JPS61204989A - 半導体光電変換装置 - Google Patents
半導体光電変換装置Info
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- JPS61204989A JPS61204989A JP60044542A JP4454285A JPS61204989A JP S61204989 A JPS61204989 A JP S61204989A JP 60044542 A JP60044542 A JP 60044542A JP 4454285 A JP4454285 A JP 4454285A JP S61204989 A JPS61204989 A JP S61204989A
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Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 29
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- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 7
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
半導体光電変換装置、特に反射型センサに関するもので
ある。
ある。
従来の反射型センサを図を用いて説明する。
＠３図（ａ） 、 （ｂ）にこの反射型センナの斜視図
および断面図を示す。
および断面図を示す。
遮光材料よシなる端壁（底￥）１．およびこの端壁と１
体に形成され、この端壁１ｔ−底面とする箱体の側面と
なる周囲壁６．およびこの周囲壁６と前記端壁１と一体
に形成され前記箱体金２つに分割する隔壁４とで光学的
に上方に開放された２つの部屋が構成されている。
体に形成され、この端壁１ｔ−底面とする箱体の側面と
なる周囲壁６．およびこの周囲壁６と前記端壁１と一体
に形成され前記箱体金２つに分割する隔壁４とで光学的
に上方に開放された２つの部屋が構成されている。
そして、この部屋の１つには発光素子２が組込まれ他の
部屋には受光素子３が組込まれており。
部屋には受光素子３が組込まれており。
この２つの部屋はそれぞれ封止樹脂５で満され、この封
止樹脂５０表面はそれぞれ凹状となっている。
止樹脂５０表面はそれぞれ凹状となっている。
このよう碌構造の反射型セ／すは例えば、電子写真装置
（コピー機）の紙送り時の紙の検出などに用いられるも
のであり、発光素子２からの発光は紙が送られていない
状態では受光素子３に検知されず１紙が送られてきた場
合、この紙によシ光るものである。
（コピー機）の紙送り時の紙の検出などに用いられるも
のであり、発光素子２からの発光は紙が送られていない
状態では受光素子３に検知されず１紙が送られてきた場
合、この紙によシ光るものである。
しか［２ながら従来は、封止樹脂５の表面が凹状であり
、ここで発光素子からの光は凹レンズの作用により広が
るため外部光出力は小さい。また、例えば第５図ｆａ）
に示されるよう配光特性が広い念めこのセンサは斜線Ｘ
で示された部分に広範囲に物体の検知全する。このため
５部品全高密度に収納しまた装置にセンサ全組み込む場
合この→こンザ以外の部品からの光を検知したり、また
他の部品からの反射光全検知し誤動作する。また検知範
囲が広いためこのセンサを組み込む装置の小型化に対し
制約”Ｆｒ：”；えてしまう。
、ここで発光素子からの光は凹レンズの作用により広が
るため外部光出力は小さい。また、例えば第５図ｆａ）
に示されるよう配光特性が広い念めこのセンサは斜線Ｘ
で示された部分に広範囲に物体の検知全する。このため
５部品全高密度に収納しまた装置にセンサ全組み込む場
合この→こンザ以外の部品からの光を検知したり、また
他の部品からの反射光全検知し誤動作する。また検知範
囲が広いためこのセンサを組み込む装置の小型化に対し
制約”Ｆｒ：”；えてしまう。
また、この従来例の反射センサ全改良して第４図に示す
ように液状の封樹脂脂をもう少し盛シ上げることも考え
られるソ、この場合は封止樹脂５は隔壁４上にはい上が
り全体として凸レンズ状となシ、第４図の矢印Ｙで示さ
れるようにこの隔壁４上の樹脂内部全通して光が受光素
子３側へ漏れて誤動作してしまう。
ように液状の封樹脂脂をもう少し盛シ上げることも考え
られるソ、この場合は封止樹脂５は隔壁４上にはい上が
り全体として凸レンズ状となシ、第４図の矢印Ｙで示さ
れるようにこの隔壁４上の樹脂内部全通して光が受光素
子３側へ漏れて誤動作してしまう。
そしてこの改良例においても、その構造上、封止樹脂５
の形状全任意に設計することができず。
の形状全任意に設計することができず。
例えば第５図（ｂ）に示されるように配光特性が未だ広
く、充分に狭くできないため検知範囲は広い。
く、充分に狭くできないため検知範囲は広い。
このため、このセンサ全組み込む装置は、その検知範囲
を広くとらなければならず、小型化一部品の高密度収納
化等に制約を受けてしまう。
を広くとらなければならず、小型化一部品の高密度収納
化等に制約を受けてしまう。
本発明は上記従来の問題点全解決し、所望の距離・範囲
の物体のみ全精度よく検知することができる反射型セン
サｆ：提供することを目的とする。
の物体のみ全精度よく検知することができる反射型セン
サｆ：提供することを目的とする。
本発明は上記目的全達成するための、ステムと、このス
テム上に相互に離間して配設され次発光素子及び受光素
子と、この発光素子と受光素子の間に位置してステム上
に形成され念遮光性の隔壁と、前記発光素子全覆う透光
性の第１の凸レンズ形状封止樹脂と、前記受光素子を覆
う透光性の第２の凸レンズ形状封止樹脂とを真備し、前
記隔壁は前記第１および第２の封止樹脂と同程度もしく
はこれよや高く形成され、前記第１および第２の封止樹
脂は所望の狭い検知範囲全設定するようにそのレンズ形
状−が設計されていることを特徴とする半導体光電変換
装置である。
テム上に相互に離間して配設され次発光素子及び受光素
子と、この発光素子と受光素子の間に位置してステム上
に形成され念遮光性の隔壁と、前記発光素子全覆う透光
性の第１の凸レンズ形状封止樹脂と、前記受光素子を覆
う透光性の第２の凸レンズ形状封止樹脂とを真備し、前
記隔壁は前記第１および第２の封止樹脂と同程度もしく
はこれよや高く形成され、前記第１および第２の封止樹
脂は所望の狭い検知範囲全設定するようにそのレンズ形
状−が設計されていることを特徴とする半導体光電変換
装置である。
本発明の一実施例の反射型センナ企図金円いて素子３が
それぞれマウントされている。この素子２および３は相
互に離間した位置に配置され、？：。
それぞれマウントされている。この素子２および３は相
互に離間した位置に配置され、？：。
の素子２−３間に配設されたＳ光性の隔壁４がステム１
上面に一体に形成されている。そしてこの発光素子２お
よび受光素子３は金ワイヤによりそれぞれバット部へ接
続されている。
上面に一体に形成されている。そしてこの発光素子２お
よび受光素子３は金ワイヤによりそれぞれバット部へ接
続されている。
なおこのバット部およびヘッダ一部は各々電極リード７
に接続されており、このり〜・ドアは外部へ突出した構
造となっている。
に接続されており、このり〜・ドアは外部へ突出した構
造となっている。
干して発光素子２および受光素子３はそれぞれ透明な樹
脂５により封止され、この封止樹脂表面は凸レンズ状に
形成されている。
脂５により封止され、この封止樹脂表面は凸レンズ状に
形成されている。
する型材に液状の樹脂金入れ、その上からステムを逆さ
にし１発光素子２および受光素子３を浸し樹脂金固化す
ることによシ形成する。
にし１発光素子２および受光素子３を浸し樹脂金固化す
ることによシ形成する。
また前述した隔壁４けこの封止樹脂５と同程度かそれよ
＃）高く形成するわこれによｐ光漏れによる誤動作を防
止できる。
＃）高く形成するわこれによｐ光漏れによる誤動作を防
止できる。
このような溝端によると封止樹脂５が凸レンズ形状のた
め発光素子２からの発光は集光する。
め発光素子２からの発光は集光する。
セしてこの凸レンズ状の形状全変化させることによシ配
向特性および焦点距離を変化させることができる。その
ため、第２図ａ、およびｂに夫々示したような配光特性
全任意に得られ、その発光素子２と受光素子３の配光特
性で重なる部分Ｘ ｒ。
向特性および焦点距離を変化させることができる。その
ため、第２図ａ、およびｂに夫々示したような配光特性
全任意に得られ、その発光素子２と受光素子３の配光特
性で重なる部分Ｘ ｒ。
小さくシ、かつその位置全選択することができる。
ぞしてセンサはこの重なる部分Ｘを通過する物体のみ全
検知するものであり、（ａ）ではレンズ形状金たて長に
することにより重なる部分ｘｌセンサがら遠方へ設定し
、（ｂ）ではレンズ形状を横長にすることにより重々る
部分Ｘ全センサの近くに設定しこのようにして本発明に
よると検知範囲（重なる部分Ｘ）を必要に応じて狭く任
意に決定することが可能となる。このため、このセンナ
を組み込む装置の小型化や部品の高密度収納に合わせて
狭ｈスペースで誤動作することなく精度よく物体の検知
ができる。
検知するものであり、（ａ）ではレンズ形状金たて長に
することにより重なる部分ｘｌセンサがら遠方へ設定し
、（ｂ）ではレンズ形状を横長にすることにより重々る
部分Ｘ全センサの近くに設定しこのようにして本発明に
よると検知範囲（重なる部分Ｘ）を必要に応じて狭く任
意に決定することが可能となる。このため、このセンナ
を組み込む装置の小型化や部品の高密度収納に合わせて
狭ｈスペースで誤動作することなく精度よく物体の検知
ができる。
このような反射型センサは１例えば物体の通路が複数膜
けである装置において、その工つの通路を通過する物体
のみを検知することも可能となる。
けである装置において、その工つの通路を通過する物体
のみを検知することも可能となる。
本発明の反射型センナは封止樹脂が凸レンズ形状であり
、所定の距離にある物体のみの有無を検知することが可
能となる、という効果がある。
、所定の距離にある物体のみの有無を検知することが可
能となる、という効果がある。
第１図（ａ）、および（ｂ）は本発明の一実施例装置を
夫々示す斜視図および正面図、第２図（ａ）、および（
ｂ）は本発明の実施例装置の配光特性の例を示す図、第
３図（ａ）、および（ｂ）は従来の反射センサを夫々示
す斜視図および断面図、第４図は他の従来例の反射セン
ナの断面図、第５図は従来装置の配光特性を示す図であ
る。 １・・・端壁（ステム） ２・・・発光素子 ３・・・受光素子 ４・・・隔壁 ５・・・封止樹脂 代理人 弁理士 則近憲佑（ほか１名）第１図 （ａ） 第２図 （ａ）（い 第 ４ 囚 第５図 （０）（ｂ）
夫々示す斜視図および正面図、第２図（ａ）、および（
ｂ）は本発明の実施例装置の配光特性の例を示す図、第
３図（ａ）、および（ｂ）は従来の反射センサを夫々示
す斜視図および断面図、第４図は他の従来例の反射セン
ナの断面図、第５図は従来装置の配光特性を示す図であ
る。 １・・・端壁（ステム） ２・・・発光素子 ３・・・受光素子 ４・・・隔壁 ５・・・封止樹脂 代理人 弁理士 則近憲佑（ほか１名）第１図 （ａ） 第２図 （ａ）（い 第 ４ 囚 第５図 （０）（ｂ）
Claims (1)
- ステムと、このステム上に相互に離間して配置された発
光素子及び受光素子と、この発光素子と受光素子の間に
位置してステム上に形成された遮光性の隔壁と、前記発
光素子を覆う透光性の第１の凸レンズ形状封止樹脂と、
前記受光素子を覆う透光性の第２の凸レンズ形状封止樹
脂とを具備し、前記隔壁は前記第１および第２の封止樹
脂と同程度もしくはこれより高く形成され、前記第１お
よび第２の封止樹脂は所望の狭い検知範囲を設定するよ
うにそのレンズ形状が設計されていることを特徴とする
半導体光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60044542A JPS61204989A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60044542A JPS61204989A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204989A true JPS61204989A (ja) | 1986-09-11 |
Family
ID=12694392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60044542A Pending JPS61204989A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61204989A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5371384A (en) * | 1993-06-24 | 1994-12-06 | Sony Corporation | Solid state imaging device having a light emitting diode |
| KR100773473B1 (ko) | 2006-08-30 | 2007-11-05 | 한국 고덴시 주식회사 | 금형 몰딩을 이용한 반사형 광센서 및 그 제조 방법 |
| WO2013168442A1 (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-14 | アオイ電子株式会社 | 光源一体型光センサ、および光源一体型光センサの製造方法 |
| JP2013235887A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Aoi Electronics Co Ltd | 光源一体型光センサの製造方法 |
| JP2013254930A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-12-19 | Aoi Electronics Co Ltd | 光源一体型光センサ |
| KR20140141691A (ko) * | 2012-05-07 | 2014-12-10 | 아오이 전자 주식회사 | 광원 일체형 광센서 및 광원 일체형 광센서의 제조방법 |
| CN104396026A (zh) * | 2012-06-20 | 2015-03-04 | 青井电子株式会社 | 光源一体型光传感器 |
| JP2016149541A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 台医光電科技股▲ふん▼有限公司 | 光学センサモジュール、光学センサアクセサリー、及び光学センサデバイス |
| WO2017174312A3 (de) * | 2016-04-04 | 2017-12-14 | Vishay Semiconductor Gmbh | Elektronische einheit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50122191A (ja) * | 1974-03-12 | 1975-09-25 | ||
| JPS5619750A (en) * | 1979-06-19 | 1981-02-24 | Idemitsu Kosan Co | Laminating waterproof sheet |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP60044542A patent/JPS61204989A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50122191A (ja) * | 1974-03-12 | 1975-09-25 | ||
| JPS5619750A (en) * | 1979-06-19 | 1981-02-24 | Idemitsu Kosan Co | Laminating waterproof sheet |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5371384A (en) * | 1993-06-24 | 1994-12-06 | Sony Corporation | Solid state imaging device having a light emitting diode |
| KR100773473B1 (ko) | 2006-08-30 | 2007-11-05 | 한국 고덴시 주식회사 | 금형 몰딩을 이용한 반사형 광센서 및 그 제조 방법 |
| WO2013168442A1 (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-14 | アオイ電子株式会社 | 光源一体型光センサ、および光源一体型光センサの製造方法 |
| JP2013235887A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Aoi Electronics Co Ltd | 光源一体型光センサの製造方法 |
| JP2013254930A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-12-19 | Aoi Electronics Co Ltd | 光源一体型光センサ |
| KR20140141691A (ko) * | 2012-05-07 | 2014-12-10 | 아오이 전자 주식회사 | 광원 일체형 광센서 및 광원 일체형 광센서의 제조방법 |
| CN104272474A (zh) * | 2012-05-07 | 2015-01-07 | 青井电子株式会社 | 光源一体式光传感器以及光源一体式光传感器的制造方法 |
| CN104396026A (zh) * | 2012-06-20 | 2015-03-04 | 青井电子株式会社 | 光源一体型光传感器 |
| JP2016149541A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 台医光電科技股▲ふん▼有限公司 | 光学センサモジュール、光学センサアクセサリー、及び光学センサデバイス |
| JP2016149540A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 台医光電科技股▲ふん▼有限公司 | 光学センサモジュール、光学センサアクセサリー、及び光学センサデバイス |
| US9696199B2 (en) | 2015-02-13 | 2017-07-04 | Taiwan Biophotonic Corporation | Optical sensor |
| WO2017174312A3 (de) * | 2016-04-04 | 2017-12-14 | Vishay Semiconductor Gmbh | Elektronische einheit |
| US10714461B2 (en) | 2016-04-04 | 2020-07-14 | Vishay Semiconductor Gmbh | Electronic unit |
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