JP4033882B2

JP4033882B2 - 半導体レーザ装置

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Publication number: JP4033882B2
Application number: JP2005514749A
Authority: JP
Inventors: 泰弘渡部; 孝二上山; 新一郎秋吉
Original assignee: Tottori Sanyo Electric Co Ltd; Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2003-10-15
Filing date: 2004-10-12
Publication date: 2008-01-16
Anticipated expiration: 2024-10-12
Also published as: WO2005039000A1; JPWO2005039000A1; TW200515661A; CN100416952C; TWI271013B; US20070063212A1; CN1868098A; US7339194B2

Description

本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に、フレーム及び樹脂から成るパッケージを用いた小型の半導体レーザ装置に関する。

現在、光記録媒体として、コンパクトディスク（ＣＤ）、レコーダブルコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）、書き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）、更に高密度なデジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）や記録型ＤＶＤ等が知られている。これらの記録媒体の記録及び再生用の光ピックアップには、光源として小型の半導体レーザ装置が慣用的に使用されている。

一般に、半導体レーザ装置としては、キャンパッケージを用いたものとフレームパッケージを用いたものが知られている。キャンパッケージを用いた半導体レーザ装置は金属ステムにリードを個別に取付け、金属ステム上に設けられたレーザ素子をキャップで封止する。フレームパッケージを用いた半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子が設けられた金属製のフレームを樹脂でインサート成形する。後者のフレームパッケージを用いた半導体レーザ装置は、価格、量産性に優れているため注目されている。

しかしながら、このフレームパッケージを用いた半導体レーザ装置は、従来から広く用いられているキャンパッケージのものに比較すると放熱性が悪い。このため、現在は温度特性の良い赤外レーザ装置に多く使用されいる。ＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷ用の高出力レーザ装置、ＤＶＤ用などの赤色レーザ装置、２波長レーザ装置、或いは動作電圧が高い青色系レーザ装置に用いるためには更なる改良が求められている。

このような問題点を改良できるフレームパッケージを用いた半導体レーザ装置が特許文献１に開示されている。この半導体レーザ装置はフレームの半導体レーザ素子を配置する部分を厚くし、底面から露出させる構造になっている。しかしながら、上記のようにフレームの厚くした部分を裏面の樹脂から突出させるためには、フレーム裏側に配置される樹脂の厚さをフレームの厚肉部分の突出を妨げないように薄くしなければならない。このため、樹脂によるフレームの固定強度を高めることが困難である。

また、フレームを樹脂裏側に突出させるために厚肉部の段差をかなり大きくとらなければならない上、厚肉部の面積が狭いために半導体レーザ装置の裏面の平坦性が悪くなる。このため、半導体レーザ装置の取り扱いやセッティング時の安定性に問題が生じる。加えて、フレームパッケージを用いた半導体レーザ装置を例えば光ピックアップに用いる場合には、フレームパッケージの底面を光ピックアップのボディに接触させることが殆ど行われない。このため、半導体レーザ装置の放熱効果を充分得ることができない問題もある。

また、特許文献２には裏面の平坦性を良好にするとともに放熱特性及び強度を向上できるフレームパッケージを用いた半導体レーザ装置が開示されている。図６、図７はそれぞれこの半導体レーザ装置を示す斜視図、正面図である。また、図８は図７のＸ−Ｘ’線に沿った断面図である。

半導体レーザ装置８０はフレーム８２の上面にサブマウント８３が配置固定されている。サブマウント８３の上面には半導体レーザ素子８４が配置固定されている。フレーム８２は、銅、鉄、またはこれらの合金等の熱伝導性及び導電性が良い金属から成り、板状に形成されている。また、フレーム８２は半導体レーザ素子８４を搭載する主フレーム８６と、主フレーム８６とは独立した配線用の副フレーム８７、８８とから成っている。主フレーム８６及び副フレーム８７、８８を絶縁性の樹脂成形部８５により一体化してフレームパッケージが構成されている。

主フレーム８６は、素子配置部８６ａと、リード部８６ｂと、翼部８６ｃ、８６ｄとを有している。素子配置部８６ａにはサブマウント８３が搭載される。リード部８６ｂは電流通路となる。翼部８６ｃ、８６ｄは放熱及び位置決めのために左右に突出して設けられる。また、主フレーム８６には厚肉部８６ｅと薄肉部８６ｆとが形成されている。厚肉部８６ｅは素子配置部８６ａの前部及び翼部８６ｃ、８６ｄの前部を厚くして形成される。薄肉部８６ｆは翼部８６ｃ、８６ｄの後部及びリード部８６ｂを薄くして形成される。

副フレーム８７、８８はリード部８６ｂと同様に薄肉に構成されている。これにより、フレーム８２をプレス加工によって打ち抜いて形成する際にリード部８６ｂ及び副フレーム８７、８８の微細加工を容易に行なうことができる。従って、リード部８６ｂ及び副フレーム８７、８８の間隔を狭く保って半導体レーザ装置８０の小型化を図ることができる。

樹脂成形部８５はフレーム８２の表側と裏側の面を挟むようにインサート成形して形成される。樹脂成形部８５の表側はレーザ光が出射されるレーザ出射窓８５ａを備え、前方が開放されたＵ字状の枠部８５ｂが形成される。枠部８５ｂの両側部の前端にはテーパ面８５ｃが形成されている。テーパ面８５ｃによって半導体レーザ装置８０を所定位置に配置する際の挿入をスムーズに行なうことができる。樹脂成形部８５の裏側は素子配置部８６ａを覆うべた平坦面８５ｄとなっており、表側の枠部８５ｂの外形と略同一の外形形状（六角形状）を成している。

枠部８５ｂによって囲まれた内側に配される主フレーム８６の素子配置部８６ａ及び副フレーム８７、８８は、樹脂成形部８５が存在しないので表面が露出している。この露出した素子配置部８６ａの上に、サブマウント８３を介在して半導体レーザ素子８４が配置固定される。その後、半導体レーザ素子８４と主フレーム８６の間、及び、サブマウント８３と副フレーム８７、８８の間がワイヤー（不図示）により接続される。

サブマウント８３はＳｉを母材とした受光素子から成っている。これにより、半導体レーザ素子８４の後面の出射光をモニタすることができる。Ｓｉ以外にも例えばＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｃｕなどの熱伝導性の優れたセラミックや金属材料等を用いることができる。また、サブマウント８３は、Ｐｂ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｂｉ等の半田材やＡｇペースト等を用いて素子配置部８６ａに固定される。半導体レーザ素子８４は、Ａｕ−Ｓｎ、Ｐｂ−Ｓｎ等の半田材やＡｇペースト等を用いてサブマウント８３の所定の位置に固定される。

上記構成のフレームパッケージを用いた半導体レーザ装置８０は、半導体レーザ素子８４の表面が開放されるため放熱特性が向上する。また、フレーム８２の裏面が樹脂成形部８５から露出しないため樹脂成形部８５を厚く形成することができ、半導体レーザ装置８０の強度が向上する。更に、半導体レーザ装置８０の底面の平坦性がよく支持平面が広くなるため、取付安定性が向上する。
特開平１１−３０７８７１号公報特開２００２−４３６７９号公報（段落［００１０］〜［００２２］、図１、図２、図４）

光ピックアップ等の光学装置に用いられる半導体レーザ装置８０には半導体レーザ素子８４の前方に回折格子等の光学部品が取り付けられる。これらの光学部品はレーザ光の光軸に対して精度よく取り付ける必要がある。近年、光ピックアップの小型化や低価格化が進んでおり、簡単に精度よくこれらの光学部品を取り付けるための取り付け基準を半導体レーザ装置８０に設けることが要求されている。

一般に、フレームパッケージを用いた半導体レーザ装置は、金属製の薄い平板を任意の形状に打ち抜いて半導体レーザ素子のマウント部分（素子配置部８６ａ）及びリード部分（リード部８６ｂ、副フレーム８７、８８）から成るフレーム８２が得られる。そして、マウント部分及びリード部分を保持し、かつ半導体レーザ素子８４を保護するために樹脂によりインサート成形される。また、半導体レーザ素子８４は、レーザ光がフレーム８２に平行な方向に出射するように取り付けられる。

半導体レーザ装置８０の樹脂成形部８５を基準にして光学部品を取り付けた場合は、樹脂が温度的な寸法安定性に欠けるため正確な基準を取りにくくなる。また、フレーム８２を基準にして光学部品を取り付けた場合は、フレーム８２が薄い平板から成るため正確な基準をとりにくくなる。

上記特許文献２に開示された半導体レーザ装置８０によると、フレーム８２の裏面全体が樹脂成形部８５で被覆されている。このため、光学部品を取り付けるための基準が樹脂成形部８５からとる必要があり、正確な基準を取りにくくなる問題がある。また、半導体レーザ装置８０が比較的大型となる問題があった。

また、半導体レーザ装置８０の小型化のために、例えば、前部の樹脂成形部８５を除くことが考えられる。樹脂成形部８５をインサート成形する際に、樹脂成形部８５の注入部となるゲート部は通常、サブマウント８３に対向した素子配置部８６ａの裏面に設けられる。

しかしながら、前部の樹脂成形部８５を除くと、成形用樹脂の注入ゲートがリード部８６ｂ上に配置される。この時、通常、リード部８６ｂは機械的に保持されていないため、樹脂注入の際にその圧力によりねじれを生じる。これにより、ボンディングワイヤーの自動化配線の際に支障をきたすという新たな問題が生じる。

本発明は、上述のようなフレームパッケージを用いた半導体レーザ装置の問題点を解決したものであり、放熱性が良好でセッティングの安定性が高く、小型化を図ることができるとともに光学部品の取り付けのための正確な基準面をとることができる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明は、半導体レーザ素子と、表面に前記半導体レーザ素子が配置されるフレームと、前記フレームの表面と裏面とを覆う樹脂成形部とを備えた半導体レーザ装置において、
前記フレームの表面側は、前記樹脂成形部により前記半導体レーザ素子の周囲が囲まれるとともに前記樹脂成形部の前方を開放したレーザ出射窓を有し、
前記フレームの裏面側は、前方を開放した前記樹脂成形部により周囲を囲まれて前記フレームが露出する露出部を有し、前記露出部は、前記レーザ素子が配置される１つのフレームの範囲に形成されていることを特徴としている。

また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記フレームの裏面側に設けられる前記樹脂成形部は、前記露出部の両側部が前記半導体レーザ素子の光軸と平行になっていることを特徴としている。

また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記フレームの裏面側に設けられる前記樹脂成形部をコ字状に形成したことを特徴としている。

また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記フレームの前端が前記樹脂成形部よりも突出することを特徴としている。

また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記フレームは、前記半導体レーザ素子を配置する素子配置部と、前記素子配置部と一体に形成されるとともにワイヤー接続して電流通路となるリード部と、前記素子配置部と前記リード部との間に設けられるとともに前記素子配置部から前記リード部に向かって漸次幅が小さくなったテーパ部とを有することを特徴としている。

また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記テーパ部上から成形用樹脂を注入して前記樹脂成形部を形成したことを特徴としている。

また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記フレームは、前記半導体レーザ素子を配置する素子配置部と、前記素子配置部と一体に形成されるとともにワイヤー接続して電流通路となるリード部とを有し、前記リード部の幅を０．４ｍｍ以上にしたことを特徴としている。

また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記フレームは、前記半導体レーザ素子を配置する素子配置部と、前記素子配置部と一体に形成されるとともにワイヤー接続して電流通路となるリード部と、前記リード部の両側に並設して前記樹脂成形部により前記リード部と一体化されるとともにワイヤー接続して電流通路となる副フレームとを有し、前記副フレームよりも前記リード部の幅を広くしたことを特徴としている。

また本発明は、上記構成の半導体レーザ装置において、前記リード部上から成形用樹脂を注入して前記樹脂成形部を形成したことを特徴としている。

本発明によると、フレームの表面側は、樹脂成形部により半導体レーザ素子の周囲が囲まれるため半導体レーザ素子の上面が開放され、良好な放熱性が得られる。また、フレームの裏面側は、前方を開放した樹脂成形部により周囲を囲まれてフレームが露出する露出部を有するので、半導体レーザ装置の小型化を図るとともに、露出部を光学部品を取り付けるための正確な基準面とすることができる。

また本発明によると、樹脂成形部は、露出部の両側部が半導体レーザ素子の光軸と平行になっているので、光学部品を露出部に接して樹脂成形部に嵌め込んで容易に取り付けることができる。

また本発明によると、フレームの裏面側に設けられる樹脂成形部をコ字状に形成したので、光学部品の取付けの基準面となる露出部を容易に形成することができるとともに、薄い平板から成るフレームの強度を補強してより正確な基準をとることができる。

また本発明によると、フレームの前端が樹脂成形部よりも突出するので、光学部品の前後の基準をフレームの前端でとることができる。

また本発明によると、素子配置部からリード部に向かって漸次幅が小さくなったテーパ部を設けたので、素子配置部からリード部との間の強度が向上し、樹脂の注入をテーパ部上で行ったとしても樹脂注入時の圧力によるリード部の捻れを防止することができる。

また本発明によると、リード部の幅を０．４ｍｍ以上にしたので、リード部の強度が向上し、樹脂の注入をリード部上で行ったとしても樹脂注入時の圧力によるリード部の捻れを防止することができる。

また本発明によると、リード部の両側に並設される副フレームよりもリード部の幅を広くしたので、リード部の強度が向上し、樹脂の注入をリード部上で行ったとしても樹脂注入時の圧力によるリード部の捻れを防止することができる。

本発明の実施形態の半導体レーザ装置を示す斜視図本発明の実施形態の半導体レーザ装置を示す正面図本発明の実施形態の半導体レーザ装置を示す背面図図２のＸ−Ｘ’線に沿った断面図本発明の実施形態の半導体レーザ装置に光学部材を取り付けた状態を示す断面図従来の半導体レーザ装置を示す斜視図従来の半導体レーザ装置を示す正面図図７のＸ−Ｘ’線に沿った断面図

符号の説明

１０、８０半導体レーザ装置
１２、８２フレーム
１３、８３サブマウント
１４、８４半導体レーザ素子
１５、８５樹脂成形部
１５ｂ、１５ｄ、８５ｂ枠部
１６、８６主フレーム
１６ａ、８６ａ素子配置部
１６ｂ、８６ｂリード部
１６ｅ露出部
１７、１８、８７、８８副フレーム
１９〜２１ワイヤー
２２テーパ部
２３ゲートマーク
２５光学部品取付補助材
２６光学部品

以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は本発明の技術思想を具体化するための半導体レーザ装置を例示するものである。従って、本発明をこの実施形態の半導体レーザ装置に特定することを意図するものではなく、請求範囲に記載された技術的範囲に含まれるものに等しく適用し得るものである。

図１〜図３は一実施形態の半導体レーザ装置の斜視図、正面図及び背面図である。また、図４は図２のＸ−Ｘ’線に沿った断面図である。半導体レーザ装置１０はフレーム１２の上面にサブマウント１３が配置固定される。サブマウント１３の上面には半導体レーザ素子１４が配置固定される。

フレーム１２は、銅、鉄、またはそれらの合金等の熱伝導性及び導電性が良い金属から成り、薄い板状に形成されている。また、フレーム１２は半導体レーザ素子１４を搭載する主フレーム１６と主フレーム１６とは独立した配線用の副フレーム１７、１８とから成っている。主フレーム１６及び副フレーム１７、１８を絶縁性の樹脂成形部１５により一体化してフレームパッケージが構成されている。

主フレーム１６は、素子配置部１６ａと、リード部１６ｂと、翼部１６ｃ、１６ｄとを有している。素子配置部１６ａにはサブマウント１３が搭載される。リード部１６ｂは電流通路となる。翼部１６ｃ、１６ｄは放熱及び位置決めのために左右に突出して設けられる。

リード部１６ｂ及び副フレーム１７、１８は薄肉に形成されているため、フレーム１２をプレス加工によって打ち抜いて形成する際に微細加工を容易に行なうことができる。従って、リード部１６ｂ及び副フレーム１７、１８の間隔を狭く保って半導体レーザ装置１０の小型化を図ることができる。

樹脂成形部１５はフレーム１２の表側と裏側の面を挟むように、例えば、インサート成形して形成される。樹脂成形部１５の表側はレーザ光が出射されるレーザ出射窓１５ａを備え、前方が開放されたＵ字状の枠部１５ｂが形成される。枠部１５ｂの前部の幅は後部の幅に比べて狭くなっており、前部の両側部は半導体レーザ素子１４の光軸方向に対して平行に伸びている。

樹脂成形部１５の裏側は、サブマウント１３に対向する主フレーム１６の裏面を露出した露出部１６ｅの周囲をコ字状に囲む枠部１５ｄが形成される。枠部１５ｄの前部に設けられる開放端１５ｃ側の幅は後部の幅に比べて狭くなっており、前部の両側部は半導体レーザ素子１４の光軸方向に対して平行に伸びている。これにより、樹脂成形部１５の裏側は表側の枠部１５ｂの外形と略同一の外形形状を成している。尚、主フレーム１６の前端が枠部１５ｂ、１５ｄから突出するように樹脂形成部１５が形成されている。

枠部１５ｂによって囲まれた主フレーム１６の素子配置部１６ａ及び副フレーム１７、１８は樹脂成形部１５が存在しないので表面が露出している。この露出した素子配置部１６ａの上にサブマウント１３を介在して半導体レーザ素子１４が配置固定される。その後、半導体レーザ素子１４とリード部１６ｂとの間がワイヤー１９により接続される。また、サブマウント１３と副フレーム１７、１８の間がワイヤー２０、２１により接続される。

サブマウント１３は、Ｓｉを母材とした受光素子とすることで半導体レーザ素子１４の後面の出射光をモニタすることができる。Ｓｉ以外にも例えばＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｃｕなどの熱伝導性の優れたセラミックや金属材料等を用いることができる。サブマウント１３は、Ｐｂ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｂｉ等の半田材やＡｇペースト等を用いてフレーム１２に固定される。

半導体レーザ素子１４としては、通常、１ビーム半導体レーザ素子が使用されるが、２ビーム半導体レーザ素子を用いることもできる。この場合、２ビーム半導体レーザ素子が光検出器を備えている場合は、４端子型のフレーム１２を使用する必要がある。２ビーム半導体レーザ素子が光検出器を備えていない場合は、３端子型のフレーム１２を使用することができる。なお、半導体レーザ素子１４はＡｕ−Ｓｎ、Ｐｂ−Ｓｎ等の半田材やＡｇペースト等を用いてサブマウント１３の所定の位置に固定される。

通常、フレームマウントを使用した半導体レーザ装置は、素子配置部１６ａの裏側に成形樹脂注入装置の注入ゲート（不図示）が配置される。そして、注入ゲートから樹脂を注入して素子配置部１６ａの裏側全体が樹脂モールドされている。しかしながら、本実施形態の半導体レーザ装置１０は、サブマウント１３の裏側に対応する露出部１６ｅには樹脂が設けられない。このため、成形樹脂注入装置の注入ゲートは主フレーム１６のリード部１６ｂ上の位置に配置される。

通常、リード部１６ｂは機械的に保持されていないために樹脂注入の際にその圧力によりねじれを生じ、ボンディングワイヤーの自動化配線の際に支障を来す。このため、主フレーム１６の素子配置部１６ａからリード部１６ｂへと向かって漸次幅が小さくなったテーパ部２２を設けている。また、リード部１６ｂの幅を０．４ｍｍ以上にして、副フレーム１７、１８の幅よりも広くしている。

これらの構成によって、テーパ部２２及びリード部１６ｂの強度が増大する。このため、樹脂注入装置の注入ゲートをテーパ部２２やリード部１６ｂ上に配置して樹脂注入の際の圧力を受けてもリード部１６ｂの捻れや変形を生じることがなくなる。尚、テーパ部２２を設けること及びリード部１６ｂの幅を広くすることのいずれか一方の構成によってもリード部１６ｂの捻れや変形を防止できる。

また、このように製造された本実施形態の半導体レーザ装置１０は、テーパ部２２またはリード部１６ｂに対応する位置の樹脂成形部１５に注入ゲートに対応する跡、いわゆるゲートマーク２３が残る。これにより、従来の半導体レーザ装置と区別できる。

尚、リード部１６ｂの幅が０．４ｍｍ未満であると強度が弱くなるため、樹脂注入時の圧力によってフレーム１２に捻れが生じる場合がある。その結果、半導体レーザ素子１４のワイヤー配線をする際に支障を起こすので好ましくはない。リード部１６ｂの幅の上限値は、当業者が必要とされる半導体レーザ装置の大きさに応じて適宜決定すればよい。本実施形態のように小型化された半導体レーザ装置１０の場合には、リード部１６ｂの幅が約１ｍｍ以下の範囲で使用される。

図５は本実施形態の半導体レーザ装置１０に光学部品を取り付けた状態を示す側面断面図である。半導体レーザ装置１０に光学部品２６を取り付けるには、まず、偏平な直方体形状の光学部品取付補助材２５が半導体レーザ装置１０に固定される。光学部品取付補助材２５は、サブマウント１３に対応した主フレーム１６の裏面に設けられた露出部１６ｅ及び裏側の枠部１５ｄの開放端１５ｃ側に設けられる両側部の内縁に当接して位置決めされる。

そして、樹脂成形部１５から突出した主フレーム１６の前端に当接するように所望の光学部品２６が光学部品取付補助材２５の上面に載置される。これにより、光学部品２６を主フレーム１６の前端に当接した状態で左右に移動させるだけで、光学部品２６の光軸をレーザ光の光軸に合わせることができる。

本実施形態によると、樹脂成形部１５の裏側の枠部１５ｄは前方に開放端１５ｃを有して前方両側部が半導体レーザ素子１４の光軸方向に平行に伸びたコ字型に形成されるので、光学部品取付補助材２５は枠部１５ｄの開放端１５ｃ側の内縁に当接して前後方向及び左右方向が位置決めされる。また、光学部品取付補助材２５は主フレーム１６の裏面の露出部１６ｅに当接して上下方向（フレーム１２の表面に垂直な方向）が位置決めされる。

光学部品取付補助材２５上に配される光学部品２６は、光学部品取付補助材２５に当接して上下方向が位置決めされ、樹脂成形部１５から突出した主フレーム１６の前端に当接して前後方向が位置決めされる。そして、光学部品２６は光学部品取付補助材２５上を主フレーム１６に沿って左右方向に移動して位置調整され、レーザ光の光軸上に配置される。

これにより、光学部品２６の上下方向及び前後方向は平坦性の高いフレーム１２を基準に取り付けられる。また、裏面のコ字型の枠部１５ｄによりフレーム１２の裏面の両側部は前部まで樹脂成形部１５で覆われ、薄い平板から成るフレーム１２の強度を補強して正確な基準をとることができる。従って、光学部品２６を精度良く位置決めすることができる。尚、光学部品取付補助材２５の前後方向及び左右方向は概略の位置決めでよいため、温度的な寸法安定性に欠ける樹脂成形部１５を基準にしても問題はない。

また、露出部１６ｅを設けることにより樹脂成形部１５を小型にして半導体レーザ装置１０の小型化を図ることができる。更に、光学部品取付補助材２５は枠部１５ｄに嵌め込まれて露出部１６ｅに当接するため、光学部品２５を取り付けた状態の半導体レーザ装置１０を小型化して光ピックアップ等の光学装置の小型化を図ることができる。

本発明によると、光ピックアップ等の光学装置に搭載されるフレームパッケージを用いた半導体レーザ装置に利用することができる。

Claims

半導体レーザ素子と、表面に前記半導体レーザ素子が配置されるフレームと、前記フレームの表面と裏面とを覆う樹脂成形部とを備えた半導体レーザ装置において、
前記フレームの表面側は、前記樹脂成形部により前記半導体レーザ素子の周囲が囲まれるとともに前記樹脂成形部の前方を開放したレーザ出射窓を有し、
前記フレームの裏面側は、前方を開放した前記樹脂成形部により周囲を囲まれて前記フレームが露出する露出部を有し、前記露出部は、前記レーザ素子が配置される１つのフレームの範囲に形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
前記フレームの裏面側に設けられる前記樹脂成形部は、前記露出部の両側部が前記半導体レーザ素子の光軸と平行になっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
前記フレームの裏面側に設けられる前記樹脂成形部をコ字状に形成したことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
前記フレームの前端が前記樹脂成形部よりも突出することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
前記フレームは、前記半導体レーザ素子を配置する素子配置部と、前記素子配置部と一体に形成されるとともにワイヤー接続して電流通路となるリード部と、前記素子配置部と前記リード部との間に設けられるとともに前記素子配置部から前記リード部に向かって漸次幅が小さくなったテーパ部とを有することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
前記テーパ部上から成形用樹脂を注入して前記樹脂成形部を形成したことを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ装置。
前記フレームは、前記半導体レーザ素子を配置する素子配置部と、前記素子配置部と一体に形成されるとともにワイヤー接続して電流通路となるリード部とを有し、前記リード部の幅を０．４ｍｍ以上にしたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
前記リード部上から成形用樹脂を注入して前記樹脂成形部を形成したことを特徴とする請求項７に記載の半導体レーザ装置。
前記フレームは、前記半導体レーザ素子を配置する素子配置部と、前記素子配置部と一体に形成されるとともにワイヤー接続して電流通路となるリード部と、前記リード部の両側に並設して前記樹脂成形部により前記リード部と一体化されるとともにワイヤー接続して電流通路となる副フレームとを有し、前記副フレームよりも前記リード部の幅を広くしたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
前記リード部上から成形用樹脂を注入して前記樹脂成形部を形成したことを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザ装置。