JP6664688B2 - 垂直共振器型発光素子 - Google Patents
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Description
[変形例]
図2は、実施例1の変形例に係る半導体レーザ10Aの断面図である。半導体レーザ10Aは、n電極16の構成を除いては、半導体レーザ10と同様の構成を有する。本変形例においては、n電極16は、ドープ多層膜(第2の多層膜)13B上に形成されている。すなわち、n電極16は、第2の多層膜13Bに接触されている。
[変形例]
図4は、実施例2の変形例に係る半導体レーザ20Aの断面図である。半導体レーザ20Aは、第1の反射鏡23A(ドープ多層膜23B1)及びn電極26Aの構成を除いては半導体レーザ20と同様の構成を有する。
13、23、33 第1の反射鏡
13A 第1の多層膜(ノンドープ多層膜)
13B、23B、23B1、33B 第2の多層膜(ドープ多層膜)
14A、34A 第1の半導体層(n型半導体層)
14B 活性層
14C 第2の半導体層(p型半導体層)
15 第2の反射鏡
Claims (11)
- 複数の半導体層からなる第1の多層膜と、前記第1の多層膜上に形成され、第1の導電型を示す不純物が前記第1の多層膜よりも多くドープされた複数の半導体層からなる第2の多層膜と、を含む第1の反射鏡と、
前記第2の多層膜上に形成され、前記第1の導電型を有する第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成され、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型を有する第2の半導体層と、
前記第2の半導体層上において前記第1の反射鏡に対向して配置された第2の反射鏡と、
前記第2の多層膜に接触して、前記第1の半導体層から離隔して設けられた電極と、を有することを特徴とする垂直共振器型発光素子。 - 前記電極は、前記第2の多層膜の側面に接触されていることを特徴とする請求項1に記載の垂直共振器型発光素子。
- 前記第2の多層膜は、前記第1の半導体層に接する上面と、前記第1の半導体層、前記活性層及び前記第2の半導体層からなる半導体構造層の積層境界面に垂直な方向から見たときに前記上面の外縁が前記半導体構造層を取り囲むように形成された凸部を有し、
前記電極は、前記凸部の側面上に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の垂直共振器型発光素子。 - 前記半導体構造層は円柱形状又は円錐台形状を有し、
前記凸部は、前記半導体構造層と同軸の円柱形状又は円錐台形状を有し、
前記電極は、前記凸部の前記側面全体を覆うように形成されていることを特徴とする請求項3に記載の垂直共振器型発光素子。 - 前記電極は、前記凸部の外側の前記第2の多層膜の表面上に形成されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の垂直共振器型発光素子。
- 複数の半導体層からなる第1の多層膜と、前記第1の多層膜上に形成され、第1の導電型を示す不純物が前記第1の多層膜よりも多くドープされた複数の半導体層からなる第2の多層膜と、を含む第1の反射鏡と、
前記第2の多層膜上に形成され、前記第1の導電型を有する第1の半導体層、前記第1の半導体層上に形成された活性層、及び前記活性層上に形成され、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型を有する第2の半導体層からなる半導体構造層と、
前記第2の半導体層上において前記第1の反射鏡に対向して配置された第2の反射鏡と、を有する垂直共振器型発光素子であって、
前記半導体構造層は円柱形状又は円錐台形状を有し、
前記第2の多層膜の少なくとも一部は上面が前記第1の半導体層に接する円柱形状又は円錐台形状であり、前記上面の外縁が、前記半導体構造層の積層境界面に垂直な方向から見たときに前記半導体構造層を取り囲んでおり、
前記垂直共振器型発光素子は、前記第2の多層膜の前記円柱形状又は円錐台形状の側面に形成された電極をさらに有することを特徴とする垂直共振器型発光素子。 - 前記第2の多層膜は、上面が前記第1の半導体層に接する円柱形状又は円錐台形状の凸部を有し、
前記電極は、前記凸部の外側の前記第2の多層膜の表面上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の垂直共振器型発光素子。 - 前記第2の多層膜は、高屈折率層と、前記高屈折率層よりも小さな屈折率を有し、前記高屈折率層とは異なる不純物濃度を有する低屈折率層とが交互に積層された構造を有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1つに記載の垂直共振器型発光素子。
- 前記低屈折率層は、低ドープ層と、前記低ドープ層よりも前記活性層側でかつ前記高屈折率層との界面に形成され、前記低ドープ層及び前記高屈折率層よりも高い不純物濃度を有する高ドープ層とを有することを特徴とする請求項8に記載の垂直共振器型発光素子。
- 前記第2の反射鏡は誘電体多層膜からなることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1つに記載の垂直共振器型発光素子。
- 前記第1の多層膜はノンドープ多層膜であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1つに記載の垂直共振器型発光素子。
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