JP2011166068A5

JP2011166068A5 -

Info

Publication number: JP2011166068A5
Application number: JP2010030220A
Authority: JP
Filing date: 2010-02-15
Publication date: 2013-03-14
Anticipated expiration: 2030-02-15

Description

本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成の一例を表す断面図である。図１の発光領域を規定するレーザ構造の一例を表す断面図である。図１の発光領域を規定するレーザ構造の他の例を表す断面図である。図１の半導体レーザ装置の第１の変形例を表す断面図である。図１の半導体レーザ装置の構成の第２の変形例を表す断面図である。図２の半導体レーザ装置の構成の第３の変形例を表す断面図である。本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成の一例を表す断面図である。図７の半導体レーザ装置の構成の第１の変形例を表す断面図である。図７の半導体レーザ装置の構成の第２の変形例を表す断面図である。本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成の一例を表す断面図である。本発明の第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成の一例を表す断面図である。図１０の半導体レーザ装置の構成の他の例を表す断面図である。図１１の半導体レーザ装置の構成の他の例を表す断面図である。本適用例に係る光ディスク記録再生装置の概略構成の一例を表すものである。従来の半導体レーザ装置の構成の一例を表す断面図である。従来の半導体レーザ装置の他の構成の一例を表す断面図である。

ここで、レーザ部２１は、例えば、図２、図３に示したように、基板１１、クラッド層１２、活性層１３、クラッド層１４およびコンタクト層１５を含んで構成されたものである。クラッド層１２、活性層１３、クラッド層１４およびコンタクト層１５は、基板１１上にこの順に積層されており、ダブルへテロ構造をなしている。発光領域２１Ａは、活性層１３のうち電極２２，２３間を流れる電流が注入される領域に対応しており、電流注入により活性層１３のバンドギャップに対応した波長の光を発する領域である。レーザ部２１が、例えば、図２に示したようなインデックスガイド構造を備えている場合は、凸状のリッジストライプ１６の上面（コンタクト層１７の上面）が電極２２と接しており、リッジストライプ１６の側面および裾野は絶縁層１７で覆われている。従って、この場合には、発光領域２１Ａは、活性層１３のうち、凸状のリッジストライプ１６との対向領域に形成される。また、レーザ部２１が、例えば、図３に示したようなゲインガイド構造を備えている場合は、コンタクト層１５の上面うち絶縁層１７の開口１７Ａ内に露出している部分が電極２２と接しており、コンタクト層１５の上面うちそれ以外の部分は絶縁層１７で覆われている。従って、この場合には、発光領域２１Ａは、活性層１３のうち、絶縁層１７の開口１７Ａとの対向領域に形成される。

本実施の形態では、レーザ部２１の面２１Ｂのうち発光領域２１Ａとの対向領域と溶着層３０との間に、耐歪層３１が設けられている。これにより、半導体レーザ２０および溶着層３０の温度が半導体レーザ２０の駆動によって上昇し、これらがそれぞれの線膨脹係数に応じて熱膨張した場合であっても、発光領域２１Ａにおいて、線膨脹係数差による歪の発生が抑制される。その結果、ＴＥモードの偏光比の低下を抑制することができる。また、ＴＥモードの偏光比の低下を抑制することができることから、例えば、光ディスク装置（図示せず）において半導体レーザ装置２を光源として用いた場合は、受光素子（図示せず）で検出できる光強度の低下を抑制することができる。

[効果]
本実施の形態では、上述したように、放熱性能の高い半導体レーザ２０が支持基体５０側に配置されており、かつ半導体レーザ４０の周縁が熱伝導性の良いバンプ３３，３４等を介して支持基体５０に連結されている。これにより、放熱性能の相対的に低い半導体レーザ４０で発生した熱を効率よく支持基体５０に導くことができる。その結果、例えば、光ディスク装置（図示せず）において半導体レーザ装置１を光源として用いた場合は、受光素子（図示せず）で検出できる光強度の低下を抑制することができる。また、本実施の形態では、半導体レーザ２０の寸法が小さくなっているので、原料コストを抑えることができる。

［作用］
次に、本実施の形態の半導体レーザ装置４の作用について説明する。半導体レーザ装置４では、電源からの電圧がワイヤ６１，６２を介して半導体レーザ２０の電極２２，２３間に印加される。すると、光射出側の端面のうち発光領域２１Ａに対応する発光点（図示せず）から４００ｎｍ帯のレーザ光が射出される。同様に、電源からの電圧がワイヤ６３，６４を介して、７００ｎｍ帯のレーザ光を射出するレーザ構造に設けられた電極４２，４４間に印加される。すると、光射出側の端面のうち発光領域４１Ｂに対応する発光点（図示せず）から７００ｎｍ帯のレーザ光が射出される。さらに同様に、電源からの電圧が図示しないワイヤとワイヤ６４とを介して、６００ｎｍ帯のレーザ光を射出するレーザ構造に設けられた電極４３，４４間に電圧が印加される。すると、光射出側の端面のうち発光領域４１Ａに対応する発光点（図示せず）から６００ｎｍ帯のレーザ光が射出される。すなわち、半導体レーザ装置４からは、４００ｎｍ、６００ｎｍ帯および７００ｎｍ帯のうちのいずれか１つの帯域のレーザ光が射出される。