JP2500639B2 - 半導体レ―ザの端面コ―ティング膜の形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レ−ザの端面コ
−ティング膜の形成方法に関し、特性の均一化、作業性
及び歩留りの向上を図る半導体レ−ザの端面コ−ティン
グ膜の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レ−ザの端面にコ−ティング膜を
形成する従来法について、図５を参照して説明する。

【０００３】図５は、従来法による作業工程フロ−図で
あって、まず、半導体レ−ザウェ−ハをバ−状態に劈開
し、半導体レ−ザの端面にコ−ティング膜を形成する
(図５の「ウェ−ハ」→「劈開バ−」→「コ−ティング
膜形成」)。次に、各チップに分割し、これをシリコン
ヒ−トシンクにマウントし、製品とする方法が採用され
ている(図５の「チップ」→「シリコンヒ−トシンクに
チップマウント」→「製品」)。

【０００４】従来の上記した半導体レ−ザの端面コ−テ
ィング膜の形成方法について、さらに図４を参照して説
明する。図４は、従来のコ−ティング膜を形成するとき
の劈開バ−とシリコンバ−の重ねた状態を示す斜視図で
ある。

【０００５】従来法は、まず、半導体レ−ザウェ−ハを
バ−状態に劈開した半導体レ−ザ劈開バ−41を、同様の
シリコンバ−42で挾み込み、この半導体レ−ザ劈開バ−
41の片端面(劈開バ−の端面43)だけを露出させ、これを
治具により固定する。次に、上記劈開バ−41とシリコン
バ−42をスパッタ装置にセッティングし、酸化膜(SiO₂)
等のコ−ティング膜を劈開バ−の端面43に形成する。

【０００６】続いて、劈開バ−の端面43の上下を入換
え、もう一方の片端面にも同様にコ−ティング膜を形成
する。従来法は、このようにして半導体レ−ザ劈開バ−
41の両端面にコ−ティング膜を形成し、その後各チップ
に分割し、これをシリコンヒ−トシンクにマウントして
いる(前記図５の「作業工程フロ−」参照)。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】とろで、半導体レ−ザ
のウェ−ハを劈開するとき、予めスクライバ−等により
ウェ−ハの端面に等間隔でキズ入れを行い、このキズに
そって劈開するのが一般的である。

【０００８】しかし、この劈開方法では、キズの中央か
ら必ずしも劈開されないため、劈開バ−の両端寸法(キ
ャビティ−長)は、±20μｍ程度のばらつきがある。一
方、シリコンバ−は、一般にダイサ−等により形成する
が、この場合も同様に±10μｍ程度のばらつきがある。

【０００９】従って、劈開バ−とシリコンバ−の高さの
ばらつきにより、シリコンバ−が突出すると劈開バ−の
端面に影ができ、均一な膜厚のコ−ティング膜が形成さ
れないという問題があった。また、劈開バ−の厚さは約
100μｍと薄く、両端寸法も約300μｍと小さいため、取
扱い難く、その結果、作業性が低いという欠点があっ
た。その上、劈開バ−とシリコンバ−との間にすき間が
でき易く、劈開バ−の側面(電極面)にコ−ティング膜が
形成され、チップマウント不着が発生するという問題が
あった。

【００１０】本発明は、上記問題点、欠点に鑑み成され
たものであって、その目的は、半導体レ−ザチップの端
面にコ−ティング膜を形成する方法において、該コ−テ
ィング膜厚を均一に形成することができ、かつチップ電
極面へのコ−ティング膜付着の防止並びにコ−ティング
膜形成作業の向上を図ることにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】そして、本発明は、上記
目的を達成するため、半導体レ−ザチップをバ−状に連
なったヒ−トシンクに各々固着し、このヒ−トシンクバ
−のチップ端面を揃えて複数個重ねた状態でチップ端面
にコ−ティング膜を形成することを特徴とし、その後、
このヒ−トシンクバ−を個々のヒ−トシンクに分割する
ようにしたものである。

【００１２】即ち、本発明は、「半導体レ−ザチップを
ヒ−トシンクバーに各々固着し、該ヒ−トシンクバ−の
チップ端面を揃えて複数個重ねた状態で該チップ端面に
コ−ティング膜を形成することを特徴とする半導体レ−
ザの端面コ−ティング膜の形成方法。」を要旨とする。

【００１３】本発明の概要を図３に基づいて説明する。
図３は、本発明の作業工程フロ−図であって、まず、ウ
ェ−ハを劈開して劈開バ−を形成した後、個々の半導体
レ−ザチップに分割する(図３の「ウェ−ハ」→「劈開
バ−」→「チップ」)。次に、各半導体レ−ザチップを
シリコンヒ−トシンクバ−にマウントした後、半導体レ
−ザチップの端面にコ−ティング膜を形成し、このヒ−
トシンクを分割し、製品とする(図３の「シリコンヒ−
トシンクバ−にチップマウント」→「コ−ティング膜形
成」→「シリコンヒ−トシンク分割」→「製品」)。

【００１４】

【実施例】次に、本発明について図１及び図２を参照し
て説明する。図１は、本発明の一実施例であるシリコン
ヒ−トシンクバ−に半導体レ−ザチップを固着した斜視
図であり、図２は、図１のヒ−トシンクバ−を重ねた状
態を示す斜視図である。

【００１５】本発明では、ウェ−ハを劈開により劈開バ
−を形成し、次に、個々の半導体レ−ザチップ11にペレ
ッタイズし、この半導体レ−ザチップ11をシリコンヒ−
トシンクバ−12に金スズ(AuSn)等のソルダ−でシリコン
端面より10μｍ程度突出するように固着する(図１参
照)。続いて、このチップマウント済のシリコンバ−12
を、その端面をそろえて複数個重ね、固定治具により押
さえ込む(図２参照)。

【００１６】次に、スパッタ装置にセッティングし、半
導体レ−ザチップの端面13にコ−ティング膜を形成す
る。もう一方の端面にもコ−ティング膜を形成する場合
は、シリコンヒ−トシンクバ−12の上下を反対にして、
同様にコ−ティング膜の形成を行う。

【００１７】本発明において、シリコンヒ−トシンクバ
−12を重ねた後コ−ティング膜を形成する理由は、半導
体レ−ザチップ11の上面(ボンディング電極面)にコ−テ
ィング膜が形成されることを防ぐためであり、該上面の
コ−ティング膜形成による“ボンディングワイヤ−の不
着”を防止するためである。

【００１８】その後、ブレ−キング等によりシリコンヒ
−トシンクバ−12を分割し、パッケ−ジに搭載し、製品
とする(前記図３の「作業工程フロ−」参照)。

【００１９】本発明の方法によれば、コ−ティング膜形
成前にシリコンヒ−トシンクに半導体レ−ザチップ11を
マウントするため(図１参照)、また、電極面にコ−ティ
ング膜が付着することがないため、従来法でみられる前
記した“チップマウント不着の発生”という問題点が解
消できる。

【００２０】また、シリコンヒ−トシンク端面より、チ
ップ端面が10μｍ程度突出しているため(図２参照)、端
面に均一にコ−ティング膜を形成することができ、特性
の均一化、歩留りの向上を図ることができる。

【００２１】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体レ
−ザの端面コ−ティング膜を形成する前に、半導体レ−
ザチップをヒ−トシンクバ−にマウントし、次に、この
ヒ−トシンクバ−を複数個重ねてからコ−ティング膜を
形成しているため、マウント及びボンディング不着を防
ぐことができ、かつ均一なコ−ティング膜を形成するこ
とができ、特性の均一化、歩留りの向上を図ることがで
きる効果が生じる。

【００２２】また、本発明の方法によれば、ヒ−トシン
クバ−を重ねて固定治具にセッティングするとき、半導
体レ−ザチップは既に該バ−に固着されているため、取
り扱いが容易となり、従来法に比して作業性を約４倍
(４Ｈ／ウェ−ハ→１Ｈ／ウェ−ハ)に高めることができ
る効果が生じる。

【図面の簡単な説明】

【図１】シリコンヒ−トシンクバ−に半導体レ−ザチッ
プを固着した斜視図。

【図２】図１のシリコンヒ−トシンクバ−を重ねた状態
を示す斜視図。

【図３】本発明の方法による作業工程フロ−図。

【図４】従来のコ−ティング膜を形成するときの劈開バ
−とシリコンバ−の重ねた状態を示す斜視図。

【図５】従来法による作業工程フロ−図。

【符号の説明】

１１ 半導体レ−ザチップ １２ シリコンヒ−トシンクバ− １３ 半導体レ−ザチップの端面 ４１ 半導体レ−ザ劈開バ− ４２ シリコンバ− ４３ 劈開バ−の端面

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザチップをヒートシンクバー
   に各々固着し、該ヒートシンクバーのチップ端面を揃え
   て複数個重ねた状態で該チップ端面にコーティング膜を
   形成することを特徴とする半導体レーザの端面コーティ
   ング膜の形成方法。
2. 【請求項２】 前記ヒートシンクバーは、前記半導体レ
   ーザチップの共振器長より短い長さの突起部を有してお
   り、前記半導体レーザチップは該突起部上に固着される
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザの端面コ
   ーティング膜の形成方法。
3. 【請求項３】 前記半導体レーザチップが、前記ヒート
   シンクバーの突起部にその端面が該ヒートシンクバーの
   突起部の端面より突出するように固着されることを特徴
   とする請求項１記載の半導体レーザの端面コーティング
   膜の形成方法。