JPS6286883A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

Info

Publication number
JPS6286883A
JPS6286883A JP22800285A JP22800285A JPS6286883A JP S6286883 A JPS6286883 A JP S6286883A JP 22800285 A JP22800285 A JP 22800285A JP 22800285 A JP22800285 A JP 22800285A JP S6286883 A JPS6286883 A JP S6286883A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
type
layers
light emitting
inp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP22800285A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0740619B2 (ja
Inventor
Tomoaki Uno
智昭 宇野
Yoshikazu Hori
義和 堀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60228002A priority Critical patent/JPH0740619B2/ja
Publication of JPS6286883A publication Critical patent/JPS6286883A/ja
Publication of JPH0740619B2 publication Critical patent/JPH0740619B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H01S5/18322—Position of the structure
    • H01S5/1833—Position of the structure with more than one structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
    • H01S5/2072—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by vacancy induced diffusion

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、製作が容易で良好な特性を有する面発光型の
半導体レーザ装置に関するものである。
従来の技術 面発光型半導体レーザ装置はモノリシックな２次元アレ
イ化や積層による集積化が可能であり、光情報処理や光
エレクトロニクスの分野で新しい応用が期待されている
。
従来、この種の半導体レーザ装置の一例として第４図に
示す構造が提案されている（第３２回応用物理学関係連
合講演会予稿３１ａ−ＺＢ−２）。
第４図において、１は電極、２はＮ型ＩｎＰ基板、３は
Ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層、４はＮ型ＩｎＰ層、５はＰ型工
ｒ１Ｐ層、６はＰ型ＩｎＧａＡｓＰ層、７は電極−８は
ノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、９は５ｉ０２絶縁膜
、１ｏおよび１１は薄い金属の反射膜、１２はポリイミ
ド樹脂、１３および１３′はレーザ出射光である。電極
７および８間に電流を流すとｐ型ＩｎＰ層５から正孔が
Ｎ型ＩｎＰ層４層から電子がＩｎＧａＡｓＰ活性層６に
注入して発光する。この光は反射膜１０および１１間で
反射してレーザ発振を起こす。
発明が解決しようとする問題点 前述した従来のレーザ装置の構造では電流がＩｎＧａＡ
ｓＰ　　活性層８の一部に有効に注入するようにメサ状
に加工した後、絶縁性のポリイミド樹脂で埋込んで表面
を平坦化しているので、製作上複雑な工程を要し素子の
歩留まりを上げることは困難である。またＩｎＧａム８
Ｐ活性層８を、エツチングにより外部に露出するため、
表面に非発光再結合中心を作ってしまう問題もある。ま
た発光領域を小さくしようとするとメサ部の電極コンタ
クト面積がノ］・さくなり接触抵抗が高くなってしまう
問題もある。またポリイミド樹脂の熱伝導率が小さいた
めに素子の放熱効果を防げ、連続発振動作が難しいとい
う問題点もあった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので製作が容易で
良好な特性を有する半導体レーザ装置を提供するもので
ある。
問題点を解決するための手段 本発明は、化合物半導体基板上に、キャリアのド・ブロ
イ波長以下の極微薄膜からなる第１の導電型の多重量子
井戸構造活性領域と第２の導電型のクラッド層を設け、
前記クラッド層の表面側よリレーザ発光部を除く周辺部
に第２の導電型の不純物を高濃度拡散して下部の前記多
重量子井戸構造を無秩序化することによシ、プレーナ構
造で電流が活性領域に有効に注入するようにして前述し
た問題点を解決している。
また化合物半導体基板中に２種類の組成の異なる結晶層
をそれぞれ層内レーザ光波長の捧倍もしくは１倍の厚み
程度ずつ交互に積層することによシ、基板裏面の反射部
を不要にしかつ波長選択性を持たせている。
作用 本発明は上述した構成により、多重量子井戸構造が高濃
度不純物拡散で無秩序化し等制約な吸収端が短波長側に
移る効果を用い、プレーナ構造において所定の活性領域
のみへのキャリア注入を可能にしている。また２種類の
組成の異なる結晶層を交互に積層して屈折率変調型の回
折格子を形成し分布反射器とすることで、完全プレーナ
構造にすることが可能になる。
実施例 第１図は本発明の一実施例の断面構造図である。
以下の図面において前述の第４図における同一の箇所に
は同一の番号を付し説明を省略する０第１図において、
１０１は多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ　−Ｑｕａ
ｎｔｕｍＷｅｌｌ　）構造活性層−１０２は高濃度Ｐ型
不純物拡散領域、１０３は無秩序化したＭＱＷ層である
。多重量子井戸構造活性層１ｏ１の拡大図を第２図に示
す０第２図において、１０４はＮ型ＩｎＰバリヤ層、１
０５はＮ型ＩｎＧａＡｓ　Ｐウェル層であシ、２種類の
層が交互に周期的に積層して多重量子井戸構造を形成し
ている。
素子作製手順は、まず従来法の結晶成長技術である液相
エピタキシャル法（ＬＰＥ法）によシ、Ｎ型１ｎＰ基板
２上にＮ型ＩｎＧａＡｓＰ層３（〜ｏ、ｓμｍ厚）、Ｎ
型ＩｎＰ層４（〜５μｍ厚）、ノンドープＮ型ＩｎＰバ
リヤ層（〜３００人厚）０ノンドープＮ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐウェル層（〜１５０人厚）０各１０層の周期構造から
なる多重量子井戸構造活性層１ｏ１、Ｐ型ＩｎＰ層５（
〜２μｍ厚）、Ｐ型ＩｎＧａＡｓｐ層６　（〜０．５　
μｍ厚）を続けて結晶成長する。次にＰ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層６上に、従来法のプラズマＣｖＤ法によるシリコン
窒化膜Ｃ〜０．１μｍ厚）とＣＶＤ法によるシリコン酸
化膜（〜０．２μｍ厚）を堆積する。
次に通常のフォトリングラフィ技術とエツチング技術に
より例えば半径１０μｍの円形形状のレーザ発光部を除
く周辺部のシリコン窒化膜とシリコン酸化膜を除去し、
然る後ＺｎＰ２　とＺｎＡｓ２を拡散源として気相によ
るＺｎＯ熱拡散（６ｏＱ℃、３０ｍ１ｎ　　）を行ない
高濃度Ｐ型不純物拡散領域１０２を形成する。この時に
不純物を拡散したＭＱＷ層１０１は無秩序化したＭＱＷ
層１０３となり、組成が均一化される効果で禁止帯幅が
ＭＱＷ層１ｏ１の最低量子間準位エネルギーよりも充分
に大きくなるためレーザ発振する光の波長に対して透明
となる。次にＺｎを熱拡散した領域にＰ型のオーミック
電極（ムｎ／Ｚｎ）を蒸着する。次にＮ型１ｎＰ基板の
裏面側にＮ型のオーミック電極（ムｕ／Ｓｎ）を蒸着し
続いてシンター処理（４００℃、１０ｍ１ｎ）を行なう
。レーザ発光部の裏面にパターニングを行ない塩酸系の
エツチング液で孔を開ける。塩酸系のエツチング液はＩ
ｎＰに対してはエツチング速度は早いが、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層３に対しては遅いのでＩｎＰのみのエツチングが容
易に可能である。次に表面と裏面にＡｎの薄膜（〜４０
０人）を蒸着し反射膜１０．１１とする０ 素子の動作原理は、電極７から電極１に電流を流すこと
により、ｐ−ＩｎＰ層６および高濃度Ｐ型不純物拡散領
域１０２からは正孔が、Ｎ−ＩｎＰ層４からは電子がそ
れぞれＭＱＷ層１０１に注入されて再結合し発光する。
この光は反射膜１０゜１１間で共振してレーザ発振しレ
ーザ出振光１３゜１３′として外部に出力する。
この構造では基板の表面側に複雑なエツチングを行なう
必要が無いため、歩留まりが向上するし、活性層が露出
しないため表面再結合も減らすことができる。またＰ型
電極のコンタクト面積を高濃度Ｐ型不純物拡散領域１０
２上に広く取れるためにコンタクト抵抗を低下すること
ができる。また放熱特性が実施例に比較して良好である
ので、室温における連続動作のレーザ発振を得ることが
できる。
次に本発明の第２の実施例を第２図に示す断面構造を用
いて示す。第２図において１０８は、ＩｎＰ低屈折率層
１０７およびＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層１０８の周期構
造からなる分布反射領域である。工ｎＰ低屈折率層１０
７とＩｎＧａＡｓ＋Ｐ高屈折率層１０８では屈折率が異
なるので屈折率変調型の回折格子として作用する。それ
ぞれの層の厚みｄは、レーザ光の波長λとこの波長に対
する屈折率ｎとにより次のように表わすことができる。
周期構造の数は多い程良いが適当に選べば良く２０周期
程度でも効果が得られる。
この構造において、ＭＱＷ層の発光は前実施例と同様で
あり、レーザ発振は反射膜１ｏと分布反射領域１０６の
間で光が反射して起こる。この時、光の波長は分布反射
領域の反射率の波長依存性の影響により、単一波長のみ
で発振する。この構造では完全にプレーナ化されている
ので高い歩留まりをあげることができ、低しきい値電流
で動作する均一な特性の半導体レーザを得ることができ
る。
なお本発明における１構成要素としての化合物半導体基
板とは、多重量子井戸構造活性層より下の部分を称して
おり結晶成長する前の基板とは異なる。
以上の２つの実施例においては、ＩｎＰおよびＩｎＧａ
ＡｓＰの結晶を用いた赤外に発振波長を有する素子につ
いて述べたが、ＧａＡｓおよびＧａＡＪＡｓ系結晶のみ
ならず他の化合物半導体結晶材料を用いても本発明に対
して同等の効果を得ることかでさる。また素子構造にお
いて反射膜１０．１１をＡｎの薄膜により形成したが、
反射膜は無くても良くその厚みは選択することができる
。また本発明の実施例ではＮ型の基板を用いた例を示し
たがＰ型あるいは半絶縁性の基板を用いても同様の効果
が得られることは言うまでもない。
発明の効果 本発明によれば半導体レーザ装置を高い歩留まシで、低
しきい値電流かつ高効率等の良好な特性を得ることがで
き産業上大きな意義がある。また、この半導体レーザ装
置はモノリシックな２次元アレイ化が簡単であシ、光情
報処理や光エレクトロニクスの分野での新しい応用に向
けて大きく貢献するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における面発光型の半導体レ
ーザ装置の断面図、第２図は同装置の主要部の拡大断面
図、第３図は本発明の他の実施例の面発光型の半導体レ
ーザ装置の断面図、第４図は従来の面発光型の半導体レ
ーザ装置の断面図である。 １０１・・・・・・多重量子井戸構造活性層（ＭＱＷ層
）、１０２・・・・・・高濃度Ｐ型不純物拡散領域、１
０３・・・・・・無秩序化した多重量子井戸構造活性層
、１０４・・・・・・バリヤ層、１０６・・・・・・ウ
ェル層、１０６・・・・・・分布反射領域、１０７・・
・・・・低屈折率層、１０８・・・・・・高屈折率層。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 ／Ｉ反ｊＦｉ膠 第２図 第３図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）化合物半導体基板上に、キャリアのド・ブロイ波
    長以下の極微薄膜からなる第１の導電型の多重量子井戸
    構造活性領域と、第２の導電型のクラッド層を設け、前
    記クラッド層の表面側よりレーザ発光部を除く周辺部に
    第２の導電型の不純物を高濃度拡散して下部の前記多重
    量子井戸構造を無秩序化してなる半導体レーザ装置。
  2. （２）化合物半導体基板中に、２種類の組成の異なる結
    晶層をそれぞれ層内レーザ光波長の１／２倍もしくは１
    倍の厚み程度ずつ交互に積層した構造を有する特許請求
    の範囲第１項に記載の半導体レーザ装置。
JP60228002A 1985-10-14 1985-10-14 半導体レ−ザ装置 Expired - Fee Related JPH0740619B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60228002A JPH0740619B2 (ja) 1985-10-14 1985-10-14 半導体レ−ザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60228002A JPH0740619B2 (ja) 1985-10-14 1985-10-14 半導体レ−ザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6286883A true JPS6286883A (ja) 1987-04-21
JPH0740619B2 JPH0740619B2 (ja) 1995-05-01

Family

ID=16869636

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60228002A Expired - Fee Related JPH0740619B2 (ja) 1985-10-14 1985-10-14 半導体レ−ザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0740619B2 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6351686A (ja) * 1986-08-21 1988-03-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
JPS6376390A (ja) * 1986-09-18 1988-04-06 Nec Corp 発光半導体素子
JPH01108789A (ja) * 1987-10-21 1989-04-26 Sharp Corp 面発光半導体レーザ素子
US4943970A (en) * 1988-10-24 1990-07-24 General Dynamics Corporation, Electronics Division Surface emitting laser
JPH02198184A (ja) * 1989-01-27 1990-08-06 Oki Electric Ind Co Ltd 面発光型半導体レーザ装置
US4999843A (en) * 1990-01-09 1991-03-12 At&T Bell Laboratories Vertical semiconductor laser with lateral electrode contact
JPH03136288A (ja) * 1989-10-20 1991-06-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ及びその製造方法
US5115442A (en) * 1990-04-13 1992-05-19 At&T Bell Laboratories Top-emitting surface emitting laser structures
EP0488510A2 (en) * 1990-11-28 1992-06-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Visible light surface emitting laser device
JPH04180683A (ja) * 1990-11-15 1992-06-26 Nec Corp 面発光半導体レーザ及びその製造方法
FR2671238A1 (fr) * 1990-12-28 1992-07-03 Thomson Csf Procede de realisation de lasers semiconducteurs a emission de surface, et lasers obtenus par le procede.
JPH04225588A (ja) * 1990-04-06 1992-08-14 American Teleph & Telegr Co <Att> 半導体レーザ構造体
US5226053A (en) * 1991-12-27 1993-07-06 At&T Bell Laboratories Light emitting diode
US5244749A (en) * 1992-08-03 1993-09-14 At&T Bell Laboratories Article comprising an epitaxial multilayer mirror
WO1999031735A1 (en) * 1997-12-12 1999-06-24 Honeywell, Inc. Bandgap isolated light emitter
JP2005026465A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Sharp Corp 酸化物半導体発光素子

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6179280A (ja) * 1984-09-27 1986-04-22 Agency Of Ind Science & Technol 面発光型半導体レ−ザ装置及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6179280A (ja) * 1984-09-27 1986-04-22 Agency Of Ind Science & Technol 面発光型半導体レ−ザ装置及びその製造方法

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6351686A (ja) * 1986-08-21 1988-03-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
JPS6376390A (ja) * 1986-09-18 1988-04-06 Nec Corp 発光半導体素子
JPH01108789A (ja) * 1987-10-21 1989-04-26 Sharp Corp 面発光半導体レーザ素子
US4943970A (en) * 1988-10-24 1990-07-24 General Dynamics Corporation, Electronics Division Surface emitting laser
JPH02198184A (ja) * 1989-01-27 1990-08-06 Oki Electric Ind Co Ltd 面発光型半導体レーザ装置
JPH03136288A (ja) * 1989-10-20 1991-06-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ及びその製造方法
JPH0828554B2 (ja) * 1989-10-20 1996-03-21 三菱電機株式会社 半導体レーザ及びその製造方法
US4999843A (en) * 1990-01-09 1991-03-12 At&T Bell Laboratories Vertical semiconductor laser with lateral electrode contact
JPH04225588A (ja) * 1990-04-06 1992-08-14 American Teleph & Telegr Co <Att> 半導体レーザ構造体
US5115442A (en) * 1990-04-13 1992-05-19 At&T Bell Laboratories Top-emitting surface emitting laser structures
JPH04180683A (ja) * 1990-11-15 1992-06-26 Nec Corp 面発光半導体レーザ及びその製造方法
US5166945A (en) * 1990-11-28 1992-11-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Visible light surface emitting laser device
EP0488510A2 (en) * 1990-11-28 1992-06-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Visible light surface emitting laser device
FR2671238A1 (fr) * 1990-12-28 1992-07-03 Thomson Csf Procede de realisation de lasers semiconducteurs a emission de surface, et lasers obtenus par le procede.
US5204870A (en) * 1990-12-28 1993-04-20 Thomson-Csf Method of implementation of surface-emission semiconductor lasers, and lasers obtained by the method
US5226053A (en) * 1991-12-27 1993-07-06 At&T Bell Laboratories Light emitting diode
US5244749A (en) * 1992-08-03 1993-09-14 At&T Bell Laboratories Article comprising an epitaxial multilayer mirror
EP0582407A2 (en) * 1992-08-03 1994-02-09 AT&T Corp. Article comprising an epitaxial multilayer mirror
EP0582407A3 (en) * 1992-08-03 1997-03-12 American Telephone & Telegraph Article comprising an epitaxial multilayer mirror
WO1999031735A1 (en) * 1997-12-12 1999-06-24 Honeywell, Inc. Bandgap isolated light emitter
US6064683A (en) * 1997-12-12 2000-05-16 Honeywell Inc. Bandgap isolated light emitter
EP1315216A2 (en) * 1997-12-12 2003-05-28 Honeywell Inc. Bandgap isolated light emitter
EP1315216A3 (en) * 1997-12-12 2003-10-22 Honeywell Inc. Bandgap isolated light emitter
JP2005026465A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Sharp Corp 酸化物半導体発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0740619B2 (ja) 1995-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100523484B1 (ko) 전류 제한 구조를 갖는 반도체 광소자의 제조방법
JPS6286883A (ja) 半導体レ−ザ装置
JP3207590B2 (ja) 光半導体装置
US5404370A (en) Planar light emitting device having a reduced optical loss
JP2863773B2 (ja) 面発光型半導体レーザ装置
JPH06302911A (ja) 向上された偏光制御及び横モード選択性を持つ半導体表面発光レーザ
JPH07107949B2 (ja) フエイズドアレイ半導体レ−ザ−
JPH0750807B2 (ja) 接合型半導体発光素子
JPH04225588A (ja) 半導体レーザ構造体
JPH05283808A (ja) 低抵抗のブラッグ反射層を備えた表面発光レーザ
US4280108A (en) Transverse junction array laser
JP2710171B2 (ja) 面入出力光電融合素子
JP2855729B2 (ja) 面発光レーザ及びその製造方法
US4759025A (en) Window structure semiconductor laser
JP2757633B2 (ja) 面発光半導体レーザ
JP2595779B2 (ja) 面発光レーザ及びその製造方法
GB2164206A (en) A semiconductor laser array device
JPH01155678A (ja) 半導体発光装置
JPH05243678A (ja) 半導体レーザおよびその製造方法
JPH0156547B2 (ja)
JPH10209565A (ja) 横方向電流注入型面発光半導体レーザ装置、その製造方法および半導体レーザアレイ
JPH07249835A (ja) 半導体光素子
JP3612900B2 (ja) 面発光半導体レーザ及びその製造方法
JPH02260482A (ja) 半導体レーザ装置
JPH0632335B2 (ja) 半導体レ−ザの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees