CN117461148A - 半导体传感器装置及用于制造半导体传感器装置的方法 - Google Patents

Abstract

一种半导体传感器装置(1)，该半导体传感器装包括具有主表面(11)的集成电路本体(10)；布置在主表面(11)上的光敏元件，该光敏元件具有感测表面(12)；以及布置在感测表面(12)上的透明结构(20)。装置(1)还包括发射器组件(30)和不透明本体(40)，发射器组件布置在主表面(11)上与光敏元件相距一定距离，不透明本体布置在主表面(11)的没有感测表面(12)和发射器组件(30)的部分上。透明本体(20)、发射器组件(30)和不透明本体(40)的顶表面形成共同平面(50)。

Description

半导体传感器装置及用于制造半导体传感器装置的方法

技术领域

本公开涉及半导体传感器装置并且涉及用于制造半导体传感器装置的方法。

背景技术

除了半导体传感器装置在移动装置、比如智能手机和平板电脑中的应用外，半导体传感器装置如今变得与诸如智能手表之类的可穿戴配件越来越相关，在可穿戴配件中，除了诸如麦克风之类的其他传感器类型外，通常还集成了例如环境光传感器和接近传感器。半导体传感器在可穿戴应用中的主要卖点中的一者是小尺寸，因为可穿戴小装置中的空间非常有限，这给多个传感器的集成带来了问题。特别是对于包括光发射器及接收器的传感器、比如光学接近传感器，当减小传感器装置的尺寸时，即将发射器部件和接收器部件布置为彼此紧密接近时，串扰成为严重问题。其中，串扰可以在装置内出现而作为内部串扰，或者在系统内出现而被通常称为外部串扰。因此，由于串扰问题，目前的解决方案在能够实现的最小传感器尺寸方面受到限制。

发明内容

目的是提供一种半导体传感器装置的改进构思，该改进构思克服了当前解决方案的局限性。

这个目的是通过独立权利要求的主题来实现的。在从属权利要求中描述了其他的改进方案和实施方式。

改进构思基于用不透明化合物对传感器组件进行包覆成型的思想，其中，传感器组件包括布置在集成电路的光敏表面上的透明结构、比如玻璃本体，以及同样布置在集成电路上的发射器组件。透明本体、不透明本体和发射器组件布置为使得它们各自的顶表面形成共同平面。特别地，改进构思依赖于单个成型步骤。

特别地，根据改进构思的半导体传感器装置包括具有主表面的集成电路本体以及布置在主表面上的光敏元件，光敏元件具有感测表面。传感器装置还包括布置在感测表面上的透明结构、布置在主表面上与光敏元件相距一定距离的发射器组件、以及布置在主表面的没有感测表面和发射器组件的部分上的不透明本体。透明本体、不透明本体和光发射器组件的顶表面形成共同平面。

集成电路本体例如是半导体基板、比如晶片或者芯片基板，在该半导体基板的顶表面上或者顶表面内包括有源和/或无源电路元件，其形成具有主表面的集成电路。特别地，所述集成电路包括在主表面上具有光敏感测表面的光敏元件、比如光电二极管，该光敏元件例如实现为将光转换为电流的p-n结合装置。集成电路还在其主表面上包括器件、例如接触表面，其用于与诸如发射器管芯之类的发射器组件电接触，使得发射器组件的发射器可以由集成电路的元件来操作。

透明结构例如是玻璃本体，透明结构以使得感测表面被透明结构部分地或完全地覆盖的方式布置在感测表面上。换言之，在半导体感测装置的一些实施方式中，透明结构的占据面积覆盖感测表面的全部。例如，透明结构是硼硅酸盐玻璃本体，特别地是硼硅酸盐玻璃3.3本体。透明结构与感测表面直接接触或者经由同样透明的连接元件、比如粘合剂接触。

在该上下文中，透明是指波长范围，光敏元件构造成在该波长范围内接收光。例如，透明结构在可见光谱的至少一部分内和/或在例如包括830nm和/或940nm的红外区内是透明的。硼硅酸盐玻璃3.3的特征在于膨胀系数与集成电路本体所用的典型材料——硅的膨胀系数相似。

发射器组件布置在上述接触表面上，例如与光敏元件相距一定距离、即与感测表面相距一定距离，并且该发射器组件包括配置成发射光并且经由集成电路控制的发射器。发射器发射波长范围与光敏元件的灵敏度范围相对应的光。例如，发射器发射在可见光谱的至少一部分内和/或在例如包括830nm和/或940nm的红外区内的光。例如，发射器组件包括具有竖向腔表面发射激光器VCSEL的VCSEL管芯。例如，VCSEL管芯包括背侧发射VCSEL结构。替代性地或者另外，发射器组件包括具有发光二极管LED的LED管芯。

不透明本体是例如将主表面的没有感测表面和发射器组件的部分覆盖的模制化合物。换言之，主表面由不透明本体包覆成型，这意味着不透明本体填充透明结构与发射器组件之间的空间。在一些实施方式中，不透明本体可以将主表面的没有感测表面和发射器组件的所有部分覆盖。这种方式不仅防止了发射器与接收器、即光敏元件之间的串扰，而且实现了对集成电路的保护。此外，由于杂散光引起的背景信号显著减少。

不透明本体可以是聚合物模制化合物，特别地由环氧树脂形成的聚合物模制化合物。不透明在该上下文中指的是上述波长范围，在该波长范围中光敏元件构造成接收光并且发射器构造成发射光。例如，不透明本体在可见光谱的至少一部分内和/或在例如包括830nm和/或940nm的红外区内是不透明的。例如，不透明本体构造成吸收所述波长范围内的光。

不透明本体可以借助浮动模制而形成，其中，浮动模制工具与发射器管芯和透明本体的顶表面接触。然后将模制化合物注入到工具与组件之间的空间中，使得发射器管芯和透明本体的顶表面保持暴露。特别地，该化合物填充了这些部件之间的间隙。最后，模制化合物固化。

不透明本体定形状成使得透明本体、不透明本体以及光发射器组件的顶表面形成共同平面。换言之，只有透明结构和发射器组件的顶表面暴露，而所述元件的其它部分被不透明本体覆盖或者环绕。这样，由于不透明本体的至少一部分沿光学路径布置在这些元件之间，所以不存在从发射器至光敏元件的感测表面的直接光学路径。共同平面可以平行于主表面。

相对于主表面平行或者至少基本平行的共同平面还确保串扰显著被减少并且因此被防止。此外，平行的共同平面意味着透明本体和发射器的顶表面与所发射并接收的光正交或者至少基本正交，从而减少了由于非正交反射率引起的光学损耗。

根据改进构思的半导体传感器装置能够实现用于接近传感器的高度集成封装，例如，在该半导体传感器装置中，由发射器组件发射的光从位于与传感器装置相距一定距离处的物体反射回到传感器装置的光敏元件。其中，由于不透明本体仅使透明本体和发射器组件的顶表面暴露，因此有效地防止了内部和外部的串扰。

在一些实施方式中，半导体传感器装置还包括基板本体或者与集成电路本体的和主表面相反的表面结合的引线框架。

所述基板本体或者引线框架可以包括用于操作感测装置的附加电路。集成电路与基板本体或引线框架之间的电连接可以借助例如线材结合来建立。

在一些实施方式中，在光敏元件与透明结构之间布置有透明粘合剂。

光学透明粘合剂可以施加至感测表面，以便建立并且/或者促进透明本体与主表面的粘附。与上述类似，在该上下文中透明指的是感测装置的感测及发射波长。

在一些实施方式中，透明结构包括光学滤光器，特别是带通滤光器和/或干涉滤光器。

例如，透明本体在其顶表面处或者附近涂有涂层，以用于实现干涉滤光器或者二向色滤光器。这样，由光敏元件的感测表面接收的光可以限制在相对于光敏元件的灵敏度范围较窄的波长范围内。这样，可以通过使感测装置基本上仅对该感测装置的工作波长范围敏感来防止由于环境光和/或杂散光引起的背景信号。所述滤光器可以由角度相关的透射率来表征，使得由感测表面接收的光可以被进一步限制以排除不想要的光。

在一些实施方式中，感测表面与发射器组件之间的距离小于500μm，特别地小于300μm。

根据改进构思的感测装置允许将发射器管芯布置在感测表面的200μm至300μm内。这又实现了用于感测装置的高度集成的封装，该感测装置例如用作接近传感器。与常规解决方案相比，这种结构不仅减小了尺寸和成本，而且显著提高了串扰性能和可靠性。

在一些实施方式中，发射器组件的占据面积小于40000μm²。

在一些实施方式中，感测表面的占据面积小于40000μm²。

在一些实施方式中，半导体传感器装置的占据面积小于3mm²，特别地小于2mm²。

上述尺寸允许在可穿戴装置中的应用，在可穿戴装置中，用于部件的空间极其有限，从而产生特别地关于多个传感器集成的问题。此外，众所周知的是，感测装置中的发射器与接收器之间的串扰限制了传感器的性能，并且传感器装置设计得越小，串扰的严重程度就会增加。然而，改进构思借助在单个成型步骤中应用的不透明本体有效地解决了串扰问题，使得可以实现这些小尺寸，并且可以有效地减少内部串扰和外部串扰。此外，感测装置的尺寸、特别是发射器管芯与感测表面之间的小距离减小了所需系统孔径的大小。

在一些实施方式中，半导体传感器装置还包括另一光敏元件，该另一光敏元件布置在主表面上与光敏元件相距一定距离，该另一光敏元件具有另一感测表面，其中，透明结构布置在感测表面并且布置在另一感测表面上。

例如，第一光敏元件可以构造成接收由发射器发射的光。该光敏元件的灵敏度可以被限制在包括如上所述的由发射器发射的光的波长或者波长范围内。另一光敏元件可以构造成接收与第一光敏元件的波长范围不同的波长范围内的光。例如，另一光敏元件对可见域敏感并且实现感测装置的环境光感测功能，同时第一光敏元件实现上述接近感测，该接近感测基于由接收器发射并且从物体或场景反射的光，物体或场景比如是感测装置的用户的身体部位或者包括根据改进构思的感测装置的装置。

上述目的通过包括根据上述实施方式中的一个实施方式的半导体传感器装置的接近传感器组件来进一步解决，其中，光敏元件构造成捕获从发射器组件发射并且从位于接近传感器附近的物体反射的光。

根据改进构思的接近传感器可以方便地应用于诸如智能手机之类的移动装置中，还可以应用于诸如智能手表之类的可穿戴小装置中。接近传感器在可穿戴应用中的主要卖点中的一者是小尺寸，因为这些装置中的空间非常有限。与现有解决方案相比，改进构思能够实现尺寸显著减小的传感器装置，同时防止发射器与接收器之间的任何显著串扰，否则对于具有这些尺寸的传感器而言，任何显著串扰将会是预料到的。

具体应用包括在无线耳机或者可穿戴产品中的触摸感测应用。其中，这种传感器检测产品是否被佩戴或产品是否被正确地佩戴，并且使系统能够相应地做出反应，例如通过自动打开或者关闭电源来相应地做出反应，以便节省电力。替代性地或者另外，可以实现用于确定装置是否放置在无线充电器上的检测，例如使得自动启用充电过程。

第二示例性应用是用于移动电话中的组合式接近及环境光传感器(ALS)。在移动电话中，传感器就其占据面积而言需要足够小以便装配到边框角落中通常非常小的空间中。特别地，根据改进构思的小尺寸的传感器能够放置在手机表面附近，与需要放置在远离手机表面下方的狭窄开口中或者显示器后面的较大传感器装置相比，放置在手机表面附近的传感器的性能显著增强。在这两种情况下，ALS的性能会严重受损，而在显示器后面放置的情况下，这只有使用昂贵的OLED显示器才有可能。然而，本公开由于其小的形状因子而能够在较低的制造成本下增强性能。

上述目的通过一种用于制造半导体传感器装置的方法来进一步解决。该方法包括设置具有主表面的集成电路本体，将具有感测表面的光敏元件布置到主表面上，以及将透明结构布置在感测表面上。该方法还包括将发射器组件布置在主表面上与光敏元件相距一定距离，以及将不透明本体布置在主表面的没有感测表面和发射器组件的部分上。其中，透明结构、不透明本体和光发射器组件的顶表面形成共同平面。

在一些实施方式中，布置透明结构是经由将所述透明结构粘合至感测表面来实现的，并且布置不透明本体是经由注塑成型过程、特别地经由膜辅助式转移成型过程来实现的。

可以在硅晶片上制造包含光敏区域的多个集成电路。用光学透明粘合剂将透明结构、例如玻璃块粘合到晶片表面上，从而覆盖光学敏感区域、比如光敏元件的感测表面。发射器管芯堆叠到晶片表面上并且电连接至集成电路。其中，透明结构和发射器管芯的厚度使得这些顶表面在基本上平行于晶片表面或者平行于晶片表面的同一平面中。

然后可以在锯切过程中对各个集成电路进行单个化。多个集成电路结合在基板或者引线框架上。集成电路与基板之间的电连接是通过线材结合建立的。使浮动模制工具与发射器和透明结构的顶表面接触。工具上的柔顺聚合物膜可以用来改善密封，从而实现所谓的膜辅助式成型过程。将模制化合物注入到工具与组件之间的空间、模具腔中，使得发射器和透明结构的顶表面保持暴露。然后，模制化合物填充这些部件之间的间隙，并在各个传感器单元被单个化之前被固化。

根据改进构思的制造方法的其他实施方式对于本领域技术人员来说从上述半导体传感器装置的实施方式变得明显。

附图说明

示例性实施方式的附图的以下描述可以进一步说明和解释改进构思的各方面。具有相同结构和相同效果的部件和部分分别用相同的附图标记来显示。只要部件和部分在不同的附图中就他们的功能而言彼此对应，就不必对于以下附图中的每个附图重复其描述。

在附图中：

图1A至图1C示出了根据改进构思的半导体感测装置的示例性实施方式的中间产品；

图1D示出了根据改进构思的半导体感测装置的示例性实施方式；

图2示出了根据改进构思的半导体感测装置的另一示例性实施方式；以及

图3示出了包括根据改进构思的半导体感测装置的接近传感器组件的实施方式。

具体实施方式

图1A示出了根据改进构思的半导体感测装置1的中间产品。在制造过程的这个阶段，设置有集成电路本体10。集成电路本体10包括布置在集成电路本体10的主表面11上或者主表面11内的集成电路元件10b。例如，集成电路元件10b包括用于操作光学传感器装置的有源和无源电路。特别地，集成电路本体10包括诸如集成光电二极管之类的光敏元件，该光敏元件具有构造成吸收光子并且基于所吸收的光子产生光电信号的感测表面12。具有感测表面的集成光电二极管的概念在传感器领域中是众所周知的概念，并且在本公开中不再进一步详述。集成电路元件10b还可以包括在主表面11上或者在主表面11内的导电路径，该导电路径用于将集成电路的部件相互电连接。集成电路元件10b还包括用于接触发射器组件30的器件、例如接触垫。

在所示的实施方式中，中间产品还包括另一感测表面12a。例如，另一感测表面12a构造成吸收与第一感测表面12的灵敏度范围不同的波长范围内的光子。例如，另一感测表面12a构造成在可见域内敏感，而第一感测表面12构造成在红外域内敏感，该红外域例如840nm和/或930nm的波长。

在所示的实施方式中，集成电路本体10布置在集成电路基板10a上。例如，集成电路基板10a是在其上制造集成电路本体10的处理基板、比如硅片或者硅晶片。

图1B示出了图1A的半导体感测装置1的另一中间产品，在该中间产品中布置有透明结构20和发射器组件30。

透明结构20可以是玻璃本体，例如硼硅酸盐3.3玻璃本体，该玻璃本体在感测表面12和可选的另一感测表面12a的感测波长下是透明的。例如，透明结构20在可见域和红外域中是透明的。透明结构20布置在集成电路本体10的主表面11上。特别地，该透明结构20以至少感测表面12和另一感测表面12a被覆盖的方式来布置。透明结构20与主表面接触，要么直接接触，要么经由中间层、比如在所讨论的波长范围或者多个波长范围内同样透明的粘合剂进行接触。

为了进一步限制或者限定感测表面12的捕获范围，透明结构可以在其背对感测表面12的顶表面和/或在其面向感测表面12的底表面处涂上涂层，以用于形成光学滤光器、比如干涉滤光器或者带通滤光器。滤光器的透射率可以是波长相关的和/或角度相关的，使得只有以基本正交的方式入射到透明结构20的顶表面上的具有特定波长的光才能进入透明结构20并且传递至感测表面12。

发射器组件30以在主表面11与发射器组件30的发射器之间建立电连接的方式布置在集成电路本体10的主表面11上。例如，发射器组件30是布置在集成电路本体10的电接触垫、例如结合垫或者焊接垫上的管芯。发射器组件30包括发射器，该发射器能够操作成发射波长或波长范围与感测表面12的灵敏度对应的光。例如，发射器组件30包括竖向腔表面发射激光器VCSEL和/或发光二极管LED。例如，发射器组件的发射器能够操作成发射例如在840nm和/或在930nm的红外域中的光。

透明结构20和发射器组件定尺寸为使得透明结构20和发射器组件的的顶表面形成共同平面。优选地，该共同平面平行于主表面11。换言之，透明结构20和发射器组件在主表面11上方的高度相等。

透明结构20与发射器组件30之间的距离小于500μm，特别地小于300μm。例如，透明结构20与发射器组件30之间的间隙大约为200μm。发射器组件30的占据面积小于40000μm²。例如，发射器组件30具有边缘长度为20μm的矩形或正方形占据面积。同样地，感测表面12的占据面积小于40000μm²。

图1C示出了图1B的半导体感测装置1的另一中间产品，在该中间产品中，集成电路本体10直接地或者经由可选的集成电路基板10a布置到基板本体13上。基板本体13例如是基板或者引线框架，该基板或者引线框架可以包括用于操作传感器装置的附加电路。在这种情况下，在集成电路本体10与基板本体13之间也建立了电连接。例如，基板本体13被线材结合至集成电路本体10。

基板本体13确定半导体传感器装置1的占据面积，该占据面积小于3mm²，特别地小于2mm²。例如，基板本体13具有各个边缘长度最多为1mm和2mm的矩形占据面积。

图1D示出了基于图1A至图1C的中间产品的半导体感测装置1的最终示例性实施方式。为了最终化，需要进行成型过程。例如，使浮动模制工具与发射器组件30和透明结构20的顶表面接触。根据膜辅助成型过程，该工具上的柔顺聚合物膜可以用于改善密封。模制化合物被注入到工具与组件之间的空间中，使得发射器组件30和透明结构20的顶表面保持暴露。模制化合物、例如环氧树脂填充这些部件之间的间隙。模制化合物最终被固化并且形成不透明本体40。所述不透明本体40的顶表面50与透明结构20和发射器组件30的顶表面一起形成共同平面。换言之，除了布置有透明结构20和发射器组件30的地方之外，不透明本体40覆盖集成电路本体10的整个表面，并且可选地覆盖整个基板本体13的整个表面。

在图1D中，不透明本体40仅出于图示的目的被图示为透明的。

图2示出了图1D的半导体感测装置1的示例性实施方式，其中，不透明本体40的不透明度是明显的。特别地，不透明本体40阻止了从发射器组件30到感测表面12、12A以及到透明结构20的直接路径，因此有效地防止了光学串扰，对于现有解决方案来说光学串扰是长期存在的问题。

图3示出了包括根据上述实施方式中的一个实施方式的半导体传感器装置1的接近传感器组件100的示例性实施方式。其中，其感测表面12被透明结构20覆盖的光敏元件构造成捕获从发射器组件30发射并且从位于接近传感器附近的物体、例如用户的身体部位反射的光。

接近传感器组件100还包括处理单元2，该处理单元2联接至感测装置1并且配置成操作所述感测装置1。例如，处理单元2配置成启用发射器组件30的发射，并且通过在感测表面12上或者在感测表面12内吸收光子来读出由光敏元件产生的光信号。感测装置1和处理单元2可以布置在共同的承载件、例如芯片基板上。

这种接近传感器组件100由于其小的形状因子而可以方便地应用于诸如智能手表或者耳机之类的可穿戴装置中，例如用于确定该装置是否被佩戴。然而，放置在移动电话或者智能手机中也可以是有利的，因为在这种情况下手机的通用边框可以在尺寸方面显著减小。

进一步指出的是根据改进构思的半导体传感器装置1不限于用于接近感测的应用。改进构思同样可以在具有发射器和接收器的所有类型的光学感测装置中实现，以用于在保持小的形状因子、即占据面积的同时有效地减少串扰。例如，替代性应用是用于面部或指纹识别的模块，在该模块中，照明光源、比如点投影仪用作发射器并且图像传感器用作光敏元件。

为了使读者熟悉该构思的新颖方面，本文中已经论述了半导体传感器装置的实施方式和制造方法。尽管已经示出且描述了优选实施方式，但是在不必脱离权利要求的范围的情况下，本领域技术人员可以对所公开的构思做出许多改变、修改、等同方案以及替换。

特别地，本公开不限于所公开的实施方式，并且给出了所论述的实施方式中包括的特征的尽可能多的替代方案的示例。然而，意在将所公开构思的任何修改、等同方案以及替换包括在本文所附权利要求的范围内。

在单独的从属权利要求中列举的特征可以有利地组合。此外，在权利要求中使用的附图标记不限于被解释为限制权利要求的范围。

此外，如本文中所使用的术语“包括”不排除其他元件。另外，如本文所使用的冠词“一”意在包括一个或多于一个部件或者元件，并且不限于解释为仅一个。

除非另有明确说明，否则绝不意在将本文中所阐述的任何方法解释为要求以特定顺序执行其步骤。因此，在方法权利要求实际上没有列举其步骤所遵循的顺序的情况下，或者在权利要求或者说明书中没有以其他方式特别说明步骤将被限制为特定顺序的情况下，则决不意图推断出任何特定顺序。

本专利申请要求美国专利申请63/195,458和德国专利申请10 2021115 461.8的优先权，美国专利申请和德国专利申请的公开内容通过参引并入本文。

附图标记

1 半导体传感器装置

2 处理单元

10 集成电路本体

10a 集成电路基板

10b 集成电路元件

11 主表面

12、12a 感测表面

13 基板本体

20 透明结构

30 发射器组件

40 不透明本体

50 共同平面

100 接近传感器组件

Claims (20)

1.一种半导体传感器装置(1)，所述半导体传感器装置(1)包括：

-集成电路本体(10)，所述集成电路本体(10)具有主表面(11)；

-光敏元件，所述光敏元件布置在所述主表面(11)上，所述光敏元件具有感测表面(12)；

-透明结构(20)，所述透明结构(20)布置在所述感测表面(12)上；

-发射器组件(30)，所述发射器组件(30)布置在所述主表面(11)上与所述光敏元件相距一定距离；以及

-不透明本体(40)，所述不透明本体(40)布置在所述主表面(11)的没有所述感测表面(12)和所述发射器组件(30)的部分上；

-其中，所述透明本体(20)、所述发射器组件(30)和所述不透明本体(40)的顶表面形成共同平面(50)。

2.根据权利要求1所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述共同平面(50)平行于所述主表面(11)。

3.根据权利要求1或2所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述不透明本体(40)覆盖所述主表面(11)的没有所述感测表面(12)和所述发射器组件(30)的所有部分。

4.根据权利要求1至3中的一项所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述不透明本体(40)是聚合物模制化合物，特别是由环氧树脂形成的聚合物模制化合物。

5.根据权利要求1至4中的一项所述的半导体传感器装置(1)，还包括基板本体(13)或者引线框架，所述基板本体(13)或者引线框架结合至所述集成电路本体(10)的与所述主表面(11)相反的表面。

6.根据权利要求1至5中的一项所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述发射器组件(30)包括具有竖向腔表面发射激光器VCSEL的VCSEL管芯。

7.根据权利要求6所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述VCSEL管芯包括背侧发射式VCSEL结构。

8.根据权利要求1至7中的一项所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述发射器组件(30)包括具有发光二极管LED的LED管芯。

9.根据权利要求1至8中的一项所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述光敏元件与所述透明结构(20)之间布置有透明粘合剂。

10.根据权利要求1至9中的一项所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述透明结构(20)的占据面积覆盖所述感测表面(12)的全部。

11.根据权利要求1至10中的一项所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述透明结构(20)是玻璃本体，特别是硼硅酸盐玻璃本体，特别是硼硅酸盐玻璃3.3本体。

12.根据权利要求1至11中的一项所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述透明结构(20)包括光学滤光器，特别是带通滤光器和/或干涉滤光器。

13.根据权利要求1至12中的一项所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述感测表面(12)与所述发射器组件(30)之间的距离小于500μm，特别地小于300μm。

14.根据权利要求1至13中的一项所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述发射器组件(30)的占据面积小于40000μm²。

15.根据权利要求1至14中的一项所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述感测表面(12)的占据面积小于40000μm²。

16.根据权利要求1至15中的一项所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述半导体传感器装置(1)的占据面积小于3mm²，特别地小于2mm²。

17.根据权利要求1至16中的一项所述的半导体传感器装置(1)，还包括另一光敏元件，所述另一光敏元件布置在所述主表面上与所述光敏元件相距一定距离，所述另一光敏元件具有另一感测表面(12a)，其中，所述透明结构(20)布置在所述感测表面(12)上并且布置在所述另一感测表面(12a)上。

18.一种接近传感器组件(100)，所述接近传感器组件(100)包括根据权利要求1至17中的一项所述的半导体传感器装置(1)，其中，所述光敏元件构造成捕获从所述发射器组件(30)发射并且从位于所述接近传感器附近的物体反射的光。

19.一种用于制造半导体传感器装置(1)的方法，所述方法包括：

-设置具有主表面(11)的集成电路本体(10)；

-将具有感测表面(12)的光敏元件布置在所述主表面上；

-将透明结构(20)布置在所述感测表面(12)上；

-将发射器组件(30)布置在所述主表面(11)上与所述光敏元件相距一定距离；以及

-将不透明本体(40)布置在所述主表面(11)的没有所述感测表面(12)和所述发射器组件(30)的部分上；

-其中，所述透明结构(20)、所述光发射器组件(30)和所述不透明本体(40)的顶表面形成共同平面(50)。

20.根据权利要求19所述的方法，其中

-布置所述透明结构(20)是经由将所述透明结构(20)粘合至所述感测表面(12)来实现的；并且

-布置所述不透明本体(40)是经由注塑成型过程、特别地经由膜辅助式转移成型过程来实现的。