JP2011166068A - 光装置および光機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザ20,40が溶着層30を介して重ね合わされて支持基体50上に配置されている。溶着層30は、半導体レーザ20の電極22と半導体レーザ40の引出電極46との間であって、かつ半導体レーザ20の発光領域21Aとの非対向領域に形成されている。これにより、半導体レーザ20および溶着層30の温度が半導体レーザ20の駆動によって上昇し、これらがそれぞれの線膨脹係数に応じて熱膨張した場合に、発光領域21Aにおいて、線膨脹係数差による歪の発生が抑制される。
【選択図】図10
Description
1.第1の実施の形態(発光領域との対向領域に溶着層なし)
2.第1の実施の形態の変形例
3.第2の実施の形態(発光領域との対向領域に耐歪層あり)
4.第2の実施の形態の変形例
5.第3の実施の形態(3波長レーザ、発光領域との対向領域に溶着層なし)
6.第4の実施の形態(3波長レーザ、発光領域との対向領域に耐歪層あり)
7.適用例(光ディスク記録再生装置)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体レーザ装置1(光装置)の断面構造の一例を表すものである。この半導体レーザ装置1は、支持体10上に、半導体レーザ20(光素子)を配設したものである。支持体10と半導体レーザ20との間には、支持体10および半導体レーザ20を互いに接合する溶着層30が設けられている。
上記実施の形態では、電極22は、レーザ部21の面21Bのうち発光領域21Aとの対向領域およびその周辺領域に接していたが、半導体レーザ20が電流注入用の電極を電極22以外に有している場合は、電極22は、レーザ部21の面21Bのうち発光領域21Aとの非対向領域にだけ接していてもよい。
図7は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体レーザ装置2(光装置)の断面構造の一例を表すものである。この半導体レーザ装置2は、支持体10上に、溶着層30を介して半導体レーザ20(光素子)を配設した点で、上記実施の形態の半導体レーザ1の構成と共通する。しかし、この半導体レーザ装置2は、溶着層30が、支持体10と半導体レーザ20との間であって、かつ少なくとも発光領域21Aとの対向領域に配置されている点で、上記実施の形態の半導体レーザ1の構成と相違する。さらに、この半導体レーザ装置2は、レーザ部21の面21Bのうち発光領域21Aとの対向領域と溶着層30との間に、耐歪層31が設けられている点でも、上記実施の形態の半導体レーザ1の構成と相違する。そこで、以下では、上記実施の形態との相違点について主に説明し、上記実施の形態との共通点についての説明を適宜省略するものとする。
上記第2の実施の形態では、耐歪層31は、電極22内に形成されていたが、例えば、図8に示したように電極22と溶着層30との間に形成されていてもよいし、例えば、図9に示したように電極22とレーザ部21の面21Bとの間に形成されていてもよい。ただし、耐歪層31が電極22とレーザ部21の面21Bとの間に形成されている場合には、耐歪層31の大きさは、発光領域21Aの大きさよりもある程度小さくなっていることが好ましい。
[構成]
図10は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体レーザ装置3(光装置)の断面構造の一例を表すものである。この半導体レーザ装置3は、光ディスクの記録・再生等を行う光ディスク装置(光機器)の光源として好適に用いられるものである。
次に、本実施の形態の半導体レーザ装置3の作用について説明する。半導体レーザ装置3では、電源からの電圧がワイヤ38と、ヒートシンク51に電気的に接続されたワイヤ(図示せず)とを介して半導体レーザ20の電極22,23間に印加される。すると、光射出側の端面のうち発光領域21Aに対応する発光点(図示せず)から400nm帯のレーザ光が射出される。同様に、電源からの電圧がワイヤ35,36を介して、700nm帯のレーザ光を射出するレーザ構造に設けられた電極42,44間に印加される。すると、光射出側の端面のうち発光領域41Aに対応する発光点(図示せず)から700nm帯のレーザ光が射出される。さらに同様に、電源からの電圧がワイヤ35と、電極43に電気的に接続されたワイヤ(図示せず)を介して、600nm帯のレーザ光を射出するレーザ構造に設けられた電極43,44間に電圧が印加される。すると、光射出側の端面のうち発光領域41Bに対応する発光点(図示せず)から600nm帯のレーザ光が射出される。すなわち、半導体レーザ装置3からは、400nm、600nm帯および700nm帯のうちのいずれか1つの帯域のレーザ光が射出される。
本実施の形態では、上述したように、放熱性能の高い半導体レーザ20が支持体50側に配置されており、かつ半導体レーザ40の周縁が熱伝導性の良いバンプ33,34等を介して支持体50に連結されている。これにより、放熱性能の相対的に低い半導体レーザ40で発生した熱を効率よく支持体50に導くことができる。その結果、例えば、光ディスク装置(図示せず)において半導体レーザ装置1を光源として用いた場合は、受光素子(図示せず)で検出できる光強度の低下を抑制することができる。また、本実施の形態では、半導体レーザ20の寸法が小さくなっているので、原料コストを抑えることができる。
[構成]
図11は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体レーザ装置4(光装置)の断面構造の一例を表すものである。この半導体レーザ装置4は、半導体レーザ装置3と同様、光ディスクの記録・再生等を行う光ディスク装置(光機器)の光源として好適に用いられるものである。
次に、本実施の形態の半導体レーザ装置4の作用について説明する。半導体レーザ装置4では、電源からの電圧がワイヤ61,62を介して半導体レーザ20の電極22,23間に印加される。すると、光射出側の端面のうち発光領域21Aに対応する発光点(図示せず)から400nm帯のレーザ光が射出される。同様に、電源からの電圧がワイヤ63,64を介して、700nm帯のレーザ光を射出するレーザ構造に設けられた電極42,44間に印加される。すると、光射出側の端面のうち発光領域41Bに対応する発光点(図示せず)から700nm帯のレーザ光が射出される。さらに同様に、電源からの電圧が図示しないワイヤとワイヤ64とを介して、600nm帯のレーザ光を射出するレーザ構造に設けられた電極43,44間に電圧が印加される。すると、光射出側の端面のうち発光領域41Aに対応する発光点(図示せず)から600nm帯のレーザ光が射出される。すなわち、半導体レーザ装置3からは、400nm、600nm帯および700nm帯のうちのいずれか1つの帯域のレーザ光が射出される。
本実施の形態では、発光領域21Aとの非対向領域に、金属層22および支持体10を互いに接合する溶着層30が設けられている。これにより、半導体レーザ20および溶着層30の温度が半導体レーザ20の駆動によって上昇し、これらがそれぞれの線膨脹係数に応じて熱膨張した場合であっても、発光領域21Aにおいて、線膨脹係数差による歪の発生が抑制される。その結果、TEモードの偏光比の低下を抑制することができる。また、TEモードの偏光比の低下を抑制することができることから、例えば、光ディスク装置(図示せず)において半導体レーザ装置4を光源として用いた場合は、受光素子(図示せず)で検出できる光強度の低下を抑制することができる。
上記第3および第4の実施の形態では、電極22のうち発光領域21Aとの対向領域の表面には溶着層30が接していなかったが、製造過程において溶着層30がその表面にまで濡れ広がるのを抑える機構が設けられていることが好ましい。そのような機構としては、例えば、図5、図6に示したような非着層24が設けられていてもよい。
次に、上記各実施の形態およびそれらの変形例に係る半導体レーザ装置1〜4の一適用例について説明する。本適用例に係る光ディスク記録再生装置は、所定の波長の光を用いて光ディスクDに記録されている情報を再生したり、光ディスクDに情報を記録したりするためのものである。図14は、本適用例に係る光ディスク記録再生装置100の概略構成の一例を表すものである。光ディスク記録再生装置100は、半導体レーザ装置1〜4と、半導体レーザ装置1〜4から射出された所定の波長の射出光Loutを光ディスクDへ導くと共に、光ディスクDからの信号光(反射光Lref)を読み取るための光学系とを備えている。この光学系には、例えば、ビームスプリッタ(PBS)111、戻り光ノイズ抑制のためのλ/4板112、立上ミラー113、対物レンズ114、ならびに受光素子および信号光再生回路(いずれも図示せず)などを含む信号光検出器115が含まれる。
Claims (10)
- 第1面の近傍に第1発光領域を有するとともに、前記第1面のうち少なくとも前記第1 発光領域との非対向領域に接する第1金属層を有する光素子と、
前記光素子の前記第1面側に配置された支持体と、
前記第1面と前記支持体との間であって、かつ前記第1発光領域との非対向領域に配置 されるとともに、前記第1金属層および前記支持体を互いに接合する溶着層と
を備えた光装置。 - 前記第1金属層は、前記第1面のうち前記第1発光領域との対向領域にも接しており、かつ前記第1発光領域に電流注入する電極として機能する
請求項1に記載の光装置。 - 前記光素子は、前記第1金属層の前記支持体側の表面のうち前記第1発光領域との対向領域に接する白金層または絶縁層を有する
請求項2に記載の光装置。 - 前記溶着層の線膨張係数は、前記光素子および前記支持体の線膨張係数よりも大きくなっている
請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の光装置。 - 前記支持体は、前記溶着層側の第2面の近傍に第2発光領域および第3発光領域を有するとともに、前記第2面のうち少なくとも前記第2発光領域および前記第3発光領域との非対向領域に第2金属層を有する光素子をさらに備えた
請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の光装置。 - 前記支持体は、光素子、ヒートシンクまたはサブマウントを含んで構成されている
請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の光装置。 - 第1面の近傍に発光領域を有するとともに、前記第1面のうち少なくとも前記発光領域との対向領域に接する金属層を有する光素子と、
前記光素子の前記第1面側に配置された支持体と、
前記第1面と前記支持体との間であって、かつ少なくとも前記発光領域との対向領域に配置されるとともに、前記金属層および前記支持体を互いに接合する溶着層と、
前記第1面のうち前記発光領域との対向領域と前記溶着層との間に設けられるとともに、前記金属層の線膨張係数よりも小さな線膨張係数の材料を含んで構成された耐歪層と
を備えた光装置。 - 前記耐歪層は、前記金属層内、前記金属層と前記溶着層との間、または、前記金属層と前記第1面との間に形成されている
請求項7に記載の光装置。 - 光源として光装置を備え、
前記光装置は、
第1面の近傍に第1発光領域を有するとともに、前記第1面のうち少なくとも前記第1発光領域との非対向領域に接する第1金属層を有する光素子と、
前記光素子の前記第1面側に配置された支持体と、
前記第1面と前記支持体との間であって、かつ前記第1発光領域との非対向領域に配置されるとともに、前記第1金属層および前記支持体を互いに接合する溶着層と
を有する
光機器。 - 光源として光装置を備え、
前記光装置は、
第1面の近傍に発光領域を有するとともに、前記第1面のうち少なくとも前記発光領域との対向領域に接する金属層を有する光素子と、
前記光素子の前記第1面側に配置された支持体と、
前記第1面と前記支持体との間であって、かつ少なくとも前記発光領域との対向領域に配置されるとともに、前記金属層および前記支持体を互いに接合する溶着層と、
前記第1面のうち前記発光領域との対向領域と前記溶着層との間に設けられるとともに、前記金属層の線膨張係数よりも小さな線膨張係数の材料を含んで構成された耐歪層と
を有する
光機器。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2017183300A1 (ja) * | 2016-04-19 | 2019-02-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2021507504A (ja) * | 2017-12-19 | 2021-02-22 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH | 半導体レーザ、半導体レーザの動作方法、および半導体レーザの最適充填率を決定する方法 |
JP2021170673A (ja) * | 2017-08-28 | 2021-10-28 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH | 端面発光型のレーザバー |
WO2022202342A1 (ja) * | 2021-03-23 | 2022-09-29 | 旭化成株式会社 | 紫外線発光素子 |
WO2023153476A1 (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-17 | 京セラ株式会社 | 発光デバイスの製造方法および製造装置並びにレーザ素子基板 |
WO2024085205A1 (ja) * | 2022-10-20 | 2024-04-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102957094B (zh) * | 2011-08-22 | 2014-11-26 | 山东浪潮华光光电子有限公司 | 一种全固态三基色激光器芯片及其制作方法 |
CN105224113B (zh) * | 2014-05-30 | 2019-03-08 | 长鸿光电(厦门)有限公司 | 触控装置及其制造方法 |
JP6627651B2 (ja) * | 2016-06-09 | 2020-01-08 | 三菱電機株式会社 | レーザ素子、レーザ素子の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3461632B2 (ja) * | 1995-08-28 | 2003-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
TW449937B (en) * | 1999-02-26 | 2001-08-11 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor device and the manufacturing method thereof |
JP3486900B2 (ja) * | 2000-02-15 | 2004-01-13 | ソニー株式会社 | 発光装置およびそれを用いた光装置 |
JP2002314184A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Nec Corp | 光半導体モジュール |
JP2004207480A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Pioneer Electronic Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP4466503B2 (ja) * | 2005-08-08 | 2010-05-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ |
US7792173B2 (en) * | 2007-12-06 | 2010-09-07 | Opnext Japan, Inc. | Semiconductor laser device |
-
2010
- 2010-02-15 JP JP2010030220A patent/JP5521611B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
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- 2011-02-15 CN CN2011100385871A patent/CN102163798A/zh active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2017183300A1 (ja) * | 2016-04-19 | 2019-02-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2021170673A (ja) * | 2017-08-28 | 2021-10-28 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH | 端面発光型のレーザバー |
US11411375B2 (en) | 2017-08-28 | 2022-08-09 | Osram Oled Gmbh | Edge-emitting laser bar |
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