JPH02198184A - 面発光型半導体レーザ装置 - Google Patents
面発光型半導体レーザ装置Info
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- JPH02198184A JPH02198184A JP1630289A JP1630289A JPH02198184A JP H02198184 A JPH02198184 A JP H02198184A JP 1630289 A JP1630289 A JP 1630289A JP 1630289 A JP1630289 A JP 1630289A JP H02198184 A JPH02198184 A JP H02198184A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は面発光型半導体レーザ装置、特にマトリクス
アレイの構造及び製造方法に関する。
アレイの構造及び製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、面発光型半導体レーデ装置としては、文献、イー
ジーオーシー８７ （ＥＣ０Ｃ８７：”７７ＫＣＷＯＰ
ＥＲＡＴＩＯＮ ＯＦ ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ Ｃ
ＢＨＳＵＲＦＡＣＥ−ＥＭＩＴＩＮＧ ＬＡＳＥＲ”）
に開示されているものがある。
ジーオーシー８７ （ＥＣ０Ｃ８７：”７７ＫＣＷＯＰ
ＥＲＡＴＩＯＮ ＯＦ ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ Ｃ
ＢＨＳＵＲＦＡＣＥ−ＥＭＩＴＩＮＧ ＬＡＳＥＲ”）
に開示されているものがある。
以下、従来の面発光型半導体レーザ装置構造について第
３図を用いて順を追って説明する。
３図を用いて順を追って説明する。
先ず、ｎ −ＩｎＰ基板１上に液相成長あるいは気相成
長法により、ｎ−ＧａＩｎＡｓＰエツチングストップ層
２、ｎ −ＩｎＰクラッド層３、ｐ−ＧａＩｎＡｓＰ活
性層４、ｐ −ＩｎＰクラッド層５ 、ｐ−ＧａＩｎＡ
ｓＰ コンタクト層６を順次成長させる。
長法により、ｎ−ＧａＩｎＡｓＰエツチングストップ層
２、ｎ −ＩｎＰクラッド層３、ｐ−ＧａＩｎＡｓＰ活
性層４、ｐ −ＩｎＰクラッド層５ 、ｐ−ＧａＩｎＡ
ｓＰ コンタクト層６を順次成長させる。
次に発光領域となる部分に５ｉ０２膜（図示せず）を形
成後、発光領域以外をＢｒ系またはＨＣｌ系のエッチャ
ントにてエツチング除去する。
成後、発光領域以外をＢｒ系またはＨＣｌ系のエッチャ
ントにてエツチング除去する。
この後、２回目の結晶成長にて、エツチング除去した部
分に電流ブロック層となるｐ −ＩｎＰ ７、ｎ −Ｉ
ｎＰ ８、ｐ、−ＩｎＰ ９を順次成長させる。
分に電流ブロック層となるｐ −ＩｎＰ ７、ｎ −Ｉ
ｎＰ ８、ｐ、−ＩｎＰ ９を順次成長させる。
この様に、結晶成長を行ったウェハーに、Ｓ １０２膜
（図示せず）を形成し、発光領域となる部分に！Ｏ／１
０μｍφのリング状にＳｉＯ２膜（図示せず）を除去し
、この部分にＺｎを拡散後、アノード電極となるＡｎ−
２ｎ電極１０を形成する。
（図示せず）を形成し、発光領域となる部分に！Ｏ／１
０μｍφのリング状にＳｉＯ２膜（図示せず）を除去し
、この部分にＺｎを拡散後、アノード電極となるＡｎ−
２ｎ電極１０を形成する。
次に前記電流ブロック層のＰ側全体にデンディング及び
、反射用のＡｕ１ｌを全体に形成する。
、反射用のＡｕ１ｌを全体に形成する。
更にｎ −ＩｎＰ基板１を１００〜１５０μｍ厚に研磨
した後、光り取り出し用の窓として発光領域上のｎ−Ｉ
ｎＰ基板１を）（ＣＩ系エッチャントを用いてエツチン
グ除去を行なう。この時ＨＣＩ系エッチャントはＩｎＰ
はエツチング出来るが、ＱａＩｎＡｓＰはほとんどエツ
チングできないため、 ｎ−ＧａＩｎＡｓＰエツチング
ストップ層２にてエツチングが停止する。
した後、光り取り出し用の窓として発光領域上のｎ−Ｉ
ｎＰ基板１を）（ＣＩ系エッチャントを用いてエツチン
グ除去を行なう。この時ＨＣＩ系エッチャントはＩｎＰ
はエツチング出来るが、ＱａＩｎＡｓＰはほとんどエツ
チングできないため、 ｎ−ＧａＩｎＡｓＰエツチング
ストップ層２にてエツチングが停止する。
上述の様に作成した光り取り出し用窓１２にＳ ｉＯ２
／ Ｔ ｉＯ２の反射膜１３ｔ−５対ＥＢ蒸着等により
作成し最後にＮ側のカソード電極となるＡｎ−８ｎ電極
１４を蒸着する。
／ Ｔ ｉＯ２の反射膜１３ｔ−５対ＥＢ蒸着等により
作成し最後にＮ側のカソード電極となるＡｎ−８ｎ電極
１４を蒸着する。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述した従来の面発光型半導体レーザ装
置ではカソード電極及びアノード電極がクエハーの全面
に形成されるため、単体の面発光型半導体レーザ装置は
作成できるが、マトリクス構造にした場合、各装置ごと
に配線を行う必要があり、配線電極の複雑化をもたらす
と共に、高集積化をするのが非常に難かしかった。
置ではカソード電極及びアノード電極がクエハーの全面
に形成されるため、単体の面発光型半導体レーザ装置は
作成できるが、マトリクス構造にした場合、各装置ごと
に配線を行う必要があり、配線電極の複雑化をもたらす
と共に、高集積化をするのが非常に難かしかった。
また、前記マ） ＩＪクス構造では、任意の装置を単独
にて駆動することが不可能であった。
にて駆動することが不可能であった。
この発明の目的は、上述した従来の問題点に鑑み、各装
置ごとに配線を行う必要がない、マ） ＩＪクス構造の
面発光型半導体レーザ装置を提供することにある。
置ごとに配線を行う必要がない、マ） ＩＪクス構造の
面発光型半導体レーザ装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、この発明の面発光型半導体
レーザ装置は、素子形成領域に半絶縁膜の電流ブロック
層を有し、また基板側の所望部に基板とは反導電型の不
純物を添加して素子分離領域を有する。さらに、前記面
発光型半導体レーデ装置の上にカソード電極を、下にア
ノード電極をマトリクス状に形成された配線電極を有す
ることを特徴とする。
レーザ装置は、素子形成領域に半絶縁膜の電流ブロック
層を有し、また基板側の所望部に基板とは反導電型の不
純物を添加して素子分離領域を有する。さらに、前記面
発光型半導体レーデ装置の上にカソード電極を、下にア
ノード電極をマトリクス状に形成された配線電極を有す
ることを特徴とする。
（作用）
この発明の面発光型半導体レーデ装置は、素子形成領域
に半絶縁膜の電流ブロック層を埋め込み、また基板側の
所望部に基板とは反導電型の不純物を添加したので簡単
に装置同士の素子分離ができ、さらに前記面発光型半導
体レーザ装置の上にカソード電極を、下にアノード電極
をマトリクス状に形成された配線電極を有することによ
って任意の装置を単独にてマトリクス駆動することがで
きる。
に半絶縁膜の電流ブロック層を埋め込み、また基板側の
所望部に基板とは反導電型の不純物を添加したので簡単
に装置同士の素子分離ができ、さらに前記面発光型半導
体レーザ装置の上にカソード電極を、下にアノード電極
をマトリクス状に形成された配線電極を有することによ
って任意の装置を単独にてマトリクス駆動することがで
きる。
（実施例）
以下、図面を参照して、この発明の実施例につき説明す
る。尚、以下の実施例で参照する図面は、この発明の理
解が容易となる程度に過ぎず、この発明は、これら図示
例にのみ限定されるものではないことを理解されたい。
る。尚、以下の実施例で参照する図面は、この発明の理
解が容易となる程度に過ぎず、この発明は、これら図示
例にのみ限定されるものではないことを理解されたい。
第１図は、この発明の詳細な説明するだめのマトリクス
構造の面発光型半導体レーデ装置断面構造図である。
構造の面発光型半導体レーデ装置断面構造図である。
ここでは本発明の特徴点について説明する。
先ず素子形成領域において、レーザ共振器２９に隣接す
るように半絶縁膜の電流ブロック層２７を埋め込んだ。
るように半絶縁膜の電流ブロック層２７を埋め込んだ。
これによって実際に動作させた時、レーデ共振器２９か
ら外部へ電流が漏れないように働く。
ら外部へ電流が漏れないように働く。
また基板側に対して基板とは反導電型の不純物、例えば
Ｚｎを添加し素子分離領域３２を設けたことによって、
隣接するレーザ共振器２９に電流が漏れないように働く
。
Ｚｎを添加し素子分離領域３２を設けたことによって、
隣接するレーザ共振器２９に電流が漏れないように働く
。
したがって上述のように半絶縁膜の電流ブロック層２７
と素子分離領域３２を設けたことによシ、隣接する面発
光型半導体レーデ装置同士を簡単に素子分離することが
できる。
と素子分離領域３２を設けたことによシ、隣接する面発
光型半導体レーデ装置同士を簡単に素子分離することが
できる。
さらに、各面発光型半導体レーデ装置の上にカソード電
極３７を、下にアノード電極、？６ｉ？）リクス状に形
成された配線電極を有することによって、任意の面発光
型半導体レーザ装置を単独にてマトリクス駆動すること
ができる。
極３７を、下にアノード電極、？６ｉ？）リクス状に形
成された配線電極を有することによって、任意の面発光
型半導体レーザ装置を単独にてマトリクス駆動すること
ができる。
次に本発明のマトリクス構造の面発光型半導体レーデ装
置の製造工程について第２図（ａ）〜に）を用いて説明
する。
置の製造工程について第２図（ａ）〜に）を用いて説明
する。
先ずｎ −ＩｎＰ基板２１に液相成長法あるいは気相成
長法により、ｎ −ＩｎＧａＡｓＰエツチングスト７１
層２２、ｎ −ＩｎＰクラッド層２３、アンドープＩｎ
ＧａＡｓＰ活性層２４、ｐ −ＩｎＰクラッド層２５を
順次成長する。（第２（ａ）図参照） 次に、上記結晶成長後の表面にＳｉＯ２膜（図示せず）
をＣＶＤ法等により形成し、公知のリソグラフィーによ
り、レーザの共振器となりうる部分のＳｉＯ２膜２６全
２６て除去する。（第２６）図参照）残した５ｌｏ２膜
２６を用いて、例えばＡｒ−Ｃ１２がスを用いたドライ
エツチング法によ２すｎ−ＩｎＧａＡｓＰエツチングス
ト７１層２２が露出するまでエツチングをする。（第２
（ｃ）図参照） 次に、気相成長法によシ、このエツチングした部分のみ
に半絶縁性の電流ブロック層２７を選択的に形成した後
Ｓ ＋ ０２膜２６を除去する。（第２（ｄ）図参照） さらに液相成長法あるいは気相成長法により、ｐ −Ｉ
ｎＧａＡｓＰコンタクト層２８を全層形８する。
長法により、ｎ −ＩｎＧａＡｓＰエツチングスト７１
層２２、ｎ −ＩｎＰクラッド層２３、アンドープＩｎ
ＧａＡｓＰ活性層２４、ｐ −ＩｎＰクラッド層２５を
順次成長する。（第２（ａ）図参照） 次に、上記結晶成長後の表面にＳｉＯ２膜（図示せず）
をＣＶＤ法等により形成し、公知のリソグラフィーによ
り、レーザの共振器となりうる部分のＳｉＯ２膜２６全
２６て除去する。（第２６）図参照）残した５ｌｏ２膜
２６を用いて、例えばＡｒ−Ｃ１２がスを用いたドライ
エツチング法によ２すｎ−ＩｎＧａＡｓＰエツチングス
ト７１層２２が露出するまでエツチングをする。（第２
（ｃ）図参照） 次に、気相成長法によシ、このエツチングした部分のみ
に半絶縁性の電流ブロック層２７を選択的に形成した後
Ｓ ＋ ０２膜２６を除去する。（第２（ｄ）図参照） さらに液相成長法あるいは気相成長法により、ｐ −Ｉ
ｎＧａＡｓＰコンタクト層２８を全層形８する。
（第２（ｅ）図参照）
公知のリソグラフィーにより 、 ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層２８が少なくともレーザ共振器２９より横
幅が５μｍ以上大きく残る様にエツチングを行ない、コ
ンタクト部以外のｐ −ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２
８を除去する。（第２（ｆ）図参照）次に結晶成長面側
に拡散防止用のＳ ｉＯ２Ｏ２膜管０面形成する。（第
２（ｇ）図参照） ｎ −ＩｎＰ基板２１を適当な厚さにバックランプ（研
磨）する。（第２（ｈ）図参照） 前記パックラップした面にＳ ｉＯ２膜（図示せず）を
形成し、活性層部にかからない様に公知のリソグラフィ
ーによシ、ストライプ状にエツチング除去したＳ＋０２
膜３１を形成し、さらに、ｎ −ＩｎＰ基版２１底面に
対し垂直にＺｎが電流ブロック層２７に到達するまで選
択的に拡散し、素子分離領域３２を形成する。（第２（
ｉ）図参照）次にｎ −ＩｎＰ基板２１を塩酸系のエッ
チャントを用いて所望部に選択的にエツチングし光り取
り出し窓３３を形成する。この時、塩酸系のエッチャン
トは、ＩｎＰは工、チングできるがＩｎＧａＡｓＰはほ
とんどエツチングできない為、Ｉ ｎＧａＡｓＰエツチ
ングストップ層２２でエツチングを停止できる。
コンタクト層２８が少なくともレーザ共振器２９より横
幅が５μｍ以上大きく残る様にエツチングを行ない、コ
ンタクト部以外のｐ −ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２
８を除去する。（第２（ｆ）図参照）次に結晶成長面側
に拡散防止用のＳ ｉＯ２Ｏ２膜管０面形成する。（第
２（ｇ）図参照） ｎ −ＩｎＰ基板２１を適当な厚さにバックランプ（研
磨）する。（第２（ｈ）図参照） 前記パックラップした面にＳ ｉＯ２膜（図示せず）を
形成し、活性層部にかからない様に公知のリソグラフィ
ーによシ、ストライプ状にエツチング除去したＳ＋０２
膜３１を形成し、さらに、ｎ −ＩｎＰ基版２１底面に
対し垂直にＺｎが電流ブロック層２７に到達するまで選
択的に拡散し、素子分離領域３２を形成する。（第２（
ｉ）図参照）次にｎ −ＩｎＰ基板２１を塩酸系のエッ
チャントを用いて所望部に選択的にエツチングし光り取
り出し窓３３を形成する。この時、塩酸系のエッチャン
トは、ＩｎＰは工、チングできるがＩｎＧａＡｓＰはほ
とんどエツチングできない為、Ｉ ｎＧａＡｓＰエツチ
ングストップ層２２でエツチングを停止できる。
（第２（ｊ）図参照）
さらに光り取り出し窓３３にレーデの共振器端面となり
かつ光り取出しが出来るように誘電体多層膜３４を例え
ば高屈折率のＴｉＯ２膜（約０．１μｍ）、低屈折率の
ＳｉＯ２膜を（約０．２μｍ）交互に数対形成する。（
第２（ｋ）図参照） 次に結晶成長側のＳ ｒ ０２膜をｐ −ＩｎＧａＡｓ
Ｐ コアタクト層２８の一部（レーザの共振器となる活
性層部を除いた部分）をエツチング除去し、この部分に
リフトオフ法によりＰ側のオーミックコンタクトとなる
Ａｕ−Ｚｎ電極３５を形成し、さらに配線電極及びレー
ザの共振器端面となるアノード電極３６をＡｕ等によシ
ＸまたはＹ軸にストライプ状に形成しく素子分離領域３
２と直交する方向）Ｐ側のアレイ電極とする。（第２（
１）図参照）最後にカソード電極形成として素子分離領
域３２と平行にかっ、素子分離領域３２に接触しない様
にＡｕ −Ｇｅ 、 Ｎｉ等によりカソード電極３７を
前記アノード電極３６に対し、直交する方向でストライ
プ状に形成し、Ｎ側のアレイ電極とする。
かつ光り取出しが出来るように誘電体多層膜３４を例え
ば高屈折率のＴｉＯ２膜（約０．１μｍ）、低屈折率の
ＳｉＯ２膜を（約０．２μｍ）交互に数対形成する。（
第２（ｋ）図参照） 次に結晶成長側のＳ ｒ ０２膜をｐ −ＩｎＧａＡｓ
Ｐ コアタクト層２８の一部（レーザの共振器となる活
性層部を除いた部分）をエツチング除去し、この部分に
リフトオフ法によりＰ側のオーミックコンタクトとなる
Ａｕ−Ｚｎ電極３５を形成し、さらに配線電極及びレー
ザの共振器端面となるアノード電極３６をＡｕ等によシ
ＸまたはＹ軸にストライプ状に形成しく素子分離領域３
２と直交する方向）Ｐ側のアレイ電極とする。（第２（
１）図参照）最後にカソード電極形成として素子分離領
域３２と平行にかっ、素子分離領域３２に接触しない様
にＡｕ −Ｇｅ 、 Ｎｉ等によりカソード電極３７を
前記アノード電極３６に対し、直交する方向でストライ
プ状に形成し、Ｎ側のアレイ電極とする。
（第２（ｎｌ）図参照）
従って、カソード電極３７とアノード電極３６は、マト
リクス状に形成されることになる。
リクス状に形成されることになる。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明の面発光
型半導体レーデ装置は、素子形成領域に半絶縁膜の電流
ブロック層を埋め込み、また基板側の所望部に基板とは
反導電型の不純物を添加したので簡単に装置同士の素子
分離ができ、さらに前記面発光型半導体レーデ装置の上
にカソード電極を、下にアノード電極をマトリクス状に
形成された配線電極を有するようにしたので任意の装置
を単独にて駆動することが可能になった。
型半導体レーデ装置は、素子形成領域に半絶縁膜の電流
ブロック層を埋め込み、また基板側の所望部に基板とは
反導電型の不純物を添加したので簡単に装置同士の素子
分離ができ、さらに前記面発光型半導体レーデ装置の上
にカソード電極を、下にアノード電極をマトリクス状に
形成された配線電極を有するようにしたので任意の装置
を単独にて駆動することが可能になった。
従ってマトリクス構造にした場合、各装置ごとに配線を
行う必要がなくなり、小型のうえ高集積化をするのが非
常に容易なモノリシックマトリクスアレイの面発光型半
導体レーザ装置の実現が可能になる。
行う必要がなくなり、小型のうえ高集積化をするのが非
常に容易なモノリシックマトリクスアレイの面発光型半
導体レーザ装置の実現が可能になる。
第１図は、この発明の詳細な説明するためのマド刀りス
構造の面発光型半導体レーザ装置の断面構造図である。 第２図（ａ）〜（ハ）は、この発明のマ） ＩＪクス構
造の面発光型半導体レーザ装置の製造工程図である。 第３図は、従来技術を説明するための説明図である。 ２１−−− ｎ −ＩｎＰ基板、２２−・ｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰエツチングストップ層、２３・・・ｎ −ＩｎＰ
クラッド層、２４ ・−・アンドープＩ ｎＧａＡｓＰ
活性層、２５ ・・−ｐ４ｎＰクラッド層、２７・・・
電流ブロック層、２８・・・ｐ−Ｉ ｎＧａＡｓＰコン
タクト層、２９・・・レーザ共振器、３０・・・８１０
２層、３２・・・素子分離領域、３３・・・光り取り出
し窓、３４・・・誘電体多層膜、３５・・・Ａｕ−Ｚｎ
電極、３６・・・アノード電極、３７・・・カソード電
極。 特許出願人 沖電気工業株式会社 （ａ） （ｂ） 実旋Ｉｌｌの救岨図 第２図（？−９１） ７に全５月の面発７Ｉ′型キ４禽体レーサーに１（弓な
ぶけ喚邊ｍ第１図 （Ｃ） 笑よ則り梗唄図 第２図（餉２） （ｅ） （ｆ） 妻−寿冒イケ１の誂日月ｐろ ＠２図（？の３） 宴ブＨｉｔイン１の１４εＢｇ’ｉ 第２図（角５） （ｈ） ミルｆり１の 巷史日月凹 ）１２ 図 （デ０４） （ｋ） 芙冷づ５１］の鯉明図 第２図（艷６） （ｍ） 突１テイシ１の詮牡日月図 第２図けの７） 徒吏坂イ材の説明図 第３図
構造の面発光型半導体レーザ装置の断面構造図である。 第２図（ａ）〜（ハ）は、この発明のマ） ＩＪクス構
造の面発光型半導体レーザ装置の製造工程図である。 第３図は、従来技術を説明するための説明図である。 ２１−−− ｎ −ＩｎＰ基板、２２−・ｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰエツチングストップ層、２３・・・ｎ −ＩｎＰ
クラッド層、２４ ・−・アンドープＩ ｎＧａＡｓＰ
活性層、２５ ・・−ｐ４ｎＰクラッド層、２７・・・
電流ブロック層、２８・・・ｐ−Ｉ ｎＧａＡｓＰコン
タクト層、２９・・・レーザ共振器、３０・・・８１０
２層、３２・・・素子分離領域、３３・・・光り取り出
し窓、３４・・・誘電体多層膜、３５・・・Ａｕ−Ｚｎ
電極、３６・・・アノード電極、３７・・・カソード電
極。 特許出願人 沖電気工業株式会社 （ａ） （ｂ） 実旋Ｉｌｌの救岨図 第２図（？−９１） ７に全５月の面発７Ｉ′型キ４禽体レーサーに１（弓な
ぶけ喚邊ｍ第１図 （Ｃ） 笑よ則り梗唄図 第２図（餉２） （ｅ） （ｆ） 妻−寿冒イケ１の誂日月ｐろ ＠２図（？の３） 宴ブＨｉｔイン１の１４εＢｇ’ｉ 第２図（角５） （ｈ） ミルｆり１の 巷史日月凹 ）１２ 図 （デ０４） （ｋ） 芙冷づ５１］の鯉明図 第２図（艷６） （ｍ） 突１テイシ１の詮牡日月図 第２図けの７） 徒吏坂イ材の説明図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、素子形成領域に形成された半絶縁膜の電流ブロック
層と、 基板側の所望部に基板とは反導電型の不純物を添加して
形成された素子分離領域とを有することを特徴とする面
発光型半導体レーザ装置。 ２、請求項１記載の面発光型半導体レーザ装置の上にカ
ソード電極を、下にアノード電極をマトリクス状に形成
することを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1016302A JP2716774B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1016302A JP2716774B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198184A true JPH02198184A (ja) | 1990-08-06 |
| JP2716774B2 JP2716774B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=11912749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1016302A Expired - Fee Related JP2716774B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 面発光型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2716774B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6140077A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Res Dev Corp Of Japan | ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ埋め込み型面発光レーザ発振装置の製造方法 |
| JPS6286883A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1016302A patent/JP2716774B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6140077A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Res Dev Corp Of Japan | ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ埋め込み型面発光レーザ発振装置の製造方法 |
| JPS6286883A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2716774B2 (ja) | 1998-02-18 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |