JP2000286212A - プラスティックパッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 遮光用ケースが不要であるにもかかわらず、
デバイスの性能や信頼性の低下を来たさないプラスティ
ックパッケージを提供すること。 【解決手段】 このプラスティックパッケージ１は、フ
ォトデバイスチップ６を備える。受光部９及び信号処理
部を有するチップ６は、リードフレーム３のダイエリア
上に実装されている。チップ６はこの状態でモールド樹
脂２内に封入されている。信号処理部形成エリアＡ２を
被覆しているモールド樹脂２ｂの厚さＴ２を、当該エリ
アＡ２に入射する光の大部分を遮光しうる程度の厚さ以
上に設定する。受光部形成エリアＡ１を被覆しているモ
ールド樹脂２ａの厚さを、信号処理部形成エリアＡ２を
被覆しているモールド樹脂２ｂの厚さより相対的に薄く
した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトデバイスチ
ップを備えるプラスティックパッケージに関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来、フォトデバイスチップを備えるプ
ラスティックパッケージとして種々のものが提案されて
いる。

【０００３】この種のパッケージを構成するリードフレ
ームは、ダイパッド及び多数のリードを備えている。ダ
イエリアであるダイパッド上には、例えばシリコンから
なるフォトデバイスチップが実装されている。チップ上
面にある各パッドは、各インナーリード部に対してワイ
ヤボンディングされている。チップにおける特定のエリ
アには、フォトダイオード等のような受光部が形成され
ている。フォトデバイスチップがフォトＩＣチップであ
る場合、受光部の周囲には信号処理のための回路等が形
成されることもある。

【０００４】ダイエリア上に実装されたチップは、ダイ
パッド及びインナーリード部とともに、透明エポキシ樹
脂等からなるモールド樹脂内に封入されている。その結
果、チップ等がモールド樹脂によって被覆され、外部の
塵埃や湿気から保護されるようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、受光部の周
囲に形成された信号処理部に光が入射すると、その入射
光がトランジスタのＰＮジャンクションに少なからず影
響を与える結果、誤動作を引き起こすおそれがある。こ
のようなことは、デバイスの性能や信頼性を低下させる
原因となる。よって、従来ではスリット付きのケースで
モールド樹脂部分を全体的に覆う対策を講じることによ
り、信号処理部を遮光しかつ受光部にのみ光を入射させ
るようにしていた。また、モールド樹脂部分をアルミニ
ウム等の薄膜で覆って遮光したり、波長選択性の成形樹
脂の使用により信号処理部のＰＮジャンクションに影響
を波及させないようにする等の対策も講じられていた。
しかし、これらの対策を実施しようとすると、構造の複
雑化や部品点数の増加につながり、コスト高を招きやす
いという問題が生じていた。

【０００６】ここで、例えば樹脂を一律に厚くすれば、
光透過率の減少に伴って信号処理部に入射する光の量も
減少し、ひいては誤動作の発生率もある程度は減るもの
と予想される。しかし、この場合には受光部に入射する
光の量も減少する結果、感度が低下してデバイスの高性
能化・高信頼性化が図れなくなる。

【０００７】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、遮光用ケースが不要であるにもか
かわらず、デバイスの性能や信頼性の低下を来たさない
プラスティックパッケージを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、受光部及び信号処理
部が形成されたフォトデバイスチップがリードフレーム
のダイエリア上に実装され、この状態で同チップがモー
ルド樹脂内に封入されているプラスティックパッケージ
において、信号処理部形成エリアを被覆しているモール
ド樹脂の厚さを、当該エリアに入射する光の大部分を遮
光しうる程度の厚さ以上に設定するとともに、受光部形
成エリアを被覆しているモールド樹脂の厚さを、前記信
号処理部形成エリアを被覆しているモールド樹脂の厚さ
より相対的に薄くしたことを特徴とするプラスティック
パッケージをその要旨とする。

【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１におい
て、前記受光部形成エリアを被覆しているモールド樹脂
の外表面には、光透過性材料からなるレンズが取り付け
られているとした。

【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２において、前記モールド樹脂は熱膨張係数α１が５．
０×１０^-5（１／℃）以下かつα２が１．０×１０
^-4（１／℃）以下であってガラス転移温度（Ｔｇ）が１
４０℃以上のものであり、前記信号処理部形成エリアを
被覆しているモールド樹脂の厚さは０．３ｍｍ〜２．０
ｍｍであり、前記受光部形成エリアを被覆しているモー
ルド樹脂の厚さは０．１ｍｍ〜０．２５ｍｍであるとし
た。

【００１１】以下、本発明の「作用」について説明す
る。請求項１に記載の発明によると、信号処理部形成エ
リアを被覆しているモールド樹脂の厚さが、入射する光
の大部分を遮光しうる程度以上の厚さに設定されている
ため、信号処理部に光が入射しにくくなっている。ゆえ
に、遮光用ケースを省略した構造であっても、光の影響
で誤動作を起こす確率は低く、デバイスの性能及び信頼
性の低下が回避される。一方、受光部形成エリアを被覆
しているモールド樹脂は相対的に薄く形成されているの
で、同エリアに入射する光の量は、信号処理部形成エリ
アのそれに比べて多くなる。従って、光量不足による感
度の低下を来たしにくく、その意味においてもデバイス
の性能や信頼性の低下が回避される。

【００１２】請求項２に記載の発明によると、レンズを
取り付けておけば、受光部形成エリアを被覆しているモ
ールド樹脂が肉薄であっても、その下層にある受光部が
確実に保護される。レンズが集光レンズである場合に
は、受光部形成エリアにより多くの光を入射させること
ができ、結果としてデバイスの高性能化・高信頼性化を
図ることができる。

【００１３】請求項３に記載の発明によると、前記樹脂
を用いてモールド樹脂の厚さを上記のごとく設定すれ
ば、より確実にデバイスの高性能化・高信頼性化を図る
ことができる。この樹脂は、一般的に使用される透明モ
ールド樹脂に比べて低熱膨張係数かつ高ガラス転移温度
という性質を持つので、チップやリードフレームとの密
着性が高くてクラックも発生しにくい。このこともデバ
イスの高性能化・高信頼性化に貢献している。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明をフォトインタラプ
タ用（受光側）のプラスティックパッケージ１に具体化
した一実施形態を、図１〜図３に基づき詳細に説明す
る。

【００１５】図２，図３には、本実施形態のプラスティ
ックパッケージ１が示されている。このパッケージ１
は、２方向に端子が突出した、いわゆるＤＩＰタイプの
パッケージ形態を採っている。即ち、モールド樹脂２か
らなる本体４によって、導電性金属材料からなるリード
フレーム３を部分的にモールドした構成となっている。

【００１６】図１に示されるように、リードフレーム３
は、その中心部分に矩形状のダイパッド５を有してい
る。ダイパッド５の上面（即ちダイエリア）には、セン
サ機能を有するフォトデバイスチップとしてのフォトＩ
Ｃチップ６がダイボンディングされている。フォトＩＣ
チップ６は矩形状をしたシリコン基板からなる。ダイパ
ッド５の両側には、リードフレーム３のインナーリード
部３ａが配置されている。インナーリード部３ａのうち
の1本は、ダイパッド５を支持している。図２，図３に
示されるように、リードフレーム３の各アウターリード
部３ｂは本体４から突出している。外部接続端子として
使用されるアウターリード部３ｂは、パッケージ１の下
側に向かっていずれも略Ｌ字状に屈曲されている。な
お、図１には屈曲される前のリードフレーム３が示され
ている。

【００１７】このフォトＩＣチップ６は矩形状であっ
て、上面側外縁における５箇所にパッド７を備えてい
る。各パッド７と各インナーリード部３ａの先端とは、
ボンディングワイヤ８を介してそれぞれワイヤボンディ
ングされている。その結果、チップ６側とリードフレー
ム３側とが電気的に接続されている。

【００１８】図１に示されるように、フォトＩＣチップ
６の上面側中央には、受光部としてのフォトダイオード
９が形成されたエリアＡ１が存在している。このような
受光部形成エリアＡ１の周囲には、トランジスタや抵抗
等からなる信号処理部が形成されたエリアＡ２が存在し
ている。同図では、理解を助けるために、受光部形成エ
リアＡ１及び信号処理部形成エリアＡ２の双方に異なる
ハッチングを付している。そして、ダイエリア上に実装
されたチップ６は、ダイパッド５、各インナーリード部
３ａ及び各ボンディングワイヤ８とともに、モールド樹
脂２内に封入されている。

【００１９】次に、本実施形態で使用されるモールド樹
脂２について述べる。モールド樹脂２としては、従来よ
り一般的に使用されるモールド樹脂に比べて、低熱膨張
係数かつ高ガラス転移温度という性質を持つものが使用
される。より具体的にいうと、本実施形態のモールド樹
脂２の熱膨張係数α１は５．０×１０ ^-5（１／℃）以
下、かつα２は１．０×１０^-4（１／℃）以下であるこ
とがよい。α１は３．０×１０^-5（１／℃）以下である
ことがより望ましく、α２は８．０×１０^-5（１／℃）
以下であることがより望ましい。以上の点に鑑みて、本
実施形態ではα１が約２．６×１０^-5（１／℃）、α２
が約７．２×１０^-5（１／℃）のエポキシ樹脂「ＫＥ−
９２０（商品名，東芝ケミカル社製）」を用いている。

【００２０】ちなみに、従来の一般的な透明モールド樹
脂においては、α１が６．０×１０ ^-5（１／℃）以上、
かつα２が１．５×１０^-4（１／℃）以上になってい
る。透明モールド樹脂の熱膨張係数が大きくなってしま
うのは、透光性を重視した結果、光を遮る要因となるフ
ィラーの含有量を制限せざるを得ないからである。この
場合、金属材料からなるリードフレーム３やチップ６と
の熱膨張係数差が大きくなり、クラックが起こりやすく
なる。

【００２１】本実施形態で使用されるべきモールド樹脂
２のガラス転移温度（Ｔｇ）は１４０℃以上であること
がよく、さらには１７０℃以上であることがよい。以上
の点に鑑みて、ここではＴｇが１８５℃〜１９０℃であ
る上記エポキシ樹脂を用いている。ちなみに、従来の一
般的な透明モールド樹脂のＴｇは１２０℃前後である。
Ｔｇが低すぎると、低い温度で樹脂が軟化してしまうこ
とで、リードフレーム３やチップ６との密着性が悪くな
り、耐熱性や信頼性の向上が図れない。

【００２２】熱膨張係数を相対的に低めに設定している
上記エポキシ樹脂は、従来の一般的な透明モールド樹脂
ほど高い光透過性は備えていない。厚さの違いによる同
エポキシ樹脂の光透過率（％）は下記の通りである。即
ち、０．２ｍｍ厚のとき約８０％，０．２５ｍｍ厚のと
き約５０％，０．３ｍｍ厚のとき約３５％，０．４ｍｍ
厚のとき約２５％，０．５ｍｍ厚のとき約２０％，０．
７ｍｍ厚のとき約１０％，１．０ｍｍ厚のとき約３％で
ある。

【００２３】要するに、肉薄にすれば光をある程度透過
させることができ、肉厚にすれば光の大部分を遮光する
ことができる。なお、当該エポキシ樹脂は、可視光領域
の波長の光に比べ、赤外領域の波長の光（例えば発光ダ
イオードの光）をより透過させやすいという性質を有し
ている。

【００２４】そして、信号処理部形成エリアＡ２を被覆
しているモールド樹脂２ｂの厚さＴ２は、当該エリアＡ
２に入射する光の大部分を遮光しうる程度の厚さ以上に
設定されている。また、受光部形成エリアＡ１を被覆し
ているモールド樹脂２ａの厚さＴ１は、信号処理部形成
エリアＡ２を被覆しているモールド樹脂２ｂの厚さＴ２
より相対的に薄くなるように設定されている。説明の便
宜上、受光部形成エリアＡ１を被覆しているモールド樹
脂２ａを肉薄部２ａとする。信号処理部形成エリアＡ２
を被覆しているモールド樹脂２ｂを肉厚部２ｂとする。

【００２５】肉厚部２ｂの厚さＴ２は０．３ｍｍ〜２．
０ｍｍであることがよく、さらには０．５ｍｍ〜１．５
ｍｍであることがよく、特には０．７ｍｍ〜１．０ｍｍ
であることがよい。厚さＴ２が薄すぎると、信号処理部
形成エリアＡ２の遮光が不完全になり、入射光の影響で
デバイスが誤動作を起こす確率を充分に低減できなくな
るおそれがある。逆に厚さＴ２が厚すぎると、確実な誤
動作防止が達成される反面、モールド樹脂２の必要量が
増えてしまい、高コスト化やパッケージ１の大型化につ
ながるおそれがある。

【００２６】肉薄部２ａの厚さＴ１は０．１ｍｍ〜０．
２５ｍｍであることがよく、さらには０．１５ｍｍ〜
０．２ｍｍであることがよい。厚さＴ１が厚すぎると、
受光部形成エリアＡ１に入射する光の量が不足して、フ
ォトダイオード９が動作しにくくなるおそれがある。従
って、感度低下を来してしまい、デバイスの性能や信頼
性の向上が図れなくなる。逆に厚さＴ１が薄すぎると、
感度低下の問題が生じない反面、下層にあるフォトダイ
オード９を湿気等から確実に保護できなくなるおそれが
あり、かえってデバイスの信頼性を損う場合がある。な
お、前記肉厚部２ｂの厚さＴ２は肉薄部２ａの厚さＴ１
の２倍以上であることがよく、さらには３倍以上である
ことがよく、特には４倍以上であることがよい。

【００２７】本実施形態では具体的にいうと、肉薄部２
ａの厚さＴ１を０．２ｍｍに設定し、かつ肉厚部２ｂの
厚さＴ２を、Ｔ１の５倍の値である１．０ｍｍに設定し
ている。別の言いかたをすれば、肉薄部２ａの光透過率
を約８０％に設定し、かつ肉厚部２ｂの光透過率を、そ
の１／２５以下という小さな値（約３％）に設定してい
る。なお、肉薄部２ａの光透過率は肉厚部２ｂの光透過
率の１／２０以下の値であることが特によく、１／５以
下の値であることがそれに次いでよい。

【００２８】図２，図３に示されるように、このパッケ
ージ１では、肉薄部２ａが円形状かつ受光部形成エリア
Ａ１よりもひとまわり大きく形成されている。従って、
本体４において肉薄部２ａに対応する箇所は、断面円形
状の凹部１１になっている。本実施形態における受光部
形成エリアＡ１は、１５０μｍ角〜３００μｍ角であ
る。凹部１１内には光透過性樹脂からなるレンズ１０が
装着されている。肉薄部２ａの外表面にレンズ１０が取
り付けられていると把握することもできる。レンズ１０
の上端部は凸面１０ａになっていて、本体４の上面から
突出している。パッケージ１外部から入射してくる光
は、レンズ１０を通過する際に屈曲されかつ集光され
る。レンズ１０の形成材料としては、アクリル樹脂やフ
ェノール樹脂等が挙げられる。

【００２９】次に、本実施形態のパッケージ１を製造す
る手順について説明する。まず、４２アロイ等の導電性
金属板をプレス加工またはエッチング加工することによ
って、所定パターンを備えるリードフレーム３を製造す
る。

【００３０】リードフレーム製造工程の後、従来公知の
方法によりダイパッド５上に接着剤を塗布する。塗布方
法としては転写法またはディスペンス法がある。前記塗
布工程の後、リードフレーム３をダイボンダにセットし
て、チップ６をダイパッド５上にダイボンディングす
る。この後、接着剤を熱硬化させ、チップ６をダイパッ
ド５上に完全に接着する。

【００３１】ダイボンディング工程の後、リードフレー
ム３をワイヤボンダにセットしてワイヤボンディングを
行うことにより、各パッド７と各インナーリード部３ａ
とを電気的に接続する。

【００３２】ワイヤボンディング工程を経たリードフレ
ーム３を成形用金型内にセットして、モールド樹脂２を
用いたモールド成形を行う。このとき、モールド樹脂２
には肉厚部２ｂ及び肉薄部２ａが同時に成形される。

【００３３】モールド成形工程の後、肉薄部２ａの外表
面（即ち凹部１１内）にレンズ１０を接着剤を用いて装
着する。そして、アウターリード部３ｂを屈曲させるリ
ードフォーミング工程を実施すれば、図２，図３に示さ
れるような所望のプラスティックパッケージ１を得るこ
とができる。

【００３４】従って、本実施形態によれば以下のような
効果を得ることができる。 （１）このパッケージ１では、肉厚部２ｂの厚さＴ２
が、入射する光の大部分を遮光しうる程度以上に設定さ
れている。このため、ＰＮジャンクションのある信号処
理部のあるエリアＡ２に光が入射しにくくなっている。
ゆえに、遮光用ケースを省略した構造であっても、光の
影響で誤動作を起こす確率は低く、デバイスの性能及び
信頼性の低下を回避することができる。一方、肉薄部２
ａは肉厚部２ｂよりも相対的に薄く形成されているの
で、エリアＡ１に入射する光の量は、エリアＡ２のそれ
に比べて確実に多くなる。従って、光量不足による感度
の低下を来たしにくく、その意味においてもデバイスの
性能や信頼性の低下を回避することができる。

【００３５】（２）このパッケージ１では、凹部１１内
に光透過性材料からなるレンズ１０を取り付けている。
従って、受光部形成エリアＡ１を被覆しているモールド
樹脂２ａが肉薄であっても、その下層にあるフォトダイ
オード９を確実に保護することができる。また、集光レ
ンズを用いていることから、受光部形成エリアＡ１によ
り多くの光を入射させることができる。その結果、フォ
トダイオード９を確実に動作させることができ、デバイ
スの高性能化・高信頼性化を図ることができる。

【００３６】（３）このパッケージ１では、前述したエ
ポキシ樹脂をモールド樹脂２として用いるとともに、肉
薄部２ａ及び肉薄部２ｂの厚さを上記の好適範囲内に設
定している。従って、耐クラック性、密着性、耐熱性等
が向上し、より確実にデバイスの高性能化・高信頼性化
を図ることができる。

【００３７】なお、本発明の実施形態は以下のように変
更してもよい。 ・ 凹部１１の形状は、実施形態のような断面円形状の
みに限定されず、その他の形状であってもよい。例え
ば、図４，図５に示される別例のパッケージ２１では、
凹部２３が細長いスリット状に形成されている。そし
て、その凹部２３内に装着されたレンズ２２も偏平状に
なっている。

【００３８】・ プラスティックパッケージ１の形態
は、実施形態のようなＤＩＰのみに限定されることはな
く、それ以外の形態、例えばＳＩＰ，ＳＯＰ，ＱＦＰ，
ＱＦＪ，ＱＦＬ等であってもよい。例えば、図６の別例
のパッケージ３１では、本体４の１つの側面のみから端
子が突出したＳＩＰの形態を採っている。

【００３９】・ 一般的に使用される透明モールド樹脂
に比べて低熱膨張係数かつ高ガラス転移温度という上記
の性質を満たすものであれば、実施形態のエポキシ樹脂
の代わりに、例えばポリイミド樹脂等をモールド樹脂２
として用いてもよい。

【００４０】・ 実施形態や別例のような集光を目的と
したレンズ１０，２２の代わりに、特に集光を目的とし
ていないレンズを用いても構わない。 ・ パッケージ１，２１，３１からレンズ１０，２２を
省略した構成とすることも可能である。この場合、構造
がよりいっそう簡単になり、低コスト化が図られる。

【００４１】・ フォトダイオード９の代わりに、例え
ばフォトトランジスタ等のような別の受光用素子を形成
してもよい。 ・ フォトＩＣチップ６において受光部が形成されるエ
リアＡ１以外の領域には、信号処理を行なう回路とは別
に、信号処理以外の機能を担う回路や構造物が形成され
ていてもよい。

【００４２】・ 本発明は実施形態のような受光側フォ
トインタラプタ用のパッケージ１に限定されず、発光側
フォトインタラプタ用のパッケージとして具体化されて
もよい。即ち、フォトダイオード９等のような受光部を
備えるフォトＩＣチップ６に代え、発光ダイオード等の
ような発光部を備えるフォトＩＣチップを用いてパッケ
ージを構成してもよい。勿論、このようなフォトＩＣチ
ップ以外のフォトデバイスチップ、例えばＣＣＤチップ
等を用いてパッケージを構成することも勿論可能であ
る。

【００４３】次に、特許請求の範囲に記載された技術的
思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技
術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 （１） 請求項１乃至３のいずれか１つにおいて、前記
受光部形成エリアを被覆しているモールド樹脂の厚さ
は、前記信号処理部形成エリアを被覆しているモールド
樹脂の厚さの１／２以下（好ましくは１／４以下）であ
ること。

【００４４】（２） 請求項１乃至３、技術的思想１の
いずれか１つにおいて、前記信号処理部形成エリアを被
覆しているモールド樹脂の光透過率は、前記受光部形成
エリアを被覆しているモールド樹脂の光透過率の１／５
以下（好ましくは１／２０以下）であること。

【００４５】（３） 特定のエリアに受光部が形成され
たフォトデバイスチップがリードフレームのダイエリア
上に実装され、この状態で同チップがモールド樹脂内に
封入されているプラスティックパッケージにおいて、受
光部形成エリアを被覆しているモールド樹脂の厚さを、
受光部非形成エリアを被覆しているモールド樹脂の厚さ
より相対的に薄くしたことを特徴とするプラスティック
パッケージ。

【００４６】（４） 請求項１乃至３、技術的思想１乃
至３のいずれか１つにおいて、前記受光部を発光部に置
き換えること。

【００４７】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜３に記
載の発明によれば、遮光用ケースが不要であるにもかか
わらず、デバイスの性能や信頼性の低下を来たさないプ
ラスティックパッケージを提供することができる。

【００４８】請求項２に記載の発明によれば、デバイス
の高性能化・高信頼性化を図ることができる。請求項３
に記載の発明によれば、より確実にデバイスの高性能化
・高信頼性化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を具体化した一実施形態のパッケージに
おいて、それに使用されるリードフレームにフォトＩＣ
チップを実装した状態を示す平面図。

【図２】同パッケージの平面図。

【図３】同パッケージの断面図。

【図４】別例のパッケージの平面図。

【図５】図４のパッケージの断面図。

【図６】別例のパッケージの断面図。

【符号の説明】

１，２１，３１…プラスティックパッケージ、２…モー
ルド樹脂、２ａ…受光部形成エリアを被覆しているモー
ルド樹脂（肉薄部）、２ｂ…信号処理部形成エリアを被
覆しているモールド樹脂（肉厚部）、３…リードフレー
ム、６…フォトデバイスチップ、９…受光部としてのフ
ォトダイオード、１０…レンズ、Ａ１…受光部形成エリ
ア、Ａ２…信号処理部形成エリア、Ｔ１…肉薄部の厚
さ、Ｔ２…肉厚部の厚さ。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】受光部及び信号処理部が形成されたフォト
   デバイスチップがリードフレームのダイエリア上に実装
   され、この状態で同チップがモールド樹脂内に封入され
   ているプラスティックパッケージにおいて、 信号処理部形成エリアを被覆しているモールド樹脂の厚
   さを、当該エリアに入射する光の大部分を遮光しうる程
   度の厚さ以上に設定するとともに、受光部形成エリアを
   被覆しているモールド樹脂の厚さを、前記信号処理部形
   成エリアを被覆しているモールド樹脂の厚さより相対的
   に薄くしたことを特徴とするプラスティックパッケー
   ジ。
2. 【請求項２】前記受光部形成エリアを被覆しているモー
   ルド樹脂の外表面には、光透過性材料からなるレンズが
   取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の
   プラスティックパッケージ。
3. 【請求項３】前記モールド樹脂は熱膨張係数α１が５．
   ０×１０^-5（１／℃）以下かつα２が１．０×１０
   ^-4（１／℃）以下であってガラス転移温度（Ｔｇ）が１
   ４０℃以上のものであり、前記信号処理部形成エリアを
   被覆しているモールド樹脂の厚さは０．３ｍｍ〜２．０
   ｍｍであり、前記受光部形成エリアを被覆しているモー
   ルド樹脂の厚さは０．１ｍｍ〜０．２５ｍｍであること
   を特徴とする請求項１または２に記載のプラスティック
   パッケージ。