JPH06120559A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法Info
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- JPH06120559A JPH06120559A JP28559092A JP28559092A JPH06120559A JP H06120559 A JPH06120559 A JP H06120559A JP 28559092 A JP28559092 A JP 28559092A JP 28559092 A JP28559092 A JP 28559092A JP H06120559 A JPH06120559 A JP H06120559A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 機械的強度が強く、かつ製造しやすく、また
発光効率の良い半導体発光装置とその製造方法を提供す
る。 【構成】 発光ダイオード１は、電流狭窄部２と、ｎ−
ＧａＡｓ基板３上に反射層４、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッ
ド層５、ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層６、ｐ−ＧａＡｌＡｓ
クラッド層７、ｐ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層８を有機
金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー
法（ＭＢＥ法）等の結晶成長技術によって順次積層した
半導体層と、ｎ−ＧａＡｓ基板３下面に設置したＮ電極
１１と、ｐ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層８上面にＳｉＯ
2 絶縁膜９を介して設置したＰ電極１２とで構成されて
いる。また、電流狭窄部２は、基板３表層面より不純物
を拡散して形成した、この基板３とは電気導電性の異な
るＰ型半導体である。
発光効率の良い半導体発光装置とその製造方法を提供す
る。 【構成】 発光ダイオード１は、電流狭窄部２と、ｎ−
ＧａＡｓ基板３上に反射層４、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッ
ド層５、ｐ−ＧａＡｌＡｓ活性層６、ｐ−ＧａＡｌＡｓ
クラッド層７、ｐ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層８を有機
金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー
法（ＭＢＥ法）等の結晶成長技術によって順次積層した
半導体層と、ｎ−ＧａＡｓ基板３下面に設置したＮ電極
１１と、ｐ−ＧａＡｌＡｓコンタクト層８上面にＳｉＯ
2 絶縁膜９を介して設置したＰ電極１２とで構成されて
いる。また、電流狭窄部２は、基板３表層面より不純物
を拡散して形成した、この基板３とは電気導電性の異な
るＰ型半導体である。
Description
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバー或いは空
間を介した光通信用途の面発光型半導体発光装置に関す
るものである。
間を介した光通信用途の面発光型半導体発光装置に関す
るものである。
【０００１】
【従来の技術】近年、光ファイバ或いは空間を介した光
通信用途として面発光型の半導体発光装置が使用されて
いる。これらの半導体発光装置として電流狭窄部を有し
た発光ダイオードが研究開発され使用されている。この
電流狭窄部を有した発光ダイオードは、電流狭窄部によ
って発光ダイオードの半導体結晶内を流れる電流を狭窄
することで活性層の発光領域を狭窄し、発光ダイオード
より出力される光をできるだけ細く出力させ断面積の小
さい光ファイバに光を有効に入力させている。また、電
流を狭窄することにより、その発光出力も高くなり、速
応答性も良くなるので、光通信用素子として好適な発光
ダイオードとすることができる。以下図面と共に電流狭
窄部を有した発光ダイオードの従来例について説明す
る。
通信用途として面発光型の半導体発光装置が使用されて
いる。これらの半導体発光装置として電流狭窄部を有し
た発光ダイオードが研究開発され使用されている。この
電流狭窄部を有した発光ダイオードは、電流狭窄部によ
って発光ダイオードの半導体結晶内を流れる電流を狭窄
することで活性層の発光領域を狭窄し、発光ダイオード
より出力される光をできるだけ細く出力させ断面積の小
さい光ファイバに光を有効に入力させている。また、電
流を狭窄することにより、その発光出力も高くなり、速
応答性も良くなるので、光通信用素子として好適な発光
ダイオードとすることができる。以下図面と共に電流狭
窄部を有した発光ダイオードの従来例について説明す
る。
【０００２】図３は、電流狭窄部を有した発光ダイオー
ドの一従来例の側断面図である。図３において、従来の
発光ダイオード２１は、ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層２
３、ＧａＡｓ活性層２４、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層
２５で構成された二重ヘテロ構造の半導体結晶に、ｎ−
ＧａＡｌＡｓウィンド層２６を積層した構造になってい
る。そしてｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層２３の下面には
ＳｉＯ2 絶縁膜による電流狭窄部２２が形成され、この
ＳｉＯ2 絶縁膜に形成したコンタクトホールを介してＰ
電極２８が設置され、上記ｎ−ＧａＡｌＡｓウィンド層
２６上面には中央部が開口したＮ電極２７が設置してあ
る。
ドの一従来例の側断面図である。図３において、従来の
発光ダイオード２１は、ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層２
３、ＧａＡｓ活性層２４、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層
２５で構成された二重ヘテロ構造の半導体結晶に、ｎ−
ＧａＡｌＡｓウィンド層２６を積層した構造になってい
る。そしてｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層２３の下面には
ＳｉＯ2 絶縁膜による電流狭窄部２２が形成され、この
ＳｉＯ2 絶縁膜に形成したコンタクトホールを介してＰ
電極２８が設置され、上記ｎ−ＧａＡｌＡｓウィンド層
２６上面には中央部が開口したＮ電極２７が設置してあ
る。
【０００３】この発光ダイオード２１において電流を流
すと、Ｐ電極２８がＳｉＯ2 絶縁膜によってクラッド層
２３と絶縁されている部分では電流が流れず、コンタク
トホールを介してＰ電極２８がクラッド層２３と接して
いる部分だけ流れる。このように電流を狭窄すること
で、活性層２４の発光領域が小さくなるため光出力窓よ
り出力する光を細くすることができる。また、発光ダイ
オード２１は、図示しない基板上に上述の半導体結晶を
液相成長法等によって順次積層し、その後に基板を除去
し、クラッド層２３下面に電流狭窄部を形成していた。
すと、Ｐ電極２８がＳｉＯ2 絶縁膜によってクラッド層
２３と絶縁されている部分では電流が流れず、コンタク
トホールを介してＰ電極２８がクラッド層２３と接して
いる部分だけ流れる。このように電流を狭窄すること
で、活性層２４の発光領域が小さくなるため光出力窓よ
り出力する光を細くすることができる。また、発光ダイ
オード２１は、図示しない基板上に上述の半導体結晶を
液相成長法等によって順次積層し、その後に基板を除去
し、クラッド層２３下面に電流狭窄部を形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な発光ダイオード２１は、発光した光を吸収して発光損
失を招く基板を除去するため、発光ダイオードチップの
強度が低下してしまい、製造途中に発光ダイオードチッ
プを破損してしまう恐れがある。さらに、チップの機械
的強度低下は、応力が加わることでその発光ダイオード
の特性を劣化させてしまう原因となってしまうので、チ
ップの扱いは慎重に行わなければならず製造しづらいも
のであった。
な発光ダイオード２１は、発光した光を吸収して発光損
失を招く基板を除去するため、発光ダイオードチップの
強度が低下してしまい、製造途中に発光ダイオードチッ
プを破損してしまう恐れがある。さらに、チップの機械
的強度低下は、応力が加わることでその発光ダイオード
の特性を劣化させてしまう原因となってしまうので、チ
ップの扱いは慎重に行わなければならず製造しづらいも
のであった。
【０００５】一方、近年では、膜厚制御性に優れた有機
金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー
法（ＭＢＥ法）等、数μｍ程度の半導体結晶製膜に適す
る製造方法によって半導体発光装置を製造する試みがな
されている。この技術によって、結晶層の薄膜制御性が
向上し、均一性のある薄膜を製造できるようになった。
しかし、これら有機金属気相成長法、及び分子線エピタ
キシー法は薄膜制御性には優れているが逆に１０μｍ以
上の厚膜を製造するのには適していないので基板として
用いるＧａＡｓ結晶をエッチング除去できるまでの厚膜
を成長させることができない。そのため、従来から基板
と活性層との間に、発光した光を反射するための反射層
を形成して基板による光の吸収を防いで発光した光を有
効に外部に出力する構造の発光ダイオードが研究、開発
されている。この反射層を基板と活性層との間に設ける
ことで、基板を除去する必要がなくなったので、機械的
強度の強い半導体発光装置を製造することができる。
金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー
法（ＭＢＥ法）等、数μｍ程度の半導体結晶製膜に適す
る製造方法によって半導体発光装置を製造する試みがな
されている。この技術によって、結晶層の薄膜制御性が
向上し、均一性のある薄膜を製造できるようになった。
しかし、これら有機金属気相成長法、及び分子線エピタ
キシー法は薄膜制御性には優れているが逆に１０μｍ以
上の厚膜を製造するのには適していないので基板として
用いるＧａＡｓ結晶をエッチング除去できるまでの厚膜
を成長させることができない。そのため、従来から基板
と活性層との間に、発光した光を反射するための反射層
を形成して基板による光の吸収を防いで発光した光を有
効に外部に出力する構造の発光ダイオードが研究、開発
されている。この反射層を基板と活性層との間に設ける
ことで、基板を除去する必要がなくなったので、機械的
強度の強い半導体発光装置を製造することができる。
【０００６】そこで、従来の基板を除去しなくてはなら
なかった電流狭窄部を有した発光ダイオードを、上述の
ような利点を有した反射層を形成して機械的強度の強い
発光ダイオードチップとする場合、この電流狭窄部をど
の部分にどの様に形成させるかが問題となってくる。
なかった電流狭窄部を有した発光ダイオードを、上述の
ような利点を有した反射層を形成して機械的強度の強い
発光ダイオードチップとする場合、この電流狭窄部をど
の部分にどの様に形成させるかが問題となってくる。
【０００７】そこで、本発明は電流狭窄部を有した半導
体発光装置において、機械的強度が強く、かつ製造しや
すく、また発光効率の良い半導体発光装置とその製造方
法を提供するを目的とするものである。
体発光装置において、機械的強度が強く、かつ製造しや
すく、また発光効率の良い半導体発光装置とその製造方
法を提供するを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するための手段として、電流狭窄部によって半導体結
晶内を流れる電流を狭窄して活性層の発光領域を狭窄
し、かつ前記発光領域から発光する光を前記活性層と平
行な面に形成した光出力窓から取り出す半導体発光装置
において、前記半導体発光装置は、基板に不純物を拡散
することでこの基板と電気導電性の異なる半導体とした
前記電流狭窄部と、前記基板と前記活性層との間に、活
性層から基板方向へ発光した光を前記出力窓の方向へ反
射するための反射層とを有することを特徴とする半導体
発光装置を提供しようとするものである。
成するための手段として、電流狭窄部によって半導体結
晶内を流れる電流を狭窄して活性層の発光領域を狭窄
し、かつ前記発光領域から発光する光を前記活性層と平
行な面に形成した光出力窓から取り出す半導体発光装置
において、前記半導体発光装置は、基板に不純物を拡散
することでこの基板と電気導電性の異なる半導体とした
前記電流狭窄部と、前記基板と前記活性層との間に、活
性層から基板方向へ発光した光を前記出力窓の方向へ反
射するための反射層とを有することを特徴とする半導体
発光装置を提供しようとするものである。
【０００９】また、本発明は、上記目的を達成するため
の手段として、電流狭窄部によって半導体結晶内を流れ
る電流を狭窄して活性層の発光領域を狭窄し、かつ前記
発光領域から発光する光を前記活性層と平行な面に形成
した光出力窓から取り出す半導体発光装置の製造方法に
おいて、基板に不純物を拡散してこの基板と電気導電性
の異なる半導体を形成することで前記電流狭窄部を形成
することを特徴とする半導体発光装置の製造方法を提供
しようとするものである。
の手段として、電流狭窄部によって半導体結晶内を流れ
る電流を狭窄して活性層の発光領域を狭窄し、かつ前記
発光領域から発光する光を前記活性層と平行な面に形成
した光出力窓から取り出す半導体発光装置の製造方法に
おいて、基板に不純物を拡散してこの基板と電気導電性
の異なる半導体を形成することで前記電流狭窄部を形成
することを特徴とする半導体発光装置の製造方法を提供
しようとするものである。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の一実施例
を発光ダイオードを基にして説明する。なお、上述した
従来の発光ダイオード２１と同様な部分はその説明を省
略する。図１は、本発明の半導体発光装置の一実施例を
示す側断面図である。図１において、発光ダイオード１
は、電流狭窄部２と、ｎ−ＧａＡｓ基板３上に反射層
４、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層５、ｐ−ＧａＡｌＡｓ
活性層６、ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層７、ｐ−ＧａＡ
ｌＡｓコンタクト層８を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶ
Ｄ法）や分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）等の結晶成
長技術によって順次積層した半導体層と、ｎ−ＧａＡｓ
基板３下面に設置したＮ電極１１と、ｐ−ＧａＡｌＡｓ
コンタクト層８上面にＳｉＯ2 絶縁膜９を介して設置し
たＰ電極１２とで構成されている。また、上記電流狭窄
部２は、基板３表層面より不純物を拡散して形成した、
この基板３とは電気導電性の異なるＰ型半導体である。
を発光ダイオードを基にして説明する。なお、上述した
従来の発光ダイオード２１と同様な部分はその説明を省
略する。図１は、本発明の半導体発光装置の一実施例を
示す側断面図である。図１において、発光ダイオード１
は、電流狭窄部２と、ｎ−ＧａＡｓ基板３上に反射層
４、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッド層５、ｐ−ＧａＡｌＡｓ
活性層６、ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層７、ｐ−ＧａＡ
ｌＡｓコンタクト層８を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶ
Ｄ法）や分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）等の結晶成
長技術によって順次積層した半導体層と、ｎ−ＧａＡｓ
基板３下面に設置したＮ電極１１と、ｐ−ＧａＡｌＡｓ
コンタクト層８上面にＳｉＯ2 絶縁膜９を介して設置し
たＰ電極１２とで構成されている。また、上記電流狭窄
部２は、基板３表層面より不純物を拡散して形成した、
この基板３とは電気導電性の異なるＰ型半導体である。
【００１１】上記反射層４は、例えばｎ−ＧａＡｓ半導
体層とｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ半導体層とを１組とし
て２５組積層した多層反射層である。この反射層４によ
って、基板３へ到達しようとする光のほぼ１００％をＳ
ｉＯ2 絶縁膜９によって形成した光出力窓１０の方向に
反射することができる。ここで、光出力窓１０のＳｉＯ
2 絶縁膜９は、コンタクト層８より出力しようとする光
が、このコンタク層８と、空気との屈折率の違いによっ
てコンタクト層８表面で反射され、この光がまた反射層
４で反射する多重反射現象を防止するための反射防止膜
であり、その膜厚は、発光波長λに対してλ／（４ｎ）
（ｎはＳｉＯ2 の屈折率）に設定される。このように発
光ダイオード１の活性層６で発光した光のほぼ１００％
が光出力窓１０より出力され、発光効率の良い発光ダイ
オードとなっている。
体層とｎ−Ｇａ0.3 Ａｌ0.7 Ａｓ半導体層とを１組とし
て２５組積層した多層反射層である。この反射層４によ
って、基板３へ到達しようとする光のほぼ１００％をＳ
ｉＯ2 絶縁膜９によって形成した光出力窓１０の方向に
反射することができる。ここで、光出力窓１０のＳｉＯ
2 絶縁膜９は、コンタクト層８より出力しようとする光
が、このコンタク層８と、空気との屈折率の違いによっ
てコンタクト層８表面で反射され、この光がまた反射層
４で反射する多重反射現象を防止するための反射防止膜
であり、その膜厚は、発光波長λに対してλ／（４ｎ）
（ｎはＳｉＯ2 の屈折率）に設定される。このように発
光ダイオード１の活性層６で発光した光のほぼ１００％
が光出力窓１０より出力され、発光効率の良い発光ダイ
オードとなっている。
【００１２】次に、図２を用いて、上述の発光ダイオー
ド１の製造方法について説明する。図２は、発光ダイオ
ード１の製造工程を示す図である。最初に、同図（Ａ）
において、ｎ−ＧａＡｓ基板３の表層部に直径５０μｍ
の範囲を除いてＺｎを通常の封管法で選択拡散すること
により、Ｐ型の半導体層による電流狭窄部２を形成す
る。拡散条件は、温度６００℃、時間１時間、拡散源Ｚ
ｎＡｓ2 であり、選択拡散マスクにプラズマＣＶＤによ
るＳｉＮx を用いる。次に同図（Ｂ）において、基板３
上に上述の多層反射層４をＭＯＣＶＤ法によって形成す
る。その後同図（Ｃ）に示すようにｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ
0.4 Ａｓクラッド層５、ｐ−ＧａＡｓ活性層６、ｐ−Ｇ
ａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓクラッド層７、及びｐ−Ｇａ0.9 Ａ
ｌ0.1 Ａｓコンタクト層８を順次積層する。次に同図
（Ｄ）において、コンタクト層８上面にスパッタ法によ
りＳｉＯ2 絶縁膜９を形成する。前述したように、この
ＳｉＯ2 絶縁膜９の膜厚は、λ／（４ｎ）とする。その
後フォトリソグラフ法及びＣＦ４系ガスによるリアクテ
ィブイオンエッチング法でＳｉＯ2 絶縁膜９をリング状
にエッチング除去する。なおこのリング状にエッチング
除去した内側のＳｉＯ2 絶縁膜９は、前述した反射防止
膜１０であり、活性層６で発生した光の出力窓１０でも
ある。そしてその光出力窓１０の位置は活性層６の発光
領域のほぼ上部に位置している。次に同図（Ｅ）に示す
ように、基板３の下面にＮ電極１１を、ＳｉＯ2 絶縁膜
９上面にＰ電極１２を形成する。このＳｉＯ2 絶縁膜９
上面のＰ電極１２は光出力窓１０以外のＳｉＯ2 絶縁膜
９の上面に形成され、リング状にエッチング除去した部
分を介してＰ電極１２とコンタクト層８が接するように
なる。
ド１の製造方法について説明する。図２は、発光ダイオ
ード１の製造工程を示す図である。最初に、同図（Ａ）
において、ｎ−ＧａＡｓ基板３の表層部に直径５０μｍ
の範囲を除いてＺｎを通常の封管法で選択拡散すること
により、Ｐ型の半導体層による電流狭窄部２を形成す
る。拡散条件は、温度６００℃、時間１時間、拡散源Ｚ
ｎＡｓ2 であり、選択拡散マスクにプラズマＣＶＤによ
るＳｉＮx を用いる。次に同図（Ｂ）において、基板３
上に上述の多層反射層４をＭＯＣＶＤ法によって形成す
る。その後同図（Ｃ）に示すようにｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ
0.4 Ａｓクラッド層５、ｐ−ＧａＡｓ活性層６、ｐ−Ｇ
ａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓクラッド層７、及びｐ−Ｇａ0.9 Ａ
ｌ0.1 Ａｓコンタクト層８を順次積層する。次に同図
（Ｄ）において、コンタクト層８上面にスパッタ法によ
りＳｉＯ2 絶縁膜９を形成する。前述したように、この
ＳｉＯ2 絶縁膜９の膜厚は、λ／（４ｎ）とする。その
後フォトリソグラフ法及びＣＦ４系ガスによるリアクテ
ィブイオンエッチング法でＳｉＯ2 絶縁膜９をリング状
にエッチング除去する。なおこのリング状にエッチング
除去した内側のＳｉＯ2 絶縁膜９は、前述した反射防止
膜１０であり、活性層６で発生した光の出力窓１０でも
ある。そしてその光出力窓１０の位置は活性層６の発光
領域のほぼ上部に位置している。次に同図（Ｅ）に示す
ように、基板３の下面にＮ電極１１を、ＳｉＯ2 絶縁膜
９上面にＰ電極１２を形成する。このＳｉＯ2 絶縁膜９
上面のＰ電極１２は光出力窓１０以外のＳｉＯ2 絶縁膜
９の上面に形成され、リング状にエッチング除去した部
分を介してＰ電極１２とコンタクト層８が接するように
なる。
【００１３】なお、前述した反射層４において本実施例
では、多層反射層が１組のものとして説明したが、反射
中心波長の異なる多層反射層を多数組み積層することも
可能である。多層反射層を多数組み積層することで反射
層４の反射スペクトルの半値幅が広がり、活性層６より
発光する光の発光波長範囲のほぼ全域をカバーすること
ができ、また反射層４の反射中心波長が、活性層６の発
光中心波長から多少ずれても反射スペクトルの半値幅が
広いので極端に発光効率を損ねることもなくなる。
では、多層反射層が１組のものとして説明したが、反射
中心波長の異なる多層反射層を多数組み積層することも
可能である。多層反射層を多数組み積層することで反射
層４の反射スペクトルの半値幅が広がり、活性層６より
発光する光の発光波長範囲のほぼ全域をカバーすること
ができ、また反射層４の反射中心波長が、活性層６の発
光中心波長から多少ずれても反射スペクトルの半値幅が
広いので極端に発光効率を損ねることもなくなる。
【００１４】さらに、本実施例ではＧａＡｓ／ＧａＡｌ
Ａｓ系の発光ダイオードを用いて説明したが、本発明は
これに限らず、例えばＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｌ
Ｐ、ＩｎＧａＡｓＰ等の発光ダイオードについても適用
可能である。そして本実施例で用いた具体的な数値や、
材料は全て一例であってこれらのものに限定されること
もなく、また発光ダイオードでなく他の半導体発光素子
でもその効果は十分にある。
Ａｓ系の発光ダイオードを用いて説明したが、本発明は
これに限らず、例えばＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｌ
Ｐ、ＩｎＧａＡｓＰ等の発光ダイオードについても適用
可能である。そして本実施例で用いた具体的な数値や、
材料は全て一例であってこれらのものに限定されること
もなく、また発光ダイオードでなく他の半導体発光素子
でもその効果は十分にある。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体発光
装置によれば、基板に不純物を拡散することでこの基板
と電気導電性の異なる半導体とした電流狭窄部と、前記
基板と前記活性層との間に、活性層から基板方向へ発光
した光を前記出力窓の方向へ反射するための反射層とを
有しているので、従来よりある電流狭窄による効果を無
くすこともなく、かつ反射層によって発光効率がさらに
良くなる。また、基板を残した構造の半導体発光装置で
あって、基板に不純物を拡散してこの基板と電気導電性
の異なる半導体を形成することで電流狭窄部を形成する
ので、機械的強度が低下することもなく、電流狭窄部の
形成の工程においても困難な点が無く製造しやすい半導
体発光装置とすることができる等の効果がある。
装置によれば、基板に不純物を拡散することでこの基板
と電気導電性の異なる半導体とした電流狭窄部と、前記
基板と前記活性層との間に、活性層から基板方向へ発光
した光を前記出力窓の方向へ反射するための反射層とを
有しているので、従来よりある電流狭窄による効果を無
くすこともなく、かつ反射層によって発光効率がさらに
良くなる。また、基板を残した構造の半導体発光装置で
あって、基板に不純物を拡散してこの基板と電気導電性
の異なる半導体を形成することで電流狭窄部を形成する
ので、機械的強度が低下することもなく、電流狭窄部の
形成の工程においても困難な点が無く製造しやすい半導
体発光装置とすることができる等の効果がある。
【図１】本発明の半導体発光装置の一実施例を示す側断
面図である。
面図である。
【図２】発光ダイオード１の製造工程を示す図である。
【図３】電流狭窄部を有した発光ダイオードの一従来例
の側断面図である。
の側断面図である。
１ 発光ダイオード ２ 電流狭窄部 ３ 基板 ４ 反射層 ５ クラッド層 ６ 活性層 ７ クラッド層 １０ 光出力窓
Claims (2)
- 【請求項１】電流狭窄部によって半導体結晶内を流れる
電流を狭窄して活性層の発光領域を狭窄し、かつ前記発
光領域から発光する光を前記活性層と平行な面に形成し
た光出力窓から取り出す半導体発光装置において、 前記半導体発光装置は、基板に不純物を拡散することで
この基板と電気導電性の異なる半導体とした前記電流狭
窄部と、前記基板と前記活性層との間に、活性層から基
板方向へ発光した光を前記出力窓の方向へ反射するため
の反射層とを有することを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】電流狭窄部によって半導体結晶内を流れる
電流を狭窄して活性層の発光領域を狭窄し、かつ前記発
光領域から発光する光を前記活性層と平行な面に形成し
た光出力窓から取り出す半導体発光装置の製造方法にお
いて、 基板に不純物を拡散してこの基板と電気導電性の異なる
半導体を形成することで前記電流狭窄部を形成すること
を特徴とする半導体発光装置の製造方法。 【０００１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28559092A JPH06120559A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28559092A JPH06120559A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120559A true JPH06120559A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17693524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28559092A Pending JPH06120559A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120559A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007533143A (ja) * | 2004-04-14 | 2007-11-15 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光ダイオードチップ |
| US7402838B2 (en) | 1998-03-12 | 2008-07-22 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP28559092A patent/JPH06120559A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7402838B2 (en) | 1998-03-12 | 2008-07-22 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| US7947994B2 (en) | 1998-03-12 | 2011-05-24 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| JP2007533143A (ja) * | 2004-04-14 | 2007-11-15 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光ダイオードチップ |
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