JP6820146B2 - 垂直共振器型発光素子 - Google Patents
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Description
第1反射鏡上に形成され、少なくとも1の半導体層からなる第1半導体層と、第1半導体層上に形成された活性層と、活性層上に形成され、第1半導体層と反対の導電型を有する少なくとも1の半導体層からなる第2半導体層と、第2半導体層上に第1反射鏡に対向して配された半導体DBRからなる第2反射鏡と、前記第2反射鏡上に形成された電極と、を有し、第1反射鏡、第2反射鏡、第1半導体層及び第2半導体層のうち少なくとも1は、隣接する上層及び下層の半導体層の側壁よりも内側に窪んだAlを含む半導体層を有する。
また、窪んだ半導体層A1Rは、中心軸CAに関して回転対称形状を有することが好ましいが、所望のビームプロファイル又は横モード制御に応じた形状を有していれば良い。
11、31 第1反射鏡
A1 第1反射鏡の第1組成の層
B1 第1反射鏡の第2組成の層
RS、RS2、RS3 内側に窪んだ側壁
A1R、B1R、32AR、A3R 内側に窪んだ半導体層
G11、G21、G32 間隙
12、32、42 半導体構造層
12A n型半導体層
12B 活性層
12C p型半導体層
13、53 第2反射鏡
14 絶縁層
15、25 透光性電極
16 下地層
17 基板
18 p電極
19、39 n電極
Claims (7)
- 半導体DBR層からなる第1反射鏡と、
前記第1反射鏡上に形成され、少なくとも1の半導体層からなる第1半導体層と、
前記第1半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成され、前記第1半導体層と反対の導電型を有する少なくとも1の半導体層からなる第2半導体層と、
前記第2半導体層上に形成された透光性電極と、
前記透光性電極上に前記第1反射鏡に対向して配された第2反射鏡と、を有し、
前記第1反射鏡、前記第1半導体層及び前記第2半導体層のうち少なくとも1は、隣接する上層及び下層の半導体層の側壁よりも内側に窪んだAlを含む半導体層を有し、
前記半導体DBR層は互いに組成の異なる第1組成及び第2組成の半導体層が交互に積層されて構成され、少なくとも1の前記第1組成の半導体層が前記窪んだ半導体層である垂直共振器型発光素子。 - 前記窪んだ半導体層は前記第1半導体層及び前記第2半導体層の少なくとも1に設けられ、積層方向に不純物濃度分布を有するように不純物がドープされている請求項1に記載の垂直共振器型発光素子。
- 半導体DBR層からなる第1反射鏡と、
前記第1反射鏡上に形成され、少なくとも1の半導体層からなる第1半導体層と、
前記第1半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成され、前記第1半導体層と反対の導電型を有する少なくとも1の半導体層からなる第2半導体層と、
前記第2半導体層上に形成された透光性電極と、
前記透光性電極上に前記第1反射鏡に対向して配された第2反射鏡と、を有し、
前記第1反射鏡、前記第1半導体層及び前記第2半導体層のうち少なくとも1は、隣接する上層及び下層の半導体層の側壁よりも内側に窪んだAlを含む半導体層を有し、
前記窪んだ半導体層は前記第1半導体層及び前記第2半導体層の少なくとも1に設けられ、積層方向に不純物濃度分布を有するように不純物がドープされている垂直共振器型発光素子。 - 連続した前記第1組成及び前記第2組成の半導体層が前記窪んだ半導体層である請求項1または2に記載の垂直共振器型発光素子。
- 前記活性層の発光波長をλ、前記窪んだ半導体層及び前記活性層間の半導体層の平均屈折率をnとしたとき、前記窪んだ半導体層及び前記活性層間の層厚方向の距離が、λ/2nのk倍(kは自然数)である請求項1乃至4のいずれか1に記載の垂直共振器型発光素子。
- 前記第1反射鏡、前記第2反射鏡、前記第1半導体層、前記活性層及び前記第2半導体層からなる半導体積層体は、積層方向の軸を中心軸とする回転対称形状を有し、前記窪んだ半導体層は前記半導体積層体と同軸の回転対称形状を有する請求項1乃至5のいずれか1に記載の垂直共振器型発光素子。
- 前記半導体積層体は楕円柱を含む円柱形状を有する請求項6に記載の垂直共振器型発光素子。
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