JP2855729B2 - 面発光レーザ及びその製造方法 - Google Patents
面発光レーザ及びその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、将来の光演算やパラレル光伝送などに用い
られる面発光レーザ及びその製造方法に関する。
られる面発光レーザ及びその製造方法に関する。
（従来の技術） 従来の光コンピュータ、光演算回路では、マトリスク
状に発光デバイスが集積された光集積回路が必要とされ
ている。これに適する光源として、面発光レーザが盛ん
に研究され開発されている。この一例として、J.L.Jewe
ll氏らの発表した面発光レーザ（第７回光集積および光
通信国際会議テクニカルダイジェストvol.5 p8−p9）が
ある。この１μｍ〜５μｍ径のマイクロサイズの面発光
レーザでは発振電流1mA程度の低消費電力で発振する事
に成功している。
状に発光デバイスが集積された光集積回路が必要とされ
ている。これに適する光源として、面発光レーザが盛ん
に研究され開発されている。この一例として、J.L.Jewe
ll氏らの発表した面発光レーザ（第７回光集積および光
通信国際会議テクニカルダイジェストvol.5 p8−p9）が
ある。この１μｍ〜５μｍ径のマイクロサイズの面発光
レーザでは発振電流1mA程度の低消費電力で発振する事
に成功している。
（発明が解決しようとする課題） しかしながらこのレーザでは、反射率99.7％程度の高
反射率の半導体多層反射膜を必要としているから、±１
％以下という非常に高い精度に屈折率や膜厚を調整する
必要がある。ところが、これほどの高い精度に屈折率や
膜厚を調整することは、高精度な半導体結晶成長が可能
である分子線エピタクシー法（MBE法）をもってしても
まだ難しい。そこで、この従来の面発光レーザを製造す
るには、半導体結晶成長での歩留まり生産性が悪い。さ
らに、この面発光レーザでは、非常に高い反射率を得る
ために半導体多層反射膜が２−３μｍと非常に厚いもの
となり、この半導体多層反射膜中で光の吸収損失が大き
い。その半導体多層反射膜をもっと薄くする事が出来れ
ば光吸収損失が低減しさらに効率や閾値の改善が期待さ
れる。このように、従来の面発光レーザには解決すべき
課題があった。
反射率の半導体多層反射膜を必要としているから、±１
％以下という非常に高い精度に屈折率や膜厚を調整する
必要がある。ところが、これほどの高い精度に屈折率や
膜厚を調整することは、高精度な半導体結晶成長が可能
である分子線エピタクシー法（MBE法）をもってしても
まだ難しい。そこで、この従来の面発光レーザを製造す
るには、半導体結晶成長での歩留まり生産性が悪い。さ
らに、この面発光レーザでは、非常に高い反射率を得る
ために半導体多層反射膜が２−３μｍと非常に厚いもの
となり、この半導体多層反射膜中で光の吸収損失が大き
い。その半導体多層反射膜をもっと薄くする事が出来れ
ば光吸収損失が低減しさらに効率や閾値の改善が期待さ
れる。このように、従来の面発光レーザには解決すべき
課題があった。
そこで本発明の目的は、上述した歩留まり生産性及び
光吸収損失に関する課題を解決し、生産性及び特性の優
れた面発光レーザ及びその製造方法を提供する事にあ
る。
光吸収損失に関する課題を解決し、生産性及び特性の優
れた面発光レーザ及びその製造方法を提供する事にあ
る。
（課題を解決するための手段） 前述の課題を解決するために本願発明が提供する面発
光レーザは、 半導体基板上に半導体柱が形成されており、 この半導体柱は前記半導体基板側に形成された第１導
電型の第１半導体多層反射膜と、この第１半導体多層反
射膜の上に形成され少なくとも一つ以上の活性層を含む
活性層構造と、この活性層構造の上に形成された第２導
電型の第２半導体多層反射膜とを備え、 前記第１及び第２半導体多層反射膜はいずれも半導体
ＡとＢとを交互に積層した交互積層構造でなり、これら
半導体Ａ及びＢは発振波長λＯにおいて異なる屈折率nA
及びnBと異なる厚み をそれぞれ有し、 前記半導体Ａ及びＢの交互積層構造の周期 と一致する周期を有するグレーティングが前記半導体柱
の側面に形成してあることを特徴とする。
光レーザは、 半導体基板上に半導体柱が形成されており、 この半導体柱は前記半導体基板側に形成された第１導
電型の第１半導体多層反射膜と、この第１半導体多層反
射膜の上に形成され少なくとも一つ以上の活性層を含む
活性層構造と、この活性層構造の上に形成された第２導
電型の第２半導体多層反射膜とを備え、 前記第１及び第２半導体多層反射膜はいずれも半導体
ＡとＢとを交互に積層した交互積層構造でなり、これら
半導体Ａ及びＢは発振波長λＯにおいて異なる屈折率nA
及びnBと異なる厚み をそれぞれ有し、 前記半導体Ａ及びＢの交互積層構造の周期 と一致する周期を有するグレーティングが前記半導体柱
の側面に形成してあることを特徴とする。
また、前述の課題を解決するために本願発明が提供す
る面発光レーザの製造方法は、 半導体基板上に、異なる屈折率nA及びnBをそれぞれ有
する第１導電型の半導体Ａ及び半導体Ｂを交互に積層し
て第１半導体多層反射膜を形成する工程と、この第１半
導体多層反射膜の上に少なくとも一つ以上の活性層を含
む活性層構造を形成する工程と、この活性層構造の上に
第２導電型の前記半導体Ａ及び半導体Ｂを交互に積層し
て第２半導体多層反射膜を形成する工程と、これらの半
導体多層構造の上方にマスクを形成する工程と、このマ
スクによる選択エッチングによって前記第１半導体多層
反射膜、前記活性層構造及び前記第２半導体多層反射膜
からなる半導体柱を形成する工程と、前記半導体Ａ及び
前記半導体Ｂの半導体組成の違いを利用した選択エッチ
ングによりグレーティングを形成する工程とを含むこと
を特徴とする。
る面発光レーザの製造方法は、 半導体基板上に、異なる屈折率nA及びnBをそれぞれ有
する第１導電型の半導体Ａ及び半導体Ｂを交互に積層し
て第１半導体多層反射膜を形成する工程と、この第１半
導体多層反射膜の上に少なくとも一つ以上の活性層を含
む活性層構造を形成する工程と、この活性層構造の上に
第２導電型の前記半導体Ａ及び半導体Ｂを交互に積層し
て第２半導体多層反射膜を形成する工程と、これらの半
導体多層構造の上方にマスクを形成する工程と、このマ
スクによる選択エッチングによって前記第１半導体多層
反射膜、前記活性層構造及び前記第２半導体多層反射膜
からなる半導体柱を形成する工程と、前記半導体Ａ及び
前記半導体Ｂの半導体組成の違いを利用した選択エッチ
ングによりグレーティングを形成する工程とを含むこと
を特徴とする。
（作用） 従来の面発光レーザにおいても、半導体多層反射膜
は、異なる屈折率を有する半導体Ａ及び半導体Ｂの交互
積層構造となっている。例えばJewllらの試作例ではGaA
sとAlAsを材料として用いており、屈折率は発振波長0.9
5μｍ近傍において、それぞれ3.6,3.0となっている。こ
のように、従来の半導体多層反射膜における屈折率はほ
ぼ20％しか無いから、面発光レーザに要求される高反射
率99.7％を実現するために23周期もの半導体多層反射膜
を必要とする。23周期の様に周期数の多い多層反射膜で
はGaAsとAlAsのそれぞれの膜厚がわずかにずれると急激
に反射率が低下する。従って、各々の膜厚許容誤差には
１％以下の高い精度が要求されており、生産性が悪化し
ている。第２の欠点は、23周期の全部の厚みは２μｍ以
上と厚いから、この中における光吸収損失が大きい異で
ある。光吸収損失は厚さと不純物濃度の関数である。ｐ
型及びｎ型の不純物濃度を下げれば光吸収損失は低減す
るが、電流を流した時の直列抵抗が増大し、デバイスの
温度安定性や高速応答に支障をきたす。そこで、不純物
濃度はやはり1018cm-3以上の高濃度が必要とされ、あま
り下げる事が出来ない。従って光吸収損失を低減するに
は、多層反射膜の厚さを低減するのが良い方法である。
は、異なる屈折率を有する半導体Ａ及び半導体Ｂの交互
積層構造となっている。例えばJewllらの試作例ではGaA
sとAlAsを材料として用いており、屈折率は発振波長0.9
5μｍ近傍において、それぞれ3.6,3.0となっている。こ
のように、従来の半導体多層反射膜における屈折率はほ
ぼ20％しか無いから、面発光レーザに要求される高反射
率99.7％を実現するために23周期もの半導体多層反射膜
を必要とする。23周期の様に周期数の多い多層反射膜で
はGaAsとAlAsのそれぞれの膜厚がわずかにずれると急激
に反射率が低下する。従って、各々の膜厚許容誤差には
１％以下の高い精度が要求されており、生産性が悪化し
ている。第２の欠点は、23周期の全部の厚みは２μｍ以
上と厚いから、この中における光吸収損失が大きい異で
ある。光吸収損失は厚さと不純物濃度の関数である。ｐ
型及びｎ型の不純物濃度を下げれば光吸収損失は低減す
るが、電流を流した時の直列抵抗が増大し、デバイスの
温度安定性や高速応答に支障をきたす。そこで、不純物
濃度はやはり1018cm-3以上の高濃度が必要とされ、あま
り下げる事が出来ない。従って光吸収損失を低減するに
は、多層反射膜の厚さを低減するのが良い方法である。
以上に述べた従来の面発光レーザにおける２つの欠点
は全てGaAsとAlAsの屈折率差が小さいという事に起因し
ている。すなわち、屈折率差が小さいので高反射率を得
るのに多周期の多層反射膜を要しており、膜厚に対する
高い要求精度および大きい光吸収損失という欠点を招い
ている。従って、何とか屈折率差を大きくする事が出来
れば、以上の２つの欠点は解決されると考えられる。そ
こで、本発明では、側面を用いてこの屈折率差を大きく
する構造を採用している。すなわち、側面に半導体多層
反射膜と周期の合ったグレーティングを形成する事によ
って屈折率差を大きくする工夫である。これによって、
側面からの回折効果も加わるために、多層反射膜におけ
る等価的な屈折率差を大きくする事が出来る。これによ
り、高反射率を得るのに必要な多層反射膜の周期数を減
らす事が出来る。そこで、高反射率特性の波長に対する
広帯域化が実現して、膜厚制御に要求される精度が緩や
かなものとなり、生産性が向上する。そのうえに、本発
明の構造の採用により、一方周期数の低減による膜厚の
減少によって、光吸収損失の低減、レーザ特性における
効率の上昇、閾値の低減等の改善が得られる。本発明に
おいては、デバイスが小口径の場合に、側面のグレーテ
ィングの影響が大となり、より一層の効果が得られる。
は全てGaAsとAlAsの屈折率差が小さいという事に起因し
ている。すなわち、屈折率差が小さいので高反射率を得
るのに多周期の多層反射膜を要しており、膜厚に対する
高い要求精度および大きい光吸収損失という欠点を招い
ている。従って、何とか屈折率差を大きくする事が出来
れば、以上の２つの欠点は解決されると考えられる。そ
こで、本発明では、側面を用いてこの屈折率差を大きく
する構造を採用している。すなわち、側面に半導体多層
反射膜と周期の合ったグレーティングを形成する事によ
って屈折率差を大きくする工夫である。これによって、
側面からの回折効果も加わるために、多層反射膜におけ
る等価的な屈折率差を大きくする事が出来る。これによ
り、高反射率を得るのに必要な多層反射膜の周期数を減
らす事が出来る。そこで、高反射率特性の波長に対する
広帯域化が実現して、膜厚制御に要求される精度が緩や
かなものとなり、生産性が向上する。そのうえに、本発
明の構造の採用により、一方周期数の低減による膜厚の
減少によって、光吸収損失の低減、レーザ特性における
効率の上昇、閾値の低減等の改善が得られる。本発明に
おいては、デバイスが小口径の場合に、側面のグレーテ
ィングの影響が大となり、より一層の効果が得られる。
一方、本発明の製造方法によれば、多層反射膜に含ま
れる屈折率の異なる半導体Ａ及び半導体Ｂの組成の違い
を利用した選択エッチングによって、側面に簡便にグレ
ーティングを形成できるから、本発明の面発光レーザを
歩留まり良く製造できる。
れる屈折率の異なる半導体Ａ及び半導体Ｂの組成の違い
を利用した選択エッチングによって、側面に簡便にグレ
ーティングを形成できるから、本発明の面発光レーザを
歩留まり良く製造できる。
（実施例） 次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。第１図は本発明の一実施例の面発光レーザの断
面図である。
明する。第１図は本発明の一実施例の面発光レーザの断
面図である。
図中、１はｎ−GaAsからなる半導体基板、２は第１半
導体多層反射膜（ｎ−AlAs802Å/n−GaAs670Å／の12周
期）、３は活性層構造（Al0.5Ga0.5As715Å/In0.2Ga0.8
As100Å/Al0.5Ga0.5As715Å）、４は第２半導体多層反
射膜（ｐ−AlAs802Å/p−GaAs670Åの５周期）、５はキ
ャップ層（p+−GaAs30Å）である。ここで活性層構造３
はAl0.5Ga0.5Asからなる第１閉じ込め層3a、In0.2Ga0.8
Asの歪単一量子井戸3b、Al0.5Ga0.5Asからなる第２閉じ
込め層3cからなる。側面にはグレーティング10がある。
デバイス径１μｍ、グレーティング深さ500〜2000Åの
場合に、従来の約半分の周期数で高い反射率が得られ
る。この必要な周期数はグレーティングの深さやデバイ
ス径、及びグレーティングの上に形成する誘電体膜11の
有無や厚さによって大きく変動するから、これらの設計
が重要である。また、誘電体膜11に代えて多層高反射コ
ーティングや誘電体と高反射の金属等の組合せによって
もさらに高反射多層膜の周期数を減らせると考えられ
る。以上のグレーティングによって半導体多層反射膜の
周期数が低減されるから、GaAsとAlAsの形式時に要求さ
れる精度が大幅に緩和され、さらに光吸収損失の低減に
よってレーザの効率及び閾値が大きく改善される。
導体多層反射膜（ｎ−AlAs802Å/n−GaAs670Å／の12周
期）、３は活性層構造（Al0.5Ga0.5As715Å/In0.2Ga0.8
As100Å/Al0.5Ga0.5As715Å）、４は第２半導体多層反
射膜（ｐ−AlAs802Å/p−GaAs670Åの５周期）、５はキ
ャップ層（p+−GaAs30Å）である。ここで活性層構造３
はAl0.5Ga0.5Asからなる第１閉じ込め層3a、In0.2Ga0.8
Asの歪単一量子井戸3b、Al0.5Ga0.5Asからなる第２閉じ
込め層3cからなる。側面にはグレーティング10がある。
デバイス径１μｍ、グレーティング深さ500〜2000Åの
場合に、従来の約半分の周期数で高い反射率が得られ
る。この必要な周期数はグレーティングの深さやデバイ
ス径、及びグレーティングの上に形成する誘電体膜11の
有無や厚さによって大きく変動するから、これらの設計
が重要である。また、誘電体膜11に代えて多層高反射コ
ーティングや誘電体と高反射の金属等の組合せによって
もさらに高反射多層膜の周期数を減らせると考えられ
る。以上のグレーティングによって半導体多層反射膜の
周期数が低減されるから、GaAsとAlAsの形式時に要求さ
れる精度が大幅に緩和され、さらに光吸収損失の低減に
よってレーザの効率及び閾値が大きく改善される。
次に本実施例の製作方法について述べる。まず、半導
体基板１上に、第１半導体多層反射膜２、活性層構造
３、第２半導体多層反射膜４、キャップ層５を順次に結
晶で成長させる。この結晶成長の方法には、MBE法、有
機金属気相成長法（MO−CVD法）等があり、高い精度に
膜厚が制御できる成長法によれば、緩和された膜厚許容
誤差を満足する事は容易である。次にｐ型電極６を形成
する。次に通常のホトグラフィ技術によって円形のマス
ク（例えばホトレジストあるいはｐ型電極６を用いても
良い）を形成する。マスクの径によってデバイス径が決
まるが通常は0.5〜10μｍである。その後、ドライエッ
チング技術を用いて半導体積層構造を柱状に整形する。
次にGaAsとAlAsとに対して選択性のあるエッチング液
（例えばHcl希釈液等）によってグレーティング10を形
成する。この選択エッチングは、選択性があれば何でも
良く通常の化学エッチングの他に真空チェンバー内での
GaAsの蒸発等も用いる事が出来る。この様にGaAsとAlAs
の組成の違いを利用する事によって簡便にグレーティン
グ10を形成する事が出来る。次に誘電体膜11（SiO2膜）
を保護膜として形成し、ｎ型電極７を形成する。In0.2G
a0.8Asの発光波長950nmに対してGaAsからなる半導体基
板１は透明であるから、発振光８は半導体基板１の裏面
から取り出す事が出来る。
体基板１上に、第１半導体多層反射膜２、活性層構造
３、第２半導体多層反射膜４、キャップ層５を順次に結
晶で成長させる。この結晶成長の方法には、MBE法、有
機金属気相成長法（MO−CVD法）等があり、高い精度に
膜厚が制御できる成長法によれば、緩和された膜厚許容
誤差を満足する事は容易である。次にｐ型電極６を形成
する。次に通常のホトグラフィ技術によって円形のマス
ク（例えばホトレジストあるいはｐ型電極６を用いても
良い）を形成する。マスクの径によってデバイス径が決
まるが通常は0.5〜10μｍである。その後、ドライエッ
チング技術を用いて半導体積層構造を柱状に整形する。
次にGaAsとAlAsとに対して選択性のあるエッチング液
（例えばHcl希釈液等）によってグレーティング10を形
成する。この選択エッチングは、選択性があれば何でも
良く通常の化学エッチングの他に真空チェンバー内での
GaAsの蒸発等も用いる事が出来る。この様にGaAsとAlAs
の組成の違いを利用する事によって簡便にグレーティン
グ10を形成する事が出来る。次に誘電体膜11（SiO2膜）
を保護膜として形成し、ｎ型電極７を形成する。In0.2G
a0.8Asの発光波長950nmに対してGaAsからなる半導体基
板１は透明であるから、発振光８は半導体基板１の裏面
から取り出す事が出来る。
以上の実施例では活性層構造３としてAl0.5Ga0.5As/I
nGaAs/Al0.5Ga0.5Asの単一量子井戸構造を用いたが、こ
れに限らず多重量子井戸構造等の他の層構造を用いても
良い。また、本実施例ではキャップ層５をｐ型電極のた
めに用いたが、第２半導体多層反射膜４の表面近傍を十
分に高い濃度（71019cm-3）にすれば、キャップ層５は
設けなくても良い。また、半導体多層反射膜2,4としてG
aAs670Å/AlAs802Åのものを用いたが、これに限らず発
振光波長λＯに対して異なる屈折率nA,nBを有し厚みが
各々λO/4nA,λO/4nBの層の交互積層構造であれば他の
組成及び厚さでも良い。また、本実施例では、マスクと
して円形のものを用いたが、これに限らず四角形等の他
の形状でも本発明を適用出来る。さらに、本実施例では
材料としてAlGaAs/GaAs系を用いたが、これに限らずInG
aAsP/InP系等の他の材料系においても本発明は適用でき
る。
nGaAs/Al0.5Ga0.5Asの単一量子井戸構造を用いたが、こ
れに限らず多重量子井戸構造等の他の層構造を用いても
良い。また、本実施例ではキャップ層５をｐ型電極のた
めに用いたが、第２半導体多層反射膜４の表面近傍を十
分に高い濃度（71019cm-3）にすれば、キャップ層５は
設けなくても良い。また、半導体多層反射膜2,4としてG
aAs670Å/AlAs802Åのものを用いたが、これに限らず発
振光波長λＯに対して異なる屈折率nA,nBを有し厚みが
各々λO/4nA,λO/4nBの層の交互積層構造であれば他の
組成及び厚さでも良い。また、本実施例では、マスクと
して円形のものを用いたが、これに限らず四角形等の他
の形状でも本発明を適用出来る。さらに、本実施例では
材料としてAlGaAs/GaAs系を用いたが、これに限らずInG
aAsP/InP系等の他の材料系においても本発明は適用でき
る。
（発明の効果） 以上に詳しく説明したように本発明によれば、生産性
及び特性が優れている面発光レーザ及びその製造方法を
提供することができる。
及び特性が優れている面発光レーザ及びその製造方法を
提供することができる。
第１図は本発明の一実施例の面発光レーザを示す断面図
である。 図中、１は半導体基板、２は第１半導体多層反射膜、3a
は第１閉じ込め層、3bは量子井戸、3cは第２閉じ込め
層、３は活性層構造、４は第２半導体多層反射膜、５は
キャップ層、６はｐ型電極、７はｎ型電極、８は発振
光、10はグレーティング、11は誘電体膜である。
である。 図中、１は半導体基板、２は第１半導体多層反射膜、3a
は第１閉じ込め層、3bは量子井戸、3cは第２閉じ込め
層、３は活性層構造、４は第２半導体多層反射膜、５は
キャップ層、６はｐ型電極、７はｎ型電極、８は発振
光、10はグレーティング、11は誘電体膜である。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上に半導体柱が形成されてお
り、 この半導体柱は前記半導体基板側に形成された第１導電
型の第１半導体多層反射膜と、この第１半導体多層反射
膜の上に形成され少なくとも一つ以上の活性層を含む活
性層構造と、この活性層構造の上に形成された第２導電
型の第２半導体多層反射膜とを備え、 前記第１及び第２半導体多層反射膜はいずれも半導体Ａ
とＢとを交互に積層した交互積層構造でなり、これら半
導体Ａ及びＢは発振波長λＯにおいて異なる屈折率nA及
びnBと異なる厚み をそれぞれ有し、 前記半導体Ａ及びＢの交互積層構造の周期 と一致する周期を有するグレーティングが前記半導体柱
の側面に形成してあることを特徴とする面発光レーザ。 - 【請求項２】半導体基板上に、異なる屈折率nA及びnBを
それぞれ有する第１導電型の半導体Ａ及び半導体Ｂを交
互に積層して第１半導体多層反射膜を形成する工程と、
この第１半導体多層反射膜の上に少なくとも一つ以上の
活性層を含む活性層構造を形成する工程と、この活性層
構造の上に第２導電型の前記半導体Ａ及び半導体Ｂを交
互に積層して第２半導体多層反射膜を形成する工程と、
これらの半導体多層構造の上方にマスクを形成する工程
と、このマスクによる選択エッチングによって前記第１
半導体多層反射膜、前記活性層構造及び前記第２半導体
多層反射膜からなる半導体柱を形成する工程と、前記半
導体Ａ及び前記半導体Ｂの半導体組成の違いを利用した
選択エッチングによりグレーティングを形成する工程と
を含むことを特徴とする面発光レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1329849A JP2855729B2 (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 面発光レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1329849A JP2855729B2 (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 面発光レーザ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190295A JPH03190295A (ja) | 1991-08-20 |
| JP2855729B2 true JP2855729B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=18225922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1329849A Expired - Fee Related JP2855729B2 (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 面発光レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2855729B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175598A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP3799667B2 (ja) * | 1996-07-10 | 2006-07-19 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2004158664A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Sony Corp | 面発光半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP4895993B2 (ja) | 2007-12-26 | 2012-03-14 | ソニー株式会社 | 発光素子組立体及びその製造方法 |
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1989
- 1989-12-20 JP JP1329849A patent/JP2855729B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
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|---|
| Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．２５［２０］（１９８９）ｐ．１３７７−１３７８ |
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