JP2001237501A - 半導体レーザ装置の光軸アラインメント方法および半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数のレーザ光をする半導体レーザ装置にお
いて、各レーザ光の光軸を相互に接近または離間させ
て、各レーザ光の光軸間隔を自由に調整することがで
き、ひいては歩留まりを向上することができる光軸アラ
インメント方法およびレーザ装置を提供することをその
課題とする。 【解決手段】 波長が異なるレーザ光を発する複数の半
導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置における光軸
アラインメント方法であって、上記各半導体レーザ素子
から出射される各レーザ光を透光部材に透過させること
によって、各レーザ光が進む光軸を相互に接近または離
間させることを特徴とする、光軸ラインメント方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、たとえば、ＣＤ
−Ｒ（compact disc − Recordable）とＤＶＤ（digita
l versatile disc）の両方を再生しうる機器に用いられ
る光ピックアップ用光源等、波長が異なるレーザ光を発
する複数の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置
において、各レーザ光が進む光軸を相互に接近または離
間させることができる光軸アラインメント方法および半
導体レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、レーザ光源を有する光ピック
アップからそのレーザ光を照射することによって、デー
タが読み取られる記録媒体として、例えば、ＣＤ−Ｒや
ＤＶＤどがある。ＤＶＤでは、デジタルデータを記録す
るピットを読み取るために、波長６５０ｎｍのレーザ光
が用いられる。他方、ＣＤ−Ｒでは、記録膜に波長依存
性があり、波長６５０ｎｍのレーザ光では読み取ること
ができないため、波長７８０ｎｍのレーザ光が用いられ
る。これら２つの記録媒体を１台の機器で再生するコン
パチブルプレーヤなどをコストを抑えて効率良く製造す
るために、１つの半導体レーザ装置に波長６５０ｎｍと
７８０ｎｍの２つの半導体レーザ素子を備えた２波長半
導体レーザ装置が開発されてきた。この２波長半導体レ
ーザ装置には、大別して二つの方式がある。１つは、１
つの基板に７８０ｎｍ半導体レーザ素子と６５０ｎｍ半
導体レーザ素子を作り込む「モノリシック型」、もう一
つは、それぞれの発振波長の半導体レーザ素子を横に並
べて１つの基板に装着する「ハイブリット型」である。

【０００３】モノリシック型は、２つの半導体レーザ素
子を同じ基板上に形成するため、どちらか一方の半導体
レーザ素子が不良品であると、２波長半導体レーザ装置
全体が不良品になってしまう。つまり、２波長半導体レ
ーザ装置の歩留まりは、７８０ｎｍ半導体レーザ素子の
歩留まりと６５０ｎｍ半導体レーザ素子の歩留まりをか
け合わせたもの以下になってしまう。

【０００４】他方、ハイブリッド型では、各半導体レー
ザ素子をそれぞれ独立して作るため、モノリシック型の
歩留まりのようなかけ合わせたものではないので、歩留
まりを向上することができる。さらに、例えば、波長４
００ｎｍと波長６５０ｎｍの２波長半導体レーザ装置と
するなど、基板材料がまったく異なる半導体レーザ素子
を多数組み合わせることができ、汎用性を大きく向上す
ることができる。以下、ハイブリッド型２波長半導体レ
ーザ装置を一例とし、図４を参照して説明する。

【０００５】図４は、従来のハイブリッド型２波長半導
体レーザ装置の一般的構造を示した一部切欠側面図であ
る。同図に示すように、従来のハイブリッド型２波長半
導体レーザ装置２００は、レーザ光出射用の孔２１０ａ
を設けたカバーキャップ２１０に覆われた状態のステム
本体２２０を有し、上記孔２１０ａは、ガラス等から形
成された窓２１０ｂによって封止されている。カバーキ
ャップ２１０内部のステム本体２２０上には、導電性を
有するブロック２３０が備えられている。波長が異なる
レーザ光を発する２つの半導体レーザ素子２４０ａ，２
４０ｂは、シリコン基板からなる両者共通のサブマウン
ト２５０に熱融着などによって固定されて１つの２波長
半導体レーザチップ２６０をなしており、上記ブロック
２３０にボンディングされている。各半導体レーザ素子
２４０…が通電されると、それぞれのレーザ光Ｌ１，Ｌ
２が、上記窓２１０ｂを通って、図４における上方に出
射される。各レーザ光Ｌ１，Ｌ２は、光ピックアップ内
にある対物レンズ３００で焦点されて、記録媒体の記録
膜に到達する。

【０００６】しかしながら、モノリシック型も同様であ
るが、２波長半導体レーザ装置では、２つの半導体レー
ザ素子２４０…間に生じる間隔によって各レーザ光の発
光点が離れてしまう。このため、レーザ光を記録媒体に
照射する光ピックアップの光軸Ｓに一方のレーザ光の光
軸Ｓ１を合致させると、もう一方の光軸Ｓ２は、光ピッ
クアップの光軸Ｓからズレてしまうこととなる。その結
果、図４に示すように、記録媒体にレーザ光が斜めに入
射するなど、読み取り信号のＳ／Ｎ比（信号対雑音比）
が低下し、光ピックアップの歩留まりを低下させてしま
うこととなる。発光点間隔は、その距離があらかじめ定
まっていれば、対物レンズ３００を移動させるなどの手
段を設けることによって両レーザ光の光軸間隔を調整し
対応することができる。しかしながら、この手段では、
上記発光点間隔のバラツキには対応することができな
い。特に、ハイブリッド型半導体レーザ装置では、２つ
の半導体レーザ素子２４０…をサブマウント２５０に実
装して１つのチップ２６０を形成する時に、機械的な加
工誤差により、各レーザ光の発光点間隔のバラツキが大
きくなり、歩留まりを低下させている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本願発明は、
上記した事情のもとで考え出されたものであって、複数
のレーザ光を発する半導体レーザ装置において、各レー
ザ光の光軸を相互に接近または離間させることによっ
て、各レーザ光の光軸間隔を自由に調整することがで
き、ひいては歩留まりを向上することができる光軸アラ
インメント方法およびレーザ装置を提供することをその
課題とする。

【０００８】

【発明の開示】上記課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。

【０００９】すなわち、本願発明の第１の側面により提
供される光軸アラインメント方法は、波長が異なるレー
ザ光を発する複数の半導体レーザ素子を備えた半導体レ
ーザ装置における光軸アラインメント方法であって、上
記各半導体レーザ素子から出射される各レーザ光を透光
部材に透過させることによって、各レーザ光が進む光軸
を相互に接近または離間させることを特徴としている。

【００１０】上記技術的手段が講じられた本願発明の第
１の側面により提供される光軸アラインメント方法で
は、各レーザ光が進む光軸を相互に接近または離間させ
ることによって、各レーザ光の光軸間隔を自由に調整す
ることができる。すなわち、半導体レーザ装置の歩留ま
りを向上することができる。さらに、半導体レーザ素子
から出射されるレーザ光を透光部材に透過させるだけで
あるので、波長が異なるレーザ光を発する半導体レーザ
素子を複数備えている、モノリシック型およびハイブリ
ッド型両方の半導体レーザ装置に用いることができ、汎
用性が高い。

【００１１】本願発明の第２の側面により提供される半
導体レーザ装置は、波長が異なるレーザ光を発する複数
の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置であっ
て、上記半導体レーザ装置は、上記各半導体レーザ素子
から出射される各レーザ光を透過させることによって各
レーザ光が進む光軸を相互に接近または離間させる透光
部材を有することを特長としている。

【００１２】上記技術的手段が講じられた本願発明の第
２の側面により提供される半導体レーザ装置では、上述
した第１の側面に記載された光軸アラインメント方法を
具現化することができるように構成されている。このた
め、上記半導体レーザ装置では、上述した第１の側面に
記載された光軸アラインメント方法の効果を享受するこ
とができる。したがって、各レーザ光が進む光軸を相互
に接近または離間させることができるので、各レーザ光
の光軸間隔を自由に調整することができるだけでなく、
モノリシック型およびハイブリッド型の両方の半導体レ
ーザ装置に用いることができるので、汎用性が高い。

【００１３】好ましい実施の形態としては、上記透光部
材は、上記半導体レーザ装置の外装をなすカバーキャッ
プに上記各レーザ光出射用の窓として設けられる構成と
することができる。

【００１４】このような構成が適用された実施形態によ
れば、従来の半導体レーザ装置に用いられている窓の代
わりの部品として透光部材を設けることができるので、
部品を新たに取り付ける必要がなく、製造コストの増加
を防止することができる。

【００１５】また、他の好ましい実施の形態としては、
上記透光部材は、上記各レーザ光を屈折させるととも
に、平行な２平面を有するガラスまたは合成樹脂から形
成される１つの板状体であり、上記板状体の角度を上記
半導体レーザ素子から出射する各レーザ光に対して変化
させることによって、上記光軸を相互に接近または離間
させる構成とすることができる。

【００１６】このような構成が適用された実施形態によ
れば、光軸を相互に接近させる透光部材は、１枚の板状
体であり、その固定角度を変化させるだけで、各レーザ
光の光軸を相互に接近または離間することができるの
で、構成を単純にすることができ、製造コストの増加を
さらに防止することができる。

【００１７】さらに、他の好ましい実施の形態として
は、上記板状体を、この板状体が波長のより長いレーザ
光を出射する上記半導体レーザ素子に、より近接するよ
うに配置することによって、上記光軸を相互に接近させ
る構成とすることができる。

【００１８】このような構成が適用された実施形態によ
れば、上記光軸を相互に近接させることができるので、
上記両レーザ光の光軸間隔を小さくしつつそのバラツキ
をも小さくすることができる。すなわち、上記光軸間隔
を調整する必要がない。したがって、光ピックアップに
用いた場合などには、対物レンズを移動させる手段など
を削除することができ、製造コストを大幅に削減でき
る。

【００１９】本願発明のその他の特徴および利点につい
ては、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明
らかになるであろう。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照して具体的に説明する。

【００２１】図１は、本願発明にかかる半導体レーザ装
置の一実施形態を示した一部切欠斜視図、図２は、図１
の右側面Ａ１からの側面図である。同図では、レーザ光
が進む方向を上方としている。図１に示すように、半導
体レーザ装置１は、半導体レーザ装置の基台となるステ
ム本体２と、上記ステム本体を覆うカバーキャップ８と
を有し、上記カバーキャップ８の内部には、上記ステム
本体２上に設けられたブロック３と、上記ブロック３に
ボンディングされたサブマウント４と、上記サブマウン
ト４に固定された２つの半導体レーザ素子５ａ，５ｂ
と、外部との電気的な導通接続のためのリードピン６
ａ，６ｂ，６ｃとが封止されている。この実施形態にか
かる半導体レーザ装置１は、例えば、ＣＤ−ＲとＤＶＤ
の両方を読み込みうる光ピックアップ用光源などとして
組み込み可能な程度に製作されている。

【００２２】上記ステム本体２は、本実施形態では、導
電性を有する金属などで厚肉円板状に形成されたもので
あって、その上面２１ａの中心部付近は、後述するカバ
ーキャップ８を位置合わせするために若干の段差を有し
て円形凸部２１ｂとされている。この円形凸部２１ｂに
は、後述するリードピン６…を差し込む貫通孔２２…が
形成されており、各貫通孔２２…の近辺に後述するチッ
プ１０をマウントしたブロック３が接合された状態とさ
れている。このようなステム本体２は、チップ１０と電
気的に導通接続された状態であり、したがって、ステム
本体２は、チップ１０に取り付けられた半導体レーザ素
子５ａ，５ｂのコモン電極として用いられる。

【００２３】上記カバーキャップ８は、上記ステム本体
２に対して略垂直に起立するキャップ本体８１とこのキ
ャップ本体８１の下端部に開口形成されたフランジ８２
とを有するとともに、たとえば金属などから形成され
る。このようなカバーキャップ８は、後述する半導体レ
ーザ素子５…などを保護するためにフランジ８２を介し
てステム本体２上に接合されている。

【００２４】上記キャップ本体８１は、本実施形態で
は、円筒を斜めに切断した形状であってその切断した面
を上方に向けている。キャップ本体８１の上部端面に
は、中心付近にレーザビーム出射用の孔８３を有した傾
斜壁８４が一体的に形成されている。上記孔８３の外部
側には、後述する半導体レーザ素子５ａ，５ｂからのレ
ーザ光Ｌａ，Ｌｂを透過させる透光部材９が傾斜壁８４
に設けられており、カバーキャップ８とともにその内部
を封止している。

【００２５】上記ブロック３は、たとえば銅などの導電
性を有する金属で形成され、後述するレーザチップ１０
を接合搭載したものである。このようなブロック３は、
レーザチップ１０とステム本体２とを電気的に導通させ
るとともに、レーザビームの出力に際してヒートシンク
としても機能する。

【００２６】上記半導体レーザ素子５…は、それぞれ、
半導体中での光の誘導放出による増幅現象と、端面を反
射鏡にして光の正帰還現象とを組み合わせて、コヒーレ
ント光を放出するものである。各半導体レーザ素子５…
の半導体材料としては、たとえばＡｌＧａＡｓ系、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系、ＺｎＳｅ系、ＧａＮ系などが採用され、
半導体レーザ素子５…は、各材料系に応じて所定波長の
レーザ光Ｌ…の発生源として用いられる。本実施形態で
は、半導体レーザ素子５ａ，５ｂは、それぞれ、波長７
８０ｎｍのレーザ光Ｌａ，波長６５０ｎｍのレーザ光Ｌ
ｂを出射する。

【００２７】上記サブマウント４は、本実施形態では、
シリコン（Ｓｉ）基板などで形成されるとともに上記両
半導体レーザ素子５…に共用されている。半導体レーザ
素子５…は、各レーザ光Ｌ…が同じ向きに出射するよう
に、サブマウント４に熱融着などによって固定されてい
る。このように、２つの半導体レーザ素子５…と、共用
されるサブマウント４とで、１つのハイブリッド型２波
長半導体レーザチップ１０を形成している。

【００２８】なお、本実施形態では、チップ１０をハイ
ブリッド型２波長半導体レーザチップとしているが、例
えば、モノリシック型２波長半導体レーザチップや多波
長半導体レーザチップなど、様々な形態の半導体レーザ
チップとすることもできる。

【００２９】また、図２に示すように、各半導体レーザ
素子５…はサブマウント４の上端部に固定され、上記チ
ップ１０は上記ブロック３の上端部にボンディングされ
ており、各半導体レーザ素子５…からのレーザ光Ｌ…が
サブマウント４またはブロック３に遮蔽されえないよう
上方に出射することもできる。

【００３０】また、各半導体レーザ素子５ａ，５ｂは、
それぞれが対応するリードピン６ａ，６ｂの一端にボン
ディングワイヤ７ａ，７ｂを介して電気的に導通接続さ
れている。したがって、半導体レーザ素子５…の底面側
は、サブマウント４およびブロック３を介してステム本
体２と導通することでコモン電極として機能する一方、
その上面側は、ボンディングワイヤ７…を介してリード
ピン６…に導通することで個別電極として機能してい
る。

【００３１】上記半導体レーザ素子５ａ，５ｂから出射
されたレーザ光Ｌａ，Ｌｂを透過する、上記カバーキャ
ップ８に設けた上記透光部材９は、ガラスまたは合成樹
脂などから形成されるとともに平行な２平面を有する板
状体である。この透光部材９は、本実施形態では、半導
体レーザ素子５ａと透光部材９間の距離が半導体レーザ
素子５ｂと透光部材９間の距離より短くなるように、カ
バーキャップ８の上記傾斜壁８４に固定されているの
で、レーザ光Ｌ…が進む方向に対して傾斜されることと
なり、レーザ光Ｌ…を屈折させて透過する。また、レー
ザ光は、波長が短いほど屈折率が大きいので、図１，２
に示すように、波長７８０ｎｍのレーザ光Ｌａを出射す
る半導体レーザ素子５ａを波長６５０ｎｍのレーザ光Ｌ
ｂを出射する半導体レーザ素子５ｂより透光部材９に近
づけて配置すれば、レーザ光Ｌ…を相互に接近させて出
射させることができる。

【００３２】上記透光部材９は、色収差が大きなもの、
すなわち透過する光の波長によって屈折率が大きく異な
るものが好ましい。また、透光部材９は、上記カバーキ
ャップ８の上記傾斜壁８４に接着剤などにより固定され
ている。このように、透光部材９は、本実施形態では、
従来の半導体レーザ装置２００（図４参照）におけるレ
ーザ光出射用の窓２１０ｂとして設けているが、この窓
２１０ｂとは別に、例えば、従来のレーザ光出射用の窓
２１０ｂの外側に設けるなどして、レーザ光の光軸間隔
の調整をより容易にすることもできる。

【００３３】上記接着剤は、紫外線などを照射するＵＶ
効果などを利用することにより、透光部材９と傾斜壁８
４を溶着する。その固定角度は、接着剤の塗布の度合い
やＵＶ照射の度合いなどにより変化させることができ
る。

【００３４】なお、本実施形態では、透光部材９を、上
述したように、傾斜壁８４の角度および接着剤などでレ
ーザ光Ｌ…に対する角度を変化させて所望の角度に固定
することによって、レーザ光の光軸を相互に接近させて
光軸間隔を自由に調整しているが、例えば、傾斜壁８４
に角度調整機構を設けたり、上記カバーキャップ８を上
記ステム本体２に取り付ける際に、光軸と平行な軸を中
心として回転させることなどによって、レーザ光の光軸
を相互に接近または離間させて、光軸間隔を自由に調整
することもできる。

【００３５】また、本実施形態では、透光部材９は、ガ
ラスまたは合成樹脂などから形成されるとともに平行な
２平面を有する板状体であるが、例えば、三角柱のプリ
ズム体など、その内部で反射または屈折させる他の形態
の部材を用いることもできる。

【００３６】上記リードピン６…は、外部との電気的な
導通接続を図るために用いられ、これらのうち、リード
ピン６ａ，６ｂは、上記カバーキャップ８内にて突き出
たそれぞれの一端がボンディングワイヤ７ａ，７ｂを介
して対応する上記半導体レーザ素子５ａ，５ｂに接続さ
れている。各リードピン６ａ，６ｂは、それぞれ、図１
によく示すように、上記ステム本体２の貫通孔２２ａ，
２２ｂに挿入され、その貫通孔２２…の内部において
は、樹脂などの絶縁性材料が隙間に充填固化されている
ことから、各リードピン６ａ，６ｂが貫通孔２２…を介
して固定的に支持されている。一方、リードピン６ｃ
は、ステム本体２の底部から電気的に導通されて延びて
いる。これらのリードピン６…は、上記した説明から明
らかなように、半導体レーザ素子５…の個別電極用の接
続部品として用いられる一方、コモン電極用の接続部品
としてその役割を担うものとされている。

【００３７】次に、上記構成を有する半導体レーザ装置
の作用の要点について説明する。

【００３８】図３は、図１に示す２つの半導体レーザ素
子からのレーザ光に対する透光部材９の作用を示した概
略説明図である。同図に示すように、本実施形態では、
半導体レーザ素子５ａは、波長７８０ｎｍのレーザ光Ｌ
ａを出射し、半導体レーザ素子５ｂは、波長６５０ｎｍ
のレーザ光Ｌｂを出射するとともに、出射されたレーザ
光Ｌａ，Ｌｂの各光軸Ｓａ，Ｓｂが、互いに平行となる
ように配置されている。透光部材９は、互いに平行な平
面９１，９２を有するとともに、レーザ光を透過するこ
とができる、例えば、ガラスや合成樹脂などから形成さ
れている。また、透光部材９は、半導体レーザ素子５ａ
が半導体レーザ素子５ｂよりも透光部材９に接近するよ
うに、上記光軸Ｓ…に対して角度αを付して設けられて
いる。

【００３９】レーザ光Ｌａは、半導体レーザ素子５ａか
ら出射されると、その光軸Ｓａが透光部材９の平面９１
に対して入射角度αをなすように、点Ａに到達する。次
いで、レーザ光Ｌａは、屈折角βａで屈折して透光部材
９を透過し、反対側の平面９２の点Ａ′に達する。平面
９１と９２とは、互いに平行であるので、レーザ光Ｌａ
は、屈折して入射角と同じ角度αで点Ａ′から出射し、
透光部材９から出射した光軸Ｓａ′の方向は、光軸Ｓａ
の方向に等しくなる。一方、レーザ光Ｌｂは、半導体レ
ーザ素子５ｂから出射されると、その光軸Ｓｂが透光部
材９の平面９１に対して入射角度αをなすように、点Ｂ
に到達する。次いで、レーザ光Ｌｂは、屈折角βｂで屈
折して透光部材９を透過し、反対側の平面９２の点Ｂ′
に達する。続いて、レーザ光Ｌｂは、屈折して入射角と
同じ角度αで点Ｂ′から出射し、透光部材９から出射し
た光軸Ｓｂ′の方向は、光軸Ｓｂの方向に等しくなる。

【００４０】ここで、レーザ光は、波長が短いほど屈折
率が大きくなる性質を有するので、本実施形態では、
Ａ′Ｂ′間の距離がＡＢ間の距離より短くなり、光軸Ｓ
ａ′と光軸Ｓｂ′とを相互に接近させることができる。
また、角度αを変化させることによって、光軸を相互に
離間したり、光軸接近または離間の度合いを変化させる
こともできる。

【００４１】また、透光部材９に色収差が大きなものを
用いれば、レーザ光を大きく相互に接近させることがで
きるので、光軸間隔を調整する作業をなくすこともでき
る。

【００４２】上述したことからわかるように、この半導
体レーザ装置１は、透光部材９に透過することによって
各レーザ光が進む光軸を相互に接近または離間させるこ
とができるので、各レーザ光の光軸間隔を自由に調整す
ることができる。すなわち、半導体レーザ装置の歩留ま
りを向上することができる。また、従来の半導体レーザ
装置２００に用いられている窓２１０ｂの代わりの部品
として透光部材９を設けることができるので、部品を新
たに取り付ける必要がなく、製造コストの増加を防止す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明にかかる半導体レーザ装置の一実施形
態を示した一部切欠斜視図である。

【図２】図１の右側面Ａ１からの側面図である。

【図３】図１に示す２つの半導体レーザ素子からのレー
ザ光に対する透光部材の作用を示した概略説明である。

【図４】従来における半導体レーザ装置の一般的構造を
示した一部切欠斜視図である。

【符号の説明】

１ 半導体レーザ装置 ５ａ，５ｂ 半導体レーザ素子 ８ カバーキャップ ９ 透光部材 ２１０ｂ 窓 Ｌａ，Ｌｂ，Ｌ１，Ｌ２ レーザ光

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 波長が異なるレーザ光を発する複数の半
   導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置における光軸
   アラインメント方法であって、 上記各半導体レーザ素子から出射される各レーザ光を透
   光部材に透過させることによって、各レーザ光が進む光
   軸を相互に接近または離間させることを特徴とする、光
   軸ラインメント方法。
2. 【請求項２】 波長が異なるレーザ光を発する複数の半
   導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置であって、 上記半導体レーザ装置は、上記各半導体レーザ素子から
   出射される各レーザ光を透過させることによって各レー
   ザ光が進む光軸を相互に接近または離間させる透光部材
   を有することを特長とする、半導体レーザ装置。
3. 【請求項３】 上記透光部材は、上記半導体レーザ装置
   の外装をなすカバーキャップに上記各レーザ光出射用の
   窓として設けられる、請求項２に記載の半導体レーザ装
   置。
4. 【請求項４】 上記透光部材は、上記各レーザ光を屈折
   させるとともに、平行な２平面を有するガラスまたは合
   成樹脂から形成される１つの板状体であり、 上記板状体の角度を上記半導体レーザ素子から出射する
   各レーザ光に対して変化させることによって、上記光軸
   を相互に接近または離間させる、請求項２または３に記
   載の半導体レーザ装置。
5. 【請求項５】 上記板状体を、この板状体が波長のより
   長いレーザ光を出射する上記半導体レーザ素子に、より
   近接するように配置することによって、上記光軸を相互
   に接近させる、請求項４に記載の半導体レーザ装置。