JP2003086882A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的容易に製造できて、しかも、戻り光を
光出射軸方向に反射しない半導体レーザ装置を提供する
こと。 【解決手段】 サブマウントの前端面４をサブマウント
の厚み方向に傾斜させ、サブマウントの前端面のレーザ
チップ側の辺６と、レーザチップの光出射軸８とが直交
するように、かつ、レーザチップの光出射端面５をサブ
マウントの辺６よりも所定長さ１１に突出させて、サブ
マウント１上にレーザチップ２を搭載する。レーザチッ
プ２の搭載位置は、光出射軸８方向のみを高精度に制御
すれば定まるので、容易に半導体レーザ装置を製造でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光ディスク
システムにおける３ビームトラッキング方式の光学式ピ
ックアップ等に用いられる半導体レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光ディスクシステムにおける３ビ
ームトラッキング方式の光学式ピックアップに用いられ
る半導体レーザ装置として、図４の平面図に示すような
ものがある（特開昭６３−１７５４９０号参照）。この
半導体レーザ装置１００は、サブマウント１０１上にレ
ーザチップ１０２をダイボンディングしている。上記サ
ブマウントの前端面１０３は、平面において、上記レー
ザチップの光出射端面１０５と鋭角をなすように形成し
ている。これによって、矢印Ａで示すようにサブマウン
トの前端面１０３に入射した光を、矢印Ｂで示すように
レーザチップ１０２の光出射軸の方向と異なる方向に反
射するようにしている。こうして、レーザチップから出
射されて光学系で光ディスク上に集光され、この光ディ
スクで反射された光の一部、特に、サブビームが、上記
光学系を経て半導体レーザ装置１００まで戻った場合、
この戻り光が、サブマウントの前端面でレーザチップの
光出射方向に反射しないようにしている。これによっ
て、戻り光が再び光学系を経て光ディスクに達し、受光
素子に検出されて、光学式ピックアップが読み取る信号
のＳ／Ｎ（信号対雑音）比が低下することを防止してい
る。

【０００３】図５は、従来の他の半導体レーザ装置を示
す平面図である（特開昭６２−２６６５３号公報）。こ
の半導体レーザ装置１１０は、平面において矩形のサブ
マウント１１１の辺と、矩形のレーザチップ１１２の辺
とが鋭角をなすように、サブマウント１１１上にレーザ
チップ１１２を搭載している。これにより、サブマウン
トの前端面１１３とレーザチップの光出射端面１１５と
の間に鋭角をなして、矢印Cに示すように半導体レーザ
装置１１０に入射した戻り光を、矢印Dに示すようにレ
ーザチップ１１２の光出射軸の方向と異なる方向に反射
して、戻り光が再び光学系を経て光ディスクに達しない
ようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４の
従来の半導体レーザ装置１００は、サブマウント１０１
へのレーザチップ１０２のダイボンド位置を高精度に制
御する必要があるので、製造が困難であるという問題が
ある。これは、図６に示すようなレーザチップの発光領
域１０６がサブマウントの前端面１０３からレーザチッ
プの光出射側に突出する突出長さ１０７に応じて、レー
ザチップ１０２の放熱量が変わり、半導体レーザ装置の
動作電流値や信頼性などの特性が変わるので、上記突出
長さ１０７を高精度（誤差が１５μｍ程度）にする必要
があるからである。この場合、上記サブマウントの前端
面１０３とレーザチップの光出射端面１０５とが平面に
おいて傾けているので、上記突出長さ１０７を設定量に
するためには、レーザチップ１０２のサブマウント１０
１における光出射軸の方向の位置と、上記光出射軸に直
交する方向の位置とを高精度に定める必要があるから、
製造が困難になる。この問題は、図５の半導体レーザ装
置でも同様に生じる。

【０００５】さらに、図７に示すような、１つのサブマ
ウント１２１上に２つのレーザチップ１２２，１２２を
搭載してなるハイブリッド型の２波長光源の半導体レー
ザ装置１２０では、サブマウントの傾斜した前端面１２
３からのレーザチップ１２１，１２１の各々の突出長さ
１２７，１２７と、光出射軸方向における各々のレーザ
チップの光出射端面１２５，１２５の離隔１２８とを、
さらに高精度（誤差が１０μｍ程度）に制御する必要が
あって、半導体レーザ装置の製造が非常に困難になる。

【０００６】そこで、本発明の目的は、比較的容易に製
造できて、しかも戻り光を光出射軸方向に反射しない半
導体レーザ装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体レーザ装置は、サブマウントと、こ
のサブマウント上にダイボンドされたレーザチップとを
備える半導体レーザ装置において、上記サブマウントの
前端面の上記レーザチップ側の辺が、上記レーザチップ
の光出射軸と直交して、かつ、上記サブマウントの前端
面は、そのサブマウントの厚さ方向に傾斜した平面ある
いは曲面であって、戻り光を上記光出射軸の方向と異な
る方向に反射することを特徴としている。

【０００８】上記構成の半導体レーザ装置によれば、上
記レーザチップは、上記サブマウントの前端面の上記レ
ーザチップ側の辺が、上記レーザチップの光出射軸と直
交するようにサブマウント上に搭載されるので、このサ
ブマウントへのレーザチップの搭載位置は比較的容易に
位置決めされる。例えば、上記レーザチップを、そのレ
ーザチップの光出射端面側の部分が、上記サブマウント
の前端面の辺よりもレーザチップの光出射軸の方向に突
出するようにサブマウント上に搭載する場合、上記光出
射端面の上記前端面の辺からの突出長さのみを高精度に
制御すればよい。つまり、光出射軸方向の位置のみを高
精度に制御すればよい。したがって、従来のレーザチッ
プの光出射端面がサブマウントの前端面と平面において
傾斜する半導体レーザ装置におけるように、レーザチッ
プをサブマウントに搭載する際、レーザチップの光出射
軸方向の位置と、光出射軸と直角方向の位置との両方を
高精度に制御する必要がない。したがって、この半導体
レーザ装置は、従来よりも容易に製造できる。

【０００９】また、上記サブマウントの前端面は、その
サブマウントの厚さ方向に傾斜した平面あるいは曲面で
あって、戻り光を上記光出射軸の方向と異なる方向に反
射するので、この半導体レーザ装置を例えば光ディスク
の光学式ピックアップの光源に用いた場合、上記光ディ
スクからの戻り光が再び光ディスクに達して、光学式ピ
ックアップが読み取る信号のＳ／Ｎ比が低下することが
効果的に防止される。

【００１０】１実施形態の半導体レーザ装置は、上記サ
ブマウントは、複数の上記レーザチップを搭載したこと
を特徴としている。

【００１１】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記サブマウントに、複数の上記レーザチップを搭
載して、１つのパッケージで複数の波長の光が出射でき
るハイブリッド型の半導体レーザ装置を構成できる。し
かも、複数のレーザチップは光出射軸方向の位置のみを
高精度に制御すればよいので、簡単、安価に製造でき
る。

【００１２】１実施形態の半導体レーザ装置は、上記サ
ブマウントの上記光出射軸の方向の断面は、台形である
ことを特徴としている。

【００１３】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記サブマウントの上記光出射軸の方向の断面は台
形であるので、このサブマウントは、戻り光を上記光出
射軸の方向と異なる方向に効果的に反射して、例えば光
ディスクの光学式ピックアップの光源に好適な半導体レ
ーザ装置にできる。

【００１４】１実施形態の半導体レーザ装置は、上記サ
ブマウントは半導体からなり、このサブマウントの上記
前端面をダイシングによって形成したことを特徴として
いる。

【００１５】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、半導体からなるサブマウントは、上記前端面がダイ
シングによって容易に所定の断面形状にされる。

【００１６】１実施形態の半導体レーザ装置は、上記サ
ブマウントは主面が低指数面からオフした半導体からな
り、このサブマウントの上記前端面をスクライブによっ
て形成したことを特徴としている。

【００１７】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記主面が低指数面からオフした半導体に、上記主
面に対して傾斜する面をスクライブによって形成して、
厚さ方向に所定の角度で傾斜した前端面を有するサブマ
ウントを容易に形成できる。

【００１８】１実施形態の半導体レーザ装置は、上記サ
ブマウントの前端面は、凸面であるか、または、凹面で
あることを特徴としている。

【００１９】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記サブマウントの前端面は、凸面または凹面であ
るので、戻り光を上記光出射軸の方向と異なる方向に効
果的に反射して、例えば光ディスクの光学式ピックアッ
プの光源に好適な半導体レーザ装置にできる。

【００２０】１実施形態の半導体レーザ装置は、上記サ
ブマウントは半導体からなり、このサブマウントの上記
前端面をエッチングによって形成したことを特徴として
いる。

【００２１】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、半導体からなるサブマウントの前端面が、エッチン
グによって容易に所定の断面形状にされる。

【００２２】１実施形態の半導体レーザ装置は、上記サ
ブマウントは半導体からなり、このサブマウントの上記
前端面をレーザマーカによって形成したことを特徴とし
ている。

【００２３】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、半導体からなるサブマウントの前端面が、レーザマ
ーカを用いて容易に所定の断面形状にされる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
により詳細に説明する。

【００２５】図１（ａ）は、本発明の第１実施形態の半
導体レーザ装置を示す断面図である。この半導体レーザ
装置は、半導体からなるサブマウント１と、このサブマ
ウント１上にダイボンドされたレーザチップ２とからな
る。上記サブマウント１は、前端面４が、このサブマウ
ントの厚さ方向に傾斜した平面になっている。図１
（ｂ）は、上記半導体レーザ装置の一部を示す平面図で
あり、図１（ａ）に示すよりも多少拡大して示してい
る。図１（ｂ）に示すように、上記サブマウントの前端
面４の上記レーザチップ側の辺６が、上記レーザチップ
の光出射軸８と直交している。この光出射軸８は、レー
ザチップの発光領域９と略同一軸である。上記レーザチ
ップ２は、光出射端面５が、上記サブマウントの前端面
の辺６よりも突出長さ１１だけ光出射軸方向に向って突
出するように、サブマウント１に搭載している。上記レ
ーザチップの突出長さ１１は、そのレーザチップの放熱
量が所定の放熱量になって、これにより、レーザチップ
２の動作電流値が所定の値になる突出長さである。

【００２６】上記半導体レーザ装置のサブマウント１
は、ダイシングによって前端面４を形成している。すな
わち、径方向外側に向って減少する厚みを有する円盤状
のブレードが設けられたダイシングソーを用いて、上記
ブレードを高速回転させて半導体の板（以下半導体基板
という）を切断し、このブレードの切削面によって、厚
み方向に傾斜した面を形成する。この厚み方向に傾斜し
た面を前端面４として、サブマウント１を構成する。こ
のサブマウント１は、ダイシングソーを用いて前端面４
を形成するので、簡単かつ安価に製造できる。

【００２７】上記半導体レーザ装置は、レーザチップの
光出射軸８が上記サブマウントの前端面４の上記レーザ
チップ側の辺６と直交するように、レーザチップ２がサ
ブマウント１上に搭載されるので、上記レーザチップ２
のサブマウント１への搭載位置は比較的容易に位置決め
できる。すなわち、上記レーザチップ２をサブマウント
１上に実装する際、レーザチップの光出射軸８方向の実
装位置のみを高精度に位置決めすれば、レーザチップ２
の上記突出長さ１１を高精度に制御できる。したがっ
て、従来の半導体レーザ装置におけるように、レーザチ
ップの突出長さを高精度に制御するために、レーザチッ
プの実装位置を光出射軸方向と、この光出射軸方向と直
角方向とに高精度に位置決めする必要がない。その結
果、レーザチップ２を従来よりも容易にサブマウント１
に実装できるので、この半導体レーザ装置は容易に製造
できる。

【００２８】上記半導体レーザ装置を、光ディスクシス
テムにおける３ビームトラッキング方式の光学式ピック
アップに設置する。この光学式ピックアップは、上記半
導体レーザ装置と、受光素子と、上記半導体レーザ装置
のレーザチップの光出射軸８方向に設けられて、上記レ
ーザチップ２からの光を光ディスク上に集光し、かつ、
上記光ディスクからの反射光を上記受光素子に導く光学
系とを備える。この光ディスクシステムを動作すると、
図１（ａ）に示すように、レーザチップ２から光出射軸
８方向に光が出射されて、この出射光が、上記光学系に
設けられた回折格子でメインビームおよびサブビームに
分けられて、光ディスクに集光される。この光ディスク
に集光されたメインビームの反射光は、受光素子に検出
されて再生信号が得られる。上記光ディスクに集光され
たサブビームの反射光は、受光素子に検出されてトラッ
キングエラー信号が得られる。この光学式ピックアップ
において、上記メインビームの反射光およびサブビーム
の反射光が上記光学系を経て半導体装置に戻る、いわゆ
る戻り光が生じる場合がある。この戻り光は、図１
（ａ）の矢印Ｇに示すように半導体装置のサブマウント
１に入射する。しかし、上記サブマウント１は、前端面
４が厚み方向に傾斜しているので、上記戻り光は、レー
ザチップの光出射軸方向と異なる矢印Ｈの方向に反射さ
れる。したがって、上記戻り光が再び光学系を経て光デ
ィスクに達し、受光素子に検出されて、光学式ピックア
ップが検出する信号のＳ／Ｎ比が低下することが確実に
防止できる。

【００２９】上記半導体レーザ装置のサブマウント１
は、ダイシングによって前端面４を形成したが、主面が
低指数面からオフした半導体基板、すなわちオフ基板を
用い、スクライブによって前端面を形成してもよい。す
なわち、表面の面方位が（１００）面からオフした半導
体基板を用い、この半導体基板の表面にダイヤモンドカ
ッタなどで切削ラインを引き、この切削ラインに沿って
半導体基板を劈開して、サブマウント１を形成する。上
記劈開面は、上記（１００）面に沿って上記半導体基板
の厚み方向に傾斜した平面であり、この劈開面を前端面
４にして、半導体基板の表面にレーザチップ２を実装し
て、半導体レーザ装置を得る。こうして、上記サブマウ
ント１を容易に形成して、光学式ピックアップに好適な
半導体レーザ装置が安価に製造できる。

【００３０】また、上記サブマウント１は、ダイシング
ソーによって半導体基板の表面から厚み方向の所定距離
まで切削面を形成して、その後、半導体基板を押圧して
ブレークして前端面を形成してもよい。このとき、上記
厚み方向の所定距離を、上記ダイシングソーによる切削
面が上記戻り光の入射領域よりも多少大きくなるような
距離にすればよい。これによって、上記戻り光をレーザ
チップの光出射軸と異なる方向に確実に反射できる。

【００３１】図２（ａ）は、本発明の第２実施形態の半
導体レーザ装置を示す断面図であり、図２（ｂ）は、図
２（ａ）の半導体レーザ装置の平面図である。図２
（ａ），（ｂ）の半導体レーザ装置において、図１
（ａ），（ｂ）の半導体レーザ装置を構成する部分と同
一の機能を有する部分には同一の参照番号を付して、詳
細な説明を省略する。

【００３２】この半導体レーザ装置は、Ｓｉ（シリコ
ン）からなり前端面２４が曲面をなすサブマウント２１
を備える。図２（ｂ）に示すように、上記サブマウント
の前端面２４の上記レーザチップ側の辺２６が、レーザ
チップの光出射軸８と直交している。上記サブマウント
２１は、上記曲面をなす前端面２４をエッチングによっ
て形成している。すなわち、断面が略矩形のシリコン基
板の端面部分をフッ酸などのエッチング液に浸漬し、上
記端面部分の角部を除去して、この端面部分の断面が曲
面をなすように形成する。これは、平坦部よりも角部の
ほうがエッチングの進行速度が大きいというエッチング
の性質を利用している。こうして角部が除去されて断面
が曲面をなす端面を前端面２４として、図２（ａ）に示
す断面形状のサブマウント２１を形成する。

【００３３】上記半導体レーザ装置は、レーザチップの
光出射軸８が上記サブマウントの前端面２４の上記レー
ザチップ側の辺２６と直交するように、レーザチップ２
をサブマウント２１上に搭載するので、上記レーザチッ
プ２のサブマウント１への搭載位置が比較的容易に位置
決めできる。すなわち、上記レーザチップ２の光出射端
面５がサブマウントの辺２６から光出射軸８方向に長さ
１１だけ突出するように、レーザチップ２をサブマウン
ト２１上に実装する際、上記レーザチップの光出射軸８
方向の実装位置のみを高精度に位置決めすれば、上記突
出長さ１１を高精度に制御できる。したがって、従来よ
りも容易にレーザチップ２をサブマウント２１に実装で
きるので、半導体レーザ装置を容易に製造できる。

【００３４】また、上記半導体レーザ装置は、光学式ピ
ックアップの光源として用いた場合、光学系からの戻り
光が矢印Ｊに示すように半導体レーザ装置のサブマウン
ト２１に入射しても、このサブマウント２１は前端面２
４が曲面に形成されているので、上記戻り光を、矢印Ｋ
に示すように、レーザチップの光出射軸８方向と異なる
方向に反射できる。したがって、この光学式ピックアッ
プにの検出信号のＳ／Ｎ比の低下を効果的に防止でき
る。

【００３５】上記サブマウント２１は、Ｓｉ以外の他の
半導体によって形成してもよく、上記前端面２４は、フ
ッ酸以外のエッチング液を用いて形成してもよい。

【００３６】また、上記サブマウント２１は半導体から
なるが、金属からなるサブマウントでもよい。

【００３７】図３（ａ）は、本発明の第３実施形態の半
導体レーザ装置を示す断面図であり、図３（ｂ）は、図
３（ａ）の半導体レーザ装置の平面図である。図３
（ａ），（ｂ）の半導体レーザ装置において、図２
（ａ），（ｂ）の半導体レーザ装置を構成する部分と同
一の機能を有する部分には同一の参照番号を付して、詳
細な説明を省略する。

【００３８】この半導体レーザ装置は、サブマウント３
１の前端面３４が、曲面からなる凹部３５を有する。図
３（ｂ）に示すように、上記サブマウントの前端面３４
の上記レーザチップ側の辺３６が、レーザチップの光出
射軸８と直交している。上記サブマウント３１は、上記
前端面３４の凹部３５をエッチングによって形成してい
る。すなわち、断面が略矩形の半導体基板を、端面を鉛
直上向きに配置し、この端面にエッチング液を滴下して
半導体基板の一部を除去して凹部を形成する。そして、
上記凹部を前端面３４としてサブマウント３１を形成
し、その上にレーザチップ１を実装して半導体レーザ装
置を構成する。上記前端面の凹部３５は、サブマウント
の厚み方向に約０．１ｍｍの長さを有すると共にサブマ
ウントの幅方向に約０．３ｍｍの長さを有する略楕円形
状をなす。

【００３９】上記半導体レーザ装置は、レーザチップの
光出射軸８が上記サブマウントの前端面３４の上記レー
ザチップ側の辺３６と直交するように、レーザチップ２
をサブマウント３１上に搭載するので、上記レーザチッ
プ２のサブマウント３１上への搭載位置が比較的容易に
位置決めできる。すなわち、上記レーザチップ２の光出
射端面５がサブマウントの辺３６から光出射軸８方向に
長さ１１だけ突出するように、レーザチップ２をサブマ
ウント３１上に実装する際、レーザチップの光出射軸８
方向の実装位置のみを高精度に位置決めすれば、上記突
出長さ１１を高精度に制御できる。したがって、従来よ
りも容易にレーザチップ２をサブマウント３１に実装で
きるので、半導体レーザ装置を容易に製造できる。

【００４０】また、上記半導体レーザ装置は、光学式ピ
ックアップの光源として用いた場合、光学系からの戻り
光が矢印Ｍに示すように半導体レーザ装置のサブマウン
ト１に入射しても、このサブマウント１は前端面３４が
凹部３５を有するので、この凹部３５によって上記戻り
光を、矢印Ｎに示すように、レーザチップの光出射軸８
方向と異なる方向に反射できる。したがって、この光学
式ピックアップによる検出信号のＳ／Ｎ比の低下を効果
的に防止できる。

【００４１】上記サブマウントの前端面に形成した凹部
３５は、エッチング液によって形成したが、ＹＡＧ（イ
ットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザによる
レーザマーカを用いて形成してもよい。

【００４２】上記サブマウントは、半導体基板からなる
が、導体や金属からなる板を用いて形成してもよい。

【００４３】上記前端面の凹部３５は、サブマウントの
厚み方向に約０．１ｍｍの長さを有すると共にサブマウ
ントの幅方向に約０．３ｍｍの長さを有する略楕円形状
をなして形成したが、凹部の寸法は戻り光に応じて適宜
変更可能である。また、凹部の形状は楕円形状に限られ
ず、前端面において矩形や他の形状に形成してもよい。

【００４４】上記第１乃至第３実施形態において、サブ
マウント１，２１，３１上に１つのレーザチップ２を搭
載したが、上記サブマウント１，２１，３１上に複数の
レーザチップを搭載してもよい。この場合、上記サブマ
ウント前端面のレーザチップ側の辺６，２６，３６に複
数のレーザチップの光出射軸を直交させて、サブマウン
ト１，２１，３１に複数のレーザチップを実装できるの
で、複数のレーザチップの光出射軸方向の位置のみを高
精度に制御するのみで、従来よりも少ない手間で、上記
複数のレーザチップを高精度に実装できる。

【００４５】図８は、本発明の半導体レーザ装置を用い
て構成したレーザモジュールを示す斜視図である。この
レーザモジュールは、ステム５１に設けられた放熱台５
２に、上記実施形態の半導体レーザ装置５４を搭載して
いる。上記ステム５１は略円柱形状を有し、上記放熱台
５２は、上記ステム５１の端面から軸方向に突出するよ
うに形成されている。

【００４６】図９は、図８のレーザモジュールに搭載さ
れた半導体レーザ装置５４を拡大して示した斜視図であ
る。この半導体レーザ装置５４は、第１実施形態の半導
体レーザ装置と同様に、前端面が傾斜した断面台形のサ
ブマウント５５を有する。このサブマウント５５上に、
発振波長が互いに異なる２つのレーザチップ５６，５６
を搭載している。このレーザチップ５６は、光出射端面
がサブマウント５５の前端面の辺から所定の突出長さ５
８をなして、サブマウント５５に固定されている。ま
た、上記２つのレーザチップ５６は、出射光が、図９の
矢印Ｐ，Ｑで示すように、互いに略平行かつ所定の離隔
距離５９をなすように配置されている。

【００４７】この半導体レーザ装置５４は、レーザチッ
プ５６，５６からの出射光がステム５１の端面の法線に
略平行になるように、上記放熱台５２に搭載されてい
る。上記ステム５１には、リードピン６１，６１が貫通
して固定されている。このリードピン６１，６１は、一
端が、上記レーザチップ５６，５６の電極に図示しない
ワイヤを介して接続されており、他端が、このレーザモ
ジュールの駆動回路に接続するように形成されている。
この半導体レーザ装置５４は、ロウ材として融点が比較
的高いＡｕＳｎ（金・錫）を用いたダイボンドによっ
て、サブマウント５５の底面が放熱台５２の側面に固定
されている。

【００４８】上記構成のレーザモジュールを光学式ピッ
クアップに組み込み、このレーザモジュールのレーザ光
を光源に用いて、光ディスクの読み書きを行なう。この
とき、レーザチップ５６，５６から出射され、光学系を
介して光ディスクに照射され、反射した光が、上記光学
系を介して戻り光となって、レーザモジュールに入射す
る場合がある。しかしながら、このレーザモジュールに
搭載された半導体レーザ装置５４は、上記レーザチップ
５６，５６が搭載されたサブマウント５５が、このレー
ザチップ５６，５６の光の出射側の前端面が厚み方向に
傾斜しているので、上記戻り光は、レーザチップ５６，
５６の光出射軸方向と異なる方向に反射される。これに
よって、戻り光が再び光ディスクに達し、受光素子に検
出され、光学式ピックアップの検出信号のＳ／Ｎ比が低
下するという不都合が、確実に防止できる。したがっ
て、本実施形態のレーザモジュールによれば、複数の光
源を有して異なる複数種類の光ディスクの読出し・書き
込み動作が正確に実行できる光学式ピックアップを構成
できる。

【００４９】本実施形態のレーザモジュールは、ボンデ
ィング面積が比較的小さいレーザチップ５６，５６を、
表面平坦度が比較的高いサブマウント５５にダイボンド
すると共に、ボンディング面積が比較的大きいサブマウ
ント５５を、表面平坦度が比較的低い放熱台の側面にダ
イボンドしている。したがって、表面平坦度が比較的低
い放熱台に、ボンディング面積が比較的小さいレーザチ
ップを搭載していた従来におけるような、レーザチップ
の傾きなどの不都合が低減されて、レーザチップ５６，
５６の搭載が容易かつ高精度にできる。

【００５０】上記レーザモジュールは、サブマウント５
５の底面を、融点が高くて固定力が大きいＡｕＳｎロウ
材によって放熱台の側面にダイボンドしているので、動
作時のレーザチップ５６，５６の発熱によるロウ材の固
定強度の低下が殆ど無い。従来のレーザモジュールは、
レーザチップを表面平坦度が比較的低い放熱台に取り付
けており、低い平坦度の放熱台に安定して固定するため
に比較的大量のロウ材が必要であるので、ダイボンド時
のレーザチップへの熱の影響を少なくするため、高融点
のロウ材を用いることができなかった。したがって、動
作時の熱によってロウ材の固定力が低下してレーザチッ
プが移動し、光出射軸の方向がずれる虞があるという不
都合があった。これに対して、本実施形態は、高融点の
ロウ材でサブマウント５５を放熱台にダイボンドしてレ
ーザチップ５６，５６を固定しているので、動作中の発
熱によってレーザチップ５６，５６の取付け位置がずれ
て光出射軸方向がずれたりすることがなく、長期間に亘
って高い信頼性が得られる。

【００５１】また、本実施形態のレーザモジュールは、
レーザチップよりもボンディング面積が大きいサブマウ
ントを放熱台にダイボンドしているので、放熱台にレー
ザチップを直接ダイボンドするよりも、ロウ材の厚みが
薄くできる。したがって、熱伝導率が比較的悪いロウ材
を薄くできるので、レーザチップの熱が放熱台に効率良
く伝達できる。その結果、このレーザモジュールは、良
好な放熱効率を有するので、発熱量が比較的大きい赤色
発光のレーザチップが搭載でき、また、熱による特性劣
化が効果的に回避できる。

【００５２】上記実施形態において、ステム５１表面に
形成した放熱台および半導体レーザ装置を、レーザ光の
通過窓を備えるキャップによって覆ってもよい。また、
上記ステム５１は、円柱形状以外の形状を有してもよ
い。

【００５３】

【発明の効果】以上より明らかなように、本発明の半導
体レーザ装置によれば、サブマウントと、このサブマウ
ント上にダイボンドされたレーザチップとを備える半導
体レーザ装置において、上記サブマウントの前端面の上
記レーザチップ側の辺が、上記レーザチップの光出射軸
と直交して、かつ、上記サブマウントの前端面は、その
サブマウントの厚さ方向に傾斜した平面あるいは曲面で
あって、戻り光を上記光出射軸の方向と異なる方向に反
射するので、上記サブマウントへのレーザチップの搭載
位置を比較的容易に位置決めでき、従来よりも容易に半
導体レーザ装置を製造できる。

【００５４】また、上記サブマウントの前端面は、その
サブマウントの厚さ方向に傾斜した平面あるいは曲面で
あって、戻り光を上記光出射軸の方向と異なる方向に反
射するので、この半導体レーザ装置を例えば光ディスク
の光学式ピックアップの光源に用いた場合、この光学式
ピックアップが読み取る信号のＳ／Ｎ比の低下を効果的
に防止できる。

【００５５】１実施形態の半導体レーザ装置によれば、
上記サブマウントは、複数の上記レーザチップを搭載し
たので、１つのパッケージで複数の波長の光が出射でき
るハイブリッド型の半導体レーザ装置が構成でき、ま
た、複数のレーザチップをサブマウント上に高い精度で
比較的容易に位置決めできる。

【００５６】１実施形態の半導体レーザ装置によれば、
上記サブマウントの上記光出射軸の方向の断面は、台形
であるので、戻り光を上記光出射軸の方向と異なる方向
に効果的に反射して、光ディスクの光学式ピックアップ
の光源に好適な半導体レーザ装置にできる。

【００５７】１実施形態の半導体レーザ装置によれば、
上記サブマウントは半導体からなり、このサブマウント
の上記前端面をダイシングによって形成したので、例え
ばダイシングソーなどを用いて容易に所定の断面形状に
できる。

【００５８】１実施形態の半導体レーザ装置によれば、
上記サブマウントは半導体からなり、このサブマウント
は主面が低指数面からオフした半導体からなり、このサ
ブマウントの上記前端面をスクライブによって形成した
ので、上記低指数面に沿う面をスクライブで前端面に容
易に形成できるから、サブマウントの厚さ方向に所定の
角度で傾斜した前端面を容易に形成できる。

【００５９】１実施形態の半導体レーザ装置によれば、
上記サブマウントの前端面は、凸面であるか、または、
凹面であるので、戻り光を上記光出射軸の方向と異なる
方向に効果的に反射して、光ディスクの光学式ピックア
ップの光源に好適な半導体レーザ装置にできる。

【００６０】１実施形態の半導体レーザ装置によれば、
上記サブマウントは半導体からなり、このサブマウント
の上記前端面をエッチングによって形成したので、上記
半導体からなるサブマウントの前端面を容易に所定の断
面形状にできる。

【００６１】１実施形態の半導体レーザ装置によれば、
上記サブマウントは半導体からなり、このサブマウント
の上記前端面をレーザマーカによって形成したので、上
記半導体からなるサブマウントの前端面を容易に所定の
断面形状にできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１（ａ）は、本発明の第１実施形態の半導
体レーザ装置を示す断面図であり、図１（ｂ）は、上記
半導体レーザ装置の一部を示す平面図である。

【図２】 図２（ａ）は、本発明の第２実施形態の半導
体レーザ装置を示す断面図であり、図２（ｂ）は、上記
半導体レーザ装置の一部を示す平面図である。

【図３】 図３（ａ）は、本発明の第１実施形態の半導
体レーザ装置を示す断面図であり、図３（ｂ）は、上記
半導体レーザ装置の一部を示す平面図である。

【図４】 従来の半導体レーザ装置を示す平面図であ
る。

【図５】 従来の半導体レーザ装置を示す平面図であ
る。

【図６】 図４の従来の半導体レーザ装置においてレー
ザチップの突出長さを説明する平面図である。

【図７】 従来の半導体レーザ装置を示す平面図であ
る。

【図８】 本発明の半導体レーザ装置を用いたレーザモ
ジュールを示す斜視図である。

【図９】 図８のレーザモジュールに用いた半導体レー
ザ装置を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ サブマウント ２ レーザチップ ４ 前端面 ５ 光出射端面 ６ 前端面のレーザチップ側の辺 ８ 光出射軸 ９ 発光領域 １１ レーザチップの前端面からの突出長さ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 サブマウントと、このサブマウント上に
   ダイボンドされたレーザチップとを備える半導体レーザ
   装置において、 上記サブマウントの前端面の上記レーザチップ側の辺
   が、上記レーザチップの光出射軸と直交して、かつ、上
   記サブマウントの前端面は、そのサブマウントの厚さ方
   向に傾斜した平面あるいは曲面であって、戻り光を上記
   光出射軸の方向と異なる方向に反射することを特徴とす
   る半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
   いて、 上記サブマウントは、複数の上記レーザチップを搭載し
   たことを特徴とする半導体レーザ装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体レーザ
   装置において、 上記サブマウントの上記光出射軸の方向の断面は、台形
   であることを特徴とする半導体レーザ装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
   半導体レーザ装置において、 上記サブマウントは半導体からなり、このサブマウント
   の上記前端面をダイシングによって形成したことを特徴
   とする半導体レーザ装置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
   半導体レーザ装置において、 上記サブマウントは主面が低指数面からオフした半導体
   からなり、このサブマウントの上記前端面をスクライブ
   によって形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
6. 【請求項６】 請求項１または２に記載の半導体レーザ
   装置において、 上記サブマウントの前端面は、凸面であるか、または、
   凹面であることを特徴とする半導体レーザ装置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の半導体レーザ装置にお
   いて、 上記サブマウントは半導体からなり、このサブマウント
   の上記前端面をエッチングによって形成したことを特徴
   とする半導体レーザ装置。
8. 【請求項８】 請求項６に記載の半導体レーザ装置にお
   いて、 上記サブマウントは半導体からなり、このサブマウント
   の上記前端面をレーザマーカによって形成したことを特
   徴とする半導体レーザ装置。