JPWO2018020793A1 - 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2018020793A1 JPWO2018020793A1 JP2018529377A JP2018529377A JPWO2018020793A1 JP WO2018020793 A1 JPWO2018020793 A1 JP WO2018020793A1 JP 2018529377 A JP2018529377 A JP 2018529377A JP 2018529377 A JP2018529377 A JP 2018529377A JP WO2018020793 A1 JPWO2018020793 A1 JP WO2018020793A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- recess
- emitting device
- semiconductor light
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34346—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
- H01S2304/04—MOCVD or MOVPE
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0287—Facet reflectivity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3202—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth
- H01S5/320225—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth polar orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3202—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth
- H01S5/320275—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth semi-polar orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
1.実施の形態(積層構造体の第2面に隣接する端部に第1凹部を、厚み方向に延在する端部に第2凹部をそれぞれ有する半導体発光素子の例)
2.変形例1−1〜1−3(第1凹部の配置構成の他の例)
3.変形例2(第2凹部の配置構成の他の例)
4.変形例3−1,3−2(第2凹部の断面形状の他の例)
5.変形例4−1,4−2(第1凹部および第3凹部の断面形状の他の例)
6.変形例5−1,5−2(第3凹部の他の構成例)
[構成]
図1は、本開示の一実施の形態に係る半導体発光素子1の構成例を表したものである。半導体発光素子1は、例えば、高密度光ディスク装置、レーザビームプリンタおよびフルカラーディスプレイ等の光源として好適に用いられるものである。この半導体発光素子1は、互いに対向する第1面S1と第2面S2とを有する積層構造体2を備える。積層構造体2は、例えば、基板10と、この基板10上に結晶成長により形成された半導体層20とを有している。積層構造体2の第2面S2上には、帯状の突条部31と上部電極30(例えばp側電極)とが設けられている。積層構造体2の基板10には、図示しない下部電極(例えばn側電極)が電気的に接続されている。下部電極は、例えば、第1面S1の裏面に形成されている。
次に、半導体発光素子1の製造方法について説明する。図5は、半導体発光素子1の製造工程の流れを表したものである。
本実施の形態の半導体発光素子1では、上部電極30と下部電極との間に所定の電圧が印加されると、半導体層20の活性層21に電流が注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この活性層21において発生した光は、例えば一対の共振器ミラーを構成する端面S3,S4において繰り返し反射された後、端面S3の発光領域21Aから所定の発振波長λで出射する(レーザ発振する)。
図7は、変形例1−1に係る半導体発光素子の構成例を表す断面図である。図8は、変形例1−2に係る半導体発光素子の構成例を表す断面図である。図9は、変形例1−3に係る半導体発光素子(素子領域1A)の構成例を表す断面図である。尚、図7〜9では、素子基板1Bの状態(へき開前の状態)を示している。
図10は、変形例2に係る半導体発光素子の構成例を表す平面図である。図11は、図10に示した半導体発光素子の断面構成を表す図である。尚、図10および図11では、素子基板1Bの状態(へき開前の状態)を示している。
図12は、変形例3−1に係る半導体発光素子の構成例を表す断面図である。図13は、変形例3−2に係る半導体発光素子の構成例を表す断面図である。尚、図12および図13では、素子基板1Bの状態(へき開前の状態)を示している。
図14は、変形例4−1に係る半導体発光素子の構成例を表す断面図である。図15は、変形例4−2に係る半導体発光素子の構成例を表す断面図である。尚、図14および図15では、素子基板1Bの状態(へき開前の状態)を示している。
図16は、変形例5−1に係る半導体発光素子の構成例を表す断面図である。図17は、変形例5−2に係る半導体発光素子の構成例を表す断面図である。尚、図16および図17では、素子基板1Bの状態(へき開前の状態)を示している。
(1)
対向する第1面と第2面との間に、前記第1面の側から順に、化合物半導体から構成された基板と、前記基板上に結晶成長されると共に発光領域を含む半導体層とを有する積層構造体と、
前記積層構造体の前記第2面に隣接する第1の端部のうちの少なくとも一部に形成された第1の凹部と、
前記積層構造体の厚み方向に沿って延在する第2の端部に形成された第2の凹部と
を備えた
半導体発光素子。
(2)
前記第1の凹部は、前記第1の端部のうちの前記発光領域に対応する領域を除いた部分に形成されている
上記(1)に記載の半導体発光素子。
(3)
前記第2の凹部は、前記積層構造体の前記第1面から前記第2面に至るまで連続して形成されている
上記(1)または(2)に記載の半導体発光素子。
(4)
前記積層構造体の前記第1面に隣接すると共に前記第1の端部と対向する第3の端部のうちの少なくとも一部に、第3の凹部を更に備えた
上記(1)ないし(3)のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
(5)
前記第1の凹部の前記第1の端部の延在方向に沿った長さは、前記第2の凹部の前記第1の端部の延在方向に沿った長さよりも大きい
上記(1)ないし(4)のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
(6)
前記第1の凹部は、前記半導体層の前記発光領域を挟む2つの領域のうちの一方または両方の領域に設けられている
上記(1)ないし(5)のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
(7)
前記第1の凹部は、前記第2の凹部と隣接して設けられている
上記(1)ないし(6)のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
(8)
前記第1の凹部は、前記第2の凹部と離隔して設けられている
上記(1)ないし(7)のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
(9)
前記第1および第2の凹部の断面形状はそれぞれ、四角形状、三角形状または台形状である
上記(1)ないし(8)のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
(10)
前記積層構造体は、直方体形状を有すると共に、前記発光領域を含む第1の端面と前記第1の端面と対向する第2の端面とを有し、
前記第1の端部は、前記第2面と前記第1の端面とに隣接する辺、および前記第2面と前記第2の端面とに隣接する辺のそれぞれに対応する部分である
上記(1)ないし(9)のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
(11)
前記積層構造体は、直方体形状を有すると共に、前記発光領域を含む第1の端面と前記第1の端面と対向する第2の端面とを有し、
前記第2の端部は、前記厚み方向に沿って延在すると共に、前記第1および第2の端面のそれぞれに隣接する2つの辺のうちの一方または両方の辺に対応する部分である
上記(1)ないし(10)のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
(12)
前記積層構造体は、直方体形状を有すると共に、前記発光領域を含む第1の端面と前記第1の端面と対向する第2の端面とを有し、
前記第3の端部は、前記第1面と前記第1の端面とに隣接する辺、および前記第1面と前記第2の端面とに隣接する辺のそれぞれに対応する部分である
上記(4)に記載の半導体発光素子。
(13)
前記基板は半極性面を有する
上記(1)ないし(12)のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
(14)
前記積層構造体は、III族窒化物半導体を含む
上記(1)ないし(13)のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
(15)
対向する第1面と第2面との間に、前記第1面の側から順に、化合物半導体から構成された基板と、前記基板上に結晶成長されると共に発光領域を含む半導体層とを有する積層構造体を形成し、
前記積層構造体を形成する際、
前記積層構造体の前記第2面に隣接する第1の端部のうちの少なくとも一部に第1の凹部を形成し、
前記積層構造体の厚み方向に沿って延在する第2の端部に第2の凹部を形成する
半導体発光素子の製造方法。
(16)
前記基板上に、それぞれが前記積層構造体に対応する複数の素子領域を形成した後、へき開により前記積層構造体の端面を形成し、
前記へき開の際に、
前記第2面の各素子領域同士の間の少なくとも一部の領域に一方向に沿って延在する第4の凹部を形成し、
各素子領域同士の間の少なくとも一部の領域に、前記積層構造体を貫通する孔を形成し、
前記第4の凹部および前記孔に対応する領域をへき開ラインとして前記端面を形成する
上記(15)に記載の半導体発光素子の製造方法。
(17)
前記第4の凹部と前記孔とはそれぞれ、レーザ照射により形成される
上記(16)に記載の半導体発光素子の製造方法。
Claims (17)
- 対向する第1面と第2面との間に、前記第1面の側から順に、化合物半導体から構成された基板と、前記基板上に結晶成長されると共に発光領域を含む半導体層とを有する積層構造体と、
前記積層構造体の前記第2面に隣接する第1の端部のうちの少なくとも一部に形成された第1の凹部と、
前記積層構造体の厚み方向に沿って延在する第2の端部に形成された第2の凹部と
を備えた
半導体発光素子。 - 前記第1の凹部は、前記第1の端部のうちの前記発光領域に対応する領域を除いた部分に形成されている
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第2の凹部は、前記積層構造体の前記第1面から前記第2面に至るまで連続して形成されている
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記積層構造体の前記第1面に隣接すると共に前記第1の端部と対向する第3の端部のうちの少なくとも一部に、第3の凹部を更に備えた
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1の凹部の前記第1の端部の延在方向に沿った長さは、前記第2の凹部の前記第1の端部の延在方向に沿った長さよりも大きい
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1の凹部は、前記半導体層の前記発光領域を挟む2つの領域のうちの一方または両方の領域に設けられている
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1の凹部は、前記第2の凹部と隣接して設けられている
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1の凹部は、前記第2の凹部と離隔して設けられている
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1および第2の凹部の断面形状はそれぞれ、四角形状、三角形状または台形状である
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記積層構造体は、直方体形状を有すると共に、前記発光領域を含む第1の端面と前記第1の端面と対向する第2の端面とを有し、
前記第1の端部は、前記第2面と前記第1の端面とに隣接する辺、および前記第2面と前記第2の端面とに隣接する辺のそれぞれに対応する部分である
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記積層構造体は、直方体形状を有すると共に、前記発光領域を含む第1の端面と前記第1の端面と対向する第2の端面とを有し、
前記第2の端部は、前記厚み方向に沿って延在すると共に、前記第1および第2の端面のそれぞれに隣接する2つの辺のうちの一方または両方の辺に対応する部分である
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記積層構造体は、直方体形状を有すると共に、前記発光領域を含む第1の端面と前記第1の端面と対向する第2の端面とを有し、
前記第3の端部は、前記第1面と前記第1の端面とに隣接する辺、および前記第1面と前記第2の端面とに隣接する辺のそれぞれに対応する部分である
請求項4に記載の半導体発光素子。 - 前記基板は半極性面を有する
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記積層構造体は、III族窒化物半導体を含む
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 対向する第1面と第2面との間に、前記第1面の側から順に、化合物半導体から構成された基板と、前記基板上に結晶成長されると共に発光領域を含む半導体層とを有する積層構造体を形成し、
前記積層構造体を形成する際、
前記積層構造体の前記第2面に隣接する第1の端部のうちの少なくとも一部に第1の凹部を形成し、
前記積層構造体の厚み方向に沿って延在する第2の端部に第2の凹部を形成する
半導体発光素子の製造方法。 - 前記基板上に、それぞれが前記積層構造体に対応する複数の素子領域を形成した後、へき開により前記積層構造体の端面を形成し、
前記へき開の際に、
前記第2面の各素子領域同士の間の少なくとも一部の領域に一方向に沿って延在する第4の凹部を形成し、
各素子領域同士の間の少なくとも一部の領域に、前記積層構造体を貫通する孔を形成し、
前記第4の凹部および前記孔に対応する領域をへき開ラインとして前記端面を形成する
請求項15に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記第4の凹部と前記孔とはそれぞれ、レーザ照射により形成される
請求項16に記載の半導体発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016146558 | 2016-07-26 | ||
JP2016146558 | 2016-07-26 | ||
PCT/JP2017/018846 WO2018020793A1 (ja) | 2016-07-26 | 2017-05-19 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018020793A1 true JPWO2018020793A1 (ja) | 2019-05-09 |
JP6912478B2 JP6912478B2 (ja) | 2021-08-04 |
Family
ID=61016902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018529377A Active JP6912478B2 (ja) | 2016-07-26 | 2017-05-19 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210281050A1 (ja) |
EP (1) | EP3493338A4 (ja) |
JP (1) | JP6912478B2 (ja) |
WO (1) | WO2018020793A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020121767A1 (ja) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JPWO2021100604A1 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099681A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 基板の個片化方法 |
JP2010199139A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2011029224A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2011146653A (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP2011258717A (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP2015159193A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに半導体発光素子用ウエハ |
JP2015231021A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザー装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4066681B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2008-03-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2003017791A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-17 | Sharp Corp | 窒化物半導体素子及びこの窒化物半導体素子の製造方法 |
US8198639B2 (en) * | 2007-09-03 | 2012-06-12 | Rohm Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting device with a pair of ridge protection electrodes |
JP2009200478A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-09-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP5131266B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-01-30 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、及びiii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP5664627B2 (ja) * | 2012-10-16 | 2015-02-04 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、iii族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を評価する方法、スクライブ溝を評価する方法 |
-
2017
- 2017-05-19 WO PCT/JP2017/018846 patent/WO2018020793A1/ja unknown
- 2017-05-19 US US16/316,149 patent/US20210281050A1/en active Pending
- 2017-05-19 JP JP2018529377A patent/JP6912478B2/ja active Active
- 2017-05-19 EP EP17833804.2A patent/EP3493338A4/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099681A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 基板の個片化方法 |
JP2010199139A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2011029224A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2011146653A (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP2011258717A (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP2015159193A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに半導体発光素子用ウエハ |
JP2015231021A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザー装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210281050A1 (en) | 2021-09-09 |
JP6912478B2 (ja) | 2021-08-04 |
WO2018020793A1 (ja) | 2018-02-01 |
EP3493338A1 (en) | 2019-06-05 |
EP3493338A4 (en) | 2019-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5958916B2 (ja) | スーパールミネッセントダイオード | |
JP4169821B2 (ja) | 発光ダイオード | |
JP5004989B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びに、半導体光学装置 | |
US8513683B2 (en) | Optical integrated semiconductor light emitting device | |
JP6664688B2 (ja) | 垂直共振器型発光素子 | |
JP2011096856A (ja) | 半導体レーザ | |
US20090122822A1 (en) | Semiconductor device having trench extending perpendicularly to cleaved plane and manufacturing method of the same | |
KR101262226B1 (ko) | 반도체 발광 소자의 제조방법 | |
JP6912478B2 (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
KR102256590B1 (ko) | 발광 다이오드 | |
US20110142090A1 (en) | Laser diode and method of manufacturing laser diode | |
JP2011091251A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2018064061A (ja) | 半導体発光素子、照明装置、ヘッドライト、移動体、イルミネーション装置、映像装置、投射型映像装置及びプロジェクター。 | |
JP2009088353A (ja) | 発光装置 | |
JP2016066670A (ja) | 半導体レーザ | |
KR100357118B1 (ko) | 질화물 발광소자 | |
WO2020105362A1 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 | |
WO2020121767A1 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4890509B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP5079613B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP4905514B2 (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
JP2009290122A (ja) | 半導体レーザ装置とその製造方法、及び半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP2010114202A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP7239696B2 (ja) | 端面発光半導体レーザ | |
JP5236789B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210513 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210615 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210708 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6912478 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |