된다. 그 때문에, 수광칩(20)의 수광부를 덮는 투명수지(41C)의 표면이 열에 의해 변형되거나 투명수지(41C)가 변색되는 것을 방지할 수 있다.
<제5 실시형태>
도 16은 본 발명의 제5 실시형태에 의한 광원 일체형 광센서(1l)의 단면도이다. 도 16에 의한 광원 일체형 광센서(1l)는 전술한 광원 일체형 광센서(1H)와 비교하여 수광칩(20)의 개구부(수광부) 및 발광칩(30)의 개구부(발광부) 위에 투명수지(41)를 포팅하지 않는 점, 및 수광칩(20)의 개구부(수광부) 위에 유리재(80)를 설치하는 점에서 다르다.
전술한 광원 일체형 광센서(1l)의 제조수순에 대해서 도 16 및 도 17을 참조하여 설명한다. 도 17에서 패턴이 형성되어 있는 회로기판(10)의 상면의 소정 위치에 수광칩(20)을 다이마운트한다. 발광칩(30)을, 관통구멍(15)과 접속되어 있는 패턴 위에 다이마운트한다. 계속해서, 수광칩(20)의 복수의 전극과, 기판(10)의 패턴(11, 12) 및 다른 패턴과의 사이를 각각 본딩와이어(21, 22) 및 도시하지 않은 본딩와이어로 본딩 접속한다. 또한, 발광칩(30)의 상측의 전극과, 기판(10)의 소정패턴과의 사이를 본딩와이어(31)에 의해 본딩 접속한다. 또한, 수광칩(20)의 개구부(수광부) 위에 유리재(80)를 접착한다.
도 18에서 유리재(80), 및 발광칩(30)의 개구부(발광부)를 피하여 기판(10) 및 수광칩(20), 발광칩(30)의 위로부터 불투명 수지(51J, 51K 및 51L)를 도포한다. 이때, 불투명 수지(51J, 51K, 51L)을 발광칩(30)보다 높게 한다. 그리고 마지막으로 투명수지(41)를 도포하여 코팅하고, 도 16에 예시한 바와 같이 발광칩(30)을 덮는 영역(41B)과, 좌측단의 영역(41A)을 형성한다.
이상 설명한 제5 실시형태에 의한 작용효과에 대해서 도 23을 참조하여 설명한다. 도 23은 제5 실시형태에 의한 광원 일체형 센서의 제조수순을 도시한 플로우차트이다. 이 제조방법에서는 기판(10) 위의 소정영역에 수광칩(20) 및 발광칩(30)을 각각 설치하는 공정(도 23의 S41)과, 수광칩(20)의 영역 위에 유리재(80)를 설치하는 공정(도 23의 S42)과, 유리재(80) 및 발광칩(30) 이외의 영역 위에, 불투명 수지(51J, 51K, 51L)을 발광칩(30)보다 높게 형성하는 공정(도 23의 S43)과, 발광칩(30) 및 불투명 수지(51J, 51K, 51L)의 영역 위에 투명수지(41A, 41B)를 형성하는 공정(도 23의 S44)을 상기 공정순으로 실시하므로, 발광칩(30)측으로부터 유리재(80)로 열이 전달되었다고 해도, 투명수지의 경우와 달리, 변형이나 변색이 발생하지 않는다. 그 때문에, 발광칩(30)으로부터의 열에 의한 특성의 열화를 억제한 광원 일체형 광센서(1l)를 제공할 수 있다.
상기에서는 여러 실시형태 및 변형예를 설명했지만, 본 발명은 이들의 내용에 한정되는 것은 아니다. 각 실시형태 및 각 변형예의 구성은 적절하게 조합시켜도 상관없다. 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 생각되는 그 밖의 형태도 본 발명의 범위내에 포함된다.
다음의 우선권 기초출원의 개시내용은 인용문으로서 여기에 편입된다.
일본특허출원 2012년 105940호(2012년 5월 7일 출원)
일본특허출원 2012년 105941호(2012년 5월 7일 출원)
일본특허출원 2013년 564호(2013년 1월 7일 출원)

Claims (11)

  1. 기판상의 소정 영역에 설치된 수광부;
    상기 기판상의 상기 수광부와 다른 영역에 설치된 발광부;
    상기 수광부상에 상기 수광부를 덮도록 설치된 제1 투광부재;
    상기 제1 투광부재와 공간을 사이에 두고 설치되며, 상기 발광부상에 상기 발광부를 덮도록 설치된 제2 투광부재;
    상기 공간의 일부에 형성된 열전도성 재료에 의해 구성되는 차광부재;
    상기 공간에 대응하는 부분의 상기 기판에 설치되고, 상기 열전도성 재료에 열전도 가능하게 설치된 관통구멍;
    상기 제1 투광부재와 상기 차광부재 사이 및 상기 제2 투광부재와 상기 차광부재와의 사이 중 적어도 한쪽에 설치된 불투명 수지;를 구비하는 것을 특징으로 하는 광원 일체형 광센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 불투명 수지는 상기 제1 투광부재와 상기 차광부재와의 사이 및 상기 제2 투광부재와 상기 차광부재와의 사이의 양쪽에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 광원 일체형 센서.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 투광부재와 상기 차광부재와의 사이에 설치된 상기 불투명 수지와; 상기 차광부재 사이에 공극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광원 일체형 광센서.
  4. 기판상의 소정 영역에 설치된 수광부;
    상기 기판상의 상기 수광부와 다른 영역에 설치된 발광부;
    상기 수광부상에 상기 수광부를 덮도록 설치된 제1 투광부재;
    상기 제1 투광부재와 공간을 사이에 두고 설치되며, 상기 발광부상에 상기 발광부를 덮도록 설치된 제2 투광부재;
    상기 제1 투광부재만에서의 상기 공간측에 설치된 불투명 수지;를 구비하고,
    상기 불투명 수지와 상기 제2 투광부재 사이에 공극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광원 일체형 광센서.
  5. 기판상의 소정 영역에 설치된 수광부;
    상기 기판상의 상기 수광부와 다른 영역에 설치된 발광부;
    상기 수광부상에 상기 수광부를 덮도록 설치된 제1 투광부재;
    상기 제1 투광부재와 공간을 사이에 두고 설치되며, 상기 발광부상에 상기 발광부를 덮도록 설치된 제2 투광부재;
    상기 제1 투광부재에서의 상기 공간측에 설치된 제1 불투명 수지;
    상기 기판상에서의 상기 수광부의 외주에 상기 수광부의 상면을 노출하도록 상기 제1 투광부재의 하면에 적층하여 설치된 제2 불투명 수지;
    상기 제2 투광부재에서의 상기 공간측에 설치된 제3 불투명 수지;
    상기 기판상에서의 상기 발광부의 외주에 상기 발광부의 상면을 노출하도록 상기 제2 투광부재의 하면에 적층하여 설치된 제4 불투명 수지;를 구비하는 것을 특징으로 하는 광원 일체형 광센서.
  6. 기판상의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 설치하는 공정;
    상기 수광부와 상기 발광부와의 사이에서 마스크 부재를 설치하는 공정;
    상기 마스크 부재를 마스크로 하여 상기 수광부 및 상기 발광부 이외의 영역상에 상기 마스크 부재보다 낮은 차광부재를 도포하는 공정;
    상기 수광부, 상기 발광부, 및 상기 차광부재의 영역상에 각각 투광부재를 형성하는 공정; 및
    상기 마스크 부재를 제거하는 공정;을 상기 공정순으로 실시하는 것을 특징으로 하는 광원 일체형 광센서의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 마스크 부재가 설치되어 있던 영역에 금속판을 설치하는 공정을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 광원 일체형 광센서의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 수광부 및 상기 발광부를 설치하는 공정 전에, 상기 기판에 관통구멍 및 상기 관통구멍에 접속되는 하면 앞 패턴을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 금속판은 상기 관통구멍상에 형성하는 것을 특징으로 하는 광원 일체형 광센서의 제조방법.
  9. 기판상의 소정 영역에 수광부 및 발광부를 각각 다이마운트하고, 상기 수광부를 상기 기판상에 설치된 패턴에 본딩와이어에 의해 접속하는 공정;
    상기 수광부 및 상기 발광부의 영역상에 각각 투광부재를 상기 발광부 또는 상기 수광부의 영역으로부터 불거져 나오지 않도록 형성하는 공정; 및
    상기 투광부재가 형성된 영역의 주위에 각각 상기 본딩와이어의 전체를 덮고 차광부재를 형성하는 공정;을 상기 공정순으로 실시하는 것을 특징으로 하는 광원 일체형 광센서의 제조방법.
  10. 기판상의 소정영역에 수광부 및 발광부를 각각 다이마운트하고, 상기 수광부를 상기 기판상에 설치된 패턴에 본딩와이어에 의해 접속하는 공정;
    상기 수광부상의 주위 및 상기 발광부 상의 주위를 포함하며, 상기 수광부 및 상기 발광부 이외의 영역상에 각각 상기 본딩와이어의 전체를 덮고, 차광부재를 형성하는 공정; 및
    상기 수광부 및 상기 발광부의 영역상에서의 상기 차광부재에 둘러싸인 영역내에 각각 투광부재를 형성하는 공정;을 상기 공정 순으로 실시하는 것을 특징으로 하는 광원 일체형 광센서의 제조방법.
  11. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 투광부재는 포팅에 의해 렌즈 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광원 일체형 광센서의 제조방법.
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