JP2002043674A - レーザ装置 - Google Patents
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【課題】 取付け精度が良い、リードの先端が傾きにく
い、指等がレーザ素子に接触しにくいレーザ装置を提供
する。 【解決手段】 リード３ａと、リード３ａに設けられた
レーザ素子２６と、レーザ素子２６を保護する樹脂枠３
０とを備え、リード３ａのタイバー切断痕３４はリード
３ａの基準部１４〜１７および基準部の対向部１８，１
９を除いた１ヶ所の部分にて、設けられる構成とする。
い、指等がレーザ素子に接触しにくいレーザ装置を提供
する。 【解決手段】 リード３ａと、リード３ａに設けられた
レーザ素子２６と、レーザ素子２６を保護する樹脂枠３
０とを備え、リード３ａのタイバー切断痕３４はリード
３ａの基準部１４〜１７および基準部の対向部１８，１
９を除いた１ヶ所の部分にて、設けられる構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置は、例えば特開平６
−４５７０３号公報に示されている。上記装置の製造過
程に於ける状態を図５に示す。図５に於て、第１リード
１００と、第２リード１０１と、第３リード１０２は主
リード１０３に１端が接続されている。タイバー１０４
は、第１リード１００と、第２リード１０１と、第３リ
ード１０２の各中間点に接続されている。
−４５７０３号公報に示されている。上記装置の製造過
程に於ける状態を図５に示す。図５に於て、第１リード
１００と、第２リード１０１と、第３リード１０２は主
リード１０３に１端が接続されている。タイバー１０４
は、第１リード１００と、第２リード１０１と、第３リ
ード１０２の各中間点に接続されている。
【０００３】受光素子１０５が第１リード１００の先端
近傍に載置され、レーザ素子１０６が受光素子１０５上
に載置され、配線（図示せず）が施こされている。樹脂
枠１０７は、レーザ素子１０６を囲む様に、第１リード
１００と、第２リード１０１と第３リード１０２の他端
を一体的に固定している。そして、タイバー１０４の
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ部分に於て切断され、レーザ装置１
０８が得られる。
近傍に載置され、レーザ素子１０６が受光素子１０５上
に載置され、配線（図示せず）が施こされている。樹脂
枠１０７は、レーザ素子１０６を囲む様に、第１リード
１００と、第２リード１０１と第３リード１０２の他端
を一体的に固定している。そして、タイバー１０４の
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ部分に於て切断され、レーザ装置１
０８が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記レーザ装置
１０８は、上述の様に、基準部１０９の対向部１１０に
タイバー切断痕１１１が生じ、基準部１１２の対向部１
１３にタイバー切断痕１１４が生じる。そして、このレ
ーザ装置１０８を受け具（図示せず）内に挿入する時、
治具等にて、対向部１１０、１１３を押すが、タイバー
切断痕１１１、１１４が有るため、取付け精度が悪化す
る第１の欠点が有る。
１０８は、上述の様に、基準部１０９の対向部１１０に
タイバー切断痕１１１が生じ、基準部１１２の対向部１
１３にタイバー切断痕１１４が生じる。そして、このレ
ーザ装置１０８を受け具（図示せず）内に挿入する時、
治具等にて、対向部１１０、１１３を押すが、タイバー
切断痕１１１、１１４が有るため、取付け精度が悪化す
る第１の欠点が有る。
【０００５】この欠点を解消するために、本発明者はａ
とｅの部分のタイバーを無くした。しかし、タイバー切
断する前に、主リード１０３を機械で所定距離だけ送る
時に送りの振動等により、第１リード１００等の先端が
Ｇ１又はＧ２方向に傾く。その結果、通電試験の時に、
プローブが所定位置から外れる第２の欠点が有る。
とｅの部分のタイバーを無くした。しかし、タイバー切
断する前に、主リード１０３を機械で所定距離だけ送る
時に送りの振動等により、第１リード１００等の先端が
Ｇ１又はＧ２方向に傾く。その結果、通電試験の時に、
プローブが所定位置から外れる第２の欠点が有る。
【０００６】また、レーザ素子１０６の前方には、樹脂
枠１０７に窓１１５が設けられているため、指やピンセ
ットがレーザ素子１０６に接触し易い第３の欠点が有
る。そこで本発明は、この様な従来の欠点を考慮し、取
付け精度が良い、リードの先端が傾きにくい、指等がレ
ーザ素子に接触しにくいレーザ装置を提供する。
枠１０７に窓１１５が設けられているため、指やピンセ
ットがレーザ素子１０６に接触し易い第３の欠点が有
る。そこで本発明は、この様な従来の欠点を考慮し、取
付け精度が良い、リードの先端が傾きにくい、指等がレ
ーザ素子に接触しにくいレーザ装置を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の本発明では、リードと、前記リードに設
けられたレーザ素子と、前記レーザ素子を保護する樹脂
枠とを備え、前記リードのタイバー切断痕は、前記リー
ドの基準部および前記基準部の対向部を除いた１ヶ所の
部分にて、設けられる。
に、請求項１の本発明では、リードと、前記リードに設
けられたレーザ素子と、前記レーザ素子を保護する樹脂
枠とを備え、前記リードのタイバー切断痕は、前記リー
ドの基準部および前記基準部の対向部を除いた１ヶ所の
部分にて、設けられる。
【０００８】請求項２の本発明では、前記基準部は、前
記リードの上辺および前記リードの両側部であるものと
する。
記リードの上辺および前記リードの両側部であるものと
する。
【０００９】請求項３の本発明では、前記リードのレー
ザ素子取付け部前方は切欠部が形成され、前記切欠部の
隣に突出部が設けられる。
ザ素子取付け部前方は切欠部が形成され、前記切欠部の
隣に突出部が設けられる。
【００１０】請求項４の本発明では、前記タイバー切断
痕の上部に位置する連結部の幅は、前記リードの肉厚の
１．３倍以上であり、かつ前記タイバー切断痕から前記
リードの先端までの長さは、３ｍｍ以上で１０ｍｍ以下
であるものとする。
痕の上部に位置する連結部の幅は、前記リードの肉厚の
１．３倍以上であり、かつ前記タイバー切断痕から前記
リードの先端までの長さは、３ｍｍ以上で１０ｍｍ以下
であるものとする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、図１と図２に従い、本発
明の実施の形態に係るレーザ装置１の製造を説明する。
図１はレーザ装置１がタイバー切断される前の状態を示
し、図２は図１のＡ１Ａ２断面を示す。
明の実施の形態に係るレーザ装置１の製造を説明する。
図１はレーザ装置１がタイバー切断される前の状態を示
し、図２は図１のＡ１Ａ２断面を示す。
【００１２】これらの図に於て、リードフレーム２は例
えば、メッキ処理された銅等の金属材料から成り、厚み
Ｆが例えば０．２〜１．０ｍｍである。リードフレーム
２を構成する第１リード３と、第２リード４と、第３リ
ード５は主リード６に１端が接続されている。
えば、メッキ処理された銅等の金属材料から成り、厚み
Ｆが例えば０．２〜１．０ｍｍである。リードフレーム
２を構成する第１リード３と、第２リード４と、第３リ
ード５は主リード６に１端が接続されている。
【００１３】タイバー７は、第１リード３と、第２リー
ド４と、第３リード５の各中間点に接続されている。第
１リード３と、第２リード４と、第３リード５と同一形
状をした複数組の第１リードと、第２リードと、第３リ
ード（共に図示せず）は、１端が主リード６に接続さ
れ、中間点がタイバー７に接続されている。これらの第
１リード３と、第３リード４と、第３リード５と、主リ
ード６と、タイバー７等により、リードフレーム２が構
成されている。
ド４と、第３リード５の各中間点に接続されている。第
１リード３と、第２リード４と、第３リード５と同一形
状をした複数組の第１リードと、第２リードと、第３リ
ード（共に図示せず）は、１端が主リード６に接続さ
れ、中間点がタイバー７に接続されている。これらの第
１リード３と、第３リード４と、第３リード５と、主リ
ード６と、タイバー７等により、リードフレーム２が構
成されている。
【００１４】第１リード３は、端子部８と、連結部９
と、基部１０と、突出部１１、１２と切欠部１３等によ
り構成されている。端子部８は正面から見れば、略長方
形状のものであり、主リード６とタイバー７との間に設
けられている。
と、基部１０と、突出部１１、１２と切欠部１３等によ
り構成されている。端子部８は正面から見れば、略長方
形状のものであり、主リード６とタイバー７との間に設
けられている。
【００１５】連結部９は、タイバー７と、基部１０をつ
なぐ部分である。基部１０は外形が略長方形（部分的に
切欠きが有る）状のものである。
なぐ部分である。基部１０は外形が略長方形（部分的に
切欠きが有る）状のものである。
【００１６】基部１０の外形に於て、縦方向に沿って、
基準部１４、１５が形成され、横方向に沿って、基準部
１６、１７が形成されている。即ち、基準部１４、１５
は、第１リード３の両側部であり、基準部１６、１７は
第１リード３の上辺である。基準部１６と対向する対向
部１８はタイバー７と接続していなく、基準部１７と対
向する対向部１９はタイバー７と接続していない。
基準部１４、１５が形成され、横方向に沿って、基準部
１６、１７が形成されている。即ち、基準部１４、１５
は、第１リード３の両側部であり、基準部１６、１７は
第１リード３の上辺である。基準部１６と対向する対向
部１８はタイバー７と接続していなく、基準部１７と対
向する対向部１９はタイバー７と接続していない。
【００１７】このレーザ装置１が取付けられる相手側部
品（図示せず）の内面に、上記基準部１４、１５、１
６、１７が当接する事により、レーザ装置１は相手側部
品に、正確な位置にて位置決めされる。
品（図示せず）の内面に、上記基準部１４、１５、１
６、１７が当接する事により、レーザ装置１は相手側部
品に、正確な位置にて位置決めされる。
【００１８】基準部１６、１７に各々隣接して、突出部
１１、１２が形成され、突出部１１と１２の間に、切欠
部１３が形成されている。突出部１１、１２は、基準部
１６と１７および切欠部１３に対し、外側に突出したも
のである。
１１、１２が形成され、突出部１１と１２の間に、切欠
部１３が形成されている。突出部１１、１２は、基準部
１６と１７および切欠部１３に対し、外側に突出したも
のである。
【００１９】この様に、第１リード３のレーザ素子（後
述）の取付け部前方には、切欠部１３が形成されてい
る。また基部１０の適所には、貫通孔２０、２１が形成
されている。切欠部１３の両隣に、突出部１１、１２が
形成されている。
述）の取付け部前方には、切欠部１３が形成されてい
る。また基部１０の適所には、貫通孔２０、２１が形成
されている。切欠部１３の両隣に、突出部１１、１２が
形成されている。
【００２０】受光素子２２は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造から
成るシリコン系結晶に、表面電極２３、２４と、裏面電
極（図示せず）が設けられたものである。表面電極２４
は、Ｐ型拡散領域から成る受光部２５とオーミック接触
して形成されている。受光素子１６の裏面電極は、銀ペ
ースト等を介して、第１リード３の基部１０上に固着さ
れている。
成るシリコン系結晶に、表面電極２３、２４と、裏面電
極（図示せず）が設けられたものである。表面電極２４
は、Ｐ型拡散領域から成る受光部２５とオーミック接触
して形成されている。受光素子１６の裏面電極は、銀ペ
ースト等を介して、第１リード３の基部１０上に固着さ
れている。
【００２１】レーザ素子２６は例えば、活性層と、それ
を挟むクラッド層から成るＧａＡｌＡｓ層からできてい
る。レーザ素子２６は、前方に主出射面が位置する様
に、レーザ素子２６の裏面電極（図示せず）が、受光素
子２２の表面電極２３上に、銀ペースト等を介して固着
されている。この様に、レーザ素子２６は、第１リード
３上に設けられている。
を挟むクラッド層から成るＧａＡｌＡｓ層からできてい
る。レーザ素子２６は、前方に主出射面が位置する様
に、レーザ素子２６の裏面電極（図示せず）が、受光素
子２２の表面電極２３上に、銀ペースト等を介して固着
されている。この様に、レーザ素子２６は、第１リード
３上に設けられている。
【００２２】レーザ素子２６は、後方にモニター用の副
出射が行われる様に、後面の反射膜の反射率が、前面の
それよりも高い様に形成されている。
出射が行われる様に、後面の反射膜の反射率が、前面の
それよりも高い様に形成されている。
【００２３】金属細線２７は金等から成り、レーザ素子
２６の表面電極と、第１リード３の基部１０との間を結
ぶ様に配線されている。金属細線２８は金等から成り、
受光素子２２の表面電極２３と第２リード４との間を結
ぶ様に配線されている。金属細線２９は金等から成り、
受光素子２２の表面電極２４と、第３リード５との間を
結ぶ様に配線されている。
２６の表面電極と、第１リード３の基部１０との間を結
ぶ様に配線されている。金属細線２８は金等から成り、
受光素子２２の表面電極２３と第２リード４との間を結
ぶ様に配線されている。金属細線２９は金等から成り、
受光素子２２の表面電極２４と、第３リード５との間を
結ぶ様に配線されている。
【００２４】樹脂枠３０は例えば、ポリカーボネート樹
脂又はエポキシ樹脂等から成る。樹脂枠３０は、レーザ
素子２６の出射面を露出する様に、例えば正面から見て
（図１参照）、略コ字状に、かつ、第１リード３と、第
２リード４と、第３リード５の各表面と各裏面を挟む様
に、トランスファーモールドにより形成されている。
脂又はエポキシ樹脂等から成る。樹脂枠３０は、レーザ
素子２６の出射面を露出する様に、例えば正面から見て
（図１参照）、略コ字状に、かつ、第１リード３と、第
２リード４と、第３リード５の各表面と各裏面を挟む様
に、トランスファーモールドにより形成されている。
【００２５】この様に、樹脂枠３０は、レーザ素子２６
を保護するものである。また、樹脂枠３０は、第１リー
ド３の基部１０に形成された貫通孔２０、２１を介し
て、第１リード３の表面上の部分３１と、第１リード３
の裏面上の部分３２がつながる様に、形成されている。
を保護するものである。また、樹脂枠３０は、第１リー
ド３の基部１０に形成された貫通孔２０、２１を介し
て、第１リード３の表面上の部分３１と、第１リード３
の裏面上の部分３２がつながる様に、形成されている。
【００２６】レーザ素子２６の主出射面を露出する様に
（即ち、主出射光の邪魔にならない様に）、樹脂枠３０
の前方には、窓部３３が設けられている。この様にし
て、このレーザ装置１がタイバー切断される前のレーザ
装置セット３７は、上記部品により構成されている。
（即ち、主出射光の邪魔にならない様に）、樹脂枠３０
の前方には、窓部３３が設けられている。この様にし
て、このレーザ装置１がタイバー切断される前のレーザ
装置セット３７は、上記部品により構成されている。
【００２７】次に、通電試験のために、主リード６は機
械（図示せず）により、水平方向（例えばＤ２方向）
に、所定距離だけ送られる。この時、送りの振動等によ
り、第１リード３等の先端近傍は、殆んど（即ち、実用
上、差しつかえない程度に）、Ｄ１方向又はＤ２方向へ
傾かない。その結果、通電試験の様に、機械が自動的に
プローブを表面電極２３、２４等に押し当てた時、所定
の正しい位置に接続できる。
械（図示せず）により、水平方向（例えばＤ２方向）
に、所定距離だけ送られる。この時、送りの振動等によ
り、第１リード３等の先端近傍は、殆んど（即ち、実用
上、差しつかえない程度に）、Ｄ１方向又はＤ２方向へ
傾かない。その結果、通電試験の様に、機械が自動的に
プローブを表面電極２３、２４等に押し当てた時、所定
の正しい位置に接続できる。
【００２８】この様に、送りの振動等により、第１リー
ド３の先端近傍がＤ１方向又はＤ２方向へ傾かないため
に、以下の構成がなされている。即ち、第１リード３の
タイバー切断痕３４（後述）の上部に位置する連結部９
の幅Ｂ（例えば０．９ｍｍ）は、第１リード３の肉厚Ｆ
（例えば０．６ｍｍ）の１．３倍以上に設けられてい
る。そして、タイバー切断痕３４の上辺から、第１リー
ド３の先端（突出部１１の先端）までの距離Ｃは３ｍｍ
以上、かつ１０ｍｍ以下に設けられている。
ド３の先端近傍がＤ１方向又はＤ２方向へ傾かないため
に、以下の構成がなされている。即ち、第１リード３の
タイバー切断痕３４（後述）の上部に位置する連結部９
の幅Ｂ（例えば０．９ｍｍ）は、第１リード３の肉厚Ｆ
（例えば０．６ｍｍ）の１．３倍以上に設けられてい
る。そして、タイバー切断痕３４の上辺から、第１リー
ド３の先端（突出部１１の先端）までの距離Ｃは３ｍｍ
以上、かつ１０ｍｍ以下に設けられている。
【００２９】上記構成により、主リード６が送られてい
る時、又は送られた後、又は第１リード３の先端に指等
による外力が加わった時、第１リード３の先端近傍はＤ
１方向又はＤ２方向に殆んど傾かない。これは、上記構
成により、第１リード３の連結部９がタイバー７に対
し、強固に接続されているので、第１リード３が殆んど
傾かないためである。
る時、又は送られた後、又は第１リード３の先端に指等
による外力が加わった時、第１リード３の先端近傍はＤ
１方向又はＤ２方向に殆んど傾かない。これは、上記構
成により、第１リード３の連結部９がタイバー７に対
し、強固に接続されているので、第１リード３が殆んど
傾かないためである。
【００３０】次に、第１リード３、第２リード４、第３
リード５の裏面側に下金型（図示せず）が設置され、第
１リード３、第２リード４、第３リード５の表面側から
上金型（図示せず）がプレスする事により、第１リード
３と、第２リード４と、第３リード５は、主リード６か
ら切り離される。
リード５の裏面側に下金型（図示せず）が設置され、第
１リード３、第２リード４、第３リード５の表面側から
上金型（図示せず）がプレスする事により、第１リード
３と、第２リード４と、第３リード５は、主リード６か
ら切り離される。
【００３１】この時、タイバー７は切断され、第１リー
ド３と第２リード４と第３リード５には各々、タイバー
切断痕３４、３５、３６が形成される。また、Ｈ１Ｈ２
（図１参照）は、 第１リード３と第２リード４と第３
リード５の外形切断線を示す。上記工程により、レーザ
装置１が完成される。
ド３と第２リード４と第３リード５には各々、タイバー
切断痕３４、３５、３６が形成される。また、Ｈ１Ｈ２
（図１参照）は、 第１リード３と第２リード４と第３
リード５の外形切断線を示す。上記工程により、レーザ
装置１が完成される。
【００３２】次に、図３と図４に従い、このレーザ装置
１を説明する。図３はレーザ装置１の正面図、図４は図
３のＥ１Ｅ２断面図である。
１を説明する。図３はレーザ装置１の正面図、図４は図
３のＥ１Ｅ２断面図である。
【００３３】これらの図に於て、リード３ａは、図１に
示した第１リード３を、タイバー切断し、Ｈ１Ｈ２線に
沿って、外形を切断されたものである。リード３ａは例
えばメッキ処理された銅等の金属材料から成り、厚みＦ
が例えば０．２〜１．０ｍｍである（上述の説明では、
Ｆ＝０．６ｍｍを例示）。
示した第１リード３を、タイバー切断し、Ｈ１Ｈ２線に
沿って、外形を切断されたものである。リード３ａは例
えばメッキ処理された銅等の金属材料から成り、厚みＦ
が例えば０．２〜１．０ｍｍである（上述の説明では、
Ｆ＝０．６ｍｍを例示）。
【００３４】リード３ａは正面から見れば（図３参
照）、略Ｔ字状に形成されている。リード３ａは、端子
部８ａと、タイバー切断痕３４と、連結部９と、基部１
０と、突出部１１、１２と、切欠部１３等により構成さ
れている。端子部８ａは正面から見れば、略長方形状の
ものであり、図１に示した端子部８がＨ１Ｈ２線に沿っ
て切断されたものである。連結部９は、タイバー切断痕
３４と、基部１０をつなぐ部分である。
照）、略Ｔ字状に形成されている。リード３ａは、端子
部８ａと、タイバー切断痕３４と、連結部９と、基部１
０と、突出部１１、１２と、切欠部１３等により構成さ
れている。端子部８ａは正面から見れば、略長方形状の
ものであり、図１に示した端子部８がＨ１Ｈ２線に沿っ
て切断されたものである。連結部９は、タイバー切断痕
３４と、基部１０をつなぐ部分である。
【００３５】基部１０の外形に於て、縦方向に沿って、
基準部１４、１５が形成され、横方向に沿って、基準部
１６、１７が形成されている。即ち、基準部１４、１５
は、リード３ａの両側部であり、基準部１６、１７は、
リード３ａの上辺である。
基準部１４、１５が形成され、横方向に沿って、基準部
１６、１７が形成されている。即ち、基準部１４、１５
は、リード３ａの両側部であり、基準部１６、１７は、
リード３ａの上辺である。
【００３６】基準部１６と対向する対向部１８はタイバ
ー７と接続していないので、タイバー切断痕がなく、基
準部１７と対向する対向部１９はタイバー７と接続して
いないので、タイバー切断痕がない。この様に、リード
３ａのタイバー切断痕３４はリード３ａの基準部１４、
１５、１６、１７を除き、かつ基準部１６の対向部１８
を除き、かつ基準部１７の対向部１９を除いた１ヶ所の
部分にて、形成されている。
ー７と接続していないので、タイバー切断痕がなく、基
準部１７と対向する対向部１９はタイバー７と接続して
いないので、タイバー切断痕がない。この様に、リード
３ａのタイバー切断痕３４はリード３ａの基準部１４、
１５、１６、１７を除き、かつ基準部１６の対向部１８
を除き、かつ基準部１７の対向部１９を除いた１ヶ所の
部分にて、形成されている。
【００３７】このレーザ装置１が取付けられる相手側部
品（図示せず）の内面に、上記基準部１４、１５、１
６、１７が当接する事により、レーザ装置１は相手側部
品に、正確な位置にて位置決めされる。何故ならば、レ
ーザ装置１を相手側部品に挿入する時、治具等にて、対
向部１８、１９を押すが、対向部１８、１９にはタイバ
ー切断痕がないので、所定の位置に、レーザ装置１を挿
入できるからである。
品（図示せず）の内面に、上記基準部１４、１５、１
６、１７が当接する事により、レーザ装置１は相手側部
品に、正確な位置にて位置決めされる。何故ならば、レ
ーザ装置１を相手側部品に挿入する時、治具等にて、対
向部１８、１９を押すが、対向部１８、１９にはタイバ
ー切断痕がないので、所定の位置に、レーザ装置１を挿
入できるからである。
【００３８】基準部１６、１７に各々隣接し、突出部１
１、１２が形成され、突出部１１と１２の間に、切欠部
１３が形成されている。突出部１１、１２は、基準部１
６と１７および切欠部１３に対し、外側に突出したもの
である。
１、１２が形成され、突出部１１と１２の間に、切欠部
１３が形成されている。突出部１１、１２は、基準部１
６と１７および切欠部１３に対し、外側に突出したもの
である。
【００３９】この様に、リード３ａのレーザ素子２６の
取付け部前方には、切欠部１３が形成されている。また
基部１０の適所には、貫通孔２０、２１が形成されてい
る。切欠部１３の両隣に、突出部１１、１２が形成され
ている。この構成により、レーザ装置１を取扱う時、突
出部１１、１２がガードとなって、指等がレーザ素子２
６に接触しにくくなる。
取付け部前方には、切欠部１３が形成されている。また
基部１０の適所には、貫通孔２０、２１が形成されてい
る。切欠部１３の両隣に、突出部１１、１２が形成され
ている。この構成により、レーザ装置１を取扱う時、突
出部１１、１２がガードとなって、指等がレーザ素子２
６に接触しにくくなる。
【００４０】受光素子２２は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造から
成るシリコン系結晶に、表面電極２３、２４と、裏面電
極（図示せず）が設けられたものである。表面電極２４
は、Ｐ型拡散領域から成る受光部２５とオーミック接触
して形成されている。受光素子１６の裏面電極は、銀ペ
ースト等を介して、リード３ａの基部１０上に固着され
ている。
成るシリコン系結晶に、表面電極２３、２４と、裏面電
極（図示せず）が設けられたものである。表面電極２４
は、Ｐ型拡散領域から成る受光部２５とオーミック接触
して形成されている。受光素子１６の裏面電極は、銀ペ
ースト等を介して、リード３ａの基部１０上に固着され
ている。
【００４１】レーザ素子２６は例えば、活性層と、それ
を挟むクラッド層から成るＧａＡｌＡｓ層からできてい
る、レーザ素子２６は、前方に主出射面が位置する様
に、レーザ素子２６の裏面電極（図示せず）が、受光素
子２２の表面電極２３上に、銀ペースト等を介して固着
されている。この様に、レーザ素子２６は、リード３ａ
上に設けられている。
を挟むクラッド層から成るＧａＡｌＡｓ層からできてい
る、レーザ素子２６は、前方に主出射面が位置する様
に、レーザ素子２６の裏面電極（図示せず）が、受光素
子２２の表面電極２３上に、銀ペースト等を介して固着
されている。この様に、レーザ素子２６は、リード３ａ
上に設けられている。
【００４２】金属細線２７は金等から成り、レーザ素子
２６の表面電極と、リード３ａの基部１０との間を結ぶ
様に配線されている。金属細線２８は金等から成り、受
光素子２２の表面電極２３と、他のリード４ａ（図１に
示した第２リード４をＨ１Ｈ２線にて切断したもの）と
の間を結ぶ様に配線されている。金属細線２９は金等か
ら成り、受光素子２２の表面電極２４と、他のリード５
ａ（図１に示した第３リード５をＨ１Ｈ２線にて切断し
たもの）との間を結ぶ様に配線されている。
２６の表面電極と、リード３ａの基部１０との間を結ぶ
様に配線されている。金属細線２８は金等から成り、受
光素子２２の表面電極２３と、他のリード４ａ（図１に
示した第２リード４をＨ１Ｈ２線にて切断したもの）と
の間を結ぶ様に配線されている。金属細線２９は金等か
ら成り、受光素子２２の表面電極２４と、他のリード５
ａ（図１に示した第３リード５をＨ１Ｈ２線にて切断し
たもの）との間を結ぶ様に配線されている。
【００４３】樹脂枠３０は例えば、ポリカーボネート樹
脂又はエポキシ樹脂等から成る。樹脂枠３０は、レーザ
素子２６の出射面を露出する様に、例えば正面から見て
（図３参照）、略コ字状に、かつリード３ａと、他のリ
ード４ａと、他のリード５ａの各表面と各裏面を挟む様
に、トランスファーモールドにより形成されている。こ
の様に、樹脂枠３０は、レーザ素子２６を保護するもの
である。
脂又はエポキシ樹脂等から成る。樹脂枠３０は、レーザ
素子２６の出射面を露出する様に、例えば正面から見て
（図３参照）、略コ字状に、かつリード３ａと、他のリ
ード４ａと、他のリード５ａの各表面と各裏面を挟む様
に、トランスファーモールドにより形成されている。こ
の様に、樹脂枠３０は、レーザ素子２６を保護するもの
である。
【００４４】レーザ素子２６の主出射面を露出する様に
（即ち、主出射光の邪魔にならない様に）、樹脂枠３０
の前方には、窓部３３が設けられている。この様にし
て、このレーザ装置１は、上記部品により構成されてい
る。
（即ち、主出射光の邪魔にならない様に）、樹脂枠３０
の前方には、窓部３３が設けられている。この様にし
て、このレーザ装置１は、上記部品により構成されてい
る。
【００４５】このレーザ装置１に於て、リード３ａのタ
イバー切断痕３４の上部に位置する連結部９の幅Ｂ（例
えば０．９ｍｍ）は、リード３ａの肉厚Ｆ（例えば０．
６ｍｍ）の１．３倍以上に設けられている。そして、タ
イバー切断痕３４の上辺からリード３ａの先端（突出部
１１の先端）までの距離Ｃは、３ｍｍ以上、かつ１０ｍ
ｍ以下に設けられている。
イバー切断痕３４の上部に位置する連結部９の幅Ｂ（例
えば０．９ｍｍ）は、リード３ａの肉厚Ｆ（例えば０．
６ｍｍ）の１．３倍以上に設けられている。そして、タ
イバー切断痕３４の上辺からリード３ａの先端（突出部
１１の先端）までの距離Ｃは、３ｍｍ以上、かつ１０ｍ
ｍ以下に設けられている。
【００４６】上記構成により、主リード６（図１参照）
が送られている時、又は送られた後又は第１リード３の
先端に指等による外力が加わった時、リード３の先端近
傍はＤ１方向又はＤ２方向に殆んど傾かない。これは、
上記構成により、第１リード３の連結部９がタイバー７
に対し、強固に接続されているので、第１リード３が殆
んど傾かないためである。
が送られている時、又は送られた後又は第１リード３の
先端に指等による外力が加わった時、リード３の先端近
傍はＤ１方向又はＤ２方向に殆んど傾かない。これは、
上記構成により、第１リード３の連結部９がタイバー７
に対し、強固に接続されているので、第１リード３が殆
んど傾かないためである。
【００４７】
【発明の効果】請求項１の本発明では、リードと、前記
リードに設けられたレーザ素子と、前記レーザ素子を保
護する樹脂枠とを備え、前記リードのタイバー切断痕
は、前記リードの基準部および前記基準部の対向部を除
いた１ヶ所の部分にて、設けられる構成とする。この様
に構成する事により、このレーザ装置を相手側部品に挿
入する時に、治具等にて、対向部を押すが、対向部等に
は、タイバー切断痕がないので、相手側部品の所定の位
置に、精度良く、レーザ装置１を取付ける事ができる。
リードに設けられたレーザ素子と、前記レーザ素子を保
護する樹脂枠とを備え、前記リードのタイバー切断痕
は、前記リードの基準部および前記基準部の対向部を除
いた１ヶ所の部分にて、設けられる構成とする。この様
に構成する事により、このレーザ装置を相手側部品に挿
入する時に、治具等にて、対向部を押すが、対向部等に
は、タイバー切断痕がないので、相手側部品の所定の位
置に、精度良く、レーザ装置１を取付ける事ができる。
【００４８】請求項２の本発明では、前記基準部は、前
記リードの上辺および前記リードの両側部であるものと
する。この様に、リードの上辺と両側部を基準部とする
事により、直交する２方向を取付け基準とする事ができ
るので、相手側部品との位置決め精度は正確となる。
記リードの上辺および前記リードの両側部であるものと
する。この様に、リードの上辺と両側部を基準部とする
事により、直交する２方向を取付け基準とする事ができ
るので、相手側部品との位置決め精度は正確となる。
【００４９】請求項３の本発明では、前記リードのレー
ザ素子取付け部前方は切欠部が形成され、前記切欠部の
隣に突出部が設けられる構成とする。この構成により、
レーザ装置１を取扱う時、突出部１１、１２がガードと
なって、指やピンセット等がレーザ素子に接触する事を
防止できる。また、レーザ素子の前方に於て、リードを
切欠くので、レーザ光がリードの表面で反射される事を
防止できる。
ザ素子取付け部前方は切欠部が形成され、前記切欠部の
隣に突出部が設けられる構成とする。この構成により、
レーザ装置１を取扱う時、突出部１１、１２がガードと
なって、指やピンセット等がレーザ素子に接触する事を
防止できる。また、レーザ素子の前方に於て、リードを
切欠くので、レーザ光がリードの表面で反射される事を
防止できる。
【００５０】請求項４の本発明では、前記タイバー切断
痕の上部に位置する連結部の幅は、前記リードの肉厚の
１．３倍以上であり、かつ前記タイバー切断痕から前記
リードの先端までの長さは、３ｍｍ以上で１０ｍｍ以下
である構成とする。上記構成により、製造過程に於て、
リードが送られている時、又は送られた後、又はリード
の先端に指等による外力が加わった時、リードの先端近
傍は殆んど傾かない。その結果、通電試験のために、機
械が自動的に、レーザ装置にプローブを押し当てた時、
所定の正しい位置に接続できる。また、タイバー切断痕
からリードの先端までの長さを３ｍｍ以上とする事によ
り、タイバーと、樹脂枠の底辺との間に下金型が設置で
きるので、正確なタイバー切断を行う事ができる。
痕の上部に位置する連結部の幅は、前記リードの肉厚の
１．３倍以上であり、かつ前記タイバー切断痕から前記
リードの先端までの長さは、３ｍｍ以上で１０ｍｍ以下
である構成とする。上記構成により、製造過程に於て、
リードが送られている時、又は送られた後、又はリード
の先端に指等による外力が加わった時、リードの先端近
傍は殆んど傾かない。その結果、通電試験のために、機
械が自動的に、レーザ装置にプローブを押し当てた時、
所定の正しい位置に接続できる。また、タイバー切断痕
からリードの先端までの長さを３ｍｍ以上とする事によ
り、タイバーと、樹脂枠の底辺との間に下金型が設置で
きるので、正確なタイバー切断を行う事ができる。
【図１】本発明の実施の形態に係るレーザ装置１がタイ
バー切断される前のレーザ装置セット３７の正面図であ
る。
バー切断される前のレーザ装置セット３７の正面図であ
る。
【図２】図１のＡ１Ａ２断面図である。
【図３】上記レーザ装置１の正面図である。
【図４】図３のＥ１Ｅ２断面図である。
【図５】従来のレーザ装置セットの正面図である。
３ａ リード １４、１５、１６、１７ 基準部 １８、１９ 対向部 ２６ レーザ素子 ３０ 樹脂枠 ３４ タイバー切断痕
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 別所 靖之 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内 (72)発明者 本多 正治 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F067 AA09 DE14 5F073 CA05 EA28 FA02 FA14 FA28 FA29
Claims (4)
- 【請求項１】 リードと、前記リードに設けられたレー
ザ素子と、前記レーザ素子を保護する樹脂枠とを備え、
前記リードのタイバー切断痕は、前記リードの基準部お
よび前記基準部の対向部を除いた１ヶ所の部分にて、設
けられた事を特徴とするレーザ装置。 - 【請求項２】 前記基準部は、前記リードの上辺および
前記リードの両側部である事を特徴とする請求項１のレ
ーザ装置。 - 【請求項３】 前記リードのレーザ素子取付け部前方は
切欠部が形成され、前記切欠部の隣に突出部が設けられ
た事を特徴とする請求項１のレーザ装置。 - 【請求項４】 前記タイバー切断痕の上部に位置する連
結部の幅は、前記リードの肉厚の１．３倍以上であり、
かつ前記タイバー切断痕から前記リードの先端までの長
さは、３ｍｍ以上で１０ｍｍ以下である事を特徴とする
請求項１のレーザ装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000219167A JP3973348B2 (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | レーザ装置及びその製造方法 |
| KR1020037000719A KR100542336B1 (ko) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | 반도체 레이저장치 |
| CNB018129641A CN1258252C (zh) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | 半导体激光器件 |
| DE60129991T DE60129991T2 (de) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | Halbleiterlaservorrichtung |
| PCT/JP2001/005340 WO2002007275A1 (fr) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | Dispositif laser a semi-conducteur |
| EP01943807A EP1313184B1 (en) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | Semiconductor laser device |
| US10/333,072 US6885076B2 (en) | 2000-07-17 | 2001-06-21 | Semiconductor laser device |
| HK04100396A HK1057654A1 (en) | 2000-07-17 | 2004-01-19 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000219167A JP3973348B2 (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | レーザ装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006173376A Division JP4785642B2 (ja) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043674A true JP2002043674A (ja) | 2002-02-08 |
| JP3973348B2 JP3973348B2 (ja) | 2007-09-12 |
Family
ID=18713997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000219167A Expired - Fee Related JP3973348B2 (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-19 | レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3973348B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006270129A (ja) * | 2006-06-23 | 2006-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | レーザ装置 |
| JP2009302430A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Panasonic Corp | 光半導体装置用パッケージと製造方法および光半導体装置 |
| US7961585B2 (en) | 2007-12-13 | 2011-06-14 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and optical pickup device |
| US8159835B2 (en) | 2008-12-25 | 2012-04-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser apparatus |
-
2000
- 2000-07-19 JP JP2000219167A patent/JP3973348B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006270129A (ja) * | 2006-06-23 | 2006-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | レーザ装置 |
| US7961585B2 (en) | 2007-12-13 | 2011-06-14 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and optical pickup device |
| JP2009302430A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Panasonic Corp | 光半導体装置用パッケージと製造方法および光半導体装置 |
| US8159835B2 (en) | 2008-12-25 | 2012-04-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser apparatus |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3973348B2 (ja) | 2007-09-12 |
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