JP2021197437A - 垂直共振器型発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
当該変形例4は、実施例2及び3においても適用可能である。
11 基板
13 第1の多層膜反射鏡
15 半導体構造層
17 n型半導体層
19 活性層
21 p型半導体層
23 n電極
25 絶縁層
27 p電極
29 第2の多層膜反射鏡
31 透光電極層
33 誘電体層
Claims (10)
- 窒化ガリウム系半導体の基板と、
前記基板上に形成された窒化物半導体よりなる第1の多層膜反射鏡と、
前記第1の多層膜反射鏡上に形成された第1の導電型を有する窒化物半導体よりなる第1の半導体層、前記第1の半導体層上に形成された窒化物半導体よりなる活性層、及び前記活性層上に形成されかつ前記第1の導電型とは反対の第2の導電型を有する窒化物半導体よりなる第2の半導体層を含む半導体構造層と、
前記第2の半導体層の上面に形成され、前記第2の半導体層の1の領域においてに電気的に接触しており且つ、前記第1の領域以外の前記第1の領域を囲繞する他の領域において前記第2の半導体層と絶縁されている透光性電極層と、
前記他の領域の上方の前記透光性電極層の上面に形成されている金属導電体層と、
前記透光性電極層上に前記1の領域を覆うように形成され、前記第1の多層膜反射鏡との間で共振器を構成する第2の多層膜反射鏡と、を有し、
前記半導体構造層の上面の、前記他の領域には段差が形成されており、
前記金属導電体層は、前記段差上において前記透光性電極層を覆うように形成されていることを特徴とする垂直共振器型発光素子。 - 前記段差は、前記半導体構造層の上面の前記1の領域を囲繞する領域に当該上面から前記活性層を貫通する1又は複数の凹部を含む1の凹構造であることを特徴とする請求項1に記載の垂直共振器型発光素子。
- 前記金属導電体層は、前記1又は複数の凹部の内面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の垂直共振器型発光素子。
- 前記段差は、前記半導体構造層の上面に対する角度が45°以下の傾斜面を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の垂直共振器型発光素子。
- 前記第1の半導体層は上面にメサ形状の構造を有し、前記メサ形状の構造上に前記活性層及び前記第2の半導体層が積層され、
前記垂直共振器型発光素子は、前記メサ形状の構造の周囲に存在する前記第1の半導体層の上面に前記第1の半導体層と電気的に接触している電極層を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の垂直共振器型発光素子。 - 前記基板は前記第1の導電型を備え、
前記垂直共振器型発光素子は、前記基板の前記半導体構造層とは反対側の面であって、かつ、前記基板の上面に垂直な方向から見て前記1の領域に対応する領域を除く箇所に配置されている電極層を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の垂直共振器型発光素子。 - 窒化ガリウム系半導体の基板と、
前記基板上に形成された窒化物半導体よりなる第1の多層膜反射鏡と、
前記第1の多層膜反射鏡上に形成された第1の導電型を有する窒化物半導体よりなる第1の半導体層、前記第1の半導体層上に形成された窒化物半導体よりなる活性層、及び前記活性層上に形成されかつ前記第1の導電型とは反対の第2の導電型を有する窒化物半導体よりなる第2の半導体層を含む半導体構造層と、
前記第2の半導体層の上面に形成され、前記第2の半導体層の1の領域を囲繞する領域に形成されている透光性絶縁層と、
前記第2の半導体層の上面及び前記透光性絶縁層の上面に亘って形成され、前記1の領域において前記第2の半導体層に接触している透光性電極層と、
前記他の領域の上方の前記透光性電極層の上面に形成されている金属導電体層と、
前記透光性電極層上に前記1の領域を覆うように形成され、前記第1の多層膜反射鏡との間で共振器を構成する第2の多層膜反射鏡と、を有し、
前記金属導電体層は、前記透光性絶縁層の内縁を前記透光性電極層を介して覆うように形成されていることを特徴とする垂直共振器型発光素子。 - 前記透光性絶縁層の内縁は、前記半導体構造層の上面に対する角度が45°以下の傾斜面を有することを特徴とする請求項7に記載の垂直共振器型発光素子。
- 前記第1の半導体層は上面にメサ形状の構造を有し、前記メサ形状の構造上に前記活性層及び前記第2の半導体層が積層され、
前記垂直共振器型発光素子は、前記メサ形状の構造の周囲に存在する前記第1の半導体層の上面に前記第1の半導体層と電気的に接触している電極層を有することを特徴とする請求項7又は8に記載の垂直共振器型発光素子。 - 前記基板は前記第1の導電型を備え、
前記垂直共振器型発光素子は、前記基板の前記半導体構造層とは反対側の面であって、かつ、前記基板の上面に垂直な方向から見て前記1の領域に対応する領域を除く箇所に配置されている電極層を有することを特徴とする請求項7又は8に記載の垂直共振器型発光素子。
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