JP4955953B2

JP4955953B2 - 光半導体装置および電子機器

Info

Publication number: JP4955953B2
Application number: JP2005218810A
Authority: JP
Inventors: 隆敏溝口; 弘之小路; 英也高倉; 一夫楠田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2005-07-28
Filing date: 2005-07-28
Publication date: 2012-06-20
Anticipated expiration: 2025-07-28
Also published as: JP2007036019A

Description

この発明は、光半導体素子を有する光半導体装置に関し、詳しくは、光ファイバー、光空間伝送等光信号を送受信する光通信装置や、赤外光を利用する光センサー等に利用することができる光半導体装置および上記光半導体装置を使用した電子機器に関する。

この発明の光半導体装置は、デジタルＴＶ(televisionテレビジョン)、デジタルＢＳ(Broadcasting Satellite：ブロードキャスティング・サテライト)チューナ、ＣＳ(Communication Satellite：コミュニケーション・サテライト)チューナ、ＤＶＤ(Digital Versatile Disc：デジタル多用途ディスク)プレーヤー、ＣＤ(Compact Disc：コンパクト・ディスク)プレーヤー、ＡＶ(Audio Visual：オーディオ・ビジュアル)アンプ、オーディオ、パーソナルコンピュータ(以下、パソコンという)、パソコン周辺機器、携帯電話、ＰＤＡ(Personal Digital Assistant：パーソナル・デジタル・アシスタント)等の電子機器に使用される。また、動作温度範囲の広い環境、例えば車載用機器であるカーオーディオ、カーナビゲーション、センサーや、工場内のロボットのセンサー、制御用機器等の電子機器にも使用可能である。

従来より、発光ダイオード(ＬＥＤ：Light Emitting Diode)やフォトダイオード(ＰＤ：Photo Diode)等の光半導体素子と光ファイバーケーブルとを結合させる光半導体装置が知られており、機器間や家庭内、自動車内での光通信に利用されている。また、上記光半導体素子を用いた光センサーも反射型、透過型などが開発され、人体検知、物体検知の用途にあらゆる場所で利用されている。

これらの光半導体装置としては、図３４に示すように、透明樹脂を用いたトランスファ成形を利用して作製されたものが広く使用されている。図３４に示す光半導体装置は、リードフレーム１０１上に導電性接着ペースト１０３により接着された光半導体素子１０２を透明樹脂部１０６で封止し、この透明樹脂部１０６に形成されたレンズ１１０により光半導体素子１０２と光ファイバーケーブル１１１とを光学的に結合させるものである（特開２０００−１７３９４７号公報：特許文献１参照）。

上記光半導体素子１０２は、ワイヤー１０４を介して、リードフレーム１０１に互いに電気的に結合されている。また、上記光半導体素子１０２を駆動制御するための集積回路チップ１０５が、上記リードフレーム１０１上に導電性接着ペースト１０３により接着して搭載されている。

しかしながら、上記従来の光半導体装置では、上記透明樹脂部１０６を用いているので、この透明樹脂部１０６は、一般的に線膨張係数が大きく、この透明樹脂部１０６と、上記リードフレーム１０１、上記光半導体素子１０２およびボンディングワイヤーとの線膨張係数に大きな差異が生じる。このため、熱ストレスによりワイヤーの断線やパッケージクラック等の不具合が発生するという問題がある。

また、上記光半導体素子１０２を上記透明樹脂部１０６で封止しているので、上記光半導体素子１０２に外乱光が回り込み、Ｓ／Ｎ比は低減する。

このように、上記従来の光半導体装置では、信頼性の高い光半導体装置を作製するのが非常に困難である。
特開２０００−１７３９４７号公報（図３）

そこで、この発明の課題は、ＬＥＤやＰＤ等のチップサイズの小さい半導体光素子を利用することができ、信頼性が高く光伝送品質が良好な小型で安価な光半導体装置、および、この光半導体装置を備える電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するため、この発明の光半導体装置は、
基材と、
この基材上に搭載された光半導体素子と、
この光半導体素子のうちの少なくとも表面の光の授受部に接触してこの少なくとも授受部を覆うと共に、上記基材と上記光半導体素子とを接続するボンディングワイヤーのうちの上記光半導体素子との接続部に接触してこの接続部を覆う弾性を有する透光性の緩衝樹脂部と、
この緩衝樹脂部の少なくとも一部および上記光半導体素子を封止すると共に上記基材の熱膨張係数に近似した熱膨張係数を有する遮光性のモールド樹脂部と
を備え、
上記緩衝樹脂部のうちの上記光半導体素子の上記授受部に対向する一部分は、上記モールド樹脂部から露出する一方、上記緩衝樹脂部のうちの上記一部分以外の他の部分は、上記モールド樹脂部に埋設され、
上記ワイヤーは、上記緩衝樹脂部内に、上記基材に略平行な平行部を有することを特徴としている。

この発明の光半導体装置によれば、上記遮光性のモールド樹脂部は、上記基材の熱膨張係数に近似した熱膨張係数を有するので、熱ストレスによるボンディングワイヤーの断線やパッケージクラック等の不具合を簡単な構成で防止することができる。また、上記光半導体素子を上記遮光性のモールド樹脂部で封止しているので、上記光半導体素子への外乱光の回り込みを低減でき、Ｓ／Ｎ比を向上できる。

また、上記遮光性のモールド樹脂部で上記緩衝樹脂部の少なくとも一部を封止するので、高温での使用時に、上記緩衝樹脂部の膨張を上記遮光性のモールド樹脂部で押さえ込むことができて、上記光半導体素子と上記緩衝樹脂部の剥離や、上記光半導体素子に接続されるワイヤーの断線を防止できる。

したがって、光伝送品質の良好な信頼性の高い光半導体装置を小型で安価に作製することができる。

また、一実施形態の光半導体装置では、上記遮光性のモールド樹脂部は、上記緩衝樹脂部の全体積の９０％以上を封止している。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記遮光性のモールド樹脂部は、上記緩衝樹脂部の全体積の９０％以上を封止しているので、上記光半導体素子への外乱光の回り込みを一層低減でき、Ｓ／Ｎ比を一層向上できる。また、上記緩衝樹脂部の膨張を上記遮光性のモールド樹脂部で確実に押さえ込むことができて、車載等の高温での使用に適したものになる。

また、一実施形態の光半導体装置では、上記透光性の緩衝樹脂部は、上記遮光性のモールド樹脂部の表面から突出している。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記緩衝樹脂部は、上記モールド樹脂部の表面から突出しているので、製造時に、上記緩衝樹脂部の体積の大小に関わらず、上記モールド樹脂部から露出する上記緩衝樹脂部の表面積のばらつきを小さく抑えることができ、より安定した製造ができて、信頼性の高い光半導体装置を作製できる。すなわち、この光半導体装置の製造時に、上記モールド樹脂部の成形用の金型にバラツキがあっても、上記緩衝樹脂部は、上記モールド樹脂部の中に埋もれない。

また、一実施形態の光半導体装置では、上記透光性の緩衝樹脂部は、上記遮光性のモールド樹脂部から露出している凸状部を有し、この凸状部は、レンズ機能を有する。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記透光性の緩衝樹脂部は、上記遮光性のモールド樹脂部から露出している凸状部を有し、この凸状部は、レンズ機能を有するので、上記光半導体素子の受発光の光束を絞ることができ、反射型光センサーに用いた場合、さらにＳ／Ｎ比が向上し、優れた検知精度が得られる。

また、一実施形態の光半導体装置では、上記遮光性のモールド樹脂部から露出している上記透光性の緩衝樹脂部の露出面を少なくとも覆う透光性のモールド樹脂部を備える。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記透光性の緩衝樹脂部の露出面を少なくとも覆う透光性のモールド樹脂部を備えるので、上記透光性のモールド樹脂部によって、外的要因によるキズおよび湿気の侵入を防止して、信頼性の高い光感知品質の良好な光半導体装置を作製できる。

また、一実施形態の光半導体装置では、上記透光性のモールド樹脂部は、上記基材の上記光半導体素子を搭載している側のみに、配置されている。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記透光性のモールド樹脂部は、上記基材の上記光半導体素子を搭載している側のみに、配置されているので、上記透光性のモールド樹脂部の使用量を低減できて、薄型化とコストダウンを実現できる。

また、一実施形態の光半導体装置では、上記透光性のモールド樹脂部は、上記透光性の緩衝樹脂部の露出面の近傍のみに、配置されている。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記透光性のモールド樹脂部は、上記透光性の緩衝樹脂部の露出面の近傍のみに、配置されているので、上記透光性のモールド樹脂部の使用量を一層低減できて、一層の薄型化とコストダウンを実現できる。

また、一実施形態の光半導体装置では、上記透光性のモールド樹脂部は、上記透光性の緩衝樹脂部の露出面、および、上記遮光性のモールド樹脂部の全周囲を、覆い、上記遮光性のモールド樹脂部の線膨張係数は、上記透光性のモールド樹脂部の線膨張係数よりも小さい。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記透光性のモールド樹脂部は、上記透光性の緩衝樹脂部の露出面、および、上記遮光性のモールド樹脂部の全面を、覆っているので、上記透光性のモールド樹脂部は上記遮光性のモールド樹脂部から剥離しない。また、上記遮光性のモールド樹脂部の線膨張係数は、上記透光性のモールド樹脂部の線膨張係数よりも小さいので、熱による樹脂成形後の冷却時に、上記遮光性のモールド樹脂部の収縮は、上記透光性のモールド樹脂部に比べて小さくなり、上記透光性のモールド樹脂部と上記遮光性のモールド樹脂部との間に剥離が発生しない。

また、一実施形態の光半導体装置では、上記透光性の緩衝樹脂部の露出面は、外側に向かって凸状の面であり、上記透光性の緩衝樹脂部の光屈折率は、上記透光性のモールド樹脂部の光屈折率より大きい。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記透光性の緩衝樹脂部の露出面は、外側に向かって凸状の面であり、上記透光性の緩衝樹脂部の光屈折率は、上記透光性のモールド樹脂部の光屈折率より大きいので、上記透光性の緩衝樹脂部のレンズ効果により、受発光の効率を向上できる。また、上記透光性のモールド樹脂部の表面にレンズ構造を不要とし、上記透光性のモールド樹脂部の表面を平坦にできる。

また、一実施形態の光半導体装置では、上記透光性のモールド樹脂部は、上記透光性の緩衝樹脂部の露出面に重なると共に外側に向かって凸状の面を有するレンズ部を有する。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記透光性のモールド樹脂部は、レンズ部を有するので、受発光の効率を一層向上できて、一層、品質の高い安価な光半導体装置を製造することができる。

また、一実施形態の光半導体装置は、上記基材としてのリードフレームと上記光半導体素子は、低ループ形状の上記ワイヤーを介して、互いに電気的に接続されていることを特徴とする。

上記実施形態の光半導体装置によれば、上記リードフレームと上記光半導体素子は、低ループ形状のワイヤーを介して、互いに電気的に接続されているので、上記緩衝樹脂部内での、上記リードフレームに対して垂直方向の上記ワイヤーの立ち上がりを小さくできる。したがって、この光半導体装置の製造時に、上記遮光性のモールド樹脂部の成形用の金型で、上記緩衝樹脂部を押さえて、上記緩衝樹脂部に応力がかかっても、上記ワイヤーの座屈を防止できる。

また、一実施形態の光半導体装置は、上記ワイヤーは、上記光半導体素子に位置するバンプ部から延びると共に上記リードフレームに略平行な上記平行部を有することを特徴とする。

上記実施形態の光半導体装置によれば、上記ワイヤーは、上記光半導体素子に位置するバンプ部から延びると共に上記リードフレームに略平行な平行部を有するので、上記ワイヤーを上記光半導体素子に確実に接続でき、かつ、立ち上がりの小さい上記ワイヤーを容易に形成できる。

また、一実施形態の光半導体装置は、上記ワイヤーは、上記光半導体素子に位置するボール部と、このボール部から延びる屈曲部と、この屈曲部から延びると共に上記リードフレームに略平行な上記平行部とを有することを特徴とする。

上記実施形態の光半導体装置によれば、上記ワイヤーは、上記光半導体素子に位置するボール部と、このボール部から延びる屈曲部と、この屈曲部から延びると共に上記リードフレームに略平行な平行部とを有するので、上記ワイヤーを上記光半導体素子に確実に接続でき、かつ、立ち上がりの小さい上記ワイヤーを容易に形成できる。

また、一実施形態の光半導体装置は、上記屈曲部の上記光半導体素子からの高さは、上記平行部の上記光半導体素子からの高さよりも、低いことを特徴とする。

上記実施形態の光半導体装置によれば、上記屈曲部の上記光半導体素子からの高さは、上記平行部の上記光半導体素子からの高さよりも、低いので、上記屈曲部の立ち上がりを小さくできて、上記ワイヤーの座屈を確実に防止できる。

また、一実施形態の光半導体装置は、上記ワイヤーは、上記光半導体素子から延びると共に上記リードフレームに略平行な上記平行部を有することを特徴とする。

上記実施形態の光半導体装置によれば、上記ワイヤーは、上記光半導体素子から延びると共に上記リードフレームに略平行な平行部を有するので、上記ワイヤーの立ち上がりを略なくすことができ、上記ワイヤーの座屈を確実に防止できる。

また、一実施形態の光半導体装置は、上記リードフレーム上に搭載され上記遮光性のモールド樹脂部に封止されると共に上記光半導体素子を駆動制御する集積回路チップを備え、上記リードフレームと上記集積回路チップは、低ループ形状の上記ワイヤーを介して、互いに電気的に接続されていることを特徴とする。

上記実施形態の光半導体装置によれば、上記リードフレームと上記集積回路チップは、低ループ形状のワイヤーを介して、互いに電気的に接続されているので、上記光半導体素子を接続する上記低ループ形状のワイヤーとの相互作用により、上記遮光性のモールド樹脂部の厚みを薄くできて、パッケージの小型化および薄型化を図ることができる。

また、一実施形態の光半導体装置では、上記光半導体素子は、発光素子または受光素子である。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記光半導体素子は、発光素子または受光素子であるので、耐環境性や信頼性が高く、Ｓ／Ｎ比も優れ、より品質の高い安価な発光単体素子または受光単体素子を製造することができる。

また、一実施形態の光半導体装置では、一の上記光半導体素子は、発光素子であり、他の上記光半導体素子は、受光素子であり、上記発光素子と上記受光素子は、被検出物の検出領域を介して互いに光学的に結合するように、対向配置され、上記発光素子と上記受光素子は、上記透光性の緩衝樹脂部および上記遮光性のモールド樹脂部にて、覆われている。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記発光素子と上記受光素子は、上記透光性の緩衝樹脂部および上記遮光性のモールド樹脂部にて、覆われているので、耐環境性に優れ、Ｓ／Ｎ比のよい透過型光センサーを安価に製造することができる。

また、一実施形態の光半導体装置では、一の上記光半導体素子は、発光素子であり、他の上記光半導体素子は、受光素子であり、上記発光素子と上記受光素子は、被検出物による反射により互いに光学的に結合するように配置され、上記発光素子と上記受光素子は、上記透光性の緩衝樹脂部および上記遮光性のモールド樹脂部にて、覆われている。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記発光素子と上記受光素子は、上記透光性の緩衝樹脂部および上記遮光性のモールド樹脂部にて、覆われているので、耐環境性に優れ、Ｓ／Ｎ比のよい反射型光センサーを安価に製造することができる。

また、一実施形態の光半導体装置では、一の上記光半導体素子は、発光素子であり、他の上記光半導体素子は、受光素子であり、上記発光素子と上記受光素子は、機器間の光通信に使用可能な位置に配置され、上記発光素子と上記受光素子は、上記透光性の緩衝樹脂部および上記遮光性のモールド樹脂部にて、覆われている。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記発光素子と上記受光素子は、上記透光性の緩衝樹脂部および上記遮光性のモールド樹脂部にて、覆われているので、耐環境性に優れ、通信性能のよい光ファイバ−リンクや光空間伝送装置などの光通信装置を安価に製造することができる。

また、一実施形態の光半導体装置では、上記発光素子と上記受光素子は、上記遮光性のモールド樹脂部、または、上記遮光性のモールド樹脂部を覆う透光性のモールド樹脂部によって、一体にパッケージされている。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記発光素子と上記受光素子は、上記遮光性のモールド樹脂部、または、上記透光性のモールド樹脂部にて、一体にパッケージされているので、上記発光素子と上記受光素子を固定する材料が不要となり、かつ、上記発光素子と上記受光素子の位置関係の精度がよくなり、小型でより品質の高い安価な光半導体装置を製造することができる。

また、一実施形態の光半導体装置では、上記発光素子と上記受光素子は、上記遮光性のモールド樹脂部によって、光学的に分割されている。

この実施形態の光半導体装置によれば、上記発光素子と上記受光素子は、上記遮光性のモールド樹脂部によって、光学的に分割されているので、上記発光素子と上記受光素子を上記遮光性のモールド樹脂部にて遮光でき、上記発光素子の光が上記受光素子に入らず、遮光用のケースなどが不要となり、小型でより品質の高い安価な光半導体装置を製造することができる。

この発明の電子機器では、上記光半導体装置を備えることを特徴としている。

この発明の電子機器によれば、上記光半導体装置を備えるので、耐環境性に優れ、Ｓ／Ｎ比のよい、電子機器を安価に製造することが可能となる。

また、一実施形態の電子機器では、上記光半導体装置と、負荷部と、上記光半導体装置から出力された上記被検出物までの距離に基づいて上記負荷部を制御する制御部とを備える。

この実施形態の電子機器によれば、上記光半導体装置と上記負荷部と上記制御部とを備えるので、耐環境性に優れ、Ｓ／Ｎ比のよい、光センサーによる制御機器を安価に製造することができる。

また、一実施形態の電子機器では、上記光半導体装置は、予め設定した距離データに対する上記被検出物までの距離の長短に応じて、Ｈ／Ｌ信号を出力し、上記制御部は、上記光半導体装置から出力されたＨ／Ｌ信号を受けて、上記負荷部をＯＮ／ＯＦＦ制御する。

この実施形態の電子機器によれば、上記光半導体装置は、Ｈ／Ｌ信号を出力し、上記制御部は、このＨ／Ｌ信号を受けて、上記負荷部をＯＮ／ＯＦＦ制御するので、耐環境性に優れ、Ｓ／Ｎ比のよい、光センサーによる非接触のスイッチング制御機器を安価に製造することができる。

また、一実施形態の電子機器では、上記光半導体装置は、上記被検出物までの距離に相当するアナログ信号を出力し、上記制御部は、上記光半導体装置から出力されたアナログ信号を受けて、上記負荷部のボリューム制御を行う。

この実施形態の電子機器によれば、上記光半導体装置は、アナログ信号を出力し、上記制御部は、このアナログ信号を受けて、上記負荷部のボリューム制御を行うので、耐環境性に優れ、Ｓ／Ｎ比のよい、光センサーによるボリューム制御機器を安価に製造することができる。

また、一実施形態の光半導体装置では、Ａ／Ｄコンバータ内蔵のマイクロコンピューター、または、ＤＳＰ（digital signal processor：デジタルシグナルプロセッサ）を備え、上記光半導体装置は、上記被検出物までの距離に相当するアナログ信号を出力し、上記制御部は、上記光半導体装置から出力されたアナログ信号を、上記マイクロコンピューターまたは上記ＤＳＰを介して、受けて、上記被検出物までの距離に応じて上記負荷部の明るさを制御する。

この実施形態の光半導体装置によれば、Ａ／Ｄコンバータ内蔵のマイクロコンピューター、または、ＤＳＰを備え、上記光半導体装置は、アナログ信号を出力し、上記制御部は、このアナログ信号を、上記マイクロコンピューターまたは上記ＤＳＰを介して、受けて、上記被検出物までの距離に応じて上記負荷部の明るさを制御するので、耐環境性に優れ、Ｓ／Ｎ比のよい、光センサーによる照明の明るさをアナログ的にコントロールできる制御機器を安価に製造することが可能となる。

また、一実施形態の光半導体装置では、Ａ／Ｄコンバータ内蔵のマイクロコンピューター、または、ＤＳＰ（digital signal processor：デジタルシグナルプロセッサ）を備え、上記光半導体装置は、上記被検出物までの距離に相当するアナログ信号を出力し、上記制御部は、上記光半導体装置から出力されたアナログ信号を、上記マイクロコンピューターまたは上記ＤＳＰを介して、受けて、上記被検出物までの距離に応じて上記負荷部の音量を制御する。

この実施形態の光半導体装置によれば、Ａ／Ｄコンバータ内蔵のマイクロコンピューター、または、ＤＳＰを備え、上記光半導体装置は、アナログ信号を出力し、上記制御部は、このアナログ信号を、上記マイクロコンピューターまたは上記ＤＳＰを介して、受けて、上記被検出物までの距離に応じて上記負荷部の音量を制御するので、耐環境性に優れ、Ｓ／Ｎ比のよい、光センサーによる音響機器の音量をアナログ的にコントロールできる制御機器を安価に製造することが可能となる。

この発明の光半導体装置によれば、上記遮光性のモールド樹脂部は、上記基材の熱膨張係数に近似した熱膨張係数を有し、かつ、上記光半導体素子を封止しているので、光伝送品質の良好な信頼性の高い光半導体装置を小型で安価に作製することができる。

また、この発明の電子機器によれば、上記光半導体装置を備えるので、耐環境性に優れ、Ｓ／Ｎ比のよい、電子機器を安価に製造することが可能となる。

以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。

(第１実施形態)
図１Ａと図１Ｂは、この発明の第１実施形態による光半導体装置の概略的な構造図である。この第１実施形態による光半導体装置は、（基材の一例としての）リードフレーム１と、このリードフレーム１上に搭載された光半導体素子２と、この光半導体素子２表面の光の授受部を少なくとも覆う（透光性の緩衝樹脂部の一例としての）シリコーン樹脂部１３と、このシリコーン樹脂部１３の少なくとも一部および上記光半導体素子２を封止する遮光性のモールド樹脂部１４とを備える。

上記光半導体素子２、および、この光半導体素子２を駆動制御するための集積回路チップ５は、導電性接着ペースト３によって、上記リードフレーム１上に接着され実装されている。上記リードフレーム１と上記光半導体素子２は、ワイヤー４０４を介して、互いに電気的に接続されている。

上記シリコーン樹脂部１３は、耐寒性を有し、上記光半導体素子２の全部を覆っている。上記遮光性のモールド樹脂部１４は、上記シリコーン樹脂部１３の上面を除いた他の部分、上記集積回路チップ５および上記ワイヤー４を、封止し、上記リードフレーム１の両面に配置している。

上記遮光性のモールド樹脂部１４は、上記リードフレーム１の熱膨張係数に近似した熱膨張係数を有する。上記遮光性のモールド樹脂部１４は、例えば、フィラーを含むことで、線膨張係数を小さくしている。

このように、上記遮光性のモールド樹脂部１４から露出している上記シリコーン樹脂部１３の上面により、上記光半導体素子２と光ファイバーケーブル１１とを光学的に結合している。要するに、上記光半導体素子２と上記光ファイバーケーブル１１とを結合する光軸上に、上記遮光性のモールド樹脂部１４が存在しない。

この第１実施形態の光半導体装置によれば、上記遮光性のモールド樹脂部１４は、上記リードフレーム１の熱膨張係数に近似した熱膨張係数を有するので、熱ストレスによるボンディングワイヤーの断線やパッケージクラック等の不具合を簡単な構成で防止することができる。また、上記光半導体素子２を上記遮光性のモールド樹脂部１４で封止しているので、上記光半導体素子２への外乱光の回り込みを低減でき、Ｓ／Ｎ比を向上できる。

また、上記遮光性のモールド樹脂部１４で上記シリコーン樹脂部１３の少なくとも一部を封止するので、高温での使用時に、上記シリコーン樹脂部１３の膨張を上記遮光性のモールド樹脂部１４で押さえ込むことができて、上記光半導体素子２と上記シリコーン樹脂部１３の剥離や、上記光半導体素子２に接続されるワイヤー４の断線を防止できる。

なお、上記遮光性のモールド樹脂部１４は、上記シリコーン樹脂部１３の全体積の９０％以上を封止するのが好ましい。したがって、上記光半導体素子２への外乱光の回り込みを一層低減でき、Ｓ／Ｎ比を一層向上できる。また、上記シリコーン樹脂部１３の膨張を上記遮光性のモールド樹脂部１４で確実に押さえ込むことができて、車載等の高温での使用に適したものになる。もちろん、上記遮光性のモールド樹脂部１４は、上記シリコーン樹脂部１３の全体積の９０％未満を封止してもよい。

また、上記耐寒性を有するシリコーン樹脂部１３により上記光半導体素子２を覆うことによって、低温時にも上記シリコーン樹脂部１３の弾性が保たれることによりボンディングされたワイヤー４にかかる応力を低減でき、より信頼性の高い光半導体装置を作製することができる。

（第２実施形態）
図２は、第２実施形態の光半導体装置の簡略断面図を示している。上記第１実施形態（図１Ｂ）と相違する点を説明すると、この第２実施形態では、上記リードフレーム１の代わりに、（基材の一例としての）硬質プリント基板２０を用いて、平面実装構造としている。なお、上記第１実施形態と同一の符号は、上記第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。

上記硬質プリント基板２０に、プリント配線電極２１が取り付けられている。このプリント配線電極２１に、上記光半導体素子２および上記集積回路チップ５が取り付けられている。上記遮光性のモールド樹脂部１４は、上記リードフレーム１の一面側に配置され、上記シリコーン樹脂部１３の少なくとも一部、上記集積回路チップ５および上記ワイヤー４を、封止している。上記シリコーン樹脂部１３は、上記光半導体素子２の全部を覆わずに、上記光半導体素子２の表面の光の授受部を覆っている。

この第２実施形態の光半導体装置によれば、低背高で小型の面実装型の高信頼性光半導体装置を安価に製造することが可能となる。

（第３実施形態）
図３は、第３実施形態の光半導体装置の簡略断面図を示している。上記第１実施形態（図１Ｂ）と相違する点を説明すると、この第３実施形態では、上記シリコーン樹脂部１３は、上記遮光性のモールド樹脂部１４の表面から突出している。

この第３実施形態の光半導体装置によれば、上記シリコーン樹脂部１３は、上記モールド樹脂部１４の表面から突出しているので、製造時に、上記シリコーン樹脂部１３の体積の大小に関わらず、上記モールド樹脂部１４から露出する上記シリコーン樹脂部１３の表面積のばらつきを小さく抑えることができ、より安定した製造ができて、信頼性の高い光半導体装置を作製できる。すなわち、この光半導体装置の製造時に、上記モールド樹脂部１４の成形用の金型にバラツキがあっても、上記シリコーン樹脂部１３は、上記モールド樹脂部１４の中に埋もれない。

（第４実施形態）
図４は、第４実施形態の光半導体装置の簡略断面図を示している。この第４実施形態では、上記第３実施形態（図３）の上記リードフレーム１の代わりに、（基材の一例としての）硬質プリント基板２０を用いて、平面実装構造としている。なお、上記硬質プリント基板２０や上記プリント配線電極２１は、上記第２実施形態（図２）と同じであるので、その説明を省略する。

この第４実施形態の光半導体装置によれば、低背高で小型の面実装型の高信頼性光半導体装置を安価に製造することが可能となる。

（第５実施形態）
図５は、第５実施形態の光半導体装置の簡略断面図を示している。上記第１実施形態（図１Ｂ）と相違する点を説明すると、この第５実施形態では、上記シリコーン樹脂部１３は、上記遮光性のモールド樹脂部１４から露出している凸状部１８を有し、この凸状部１８は、レンズ機能を有する。

この第５実施形態の光半導体装置によれば、上記光半導体素子２の受発光の光束を絞ることができ、反射型光センサーに用いた場合、さらにＳ／Ｎ比が向上し、優れた検知精度が得られる。つまり、上記光半導体素子２が発光素子の場合、この発光素子の光照射を絞ることができ、また、光半導体素子２が受光素子の場合は、外乱光の影響を低減できるため、反射型光センサーに用いた場合、検知精度が向上する。

（第６実施形態）
図６は、第６実施形態の光半導体装置の簡略断面図を示している。この第６実施形態では、上記第５実施形態（図５）の上記リードフレーム１の代わりに、（基材の一例としての）硬質プリント基板２０を用いて、平面実装構造としている。なお、上記硬質プリント基板２０や上記プリント配線電極２１は、上記第２実施形態と同じであるので、その説明を省略する。

この第６実施形態の光半導体装置によれば、低背高で小型の面実装型の高信頼性光半導体装置を安価に製造することが可能となる。

（第７実施形態）
図７は、第７実施形態の光半導体装置の簡略断面図を示している。上記第１実施形態（図１Ｂ）と相違する点を説明すると、この第７実施形態では、上記遮光性のモールド樹脂部１４から露出している上記シリコーン樹脂部１３の露出面を少なくとも覆う透光性のモールド樹脂部１５を備える。

上記透光性のモールド樹脂部１５は、上記リードフレーム１の上記光半導体素子２を搭載している側のみに、配置されている。つまり、上記透光性のモールド樹脂部１５は、上記リードフレーム１の上記光半導体素子２を搭載している側にある上記遮光性のモールド樹脂部１４を封止している。

この第７実施形態の光半導体装置によれば、上記シリコーン樹脂部１３の露出面を少なくとも覆う上記透光性のモールド樹脂部１５を備えるので、上記透光性のモールド樹脂部１５によって、外的要因によるキズおよび湿気の侵入を防止して、信頼性の高い光感知品質の良好な光半導体装置を作製できる。

また、上記透光性のモールド樹脂部１５は、上記リードフレーム１の上記光半導体素子２を搭載している側のみに、配置されているので、上記透光性のモールド樹脂部１５の使用量を低減できて、薄型化とコストダウンを実現できる。

なお、上記シリコーン樹脂部１３の透過率は、上記透光性のモールド樹脂部１５の透過率よりも大きく、上記シリコーン樹脂部１３は、上記透光性のモールド樹脂部１５よりも、透光性に優れ、光量の損失を低減できる。

（第８実施形態）
図８は、第８実施形態の光半導体装置の簡略断面図を示している。この第８実施形態では、上記第７実施形態（図７）の上記リードフレーム１の代わりに、（基材の一例としての）硬質プリント基板２０を用いて、平面実装構造としている。なお、上記硬質プリント基板２０や上記プリント配線電極２１は、上記第２実施形態（図２）と同じであるので、その説明を省略する。

この第８実施形態の光半導体装置によれば、低背高で小型の面実装型の高信頼性光半導体装置を安価に製造することが可能となる。

（第９実施形態）
図９は、第９実施形態の光半導体装置の簡略断面図を示している。上記第７実施形態（図７）と相違する点を説明すると、この第９実施形態では、上記透光性のモールド樹脂部１５は、上記シリコーン樹脂部１３の露出面の近傍のみに、配置されている。

なお、上記遮光性のモールド樹脂部１４と上記透光性のモールド樹脂部１５は、互いに係止される係止構造（例えば凹凸構造）を有してもよく、上記両方の樹脂部１４，１５の間の剥がれを防止する。

この第９実施形態の光半導体装置によれば、上記透光性のモールド樹脂部１５は、上記シリコーン樹脂部１３の露出面の近傍のみに、配置されているので、上記透光性のモールド樹脂部１５の使用量を一層低減できて、一層の薄型化とコストダウンを実現できる。

（第１０実施形態）
図１０は、第１０実施形態の光半導体装置の簡略断面図を示している。この第１０実施形態では、上記第９実施形態（図９）の上記リードフレーム１の代わりに、（基材の一例としての）硬質プリント基板２０を用いて、平面実装構造としている。なお、上記硬質プリント基板２０や上記プリント配線電極２１は、上記第２実施形態（図２）と同じであるので、その説明を省略する。

この第１０実施形態の光半導体装置によれば、低背高で小型の面実装型の高信頼性光半導体装置を安価に製造することが可能となる。

（第１１実施形態）
図１１は、第１１実施形態の光半導体装置の簡略断面図を示している。上記第７実施形態（図７）と相違する点を説明すると、この第１１実施形態では、上記透光性のモールド樹脂部１５は、上記シリコーン樹脂部１３の露出面、および、上記遮光性のモールド樹脂部１４の全周囲を、覆っている。上記遮光性のモールド樹脂部１４の線膨張係数は、上記透光性のモールド樹脂部１５の線膨張係数よりも小さい。

上記リードフレーム１の少なくとも一端部は、上記透光性のモールド樹脂部１５内にある。この製法を説明すると、上記リードフレーム１を上記遮光性のモールド樹脂部１４により封止した後に、外部に出る不要なリードフレーム１を切除し、この上から上記透光性のモールド樹脂部１５により封止して、２層モールド構造とする。

この第１１実施形態の光半導体装置によれば、上記透光性のモールド樹脂部１５は、上記遮光性のモールド樹脂部１４の全面を、覆っているので、上記透光性のモールド樹脂部１５は上記遮光性のモールド樹脂部１４から剥離しない。

また、上記遮光性のモールド樹脂部１４の線膨張係数は、上記透光性のモールド樹脂部１５の線膨張係数よりも小さいので、熱による樹脂成形後の冷却時に、上記遮光性のモールド樹脂部１４の収縮は、上記透光性のモールド樹脂部１５に比べて小さくなり、上記透光性のモールド樹脂部１５と上記遮光性のモールド樹脂部１４との間に剥離が発生しない。

また、上記リードフレーム１の少なくとも一端部は、上記透光性のモールド樹脂部１５内にあるので、上記リードフレーム１の一端部が切断面である場合、この切断面が外部に露出することなく、電気的絶縁が不要になる。言い換えると、上記リードフレーム１の不要な部分を切除しなければならないときは、上記リードフレーム１を上記遮光性のモールド樹脂部１４により封止した後に、この不要な部分を切除して、この上から上記透光性のモールド樹脂部１５にて封止できるため、上記リードフレーム１の切断面が外部に露出することなく、電気的絶縁が不要になる。

これに対して、１層モールド構造の場合、リードフレームによる配線の都合、もしくは、製造工程上の都合により、最終的に残すリード以外の不要な部分を、一旦、モールド樹脂部の外側に出し、モールド後、この不要な部分を切除する。このため、不要な部分を切除したリードフレームの切断面に電気的絶縁が必要になる。また、この切断面から湿度が侵入して、信頼性が低下する。

（第１２実施形態）
図１２は、第１２実施形態の光半導体装置の簡略断面図を示している。上記第１１実施形態（図１１）と相違する点を説明すると、この第１２実施形態では、上記シリコーン樹脂部１６の露出面は、外側に向かって凸状の面であり、このシリコーン樹脂部１６の光屈折率は、上記透光性のモールド樹脂部１５の光屈折率より大きい。

この第１２実施形態の光半導体装置によれば、上記シリコーン樹脂部１６のレンズ効果により、受発光の効率を向上できる。また、上記透光性のモールド樹脂部１５の表面にレンズ構造を不要とし、上記透光性のモールド樹脂部１５の表面を平坦にできる。

（第１３実施形態）
図１３は、第１３実施形態の光半導体装置の簡略断面図を示している。上記第１２実施形態（図１２）と相違する点を説明すると、この第１３実施形態では、上記透光性のモールド樹脂部１５は、上記シリコーン樹脂部１６の露出面に重なると共に外側に向かって凸状の面を有するレンズ部１０を有する。

この第１３実施形態の光半導体装置によれば、上記透光性のモールド樹脂部１５は、上記レンズ部１０を有するので、受発光の効率を一層向上できて、一層、品質の高い安価な光半導体装置を製造することができる。

（第１４実施形態）
図１４は、第１４実施形態の光半導体装置の簡略断面図を示している。この第１４実施形態では、上記第１３実施形態（図１３）の上記リードフレーム１の代わりに、（基材の一例としての）硬質プリント基板２０を用いて、平面実装構造としている。なお、上記硬質プリント基板２０や上記プリント配線電極２１は、上記第２実施形態（図２）と同じであるので、その説明を省略する。

この第１４実施形態の光半導体装置によれば、低背高で小型の面実装型の高信頼性光半導体装置を安価に製造することが可能となる。

(第１５実施形態)
図１５は、この発明の第１５実施形態による光半導体装置の概略的な構造図である。この第１５実施形態の光半導体装置は、ワイヤー４１を除いて第５実施形態（図５）と同一の構成をしており、同一構成部は同一参照番号を付して説明を省略する。

この発明の第１５実施形態による光半導体装置では、上記リードフレーム１と上記光半導体素子２は、低ループ形状のワイヤー４１を介して、互いに電気的に接続されている。このワイヤー４１は、上記光半導体素子２に位置するバンプ部４１ａから延びると共に上記リードフレーム１に略平行な平行部４１ｂを有する。つまり、このワイヤー４１は、上記シリコーン樹脂部１３内に、上記平行部４１ｂを有する。

上記ワイヤー４１の形成方法を述べる。まず、上記光半導体素子２の電極に、ボール状のバンプ部４１ａをボンディングする。続いて、上記リードフレーム１に一次ボンディングを行い、上記バンプ部４１ａに二次ボンディングを行って、上記ワイヤー４１を形成する。

上記第１５実施形態の光半導体装置によれば、上記ワイヤー４１は、上記バンプ部４１ａと上記平行部４１ｂとを有するので、上記ワイヤー４１を上記光半導体素子２に確実に接続でき、かつ、立ち上がりの小さい上記ワイヤー４１を容易に形成できる。また、上記ワイヤー４１の平行部４１ｂを低い位置（上記光半導体素子２に近い位置）に容易に形成できる。

したがって、この光半導体装置の製造時に、上記遮光性のモールド樹脂部１４の成形用の金型で、上記シリコーン樹脂部１３を押さえて、上記シリコーン樹脂部１３に応力がかかっても、上記ワイヤー４１の座屈を防止して、上記ワイヤー４１の損傷を防止できる。

また、通常の光半導体装置に上記ワイヤー４１を使用した場合に、-40℃〜+85℃の温度条件で熱サイクル試験を行うと、500サイクル以下である。これに対して、本発明の光半導体装置に上記ワイヤー４１を使用した場合に、-40℃〜+105℃の更に厳しい温度条件で、熱サイクル試験を行うと、500サイクル以上の信頼性を確保できる。

(第１６実施形態)
図１６は、この発明の第１６実施形態による光半導体装置の概略的な構造図である。この第１６実施形態の光半導体装置は、ワイヤー４２を除いて第１５実施形態（図１５）と同一の構成をしており、同一構成部は同一参照番号を付して説明を省略する。

この発明の第１６実施形態による光半導体装置では、低ループ形状のワイヤー４２は、上記光半導体素子２に位置するボール部４２ａと、このボール部４２ａから延びる屈曲部４２ｂと、この屈曲部４２ｂから延びると共に上記リードフレーム１に略平行な平行部４２ｃとを有する。

上記ワイヤー４２の形成方法を述べる。まず、上記光半導体素子２の電極に、一次ボンディングを行って、上記ボール部４２ａを形成する。続いて、ワイヤーを切断することなく、上記屈曲部４２ｂを形成して、上記ボール部４２ａの頂上にワイヤーの一部を重ね潰し、上記リードフレーム１に二次ボンディングを行って、上記ワイヤー４２を形成する。

上記第１６実施形態の光半導体装置によれば、上記ワイヤー４２は、上記ボール部４２ａと上記屈曲部４２ｂと上記平行部４２ｃとを有するので、上記ワイヤー４２を上記光半導体素子２に確実に接続でき、かつ、立ち上がりの小さい上記ワイヤー４２を容易に形成できる。

(第１７実施形態)
図１７は、この発明の第１７実施形態による光半導体装置の概略的な構造図である。第１６実施形態（図１６）と相違する点を説明すると、この第１７実施形態の光半導体装置では、上記屈曲部４２ｂの上記光半導体素子２からの高さは、上記平行部４２ｃの上記光半導体素子２からの高さよりも、低い。

上記第１７実施形態の光半導体装置によれば、上記屈曲部４２ｂの高さは、上記平行部４２ｃの高さよりも、低いので、上記屈曲部４２ｂの立ち上がりを小さくできて、上記ワイヤー４２の座屈を確実に防止できる。

(第１８実施形態)
図１８は、この発明の第１８実施形態による光半導体装置の概略的な構造図である。第１７実施形態（図１７）と相違する点を説明すると、この第１８実施形態の光半導体装置では、上記ワイヤー４２は、上記リードフレーム１に設けられた屈曲部４２ｄを有する。

この屈曲部４２ｄの形成方法を説明する。上記リードフレーム１に二次ボンディングを行った後、ワイヤーを切断することなく、ループを形成し、この二次ボンディングの位置に、ワイヤーの一部を含めて潰して、上記屈曲部４２ｄを形成する。

上記第１８実施形態の光半導体装置によれば、上記ワイヤー４２は、上記屈曲部４２ｄを有するので、上記ワイヤー４２の上記リードフレーム１に対する接合強度を高めることができる。

(第１９実施形態)
図１９は、この発明の第１９実施形態による光半導体装置の概略的な構造図である。第１５実施形態（図１５）と相違する点を説明すると、この第１９実施形態の光半導体装置では、上記ワイヤー４１は、上記光半導体素子２から延びると共に上記リードフレーム１に略平行は平行部４１ｂを有する。つまり，上記ワイヤー４１には、上記バンプ部４１ａがない。

上記ワイヤー４１の形成方法を述べると、上記リードフレーム１に一次ボンディングを行い、上記光半導体素子２に二次ボンディングを行って、上記ワイヤー４１を形成する。

上記第１９実施形態の光半導体装置によれば、上記ワイヤー４１は、上記光半導体素子２から上記リードフレーム１に略平行に延びる平行部４１ｂを有するので、上記ワイヤー４１の立ち上がりを略なくすことができ、上記ワイヤー４１の座屈を確実に防止できる。

(第２０実施形態)
図２０は、この発明の第２０実施形態による光半導体装置の概略的な構造図である。第５実施形態（図５）と相違する点を説明すると、この発明の第２０実施形態による光半導体装置では、上記リードフレーム１と上記集積回路チップ５は、低ループ形状のワイヤー４１を介して、互いに電気的に接続されている。なお、このワイヤー４１は、第１５実施形態（図１５）のワイヤー４１と同じであるので、その説明を省略する。

上記第２０実施形態の光半導体装置によれば、（図１５に示す）上記光半導体素子２を接続する上記ワイヤー４１との相互作用により、上記遮光性のモールド樹脂部１４の厚みを薄くできて、パッケージの小型化および薄型化を図ることができる。なお、上記集積回路チップ５を接続するワイヤーは、第１６〜第１９実施形態のワイヤーであってもよい。

（第２１実施形態）
図２１Ａと図２１Ｂは、第２１実施形態の光半導体装置の簡略構成図を示している。この第２１実施形態では、光半導体素子２は、発光素子または受光素子である。なお、上記第１２実施形態（図１２）と同一の符号は、上記第１２実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。

この第２１実施形態の光半導体装置によれば、上記光半導体素子２は、発光素子または受光素子であるので、耐環境性や信頼性が高く、Ｓ／Ｎ比も優れ、より品質の高い安価な発光単体素子または受光単体素子を製造することができる。

（第２２実施形態）
図２２は、第２２実施形態の光半導体装置の簡略構成図を示している。この第２２実施形態では、一の光半導体素子は、発光素子３０であり、他の光半導体素子は、受光素子３１である。上記発光素子３０と上記受光素子３１は、（図示しない）被検出物の検出領域を介して互いに光学的に結合するように、対向配置されている。上記発光素子３０と上記受光素子３１は、上記シリコーン樹脂部１６および上記遮光性のモールド樹脂部１４にて、覆われている。なお、上記第１２実施形態（図１２）と同一の符号は、上記第１２実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。

この第２２実施形態の光半導体装置によれば、上記発光素子３０と上記受光素子３１は、上記シリコーン樹脂部１６および上記遮光性のモールド樹脂部１４にて、覆われているので、耐環境性に優れ、Ｓ／Ｎ比のよい透過型光センサーを安価に製造することができる。

（第２３実施形態）
図２３Ａと図２３Ｂは、第２３実施形態の光半導体装置の簡略構成図を示している。この第２３実施形態では、一の光半導体素子は、発光素子２３であり、他の光半導体素子は、受光素子２４である。上記発光素子２３と上記受光素子２４は、（図示しない）被検出物による反射により互いに光学的に結合するように配置されている。上記発光素子２３と上記受光素子２４は、上記シリコーン樹脂部１３および上記遮光性のモールド樹脂部１４にて、覆われている。なお、上記第１１実施形態（図１１）と同一の符号は、上記第１１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。

具体的に述べると、上記発光素子２３は、上記シリコーン樹脂部１３および上記遮光性のモールド樹脂部１４にて、覆われて、発光素子単体３３が形成される。一方、上記受光素子２４は、上記シリコーン樹脂部１３および上記遮光性のモールド樹脂部１４にて、覆われて、受光素子単体３４が形成される。上記発光素子単体３３と上記受光素子単体３４は、それぞれ、ケース２５にて固定されている。上記受光素子単体３４は、受光信号を処理する集積回路チップ２２を含む。

この光半導体装置は、さらに、レンズ２７およびレンズホルダー２６を有している。つまり、この光半導体装置は、反射型センサーである。

なお、この光半導体装置が、測距センサーである場合、上記受光素子２４は、ＰＳＤ（Position Sensitive Detector：位置検出素子）と呼ばれる距離を検知するための受光素子であり、上記集積回路チップ２２は、このＰＳＤの信号を処理して距離のデータとして出力信号を出す集積回路チップである。

この第２３実施形態の光半導体装置によれば、上記発光素子２３と上記受光素子２４は、上記シリコーン樹脂部１３および上記遮光性のモールド樹脂部１４にて、覆われているので、耐環境性に優れ、Ｓ／Ｎ比のよい反射型光センサーを安価に製造することができる。

（第２４実施形態）
図２４は、第２４実施形態の光半導体装置の簡略構成図を示している。この第２４実施形態では、一の光半導体素子は、発光素子２３’であり、他の光半導体素子は、受光素子２４’である。上記発光素子２３’と上記受光素子２４’は、機器間の光通信に使用可能な位置に配置されている。上記発光素子２３’と上記受光素子２４’は、上記シリコーン樹脂部１３および上記遮光性のモールド樹脂部１４にて、覆われている。なお、上記第１１実施形態（図１１）と同一の符号は、上記第１１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。

具体的に述べると、上記発光素子２３’は、上記シリコーン樹脂部１３および上記遮光性のモールド樹脂部１４にて、覆われ、さらに、上記シリコーン樹脂部１３および上記遮光性のモールド樹脂部１４は、上記レンズ部１０を有する透光性のモールド樹脂部１５にて、覆われて、発光素子単体３５が形成される。一方、上記受光素子２４’は、上記シリコーン樹脂部１３および上記遮光性のモールド樹脂部１４にて、覆われ、さらに、上記シリコーン樹脂部１３および上記遮光性のモールド樹脂部１４は、上記レンズ部１０を有する透光性のモールド樹脂部１５にて、覆われて、受光素子単体３４が形成される。上記発光素子単体３３と上記受光素子単体３４は、それぞれ、ケース２５にて固定されている。上記受光素子単体３４は、受光信号を処理する集積回路チップ２２’を含む。

この第２４実施形態の光半導体装置によれば、上記発光素子２３’と上記受光素子２４’は、上記シリコーン樹脂部１３および上記遮光性のモールド樹脂部１４にて、覆われているので、耐環境性に優れ、通信性能のよい光ファイバ−リンクや光空間伝送装置などの光通信装置を安価に製造することができる。

（第２５実施形態）
図２５Ａと図２５Ｂは、第２５実施形態の光半導体装置の簡略構成図を示している。この光半導体装置は、光空間伝送装置等の光通信装置であり、送信用の発光素子２３、受信用の受光素子２４、および、送受信素子２３，２４の駆動用の集積回路チップ２２を、上記遮光性のモールド樹脂部１４によって、一体にパッケージしている。

上記遮光性のモールド樹脂部１４は、上記発光素子２３と上記受光素子２４の間の領域を除いて、上記レンズ部１０を有する上記透光性のモールド樹脂部１５によって、覆われている。つまり、上記発光素子２３と上記受光素子２４は、上記遮光性のモールド樹脂部１４によって、光学的に分割されている。なお、上記第２３実施形態（図２３Ｂ）と同一の符号は、上記第２３実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。

この第２５実施形態の光半導体装置によれば、上記発光素子２３と上記受光素子２４は、上記遮光性のモールド樹脂部１４にて、一体にパッケージされているので、上記発光素子２３と上記受光素子２４を固定する材料が不要となり、かつ、上記発光素子２３と上記受光素子２４の位置関係の精度がよくなり、小型でより品質の高い安価な光半導体装置を製造することができる。

また、上記発光素子２３と上記受光素子２４は、上記遮光性のモールド樹脂部１４によって、光学的に分割されているので、上記発光素子２３と上記受光素子２４を上記遮光性のモールド樹脂部１４にて遮光でき、上記発光素子２３の光が上記受光素子２４に入らず、遮光用のケースなどが不要となり、小型でより品質の高い安価な光半導体装置を製造することができる。

なお、図示しないが、上記発光素子２３と上記受光素子２４は、上記遮光性のモールド樹脂部１４を覆う透光性のモールド樹脂部１５によって、一体にパッケージされていてもよい。

（第２６実施形態）
図２６Ａと図２６Ｂは、第２６実施形態の光半導体装置の簡略構成図を示している。この第２６実施形態では、上記第２５実施形態（図２５Ｂ）の上記リードフレーム１の代わりに、（基材の一例としての）硬質プリント基板２０を用いて、平面搭載型の光通信装置としている。なお、上記硬質プリント基板２０や上記プリント配線電極２１は、上記第２実施形態（図２）と同じであるので、その説明を省略する。

この第２６実施形態の光半導体装置によれば、低背高で小型の面実装型の高信頼性光半導体装置を安価に製造することが可能となる。

（第２７実施形態）
図２７は、第２７実施形態の光半導体装置の簡略構成図を示している。この光半導体装置は、リードタイプの反射型センサーであり、上記発光素子２３、上記受光素子２４、および、上記集積回路チップ２２を、上記遮光性のモールド樹脂部１４によって、一体にパッケージしている。上記発光素子２３と上記受光素子２４は、上記遮光性のモールド樹脂部１４によって、光学的に分割されている。なお、上記第２３実施形態（図２３Ｂ）と同一の符号は、上記第２３実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。

この第２７実施形態の光半導体装置によれば、上記発光素子２３と上記受光素子２４は、上記遮光性のモールド樹脂部１４にて、一体にパッケージされているので、上記発光素子２３と上記受光素子２４を固定する材料が不要となり、かつ、上記発光素子２３と上記受光素子２４の位置関係の精度がよくなり、小型でより品質の高い安価な光半導体装置を製造することができる。

（第２８実施形態）
図２８は、第２８実施形態の光半導体装置の簡略構成図を示している。この第２８実施形態では、上記第２７実施形態（図２７）の上記リードフレーム１の代わりに、（基材の一例としての）硬質プリント基板２０を用いて、平面搭載型の反射型センサーとしている。なお、上記硬質プリント基板２０や上記プリント配線電極２１は、上記第２実施形態（図２）と同じであるので、その説明を省略する。

この第２８実施形態の光半導体装置によれば、低背高で小型の面実装型の高信頼性光半導体装置を安価に製造することが可能となる。

（第２９実施形態）
図２９は、この発明の第２９実施形態の電子機器のブロック図を示している。この電子機器は、上記２３実施形態（図２３Ａ、図２３Ｂ）〜上記２８実施形態（図２８）の何れか一つに記載されている光半導体装置としての測距センサー５１と、負荷部６２と、この測距センサー５１から出力された（図示しない）被検出物までの距離に基づいて上記負荷部６２を制御する制御部としての制御回路６１とを備える。

上記測距センサー５１は、赤外発光ＬＥＤ５２と、このＬＥＤ５２を駆動するＬＥＤ駆動回路５６と、測距用受光素子であるＰＳＤ５３と、このＰＳＤ５３の信号を処理して距離データを演算する信号処理回路５７と、この信号処理回路５７を駆動するための発振回路６０と、信号処理用の低電圧回路５８と、上記信号処理回路５７にて演算した距離データに基づき信号を出力する出力回路５９と、発光側と受光側の２つレンズ５４を有する。

この電子機器では、直接スイッチやボリュームのつまみに触れて上記負荷部６２を制御することなく、例えば、手をかざしてセンサーからの手の距離に応じた上記負荷部６２の制御を行なうことができる。

この電子機器によれば、耐環境性に優れ、Ｓ／Ｎ比のよい、光センサーによる制御機器を安価に製造することが可能となる。

（第３０実施形態）
図３０は、この発明の第３０実施形態の電子機器のブロック図を示している。上記第２９実施形態と相違する点を説明すると、この第３０実施形態では、光半導体装置としての上記測距センサー５１は、予め設定した距離データに対する（図示しない）上記被検出物までの距離の長短に応じて、Ｈ／Ｌ信号を出力する。つまり、この測距センサー５１は、デジタル出力特性６３を有する。

制御部としてのスイッチング回路６４は、上記測距センサー５１から出力されたＨ／Ｌ信号を受けて、負荷部としてのランプ６５をＯＮ／ＯＦＦ制御する。なお、上記第２９実施形態（図２９）と同一の符号は、上記第２９実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。

この電子機器の使用を説明すると、例えば、上記ランプ６５が消灯しているときに、予め設定された距離、例えば５ｃｍに対して、これよりも近くに手をかざせば、上記測距センサー５１が反応して、上記測距センサー５１の出力が、ＬｏｗからＨｉｇｈになり、上記スイッチング回路６４が作動してランプ６５を点灯させる。

逆に、上記ランプ６５が点灯しているときに、もう一度手を上記測距センサー５１に対して５ｃｍ以内に近づけると、今度は、上記測距センサー５１の出力がＨｉｇｈからＬｏｗになり、上記スイッチング回路６４が作動して、上記ランプ６５を消灯させる。

この電子機器によれば、上記測距センサー５１が耐環境性に優れているため、車載用途に使用でき、Ｓ／Ｎ比のよい、光センサーによる非接触のスイッチング制御機器を安価に製造することが可能となる。

なお、負荷部として、スイッチングの対象となるものはランプだけに限らず、例えば、ラジオなどのＡＶ機器の電源や、パネルの照明などでもよい。

（第３１実施形態）
図３１は、この発明の第３１実施形態の電子機器のブロック図を示している。上記第２９実施形態と相違する点を説明すると、この第３１実施形態では、光半導体装置としての測距センサー５１’は、（図示しない）上記被検出物までの距離に相当するアナログ信号を出力する。つまり、この測距センサー５１’は、アナログ出力特性６６を有する。

制御部としてのボリューム制御回路６７は、上記測距センサー５１’から出力されたアナログ信号を受けて、負荷部６８のボリューム制御を行う。なお、上記第２９実施形態（図２９）と同一の符号は、上記第２９実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。

この電子機器では、上記測距センサー５１’に対して手の近づける度合いにより、アナログ的に上記負荷部６８を制御することができる。

この電子機器によれば、上記測距センサー５１’が耐環境性に優れているため、車載用途に使用でき、Ｓ／ＮN比のよい、光センサーによるボリューム制御機器を安価に製造することが可能となる。

（第３２実施形態）
図３２は、この発明の第３２実施形態の電子機器のブロック図を示している。上記第２９実施形態と相違する点を説明すると、この第３２実施形態では、Ａ／Ｄコンバータ内蔵のマイクロコンピューター７０を備える。なお、このコンピューター７０の代わりに、ＤＳＰ（digital signal processor：デジタルシグナルプロセッサ）であってもよい。

光半導体装置としての測距センサー５１’は、（図示しない）上記被検出物までの距離に相当するアナログ信号を出力する。つまり、この測距センサー５１’は、アナログ出力特性６６を有する。

制御部としての制御回路７６は、上記測距センサー５１’から出力されたアナログ信号を、上記マイクロコンピューター７０を介して、受けて、上記被検出物までの距離に応じて負荷部としての室内ランプ７７の明るさを制御する。なお、上記第２９実施形態（図２９）と同一の符号は、上記第２９実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。

上記マイクロコンピューター７０は、ＣＰＵ７１と、ＲＯＭ７２と、ＲＡＭ７３と、上記測距センサー５１’のアナログの距離データをデジタルデータに変換するＡ／Ｄコンバータ７５とを備える。そして、上記マイクロコンピューター７０は、手と上記測距センサー５１’の距離に応じたアナログ出力データを、上記Ａ／Ｄコンバータ７５にて、デジタル信号に変換し、演算を行なって、上記制御回路７６への制御を行なう。

この電子機器にて上記室内ランプ７７の明るさを調節する方法を説明する。

まず、上記室内ランプ７７の点灯および消灯のために、予め、上記マイクロコンピューター７０に、スイッチング用の距離を記憶しておく。

第３０実施形態（図３０）の電子機器の場合と同様に、上記ランプ７７が消灯時には、予め設定された距離（例えば５ｃｍ）に対して、これよりも近くに手をかざせば、上記測距センサー５１’のアナログ出力にて、上記マイクロコンピューター７０が判断して、上記室内ランプ７７を点灯させるよう、上記制御回路７６をコントロールする。

一旦手を離して、ある時間（例えば１秒）以内に、再び、５ｃｍ以内に手をかざすと、調光モードとなり、その後は、手の距離に応じた明るさで点灯するように、上記マイクロコンピューター７０が制御する。

ある適当な明るさとなれば、上記測距センサー５１’の測距エリアから手をはずすと、調整した明るさが保持される。再度、照度調整を行なう場合も同様に、一旦手をかざして離した後、ある時間以内に再度手をかざすことで、再び調光モードに入ることが出来る。

消灯したい場合は、５ｃｍ以内に手をかざして直ちに離し、そのままにすると、ある時間（例えば１秒）経過後、調光モードに入らずに上記室内ランプ７７を消灯する。

この電子機器によれば、上記測距センサー５１’が耐環境性に優れているため、車載用途に使用でき、Ｓ／Ｎ比のよい、光センサーによる照明の明るさをアナログ的にコントロールできる制御機器を安価に製造することが可能となる。

（第３３実施形態）
図３３は、この発明の第３３実施形態の電子機器のブロック図を示している。上記第２９実施形態と相違する点を説明すると、この第３３実施形態では、Ａ／Ｄコンバータ内蔵のマイクロコンピューター７０を備える。なお、このコンピューター７０の代わりに、ＤＳＰ（digital signal processor：デジタルシグナルプロセッサ）であってもよい。

制御部としての音量制御回路７８は、上記測距センサー５１’から出力されたアナログ信号を、上記マイクロコンピューター７０を介して、受けて、上記被検出物までの距離に応じて負荷部としてのスピーカー７９の音量を制御する。なお、上記第３２実施形態（図３２）と同一の符号は、上記第３２実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。

この電子機器にて上記スピーカー７９の音量を調節する方法を説明する。

まず、上記スピーカー７９のＯＮ/ＯＦＦのために、予め、上記マイクロコンピューター７０に、スイッチング用の距離を記憶しておく。

第３０実施形態（図３０）の電子機器の場合と同様に、上記スピーカー７９がＯＦＦ時には、予め設定された距離（例えば５ｃｍ）に対して、これよりも近くに手をかざせば、上記測距センサー５１’のアナログ出力にて、上記マイクロコンピューター７０が判断して、上記スピーカー７９をＯＮさせるよう、上記音量制御回路７８をコントロールする。

一旦手を離して、ある時間（例えば１秒）以内に、再び、５ｃｍ以内に手をかざすと、音量調節モードとなり、その後は、手の距離に応じた音量となるように、上記マイクロコンピューター７０が制御する。

ある適当な音量になれば、上記測距センサー５１’の測距エリアから手をはずすと、調整した音量が保持される。再度、音量調整を行なう場合も同様に、一旦手をかざして離した後、ある時間（例えば１秒）以内に再度手をかざすことで、再び音量調節モードに入ることが出来る。

上記スピーカー７９を消したい場合は、５ｃｍ以内に手をかざしてから直ちに離し、そのままにすると、ある時間（例えば１秒）経過後、音量調節モードに入らずに上記スピーカー７９がＯＦＦされる。

近年、光半導体装置を備えた電子機器(デジタルＴＶ、デジタルＢＳチューナ、ＣＳチューナ、ＤＶＤプレーヤー、ＣＤプレーヤー、ＡＶアンプ、オーディオ、パソコン、パソコン周辺機器、携帯電話、ＰＤＡ等)はコスト競争が激しく、搭載部品に対しての価格ダウン要求は厳しさを増している。

また、車載用のカーオーディオ、カーナビゲーション、センサー,制御機器やＦＡ用のロボットのセンサー、制御用機器等、動作温度範囲の厳しい電子機器にも光半導体装置の搭載が進んでいる。

この発明は、そうした電子機器に対して、信頼性の高い光伝送品質の良好な光半導体装置を安価に提供できることにより、品質の高い安価な電子機器が製造することが可能となる。

本発明の第１実施形態の光半導体装置を示す簡略平面図である。本発明の第１実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第２実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第３実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第４実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第５実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第６実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第７実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第８実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第９実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第１０実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第１１実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第１２実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第１３実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第１４実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第１５実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第１６実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第１７実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第１８実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第１９実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第２０実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第２１実施形態の光半導体装置を示す簡略斜視図である。本発明の第２１実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第２２実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第２３実施形態の光半導体装置を示す簡略斜視図である。本発明の第２３実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第２４実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第２５実施形態の光半導体装置を示す簡略平面図である。本発明の第２５実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第２６実施形態の光半導体装置を示す簡略平面図である。本発明の第２６実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第２７実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第２８実施形態の光半導体装置を示す簡略断面図である。本発明の第２９実施形態の電子機器を示す簡略断面図である。本発明の第３０実施形態の電子機器を示す簡略断面図である。本発明の第３１実施形態の電子機器を示す簡略断面図である。本発明の第３２実施形態の電子機器を示す簡略断面図である。本発明の第３３実施形態の電子機器を示す簡略断面図である。従来の光半導体装置を示す簡略断面図である。

１…リードフレーム
２…光半導体素子
３…導電性接着ペースト
４…ワイヤー
５，２２，２２’…集積回路チップ
１０…レンズ部
１１…光ファイバーケーブル
１３…シリコーン樹脂部（透光性の緩衝樹脂部）
１４…遮光性のモールド樹脂部
１５…透光性のモールド樹脂部
１６…レンズ付のシリコーン樹脂部（透光性の緩衝樹脂部）
１８…凸状部
２０…硬質プリント基板
２１…プリント配線電極
２３，２３’，３０…発光素子
２４，２４’，３１…受光素子
２５…ケース
２６…レンズホルダー
２７…レンズ
３３，３５…発光素子単体
３４，３６…受光素子単体
４１,４２…低ループ形状のワイヤー
４１ａ…バンプ部
４１ｂ…平行部
４２ａ…ボール部
４２ｂ…屈曲部
４２ｃ…平行部
５１…測距センサー（デジタル出力）
５１’…測距センサー（アナログ出力）
５２…ＬＥＤ
５３…ＰＳＤ
５４…レンズ
５５…測距ＩＣ
５６…ＬＥＤ駆動回路
５７…信号処理回路
５８…定電圧回路
５９…出力回路
６０…発信回路
６１…制御回路
６２…（スイッチング対象）負荷部
６３…測距センサーのデジタル出力特性
６４…スイッチング回路
６５…ランプ
６６…測距センサーのアナログ出力特性
６７…ボリューム制御回路
６８…（ボリューム制御対象）負荷部
７０…マイクロコンピューター
７１…ＣＰＵ
７２…ＲＯＭ
７３…ＲＡＭ
７４…入出力ポート
７５…Ａ／Ｄコンバータ
７６…制御回路
７７…室内ランプ
７８…音量制御回路
７９…スピーカー

Claims

基材と、
この基材上に搭載された光半導体素子と、
この光半導体素子のうちの少なくとも表面の光の授受部に接触してこの少なくとも授受部を覆うと共に、上記基材と上記光半導体素子とを接続するボンディングワイヤーのうちの上記光半導体素子との接続部に接触してこの接続部を覆う弾性を有する透光性の緩衝樹脂部と、
この緩衝樹脂部の少なくとも一部および上記光半導体素子を封止すると共に上記基材の熱膨張係数に近似した熱膨張係数を有する遮光性のモールド樹脂部と
を備え、
上記緩衝樹脂部のうちの上記光半導体素子の上記授受部に対向する一部分は、上記モールド樹脂部から露出する一方、上記緩衝樹脂部のうちの上記一部分以外の他の部分は、上記モールド樹脂部に埋設され、
上記ワイヤーは、上記緩衝樹脂部内に、上記基材に略平行な平行部を有することを特徴とする光半導体装置。
請求項１に記載の光半導体装置において、
上記透光性の緩衝樹脂部は、上記遮光性のモールド樹脂部の表面から突出していることを特徴とする光半導体装置。
請求項１に記載の光半導体装置において、
上記透光性の緩衝樹脂部は、上記遮光性のモールド樹脂部から露出している凸状部を有し、この凸状部は、レンズ機能を有することを特徴とする光半導体装置。
請求項１に記載の光半導体装置において、
上記遮光性のモールド樹脂部から露出している上記透光性の緩衝樹脂部の露出面を少なくとも覆う透光性のモールド樹脂部を備えることを特徴とする光半導体装置。
請求項４に記載の光半導体装置において、
上記透光性のモールド樹脂部は、上記基材の上記光半導体素子を搭載している側のみに、配置されていることを特徴とする光半導体装置。
請求項５に記載の光半導体装置において、
上記透光性のモールド樹脂部は、上記透光性の緩衝樹脂部の露出面の近傍のみに、配置されていることを特徴とする光半導体装置。
請求項４に記載の光半導体装置において、
上記透光性のモールド樹脂部は、上記透光性の緩衝樹脂部の露出面、および、上記遮光性のモールド樹脂部の全周囲を、覆い、
上記遮光性のモールド樹脂部の線膨張係数は、上記透光性のモールド樹脂部の線膨張係数よりも小さいことを特徴とする光半導体装置。
請求項４に記載の光半導体装置において、
上記透光性の緩衝樹脂部の露出面は、外側に向かって凸状の面であり、
上記透光性の緩衝樹脂部の光屈折率は、上記透光性のモールド樹脂部の光屈折率より大きいことを特徴とする光半導体装置。
請求項４に記載の光半導体装置において、
上記透光性のモールド樹脂部は、上記透光性の緩衝樹脂部の露出面に重なると共に外側に向かって凸状の面を有するレンズ部を有することを特徴とする光半導体装置。
請求項１に記載の光半導体装置において、
上記基材としてのリードフレームと上記光半導体素子は、低ループ形状の上記ワイヤーを介して、互いに電気的に接続されていることを特徴とする光半導体装置。
請求項１０に記載の光半導体装置において、
上記ワイヤーは、上記光半導体素子に位置するバンプ部から延びると共に上記リードフレームに略平行な上記平行部を有することを特徴とする光半導体装置。
請求項１０に記載の光半導体装置において、
上記ワイヤーは、
上記光半導体素子に位置するボール部と、
このボール部から延びる屈曲部と、
この屈曲部から延びると共に上記リードフレームに略平行な上記平行部と
を有することを特徴とする光半導体装置。
請求項１２に記載の光半導体装置において、
上記屈曲部の上記光半導体素子からの高さは、上記平行部の上記光半導体素子からの高さよりも、低いことを特徴とする光半導体装置。
請求項１０に記載の光半導体装置において、
上記ワイヤーは、上記光半導体素子から延びると共に上記リードフレームに略平行な上記平行部を有することを特徴とする光半導体装置。
請求項１０に記載の光半導体装置において、
上記リードフレーム上に搭載され上記遮光性のモールド樹脂部に封止されると共に上記光半導体素子を駆動制御する集積回路チップを備え、
上記リードフレームと上記集積回路チップは、低ループ形状の上記ワイヤーを介して、互いに電気的に接続されていることを特徴とする光半導体装置。
請求項１に記載の光半導体装置において、
上記光半導体素子は、発光素子または受光素子であることを特徴とする光半導体装置。
請求項１に記載の光半導体装置において、
一の上記光半導体素子は、発光素子であり、他の上記光半導体素子は、受光素子であり、
上記発光素子と上記受光素子は、被検出物の検出領域を介して互いに光学的に結合するように、対向配置され、
上記発光素子と上記受光素子は、上記透光性の緩衝樹脂部および上記遮光性のモールド樹脂部にて、覆われていることを特徴とする光半導体装置。
請求項１に記載の光半導体装置において、
一の上記光半導体素子は、発光素子であり、他の上記光半導体素子は、受光素子であり、
上記発光素子と上記受光素子は、被検出物による反射により互いに光学的に結合するように配置され、
上記発光素子と上記受光素子は、上記透光性の緩衝樹脂部および上記遮光性のモールド樹脂部にて、覆われていることを特徴とする光半導体装置。
請求項１に記載の光半導体装置において、
一の上記光半導体素子は、発光素子であり、他の上記光半導体素子は、受光素子であり、
上記発光素子と上記受光素子は、機器間の光通信に使用可能な位置に配置され、
上記発光素子と上記受光素子は、上記透光性の緩衝樹脂部および上記遮光性のモールド樹脂部にて、覆われていることを特徴とする光半導体装置。
請求項１７ないし１９のいずれか一つに記載の光半導体装置において、
上記発光素子と上記受光素子は、上記遮光性のモールド樹脂部、または、上記遮光性のモールド樹脂部を覆う透光性のモールド樹脂部によって、一体にパッケージされていることを特徴とする光半導体装置。
請求項２０に記載の光半導体装置において、
上記発光素子と上記受光素子は、上記遮光性のモールド樹脂部によって、光学的に分割されていることを特徴とする光半導体装置。
請求項１に記載の光半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
請求項１８に記載の光半導体装置と、
負荷部と、
上記光半導体装置から出力された上記被検出物までの距離に基づいて上記負荷部を制御する制御部と
を備えることを特徴とする電子機器。
請求項２３に記載の電子機器において、
上記光半導体装置は、予め設定した距離データに対する上記被検出物までの距離の長短に応じて、Ｈ／Ｌ信号を出力し、
上記制御部は、上記光半導体装置から出力されたＨ／Ｌ信号を受けて、上記負荷部をＯＮ／ＯＦＦ制御することを特徴とする電子機器。
請求項２３に記載の電子機器において、
上記光半導体装置は、上記被検出物までの距離に相当するアナログ信号を出力し、
上記制御部は、上記光半導体装置から出力されたアナログ信号を受けて、上記負荷部のボリューム制御を行うことを特徴とする電子機器。
請求項２３に記載の電子機器において、
Ａ／Ｄコンバータ内蔵のマイクロコンピューター、または、ＤＳＰを備え、
上記光半導体装置は、上記被検出物までの距離に相当するアナログ信号を出力し、
上記制御部は、上記光半導体装置から出力されたアナログ信号を、上記マイクロコンピューターまたは上記ＤＳＰを介して、受けて、上記被検出物までの距離に応じて上記負荷部の明るさを制御することを特徴とする電子機器。
請求項２３に記載の電子機器において、
Ａ／Ｄコンバータ内蔵のマイクロコンピューター、または、ＤＳＰを備え、
上記光半導体装置は、上記被検出物までの距離に相当するアナログ信号を出力し、
上記制御部は、上記光半導体装置から出力されたアナログ信号を、上記マイクロコンピューターまたは上記ＤＳＰを介して、受けて、上記被検出物までの距離に応じて上記負荷部の音量を制御することを特徴とする電子機器。