JP2010123886A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】データの書き込み及び読み込みを行う装置の小型化および光軸の調整を容易にする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基台３と、基台３の下面上に設置された第１の金属台９ａと、第１の金属台９ａの下面上に設置された第１の発光素子１と、基台３の上面上に設置され、第１の発光素子１と異なる波長の光を出力する第２の発光素子２とを備える。第１の発光素子１の光の出射方向に対して第２の発光素子２の光の出射方向が俯角方向となり、且つ基台３の上方から見て第１の発光素子１の光の出射方向と第２の発光素子２の光の出射方向とが一致するように第１の発光素子１及び前記第２の発光素子２が設置されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置、特に複数の波長の発光レーザを用いて、例えばＣＤ（Compact Disc）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＢＤ（Blu-ray Disc）等のメディアから情報を読み取る、またはそのメディアに情報を書き込むための半導体装置およびその製造方法に関するものである。

従来の半導体装置を用いた光ピックアップの構造は、次のようになっていた。

すなわち、ＣＤ、ＤＶＤ用の第１の発光素子から出射される第１の光線は、まず、第１のリレーレンズを通過させ、次に収差補正レンズを通過させ、その後第１の対物レンズを通過させてメディアのトラックに結像させる構成となっていた。また、ＢＤ用の第２の発光素子からの第２の光線は、まず、第２のリレーレンズを通過させ、次に収差補正レンズを通過させ、その後第２の対物レンズを通過させてメディアのトラックに結像させる構成となっていた。

なお、これに類似する技術を記載した先行文献としては、例えば特許文献１がある。また、複数の発光素子を一つの半導体装置に収納する発明としては特許文献２がある。
特開２００６−１２０２８３号公報 特開２００７−３１１６８０号公報

特許文献２に記載の半導体装置において、第１の発光素子からは、ＣＤ用として波長が７８０ｎｍの光と、ＤＶＤ用として波長が６５０ｎｍの光とを出射させるようになっている。また、第２の発光素子からは、ＢＤ用として波長が４０５ｎｍの光を出射させるようになっている。ＣＤ用の光よりはＤＶＤ用の光の方が、またＤＶＤ用の光よりはＢＤ用の光の方が、その波長が短くなるようにし、これによってＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤ各メディアのトラックにおける結像を小さくし、記録密度を高めるようにしている。

しかしながら、上記従来の半導体装置では、光ピックアップの小型化が十分に図れない場合があった。ＢＤ用の第２の発光素子から出射される光は波長が短いだけでなく、出射直後の径も小さため、この光線を第２のリレーレンズを通過させた場合、第２のリレーレンズにおける調整作用が有効に作用せず、結局はＢＤのメディアへの書き込み、読み出しが安定的に行えなくなる。

従来の半導体装置において、ＢＤ用の光は、ＢＤ専用の第２のリレーレンズを通過させる構成としていたので、結局は、第１及び第２のリレーレンズが必要で、これが光ピックアップ等の小型化の障害となっていた。

本発明は、データの書き込み及び読み込みを行う装置の小型化および光軸の調整を容易にする半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の一例である半導体装置は、基台と、前記基台の下面上に設置された第１の金属台と、前記第１の金属台の下面上に設置された第１の発光素子と、前記基台の上面上に設置され、第１の発光素子と異なる波長の光を出力する第２の発光素子とを備え、前記第１の発光素子の光の出射方向に対して前記第２の発光素子の光の出射方向が俯角方向となり、且つ前記基台の上方から見て前記第１の発光素子の光の出射方向と前記第２の発光素子の光の出射方向とが一致するように前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子が設置されている。

この構成により、互いに波長の異なる光を出力する第１の発光素子と第２の発光素子からの出射光の光軸調整が容易となり、光軸合わせ等に用いられる部材の点数を従来の半導体装置よりも少なくできるので、例えば光ピックアップ等の小型化に貢献しうる。

前記基台の下面上に設置され、平面的に見て、前記第１の金属台及び前記第１の発光素子を、前記第１の発光素子の光の出射方向を除いて囲む第１の枠体と、前記第１の発光素子、前記第２の発光素子、前記第１の金属台、及び前記第２の金属台のうちいずれかに電気的に接続された複数のリードと、前記基台の上面上に設けられ、前記第２の発光素子と、前記第２の金属台と、前記複数のリードの各々の一部とを気密封止する透光性樹脂とをさらに備えていれば、第１の枠体により第１の発光素子の物理的な損傷の防止が図られる。また、透光性樹脂により気密封止されることで第２の発光素子が劣化しやすい材料で構成されている場合でも、劣化を防ぎ、光の出力を安定化することができる。特に、第１の枠体と透光性樹脂とが同じ材料で構成されている場合、両者を同時に成型することができるので、製造工程数の削減を図ることができる。

また、前記基台の上面上に設置され、平面的に見て、前記第２の金属台及び前記第２の発光素子を、前記第２の発光素子の光の出射方向を除いて囲む第２の枠体をさらに備え、前記透光性樹脂は前記第２の枠体の内側に設けられていれば、第１の枠体及び第２の枠体により第１の発光素子及び第２の発光素子等の物理的な損傷の防止が図られる。また、透光性樹脂により気密封止されることで第２の発光素子が劣化しやすい材料で構成されている場合でも、劣化を防ぎ、光の出力を安定化することができる。

前記基台の上面には、傾斜した底面を有する第１の凹部が形成されており、前記第２の金属台は前記第１の凹部上に設置されていてもよい。

前記基台の下面には、傾斜した底面を有する第２の凹部が形成されており、前記第１の金属台は前記第２の凹部上に設置されていてもよい。

前記基台の上面または下面の全体、あるいは上面及び下面の全体が、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子の光の出射方向に向かって厚みが薄くなるように傾斜していてもよい。

前記第１の金属台の下面は、前記第１の発光素子の光の出射方向に向かって前記第１の金属台の厚みが薄くなるように傾斜していてもよい。

前記第２の金属台の上面は、前記第２の発光素子の光の出射方向に向かって前記第２の金属台の厚みが薄くなるように傾斜していてもよい。

前記第２の金属台の幅は、前記第２の金属台の厚みが薄くなるに従って広くなっていてもよい。

前記第１の発光素子の上面は、前記第１の発光素子の光の出射方向に向かって前記第１の発光素子の厚みが薄くなるように傾斜していてもよい。

前記第２の発光素子の上面は、前記第２の発光素子の光の出射方向に向かって前記第２の発光素子の厚みが薄くなるように傾斜していてもよい。

前記第１の発光素子の長手方向の長さは前記第２の発光素子の長手方向の長さよりも長く、平面的に見て、前記第１の発光素子の光の出射面側端部は前記第１の金属台からはみ出していてもよい。

互いに対向する第１の面及び第２の面を有し、前記第１の面上に前記基台が設置された受け台と、前記基台、前記第１の金属台、前記第２の金属台、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子を覆い、前記受け台の前記第１の面上に設けられ、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子から見て光の出射方向に開口部が形成された金属キャップとをさらに備え、前記基台は、側面が前記受け台の前記第１の面に対向するように設置されていてもよい。

前記第２の発光素子は前記第１の発光素子よりも波長の短い光を出射し、前記第２の発光素子の出射光の進行方向を基準として、前記第２の発光素子の光の出射面は、前記第１の発光素子の光の出射面よりも後方に位置していれば、第２の発光素子の出射光の径が第１の発光素子の径より小さい場合であってもリレーレンズ等による光軸の調整を容易にできる。

前記第１の発光素子は、互いに異なる２つの波長の光から一方ずつを選択的に出射してもよい。

前記第１の発光素子はＣＤ用のレーザ光及びＤＶＤ用のレーザ光から一方ずつを選択的に出射し、前記第２の発光素子はＢＤ用のレーザ光を出射してもよい。

本発明の一例である半導体装置の製造方法は、基台の下面上に第１の金属台を介して第１の発光素子を設置する工程（ａ）と、前記基台の上面上に第２の金属台を介して前記第１の発光素子とは異なる波長の光を出射する第２の発光素子を設置する工程（ｂ）と、
前記基台の上面上に、前記第２の金属台及び前記第２の発光素子を気密封止する透光性樹脂を形成する工程（ｃ）とを備え、前記工程（ａ）及び（ｂ）で設置された前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子は、前記第１の発光素子の光の出射方向に対して前記第２の発光素子の光の出射方向が俯角方向となり、且つ前記基台の上方から見て前記第１の発光素子の光の出射方向と前記第２の発光素子の光の出射方向とが一致するように配置されている。

この方法によれば、例えば光ピックアップ装置に用いた場合に第１の発光素子の出射光及び第２の発光素子の出射光の光軸調整を容易にすることができる半導体装置を製造することができる。また、第２の発光素子が工程（ｃ）で気密封止されることで、第２の発光素子が製造工程中、あるいは製造後に劣化するのを効果的に防ぐことが可能となる。

前記工程（ａ）及び（ｂ）の前に、前記基台の下面上には、一部分が開口し、Ｃ字状の平面形状を有する第１の枠体を形成し、前記基台の上面上には、平面的に見て前記第１の枠体と開口の位置が重なるよう揃えられ、Ｃ字状の平面形状を有する第２の枠体を形成する工程（ｄ）をさらに備え、前記工程（ｃ）では、前記透光性樹脂を前記第２の枠体の内側に充填してもよい。

前記工程（ｂ）の後に前記工程（ａ）を行い、前記工程（ｃ）を前記工程（ａ）の前に行い、前記工程（ｃ）では、金型を用いて、前記基台の上面上に前記透光性樹脂を形成すると同時に、前記基台の下面上に一部分が開口し、前記透光性樹脂と同一材料で構成され、Ｃ字状の平面形状を有する第１の枠体を形成する場合、第１の発光素子の保護と第２の発光素子の劣化の防止を少ない工程数で実現できる。

前記工程（ａ）及び（ｂ）で用いられる前記基台の上面または下面の少なくとも一部には、前記第１の発光素子または前記第２の発光素子の光の出射方向に向かって前記基台の厚みが薄くなるように傾斜がつけられていてもよい。

前記（ａ）及び（ｂ）で用いられる前記基台の上面または下面には、傾斜した底面を有する凹部が形成されていてもよい。

本発明によれば、第１の発光素子の光の出射方向に対して第２の発光素子の光の出射方向が俯角方向となり、且つ基台の上方から見て第１の発光素子の光の出射方向と第２の発光素子の光の出射方向とが一致するように第１の発光素子及び第２の発光素子が設置されることで、互いに異なる波長の光を出力する第１の発光素子と第２の発光素子の光軸調整を容易にできるようになる。

以下本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。

（第１の実施形態）
−第１の実施形態に係る半導体装置の構成−
図１（ａ）は、ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤの各メディアへの書き込み、読み込みに対応し、３波長の光線を出射できる第１の実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す半導体装置の、第２の発光素子側から見た平面図（右上）、前方から見た側面図（左上）、及び発光素子を通り、出射されるレーザ光に平行な断面における断面図（右下）である。図１（ｂ）の下図において、第１の発光素子１の側方及び下方を囲む線は断面より手前又は奥にある第１の枠体４ａを示している。なお、以下の説明で各部材の「上面」、「下面」と表現する場合の上下の基準は、図１（ｂ）の下図に示すように、基台３から第２の発光素子２を見る方向を上方向とするものとする。

図１（ａ）、（ｂ）に示す半導体装置は、互いに対向する第１の面（下面）と第２の面（上面）を有する基台３と、基台３の下面上に設置された第１の金属台９ａと、第１の金属台９ａの下面上に設置された第１の発光素子１と、基台３の下面上に設置された第１の枠体４ａと、基台３の上面上に設置された第２の金属台９ｂと、第２の金属台９ｂの上面上に設置された第２の発光素子２と、基台３の上面上に設置された第２の枠体４ｂと、グランドリード６及びリード７を含むリード群５とを備えている。第１の発光素子１は例えばＣＤ用のレーザ光及びＤＶＤ用のレーザ光の一方を選択的に出力でき、第２の発光素子２はＢＤ用のレーザ光を出力する。一例として、ＣＤ用のレーザ光の波長は７８０ｎｍ、ＤＶＤ用のレーザ光の波長が６５０ｎｍ、ＢＤ用のレーザ光の波長は４０５ｎｍである。第１の発光素子１と第２の発光素子２のレーザ光の出射方向はほぼ揃えられており、各レーザ光の光軸は平面的に見て一致するよう配置されている。第１の発光素子１と第２の発光素子２の配置については後に詳述する。

第１の枠体４ａは、平面的に見て（基台３の第１の面の下方から見て）第１の金属台９ａ及び第１の発光素子１を、第１の発光素子１のレーザ光の出射方向を除いて囲んでおり、片仮名の「コ」の字、あるいは「Ｃ」の字に類似した平面形状を有している。言い換えれば、第１の枠体４ａの平面形状は、第１の発光素子１のレーザ光の出射方向を含む一辺が開口した略四辺形となっている。第２の枠体４ｂは、平面的に見て（基台３の第２の面の上方から見て）第２の金属台９ｂ及び第２の発光素子２を、第２の発光素子２の出射方向を除いて囲んでおり、第１の枠体４ａと同様に略「コ」の字状、あるいは略「Ｃ］字状の平面形状を有している。言い換えれば、第２の枠体４ｂの平面形状は、第２の発光素子２のレーザ光の出射方向を含む一辺が開口した略四辺形となっている。これらの第１の枠体４ａ及び第２の枠体４ｂは、基台３に搭載された後の製造工程において第１の発光素子１と第２の発光素子２が物理的に損傷するのを防いでいる。これらの枠体は、例えば透光性樹脂などで構成されていてもよいが、不透明な樹脂等で構成されていてもよい。

基台３から見て第１の枠体４ａ、第２の枠体４ｂの開口している側の反対側には、第１の金属台９ａ及び第２の金属台９ｂに電気的に接続された上述のグランドリード６と、互いに電気的に分離、独立した複数のリード７とが設けられている。これらのリード群５は、基台３の後方、すなわち第１の発光素子１及び第２の発光素子２のレーザ光の出射方向の反対方向に引き出されている。また、第１の枠体４ａの内側において、グランドリード６及びリード７には金属細線８の一端が接続され、第１の発光素子１には金属細線８の他端が接続される。第２の枠体４ｂの内側において、グランドリード６及びリード７には金属細線８の一端が接続され、第２の発光素子２には金属細線８の他端が接続される。また、グランドリード６は、金属細線８を介して第１の金属台９ａまたは第２の金属台９ｂの空いた面に接続され、接地される。

さらに、図１に示す半導体装置では、第２の金属台９ｂ、第２の発光素子２、及び第２の発光素子２に接続された金属細線８は基台３の上面上であって第２の枠体４ｂの内側に設けられた透光性樹脂１４により気密封止されている。第１の発光素子１に比べて短い波長の光を出力する第２の発光素子２は、第１の発光素子１よりも劣化を起こしやすい。この劣化は、発光素子自身の光出力の影響で、酸化物や有機物が出射端面に付着すること等による。この構成によれば、第２の発光素子２が透光性樹脂１４により気密封止されているため容易に劣化せず、結果として信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。また、光ピックアップ等の小型化が可能となる。

なお、図１の例では第１の発光素子１は透光性樹脂で封止されていないが、ＢＤ用の第２の発光素子２と同様に気密封止されていてもよい。

次に、発光素子の搭載部分を詳細に説明する。

図１（ｂ）に示すように、本半導体装置は、第１の発光素子１の光の出射方向に対して第２の発光素子２の光の出射方向が俯角方向となり、且つ基台３の上方から見て第１の発光素子１の光の出射方向と第２の発光素子２の光の出射方向とが一致するように第１の発光素子１及び第２の発光素子２が設置されていることを特徴とする。ここでは、基台３の上面を基準としたとき、第２の発光素子２の光の出射方向は俯角方向となっている。より具体的には、基台３の上面に対して俯角を付けた底面を有する凹部が形成され、この凹部上に板状の第２の金属台９ｂが設置され、第２の金属台９ｂ上に略板状の第２の発光素子２が搭載されている。

これに対し、第１の発光素子１の主面は基台３の下面にほぼ平行となっており、第１の発光素子１の出射光の進行方向は基台３の下面にほぼ平行になっている。また、上述のように第１の発光素子１の出射光の進行方向と第２の発光素子２の出射光の進行方向とは、基台３の上方から見た場合、一致している。ここで、第１の発光素子１はＣＤ用のレーザ光とＤＶＤ用のレーザ光のいずれかを選択して出力するが、この２つのレーザ光の進行方向は略一致しているので、基台３の上方から見て両レーザ光の進行方向は共に第２の発光素子２の出射光の進行方向とほぼ一致する。

この構成によれば、第１の発光素子１の出射光と第２の発光素子２の出射光とをほぼ一点で交差させることができる。このため、第１の発光素子１の出射光と第２の発光素子２の出射光を共通のリレーレンズ（図示せず）を用いてディスク等のメディアに導くことができるので、従来の半導体装置に比べて各波長の光の光軸の調整を容易にし、光ピックアップ等を小型化することが可能となる。

なお、図１に示す例では、第２の発光素子２の光の出射方向が基台３の上面（及び第１の発光素子１のレーザ光の出射方向）に対して俯角方向となるように、第２の発光素子２を傾けている。これは、第２の発光素子２の方が第１の発光素子１に比べて長手方向の長さが小さく、第１の発光素子１を傾ける場合に比べて傾斜加工及び傾斜角の形成をしやすいためである。ただし、第１の発光素子１の光の出射方向と第２の発光素子２の光の出射方向とがほぼ一点で交わるように光軸を合わせることができれば第１の発光素子１を傾けても図１の構成と同様に光ピックアップ等を小型化し、光軸の調整を容易にすることができる。

なお、第１の発光素子１の光の出射方向と第２の発光素子２の光の出射方向とが成す角度（図１（ｂ）に示す俯角）１０の好ましい範囲は、基台３の厚み、第１の金属台９ａ及び第２の金属台９ｂの厚み、第１の発光素子１及び第２の発光素子２の厚み、発光素子の位置などで変化するが、概ね２°以上２０°以下程度である。例えば、基台３の厚みを０．４ｍｍ、第１の金属台９ａ及び第２の金属台９ｂの厚みを０．２ｍｍ、第１の発光素子１及び第２の発光素子２の厚みを０．１ｍｍとした場合、角度１０の好ましい範囲は４°以上６°以下程度である。

また、図１（ａ）、（ｂ）に示す半導体装置では第１の発光素子１及び第２の発光素子２として端面発光レーザを用いたが、面発光レーザの場合、発光面を発光側（枠体が開口する側）に向けるように金属台に載置することで、同様の効果を得ることが可能である。

また、図１（ａ）、（ｂ）に示す半導体装置では、第２の発光素子２のみを基台３に対して傾斜させて配置しているが、第１の発光素子１もさらに基台３に対して傾斜させることで、第１の発光素子１の出射光と第２の発光素子２の出射光がほぼ一点で交わるようにしてもよい。この際には、第１の発光素子１のレーザ光の出射方向に対して第２の発光素子２のレーザ光の出射方向が俯角をとるように各発光素子が設置されることとなる。

次に、発光素子の配置について説明する。

ＢＤ用の第２の発光素子２から出射されるレーザ光の波長は、ＣＤ、ＤＶＤ用に第１の発光素子１から出射される２つのレーザ光の波長よりも短い。このため、レーザ光の出射面が面した方向を正面方向とする場合、半導体装置の側面方向から見て、第２の発光素子２の出射面を、図１（ｂ）に示すように、第１の発光素子１の出射面よりも後方にしてもよい。このように第２の発光素子２を第１の発光素子１よりも後方に置くことで、ＣＤ用やＤＶＤ用のレーザ光に比べてＢＤ用の出射光の径が小さい場合でも、リレーレンズによる光軸の調整を容易にできる。また、基台３上に搭載される第１の発光素子１と第２の発光素子２との相対的な位置を適宜調整することで、出射光の波長に差があっても光学的な調整を精度良く行うことができるようになる。

以上のように、本実施例の半導体装置では、複数の発光素子の光軸を精度良く合わせることができるので、ミラーやプリズムなど、光軸調整のための部品を削減したり、不要にすることもできる。なお、共通の光学レンズを通過した第１の発光素子１及び第２の発光素子２の出射光は、ＣＤ、ＤＶＤ、またはＢＤの各メディアに照射される。メディアからの反射光は光ピックアップ側に戻り、ここで受光素子により受光される。

ＣＤ、ＤＶＤ用の２波長のレーザ光を出射する発光素子は、一般にＢＤ用の第２の発光素子に比較してチップサイズ、特に長手方向の長さが大きい。また、第１の発光素子１は第１の金属台９ａに近い出射面より発光するため、第１の金属台９ａに第１の発光素子１を接着させるためのダイボンド材が出射面に被らないように、第１の発光素子１の出射面側の端部は第１の金属台９ａからはみ出して設置されていてもよい。また、図１に示す半導体装置では、ＢＤ用の第２の発光素子２は、発光素子の発光ポイントが第２の金属台９ｂから遠い側に位置するように設計されているので、ダイボンド材が出射面の一部に被っても出射光が影響を受けにくくなっている。

−第２の発光素子２を傾斜させる構成の具体例−
次に、基台３の上面から見て第２の発光素子２のレーザ光の出射方向が俯角方向となるように第２の発光素子２を配置させる構成の例について説明する。図２〜図５は、それぞれ第２の発光素子２の設置方法の具体例を示す断面図である。これらの図には、理解しやすいように基台３、第１の発光素子１、第２の発光素子２、第１の金属台９ａ、第２の金属台９ｂのみを示す。

まず、図２に示す第１の具体例では、基台３の上面に搭載される第２の金属台９ｂの上面が、基台３の上面を基準として前方が下がる方向に傾斜している。このため、基台３の厚みは第１の発光素子１及び第２の発光素子２の光の出射方向に向かって薄くなっている。従って、図２に示す第２の金属台９ｂの断面は台形となっている。金属台の大きさ（平面面積）は、放熱性を確保するため、発光素子の平面面積より２〜３倍程度大きいことが好ましく、また傾斜した上面を有する第２の金属台９ｂは、第２の発光素子２からの熱放散性を均一にするために、第２の金属台９ｂが薄くなる方に向かって幅が広くなるように設計してもよい（図２の上図参照）。また、第１の発光素子１と第２の発光素子２とは、各金属台にダイスボンド材を用いて、それぞれ固定されている。第１の金属台９ａ及び第２の金属台９ｂは、それぞれ基台３に取付けられ、基台３に密着、あるいは伝熱部材を介して基台３に密着している。このため、第１の発光素子１及び第２の発光素子２で生じた熱は、第１の金属台９ａ及び第２の金属台９ｂを介して基台３に効率良く伝達されるようになっている。

次に、図３に示す第２の具体例では、第２の発光素子２の第２の金属台９ｂへの設置面に傾斜をつけている。第２の金属台９ｂは第１の金属台９ａと同様に平板状となっている。この構成によれば、基台３に傾斜部を形成する必要がなくなる。この場合、第２の発光素子２を個片化する前のウェハの段階で、第２の発光素子２の第２の金属台９ｂへの設置面に傾斜部を形成する。

この傾斜部は、通常の工程によって発光素子を形成した後、第２の金属台９ｂへの設置面に形成する。この加工は、活性層などの発光に必要な部分に傷を付けない限り、反応性イオンエッチング(ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）法を用いた加工や、レーザー加工、ブレードを用いたダイシング加工などであってもよい。ウェハ状態では、複数個の発光素子が行列状に整列しているため、多数の発光素子を一気に加工できるメリットがある。本具体例では、ＢＤ用の第２の発光素子に傾斜をつけているが、第１の発光素子１に傾斜をつけることも可能である。

次に、図４に示す第３の具体例では、図１（ｂ）に示す半導体装置と同様に、基台３の上面側に、底面に傾斜が付けられた凹部が設けられている。この凹部上に平板状の第２の金属台９ｂと第２の発光素子２とを順次設置することで、第２の発光素子２の光の出射方向を俯角方向とすることができる。この凹部は平面的に見て第２の枠体４ｂの内側に設けられていてもよい。あるいは、図５に示す通り、第１の発光素子１及び第２の発光素子２の光の出射方向に向かって基台３の厚みが薄くなるように基台３の上面全体に傾斜を付けてもよい。また、基台３の上面と下面の両方に傾斜を付けてもよいし、基台３の下面のみに傾斜を付けてもよい。

以上のようにして第１の発光素子１及び第２の発光素子２の位置関係や出射光の方向などを調節することで、第１の発光素子１のレーザ光の出射方向と第２の発光素子２のレーザ光の出射方向とを合わせるための部材を共通化、あるいは削減することが可能となり、装置の小型化を図ることができる。

次に、図１に示す半導体装置の製造方法の例について以下説明する。

−図１に示す半導体装置の製造方法−
図６（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の主要工程を示す正面方向から見た断面図（左図）および側方から見た断面図（右図）である。なお、図６（ａ）〜（ｃ）の各右図では枠体の表示を省略している。

まず、図６（ａ）に示す工程では、基台３に連なったグランドリード６と、グランドリード６に略平行で、基台３と分離された複数のリード７と、複数のリード７とグランドリード６の一端に接続されたフレーム枠とを有するリードフレームを準備する。次いで、封止型を用いて基台３の下面上に、正面方向に開口が設けられ、樹脂からなる第１の枠体４ａを形成するとともに、基台３の上面上に、正面方向に開口が設けられ、樹脂からなる第２の枠体４ｂを形成する。ここで、第１の枠体４ａと第２の枠体４ｂの平面形状は共に「コ」の字状であり、両開口部が同方向に向くように第１の枠体４ａ及び第２の枠体４ｂを配置する。

次に、図６（ｂ）に示す工程では、基台３の上面を加工して、基台３の上面に対して俯角を付けた底面を有する凹部を形成する。凹部は、例えば基台３上面の中央領域に形成する。図４に示すように、基台３の上面の一部に凹部を形成する場合には、上述のＲＩＥ法やレーザ加工などが好ましく用いられる。図５に示す具体例の場合にはこれらの加工の他、ダイシング加工を行ってもよい。

続いて、第２の金属台９ｂを基台３の凹部上に設置した後、ＢＤ用の第２の発光素子２を第２の金属台９ｂの上面上に設置する。この際には、両発光素子の光の射出方向を基台３の正面側に合わせるようにする。次いで、グランドリード６と第２の金属台９ｂとを接続する金属細線８、及び第２の発光素子２とリード７とを接続する金属細線８を形成する。具体的には、グランドリード６と第２の金属台９ｂの上面の空いた部分とを金属細線８で接続し、各リード７と第２の発光素子２とを金属細線８で接続する。

次に、図６（ｃ）に示す工程では、基台３の上面上であって、第２の枠体４ｂの内側に第２の金属台９ｂ、第２の発光素子２、及び金属細線８を封止する透光性樹脂１４を形成する。これによって第２の発光素子２は気密封止され、以後の工程での劣化が防がれる。このため、図１に示す半導体装置の信頼性は従来の半導体装置よりも高くなっている。なお、本工程においては、あらかじめ第２の金属台９ｂ上に第２の発光素子２を搭載しておき、その後に第２の金属台９ｂを第２の発光素子２とともに基台３上に搭載してもよい。

次いで、基台３の下面のうち、第１の枠体４ａの内側中央領域上に第１の金属台９ａを設置する。続いて、第１の金属台９ａの下面上に第１の発光素子１を半田等を用いて設置する。この際には、第１の発光素子１の出射面側端部が第１の金属台９ａから少しはみ出すように第１の発光素子１を設置することが好ましい。また、第１の発光素子１は、その出射面を第１の枠体４ａが開口している側に向け、出射光の進行方向が第２の発光素子２の出射光の進行方向と平面的に見て一致し、且つ出射光の進行方向が第２の発光素子２の光の進行方向と交点を持つように配置する。ここで、光軸の調整を容易にするため、出射光の進行方向を基準として、第１の発光素子１を第２の発光素子２よりも前方に配置してもよい。

次に、グランドリード６と第１の金属台９ａとを接続する金属細線８、及び第１の発光素子１とリード７とを接続する金属細線８を形成する。具体的には、グランドリード６と第１の金属台９ａの下面の空いた部分とを金属細線８で接続し、各リード７と第１の発光素子１とを金属細線８で接続する。その後、フレーム枠とリード群との連結部分を切り離し、半導体装置を個片化する。次いで、個々の半導体装置について電気的特性検査、外観検査を順次行うことで半導体装置の良品が得られる。

なお、図６（ｂ）に示す工程において、第２の発光素子２を傾斜させて配置しなくても光軸の調整をすることができる場合や、第２の金属台９ｂの上面に傾斜がついている場合には、凹部を形成しなくてもよい。

ＣＤ、ＤＶＤ用である第１の発光素子１は、第２の発光素子２に比べて劣化しにくいので、透光性樹脂等によって第１の発光素子１を封止しなくてもよい。ただし、第１の発光素子１を第２の発光素子２を封止する樹脂と同じもので封止する場合、トランスファーモールドで両樹脂を同時に形成してもよい。

また、第１の発光素子を保護する第１の枠体４ａ及び第２の発光素子２を保護する第２の枠体４ｂとは同じ材料で構成してもよいし、相異なる材料で構成してもよい。例えば、ＢＤ用である第２の発光素子２を搭載する面も枠体を形成し、その後に発光の出射がある部分のみを透明部材で覆うように、金属板（金属キャップ）でカバー、または枠体の内部を埋めるようなシール材で気密封止してもよい。

以上では、図１に示す実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明したが、ほぼ同様の手順で図２、図３、及び図５に示す具体例に係る半導体装置を製造することができる。

−第１の実施形態に係る半導体装置の変形例−
図７（ａ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の変形例を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す半導体装置の、光出射方向における断面図である。図７（ａ）、（ｂ）に示すように、図１に示す半導体装置において、第２の枠体４ｂを設けることなく第２の金属台９ｂ及び第２の発光素子２を透光性樹脂１４で封止してもよい。

すなわち、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、基台３の下面に第１の枠体４ａが形成され、第１の枠体４ａの平面形状は、第１の発光素子１のレーザ光の出射方向を含む一辺が開口した略四辺形、あるいは「コ」の字状となっている。

基台３から見て第１の枠体４ａの開口している側の反対側には、第１の金属台９ａ及び第２の金属台９ｂに電気的に接続されたグランドリード６と、互いに電気的に分離、独立した複数のリード７とが設けられている。これらのリード群５の形状は図１に示す半導体装置と同様である。また、グランドリード６は金属細線８によって第１の金属台９ａまたは第２の金属台９ｂに接続され、リード７は金属細線８によって第１の発光素子１又は第２の発光素子２に接続される。

本変形例に係る半導体装置の特徴は、上述のように、第２の枠体が設けられておらず、第２の金属台９ｂ及び第２の発光素子２が透光性樹脂１４によって封止されている点である。なお、ＣＤ、ＤＶＤ用である第１の発光素子１は第１の枠体４ａに囲まれているが気密封止はされていない。ただし、第１の発光素子１も透光性樹脂によって封止されていてもよい。第１の枠体４ａは透光性樹脂１４と同じ材料で構成されていてもよいし、異なる材料で構成されていてもよい。ただし、第１の枠体４ａが透光性樹脂１４と同一材料で構成されていれば、第１の枠体４ａと透光性樹脂１４とを封止金型を用いて同時に形成することができるので、製造工程を少なくすることができる。

本変形例に係るような構成であっても、劣化しやすい第２の発光素子を透光性樹脂１４で気密封止しているので、劣化を防ぎ、半導体装置の信頼性を向上させることが可能である。

また、図１に示す半導体装置と同様に、第２の発光素子２の光の出射方向を基台３の上面に対して傾斜させてもよい。この場合、第１の発光素子１の光の出射方向と第２の発光素子２の光の出射方向とが成す角度の好ましい範囲は、基台３の厚み、第１の金属台９ａ及び第２の金属台９ｂの厚み、第１の発光素子１及び第２の発光素子２の厚み、発光素子の位置などで変化するが、概ね２°以上２０°以下程度である。例えば、基台３の厚みを０．４ｍｍ、第１の金属台９ａ及び第２の金属台９ｂの厚みを０．２ｍｍ、第１の発光素子１及び第２の発光素子２の厚みを０．１ｍｍとした場合、第１の発光素子１の光の出射方向と第２の発光素子２の光の出射方向とが成す角度の好ましい範囲は４°以上６°以下程度である。

−第１の実施形態に係る半導体装置の変形例の製造方法−
図８（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の主要工程を示す正面から見た断面図（左図）および側方から見た断面図（右図）である。なお、図８（ａ）〜（ｃ）の右図では第１の枠体４ａの表示は省略している。

まず、図８（ａ）に示す工程では、基台３に連なったグランドリード６と、グランドリード６に略平行で、基台３と分離された複数のリード７と、複数のリード７とグランドリード６の一端に接続されたフレーム枠とを有するリードフレームを準備する。次に、必要であれば基台３の上面に凹部を形成し、基台３の上面あるいは凹部に第２の金属台９ｂ及び第２の発光素子２を設置する。凹部を形成する場合、その底面は基台３の上面に対して俯角を付けるように形成する。

続いて、グランドリード６と第２の金属台９ｂの上面の空いた部分とを金属細線８で接続し、各リード７と第２の発光素子２とを金属細線８で接続する。

次いで、図８（ｂ）に示す工程では、基台３の下面上に、正面方向に開口が設けられ、透明樹脂からなる第１の枠体４ａを形成するとともに、第２の金属台９ｂ及び第２の発光素子２を気密封止する透光性樹脂１４を基台３の上面上に形成する。この工程では、例えば金型を用いた射出成型等により第１の枠体４ａと透光性樹脂１４とを同時に形成する。これによってより少ない工程数で、第１の発光素子１を物理的な損傷から防ぎつつ、第２の発光素子２の劣化を防ぐことができる。このため、図７（ａ）、（ｂ）に示す半導体装置の信頼性は従来の半導体装置よりも高くなっている。

次に、図８（ｃ）に示す工程では、基台３の下面のうち、第１の枠体４ａの内側中央領域上に第１の金属台９ａを設置する。続いて、第１の金属台９ａの下面上に第１の発光素子１を半田等を用いて設置する。この際には、第１の発光素子１の出射面側端部が第１の金属台９ａから少しはみ出すように第１の発光素子１を設置することが好ましい。また、第１の発光素子１は、その出射面を第１の枠体４ａが開口している側に向け、出射光の進行方向が第２の発光素子２の光の進行方向と平面的に見て一致し、且つ出射光が第２の発光素子２の光軸と交点を持つように配置する。ここで、光軸の調整を容易にするため、出射光の進行方向を基準として、第１の発光素子１を第２の発光素子２よりも前方に配置してもよい。

次に、グランドリード６と第１の金属台９ａの下面の空いた部分とを金属細線８で接続し、各リード７と第１の発光素子１とを金属細線８で接続する。その後、フレーム枠とリード群との連結部分を切り離し、半導体装置を個片化する。次いで、個々の半導体装置について電気的特性検査、外観検査を順次行うことで半導体装置の良品が得られる。

以上で説明した本変形例の製造方法においては、透光性樹脂１４で第２の枠体４ｂごと第２の発光素子２を気密封止しているので、第２の発光素子２が劣化するのを効果的に防止できる。また、凹部を設ける場合には、第２の発光素子２の出射光の進行方向が基台の上面及び第１の発光素子１の光の出射方向に対して俯角を成すため、第１の発光素子１と第２の発光素子２の出射光の光軸合わせを容易にすることができる。また、図８（ａ）に示す工程で、基台３の上面全体に傾斜を付けた場合にも凹部の形成と同様の効果がある。

また、第１の発光素子１は第１の枠体４ａによって機械的に保護されていればよく、樹脂等によって気密封止されていなくても実使用上問題はない。

なお、本変形例の方法において、ＢＤ用である第２の発光素子２を気密封止するために例示したのと異なる材料や手段を用いてもよい。例えば、第２の発光素子２を、第２の枠体４ｂの内側を埋める透明のシール材で気密封止してもよい。

この方法において、波長の短いレーザ光を発する第２の発光素子２を基台３上に搭載し、気密封止する工程は、製造工程の中でも後半の工程となるので、組立中の一時保管、滞留の諸問題の影響を受けることがない。そのため、本方法によれば、容易に劣化を招くことなく、高い信頼性の半導体装置を供給することが可能である。

（第２の実施形態）
図９（ａ）、（ｂ）は、第２の実施形態に係る半導体装置の構造を示す斜視図であり、（ｃ）は、半導体装置の正面図（左図）及び断面図（右図）である。図９（ａ）、及び図９（ｃ）の左図では、構造を説明するために金属キャップ１１を外した状態の半導体装置を示している。図９（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置は、金属キャップを有する、いわゆるＣＡＮパッケージである。本実施形態の半導体装置も第１の実施形態の半導体装置と同様に、ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤ等の各メディアへの書き込み、読み込みに用いる少なくとも３種類の波長の光線を出射できる。第１の発光素子１はＣＤ用のレーザ光及びＤＶＤ用のレーザ光を選択的に出射し、第２の発光素子２はＢＤ用のレーザ光を出射する。

図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態の半導体装置は、第１の面及びこれと対向する第２の面を有する例えば略円板状の受け台１５と、受け台１５の第１の面上に一側面を対向させて設置された基台３と、基台３の下面（図９（ｃ）における下面）上に第１の金属台９ａを介して設置された第１の発光素子１と、基台３の上面（図９（ｃ）における上面）上に第２の金属台９ｂを介して設置された第２の発光素子２と、受け台１５の第１の面に被せられ、第１の発光素子１及び第２の発光素子２から見てそれぞれのレーザ光の出射方向に開口部を有し、基台３、第１の発光素子１、第２の発光素子２を囲む金属キャップ１１と、金属キャップ１１の開口部を覆い、ガラス等からなる透明部材１３と、グランドリード６とリード７とを含むリード群５とを備えている。グランドリード６及びリード７は共に受け台１５を貫通し、金属キャップ１１に囲まれた部分（インナーリード１２ａ、１２ｂ）から第１の発光素子１及び第２の発光素子２のレーザ光の出射方向と反対の方向に延びている。グランドリード６は金属細線８を介して第１の金属台９ａまたは第２の金属台９ｂに電気的に接続されており、リード７は金属細線８を介して第１の発光素子１または第２の発光素子２に電気的に接続されている。受け台１５とリード群５との間は電気的に絶縁されている。

上述の金属キャップ１１は、その凸部に形成された開口部が透明部材１３で覆われ、その裾部が受け台１５の第１の面に接合されていることで、第１の発光素子１及び第２の発光素子２を気密封止している。これにより、第２の発光素子２の劣化が防止されている。第１の発光素子１及び第２の発光素子２からの出射光は金属キャップ１１の開口部から外部へと出力される。

また、第２の発光素子２光の出射方向が第１の発光素子１の光の出射方向に対して俯角方向となるように、第１の発光素子１及び第２の発光素子２は傾けられている。図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、基台３の上面及び下面のうち第１の金属台９ａ及び第２の金属台９ｂの各搭載部分に、傾斜した底面を有する凹部を形成してもよい。基台３の上面及び下面の全体を傾斜させることで、第２の発光素子２の出射光の出射方向を第１の発光素子１の出射光の出射方向に対して俯角方向としてもよい。あるいは、第１の実施形態で説明したように、第１の金属台９ａ及び第２の金属台９ｂに凹部や斜面を形成したり、第１の発光素子１及び第２の発光素子２自身に斜面を形成してもよい。なお、基台３の上方から見た場合の第１の発光素子１の２種類の出射光の光軸と第２の発光素子２の出射光の光軸とはほぼ一致させることが好ましい。

この構成によれば、第１の発光素子１の出射光の光軸と第２の発光素子２の出射光の光軸とが交点を持つように第１の発光素子１及び第２の発光素子２が配置されているので、第１の発光素子１の出射光の光軸と第２の発光素子２の出射光の光軸とを共通のリレーレンズを用いて容易に合わせることができ、従来の半導体装置に比べて光学部材の点数を大幅に削減することができる。

なお、本実施形態の半導体装置において、第１の金属台９ａ及び第２の金属台９ｂの平面面積の大きさは、放熱性を確保するため、それぞれが搭載する発光素子の平面面積に比べて２〜３倍程度に大きいことが好ましい。また、発光素子の搭載面が傾斜している金属台の場合は、発光素子からの熱放散性が均一になるように、金属台の厚みが薄くなる方に向かって徐々に幅が広くなるように設計してもよい。

なお、図９（ａ）、（ｃ）などでは、リード群５のインナーリード１２ａ、１２ｂは正面方向から見て基台３の左右斜め上と左右斜め下の位置に設けられているが、これ以外の位置に設けられていてもよいし、本数もこれに限られない。

なお、本実施形態の半導体装置の構成は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、第１の実施形態の各具体例及び変形例と組み合わせることも可能である。

−第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法−
第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図９（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。

まず、第１の面に基台３が接合された略円板状の受け台１５と、第１の面及び第２の面の周辺部において受け台１５を貫通し、受け台１５と電気的に分離されたリード群５とを準備する。リード群５は、後工程で金属台に接続されるグランドリード６と、発光素子に接続されるリード７とで構成される。グランドリード６のうち第１の面から突き出た部分はインナーリード１２ａ、リード７のうち第１の面から突き出た部分はインナーリード１２ｂとなる。リード群５のうち第２の面から突き出た部分は外部端子となる。なお、ここで準備する基台３の上面及び下面の一部に、受け台１５から離れるに従って受け台１５の（第１の面及び第２の面の）中心軸に近づくように傾斜した底面を有する凹部を形成してもよい。

次に、基台３の下面の中央領域に、第１の金属台９ａを設置した後、第１の金属台９ａの下面上に第１の発光素子１を、第１の金属台９ａから少し、第１の発光素子１の光の出射方向にはみ出るように搭載する。次いで、インナーリード１２ｂと第１の発光素子１とを接続させる金属細線８を形成する。なお、基台３の下面に上述の凹部が形成されている場合には、この凹部に第１の金属台９ａを搭載する。

次に、基台３の上面の中央領域に、第２の金属台９ｂを設置した後、第２の金属台９ｂの上面上に第２の発光素子２を搭載する。次いで、インナーリード１２ｂと第２の発光素子２とを接続させる金属細線８を形成する。ここでは、基台３の上方から見た時の第２の発光素子２の位置を、第１の発光素子１よりもレーザ光の出射方向に対して後方に配置することで、例えばリレーレンズによる光軸調整を容易にすることができる。

次に、開口部を覆う透明部材１３が凸部に配置された金属キャップ１１を受け台１５の第１の面に接合させて第１の発光素子１及び第２の発光素子２を気密封止する。その後、電気的特性検査を行う工程と、外観検査を行う工程を経て本実施形態の半導体装置は形成される。

なお、上述の方法において、基台３に凹部を設けずに基台３の上面及び下面の両方の全面を傾斜面としてもよいし、第１の金属台９ａの下面及び第２の金属台９ｂの上面を傾斜面とするなどしてもよい。

上述したように、特に波長の短いレーザ光を発するＢＤ用の第２の発光素子２は、第１の発光素子１に比べて劣化しやすいが、金属キャップ１１内に気密封止されることで劣化が防がれている。第１の発光素子１は気密封止されていてもよいし、されていなくても不具合なく動作させることができる。ただし、機械的な損傷を防ぐためには、第１の発光素子１も金属キャップ１１により封止されていることがより好ましい。本実施形態の半導体装置によれば、第１の発光素子１の光の出射方向と第２の発光素子２の光の出射方向とがほぼ交わるので、波長の異なるレーザの光軸調整が容易になっている。このように、本実施形態の構成においても、信頼性が向上し、メディアへの読み込み及び書き込みが安定的に行え、光ピックアップ等の小型化が可能な半導体装置を提供することができる。

以上のごとく本発明は、ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤなど、異なる波長の光を用いてデータの書き込みや読み込みを行う電子機器などに好ましく用いられる。

（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す半導体装置の、第２の発光素子側から見た平面図（右上）、前方から見た側面図（左上）、及び発光素子を通り、出射されるレーザ光に平行な断面における断面図（右下）である。 第１の実施形態に係る半導体装置において、第２の発光素子の設置方法の具体例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る半導体装置において、第２の発光素子の設置方法の具体例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る半導体装置において、第２の発光素子の設置方法の具体例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る半導体装置において、第２の発光素子の設置方法の具体例を示す断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の主要工程を示す正面図（左図）および側方から見た断面図（右図）である。 （ａ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の変形例を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す半導体装置の、光出射方向における断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法の主要工程を示す正面図（左図）および側方から見た断面図（右図）である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構造を示す斜視図であり、（ｃ）は、半導体装置の正面図（左図）及び断面図（右図）である。

符号の説明

１ 第１の発光素子
２ 第２の発光素子
３ 基台
４ａ 第１の枠体
４ｂ 第２の枠体
５ リード群
６ グランドリード
７ リード
８ 金属細線
９ａ 第１の金属台
９ｂ 第２の金属台
１０ 角度
１１ 金属キャップ
１２ａ、１２ｂ インナーリード
１３ 透明部材
１４ 透光性樹脂
１５ 受け台

Claims (22)

1. 基台と、
   前記基台の下面上に設置された第１の金属台と、
   前記第１の金属台の下面上に設置された第１の発光素子と、
   前記基台の上面上に設置され、第１の発光素子と異なる波長の光を出力する第２の発光素子とを備え、
   前記第１の発光素子の光の出射方向に対して前記第２の発光素子の光の出射方向が俯角方向となり、且つ前記基台の上方から見て前記第１の発光素子の光の出射方向と前記第２の発光素子の光の出射方向とが一致するように前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子が設置されている半導体装置。
2. 前記基台の下面上に設置され、平面的に見て、前記第１の金属台及び前記第１の発光素子を、前記第１の発光素子の光の出射方向を除いて囲む第１の枠体と、
   前記第１の発光素子、前記第２の発光素子、前記第１の金属台、及び前記第２の金属台のうちいずれかに電気的に接続された複数のリードと、
   前記基台の上面上に設けられ、前記第２の発光素子と、前記第２の金属台と、前記複数のリードの各々の一部とを気密封止する透光性樹脂とをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１の枠体と前記透光性樹脂とは同じ材料で構成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記基台の上面上に設置され、平面的に見て、前記第２の金属台及び前記第２の発光素子を、前記第２の発光素子の光の出射方向を除いて囲む第２の枠体をさらに備え、
   前記透光性樹脂は前記第２の枠体の内側に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
5. 前記基台の上面には、傾斜した底面を有する第１の凹部が形成されており、
   前記第２の金属台は前記第１の凹部上に設置されていることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
6. 前記基台の下面には、傾斜した底面を有する第２の凹部が形成されており、
   前記第１の金属台は前記第２の凹部上に設置されていることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
7. 前記基台の上面または下面の全体、あるいは上面及び下面の全体が、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子の光の出射方向に向かって厚みが薄くなるように傾斜していることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
8. 前記第１の金属台の下面は、前記第１の発光素子の光の出射方向に向かって前記第１の金属台の厚みが薄くなるように傾斜していることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
9. 前記第２の金属台の上面は、前記第２の発光素子の光の出射方向に向かって前記第２の金属台の厚みが薄くなるように傾斜していることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
10. 前記第２の金属台の幅は、前記第２の金属台の厚みが薄くなるに従って広くなっていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
11. 前記第１の発光素子の上面は、前記第１の発光素子の光の出射方向に向かって前記第１の発光素子の厚みが薄くなるように傾斜していることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
12. 前記第２の発光素子の上面は、前記第２の発光素子の光の出射方向に向かって前記第２の発光素子の厚みが薄くなるように傾斜していることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
13. 前記第１の発光素子の長手方向の長さは前記第２の発光素子の長手方向の長さよりも長く、
    平面的に見て、前記第１の発光素子の光の出射面側端部は前記第１の金属台からはみ出していることを特徴とする請求項１〜１２のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
14. 互いに対向する第１の面及び第２の面を有し、前記第１の面上に前記基台が設置された受け台と、
    前記基台、前記第１の金属台、前記第２の金属台、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子を覆い、前記受け台の前記第１の面上に設けられ、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子から見て光の出射方向に開口部が形成された金属キャップとをさらに備え、
    前記基台は、側面が前記受け台の前記第１の面に対向するように設置されていることを特徴とする請求項１〜１３のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
15. 前記第２の発光素子は前記第１の発光素子よりも波長の短い光を出射し、
    前記第２の発光素子の出射光の進行方向を基準として、前記第２の発光素子の光の出射面は、前記第１の発光素子の光の出射面よりも後方に位置していることを特徴とする請求項１〜１４のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
16. 前記第１の発光素子は、互いに異なる２つの波長の光から一方ずつを選択的に出射することを特徴とする請求項１〜１５のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
17. 前記第１の発光素子はＣＤ用のレーザ光及びＤＶＤ用のレーザ光から一方ずつを選択的に出射し、前記第２の発光素子はＢＤ用のレーザ光を出射することを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
18. 基台の下面上に第１の金属台を介して第１の発光素子を設置する工程（ａ）と、
    前記基台の上面上に第２の金属台を介して前記第１の発光素子とは異なる波長の光を出射する第２の発光素子を設置する工程（ｂ）と、
    前記基台の上面上に、前記第２の金属台及び前記第２の発光素子を気密封止する透光性樹脂を形成する工程（ｃ）とを備え、
    前記工程（ａ）及び（ｂ）で設置された前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子は、前記第１の発光素子の光の出射方向に対して前記第２の発光素子の光の出射方向が俯角方向となり、且つ前記基台の上方から見て前記第１の発光素子の光の出射方向と前記第２の発光素子の光の出射方向とが一致するように配置されている半導体装置の製造方法。
19. 前記工程（ａ）及び（ｂ）の前に、前記基台の下面上には、一部分が開口し、Ｃ字状の平面形状を有する第１の枠体を形成し、前記基台の上面上には、平面的に見て前記第１の枠体と開口の位置が重なるよう揃えられ、Ｃ字状の平面形状を有する第２の枠体を形成する工程（ｄ）をさらに備え、
    前記工程（ｃ）では、前記透光性樹脂を前記第２の枠体の内側に充填することを特徴とする請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
20. 前記工程（ｂ）の後に前記工程（ａ）を行い、
    前記工程（ｃ）を前記工程（ａ）の前に行い、
    前記工程（ｃ）では、金型を用いて、前記基台の上面上に前記透光性樹脂を形成すると同時に、前記基台の下面上に一部分が開口し、前記透光性樹脂と同一材料で構成され、Ｃ字状の平面形状を有する第１の枠体を形成することを特徴とする請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
21. 前記工程（ａ）及び（ｂ）で用いられる前記基台の上面または下面の少なくとも一部には、前記第１の発光素子または前記第２の発光素子の光の出射方向に向かって前記基台の厚みが薄くなるように傾斜がつけられていることを特徴とする請求項１８〜２０のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
22. 前記（ａ）及び（ｂ）で用いられる前記基台の上面または下面には、傾斜した底面を有する凹部が形成されていることを特徴とする請求項１８〜２０のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。

Images