JP2005026465A - 酸化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光特性が高くて生産成に優れる低消費電力な酸化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ZnO障壁層とCd0.05Zn0.95O井戸層とから成る量子井戸活性層103が、反射層の機能を有するn型オーミック電極107,p型オーミック電極108で挟まれている。n型オーミック電極107,p型オーミック電極108は、それぞれ、量子井戸活性層103の表面に平行な表面を有している。量子井戸活性層103から出射された発光はn型オーミック電極107,p型オーミック電極108間で共振増幅され、p型オーミック電極108から発振光が出射される。
【選択図】 図1
【解決手段】ZnO障壁層とCd0.05Zn0.95O井戸層とから成る量子井戸活性層103が、反射層の機能を有するn型オーミック電極107,p型オーミック電極108で挟まれている。n型オーミック電極107,p型オーミック電極108は、それぞれ、量子井戸活性層103の表面に平行な表面を有している。量子井戸活性層103から出射された発光はn型オーミック電極107,p型オーミック電極108間で共振増幅され、p型オーミック電極108から発振光が出射される。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は例えば半導体レーザなどの酸化物半導体発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、紫外から緑色以長の広域をカバー出来る発光材料として、ワイドギャップ半導体であるIII族窒化物系半導体の結晶成長およびデバイス技術が急速に発展している。III族窒化物系半導体を用いた発光素子の中でも、発振波長が400nm近傍にある青色半導体レーザ素子は、次世代の高密度なデジタル光記録用光源への適用をはじめとして実用化が切望されており、InaAlbGa1−a−bNを用いた多重量子井戸活性層などの種々のデバイス構造が提案されている。
【0003】
半導体レーザ素子においては、導波路に垂直な一対の反射鏡を有するレーザ共振器を形成する必要がある。GaAs/AlGaAs系材料などは劈開性を有するため、原子レベルで平坦な反射端面を得ることが出来るが、III族窒化物系半導体は六方晶であるために立方晶のGaAs系半導体に比べて劈開が難しく、また化学的に極めて安定であるためにエッチングによる反射鏡形成も困難である。
【0004】
一方、基板の表面に対して垂直方向に共振器が形成され、半導体の接合面に平行に一対の反射鏡を有する面発光型の半導体レーザ素子は、積層膜を反射鏡として用いることが出来る。また、面発光型の半導体レーザ素子は、短共振器であるため省電力性と単一モード安定性に優れ、光集積回路などへの適用が容易であるなどの利点を有する。
【0005】
そこで、III族窒化物系半導体を用いて面発光型レーザ素子を実現すべく様々な提案がなされている。例えば、特許3212008号公報(特許文献1)には、窒化ガリウム系化合物半導体層を用いたダブルへテロ構造と、活性層を挟んで基板の表面に平行な一対の第1,第2の反射鏡とを有する面発光型の半導体レーザ素子が開示されている。
【0006】
【特許文献1】
特許3212008号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、III族窒化物系半導体を用いた面発光型レーザ素子では、発光特性も十分ではなく、また、作製が非常に困難であるという問題がある。これは以下のような理由による。
【0008】
・バンド間遷移を利用するIII族窒化物半導体は発振閾値キャリア密度が高く、微小共振器を有する面発光型レーザ素子に適用しても低閾値化が難しい。
【0009】
・III族窒化物系半導体を用いた面発光型レーザ素子を実用的な動作電流と素子寿命で駆動するには、反射鏡をエッチングによって形成せずとも、電流狭窄層の形成や、基板として用いられるサファイア基板に開口の形成などをエッチングで形成する必要がある。しかし、上記電流狭窄層やサファイア基板に対するエッチング加工は極めて困難で、製造プロセスが複雑になるため、歩留りが低くなってしまう。
【0010】
・高機能な光集積回路などへの適用を考えると、誘電体、圧電体、磁性体、超伝導体、更にはマイクロマシンなどと共にモノリシックに作製出来ることが好ましいが、窒化物材料のみではこのような特質を網羅出来ない。
【0011】
・成長層中に導電性を有する反射鏡を形成する場合、InGaN混晶とAlGaN混晶とで積層反射鏡を形成すると、熱膨張係数差が大きいために反射鏡にクラックが生じやすく、反射鏡上に積層される半導体層の結晶性も劣化する。一方、バンドギャップエネルギ差が小さい混晶で積層反射鏡を形成すると、屈折率差が小さいので、高い反射率を得るためには積層数を大幅に増やさなければならず、生産性が低下しコストも高くなる。
【0012】
そこで、本発明の目的は、発光特性が高くて生産成に優れる低消費電力な酸化物半導体発光素子を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、従来のIII族窒化物系半導体を用いた面発光型半導体発光素子の課題を解決出来る半導体材料および素子構造について鋭意検討した結果、酸化物半導体を用いて面発光型の半導体発光素子を作製することで上記目的が達せられることを見い出し本発明に至った。
【0014】
本発明の酸化物半導体発光素子は、
酸化物半導体から成る活性層と、
上記活性層下に形成され、上記活性層の表面に対して平行な表面を有する第1反射層と、
上記活性層上に形成され、上記活性層の表面に対して平行な表面を有する第2反射層とを備え、
上記活性層から出射された発光を上記第1反射層と上記第2発射層との間で共振増幅させ、上記第1反射層および第2反射層の一方から発振光を出射することを特徴としている。
【0015】
上記構成の酸化物半導体発光素子によれば、上記酸化物半導体は、窒化物半導体よりも優れた特質を多く有している。このような酸化物半導体を用いることによって、例えば、大きな結合エネルギを有する励起子遷移を利用して発振閾値電流を大幅に低減することが出来る。
【0016】
また、上記酸化物半導体は、窒化物半導体に比べ加工が容易であり、電流狭窄機構や基板のエッチングを簡便に行なうことが出来る。
【0017】
更に、上記酸化物半導体には、誘電性、圧電性、超伝導性などにおいて窒化物半導体では実現し難い性質を持った材料が多く存在する。これにより、例えばモノリシックな光集積回路などにおいては、半導体レーザ素子を含む全て要素を、親和性の高い酸化物のみで構成することが出来、製造が簡便になる。
【0018】
したがって、上記ZnO系半導体から成る活性層から出射された発光を、第1反射層と上記第2発射層との間で共振増幅させるので、光学特性および信頼性を向上出来る。
【0019】
また、上記活性層をZnO系半導体で構成しているので、消費電力を低減出来ると共に、簡単に製造することが出来る。
【0020】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、
上記活性層と上記第1反射層との間に配置された基板と、
上記基板と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記基板または上記層のうちの少なくとも1つの少なくとも一部の側方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成る。
【0021】
本明細書中において、「ZnO(酸化亜鉛)系半導体」とは、ZnOおよびこれを母体としたMgZnOあるいはCdZnOなどで表される混晶を含めるものとする。
【0022】
また、本明細書中において、第1導電型とは、p型またはn型を意味する。また、第2導電型とは、第1導電型がp型の場合はn型、n型の場合はp型を意味する。
【0023】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、ZnOは、約3.4eVのバンドギャップエネルギを有する直接遷移型半導体で、励起子結合エネルギが60meVと極めて高く、また原材料が安価、環境や人体に無害で成膜手法が簡便であるなどの特徴を有する。このことにより、上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層をZnO系半導体で構成しているので、高効率・低消費電力を実現出来ると共に、環境に悪影響が及ぶのを阻止出来る。
【0024】
また、上記基板の裏面下に第1反射層を形成すると共に、第2導電型コンタクト層上に第2反射層を形成しているので、第1,第2反射層は成長層中に反射層を作り込むよりも簡単に形成することが出来る。したがって、歩留まりを向上出来ると共に、コストを低減出来る。
【0025】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、
上記活性層と上記第1反射層との間に配置された基板と、
上記基板と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記活性層の側部の上方または下方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成る。
【0026】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、ZnOは、約3.4eVのバンドギャップエネルギを有する直接遷移型半導体で、励起子結合エネルギが60meVと極めて高く、また原材料が安価、環境や人体に無害で成膜手法が簡便であるなどの特徴を有する。このことにより、上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層をZnO系半導体で構成しているので、高効率・低消費電力を実現出来ると共に、環境に悪影響が及ぶのを阻止出来る。
【0027】
また、上記基板の裏面下に第1反射層を形成すると共に、第2導電型コンタクト層上に第2反射層を形成しているので、第1,第2反射層は成長層中に反射層を作り込むよりも簡単に形成することが出来る。したがって、歩留まりを向上出来ると共に、コストを低減出来る。
【0028】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、
上記第1反射層下に配置された基板と、
上記第1反射層と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記基板または上記層のうちの少なくとも1つの少なくとも一部の側方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成る。
【0029】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、ZnOは、約3.4eVのバンドギャップエネルギを有する直接遷移型半導体で、励起子結合エネルギが60meVと極めて高く、また原材料が安価、環境や人体に無害で成膜手法が簡便であるなどの特徴を有する。このことにより、上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層をZnO系半導体で構成しているので、高効率・低消費電力を実現出来ると共に、環境に悪影響が及ぶのを阻止出来る。
【0030】
また、上記基板と第1導電型クラッド層との間に第1反射層を形成しているので、基板での光損失を低減出来る。また、上記基板として導電性や安価で高品質などの特長を有する基板を用いることにより、基板の裏面下に電極を形成出来る。その結果、発光効率を高めることが出来ると共に、コストを低減出来る。
【0031】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、
上記第1反射層下に配置された基板と、
上記第1反射層と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記活性層の側部の上方または下方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成る。
【0032】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、ZnOは、約3.4eVのバンドギャップエネルギを有する直接遷移型半導体で、励起子結合エネルギが60meVと極めて高く、また原材料が安価、環境や人体に無害で成膜手法が簡便であるなどの特徴を有する。このことにより、上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層をZnO系半導体で構成しているので、高効率・低消費電力を実現出来ると共に、環境に悪影響が及ぶのを阻止出来る。
【0033】
また、上記基板と第1導電型クラッド層との間に第1反射層を形成しているので、基板での光損失を低減出来る。また、上記基板として導電性や安価で高品質などの特長を有する基板を用いることにより、基板の裏面下に電極を形成出来る。その結果、発光効率を高めることが出来ると共に、コストを低減出来る。
【0034】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方は、屈折率の異なる複数の薄膜を交互に積層して成る。
【0035】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記第1反射層と第2反射層との少なくとも一方を、屈折率の異なる複数の薄膜を交互に積層して形成することにより、第1反射層と第2反射層との少なくとも一方の反射率を微細に制御することが出来る。また、上記第1反射層と第2反射層との少なくとも一方に、半導体や誘電体、金属などの種々の薄膜を用いることが出来る。
【0036】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方は金属を含む。
【0037】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記第1反射層と第2反射層との少なくとも一方が金属を含むことにより、上記第1反射層と第2反射層との少なくとも一方を電極をとして兼用することが出来る。したがって、製造工程を簡便化して、高歩留まりと低コストを実現できる。
【0038】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記金属は、Ag、AlおよびPtのうちの少なくとも1つを含む。
【0039】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記Ag、AlおよびPtの金属は、電極材料として適用出来ると共に、青〜紫外光に対する反射率が極めて高い。
【0040】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方は誘電体を含む。
【0041】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記誘電体は半導体よりも小さな光屈折率を有し、その光屈折率の値も材料によって多岐にわたっている。したがって、上記第1反射層と第2反射層との少なくとも一方が誘電体を含むので、第1反射層と第2反射層との少なくとも一方のの反射率を微細に制御出来る。
【0042】
また、上記第1反射層および第2反射層を複数層で構成する場合、第1反射層と第2反射層との少なくとも一方が誘電体を含むので、複数の半導体層のみで反射層を形成する場合に比べ、第1反射層と第2反射層との少なくとも一方の構成層の数を少なくすることが出来る。
【0043】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記誘電体は、Li1 ― aNaaAlO2、Li1 ― bNabGaO2、LiAl1 ― cGacO2およびNaAl1 ― dGadO2(0≦a,b,c,d≦1)のうちの少なくとも1つを含む。
【0044】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記Li1 ― aNaaAlO2、Li1 ― bNabGaO2、LiAl1 ― cGacO2およびNaAl1 ― dGadO2の組成を有する酸化物は、ZnO系半導体と類似の結晶構造を有するので、ZnO系半導体上に高品質な単結晶薄膜としてエピタキシャル成長出来る。したがって、上記誘電体がその酸化物を含むので、第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方は結晶性が高めて高い状態で発光素子の積層構造中に形成出来る。
【0045】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記誘電体は、αβO3で表されるペロブスカイトを含む、または、上記ペロブスカイトの構造に類似する構造を持つ類似構造複酸化物を含む。
【0046】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、ペロブスカイト構造の(111)面は、ZnO系半導体などのウルツ鉱結晶構造の(0001)面と類似の表面構造を有するため親和性に優れる。したがって、上記ペロブスカイトを含む誘電体は、ZnO系半導体上に欠陥の少ない単結晶薄膜としてエピタキシャル成長することが出来る。特に、上記ペロブスカイト構造の酸化物は、ZnO系半導体との格子不整合が極めて少ない。
【0047】
また、上記類似構造複酸化物を含む誘電体も、ZnO系半導体上に欠陥の少ない単結晶薄膜としてエピタキシャル成長することが出来る。
【0048】
上記α,βとしては、次の要件(1)〜(3)のいずれか1つを満たすものが好ましい。
【0049】
(1)上記αの元素がLi(リチウム)、Na(ナトリウム)およびK(カリウム)のうちの少なくとも1つを含み、且つ、上記βの元素がTa(タンタル)とNb(ニオブ)とのうちの少なくとも一方を含む。
【0050】
(2)上記αの元素がCd(カドミウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)およびBi(ビスマス)のうちの少なくとも1つを含み、且つ、上記βの元素が
Ti(チタン)、Zr(ジルコニウム)、Hf(ハフニウム)およびSn(スズ)のうちの少なくとも1つを含む。
【0051】
(3)上記αの元素がBi、希土類元素およびアルカリ土類金属元素のうちの少なくとも1つを含み、且つ、上記βの元素がIn(インジウム)、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)およびSc(スカンジウム)のうちの少なくとも1つを含む。
【0052】
ここで、希土類元素とは、周期表III族に属するSc(スカンジウム),Y(イットリウム)およびランタノイドのLa(ランタン),Ce(セリウム),Pr(プラセオジム),Nd(ネオジウム),Pm(プロメチウム),Sm(サマリウム),Eu(ユウロピウム),Gd(ガドリニウム),Tb(テルビウム),Dy(ジスプロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エルビウム),Tm(ツリウム),Yb(イッテルビウム),Lu(ルテチウム)の17元素を指し、アルカリ土類金属とは、周期表II族元素のうちCa(カルシウム),Sr(ストロンチウム),Ba(バリウム),Ra(ラジウム)の4元素を指す。
【0053】
更には、上記誘電体は、KNbO3、KTaO3、BaTiO3、CaSnO3、CaZrO3、CaHfO3、CdSnO3、SrHfO3、SrSnO3、SrTiO3およびYScO3のうちの少なくとも1つを含むことが特に好ましい。
【0054】
上述したようなペロブスカイトまたは類似構造複酸化物は、ZnO系半導体との格子不整合が極めて少なく、結晶性の極めて高い反射層を発光素子の積層構造中に形成出来、信頼性に優れた面発光型の酸化物半導体発光素子を作製出来る。
【0055】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記誘電体は、γαβO4またはγαO3(βO)n(γ,α,βは単数または複数の原子、nは1以上の自然数)なる構造を有し、上記γの元素がScとInとの少なくとも一方を含み、且つ、上記αの元素がAl、Fe(鉄)およびGaのうちの少なくとも1つを含み、且つ、上記βの元素がMg(マグネシウム)、Mn(マンガン)、Fe、Co(コバルト)、Cu(銅)、Zn(亜鉛)およびCdのうちの少なくとも1つを含む。
【0056】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上述したような組成を有するホモロガス構造の酸化物は、ZnO系半導体と類似の結晶構造を有し、ZnO系半導体上に高品質な単結晶薄膜としてエピタキシャル成長出来る。したがって、上記誘電体がγαβO4またはγαO3(βO)nなる構造を有するので、結晶性の極めて高い誘電体反射膜を形成出来る。
【0057】
特に、ScAlMgO4、ScGaMgO4、ScAlMnO4、ScGaCoO4、ScAlCoO4、ScGaZnO4、ScAlZnO4、ScGaO3(ZnO)nおよびScAlO3(ZnO)nのうちのいずれか1つを誘電体が含むことにより、誘電体とZnO系半導体との格子不整合を極めて少なくすることが出来る。
【0058】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方はZnO系半導体を含む。
【0059】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、例えば、反射層を誘電体酸化物とZnO系半導体との積層構造などで構成すると、少ない積層数で大きな反射率を有する反射層が得られ、この反射層は結晶性に優れる。したがって、上記第1反射層および第2反射層を複数の層で構成する場合、第1反射層と第2反射層との少なくとも一方は、ZnO系半導体を含むので、少ない積層数で大きな反射率を得ることが可能である。
【0060】
また、上記ZnO系半導体を含む反射層を基板と第1導電型クラッド層との間に設けた場合、基板での光損失を低減し、また導電性や安価で高品質などの特長を有する基板を用いることが出来る。
【0061】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記ZnO系半導体はMgxZn1 ― xOまたはCdyZn1 ― yO(0≦x,y≦1)を含む。
【0062】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記MgxZn1 ― xOまたはCdyZn1 ― yOを含むZnO系半導体は、組成比によりバンドギャップエネルギおよび屈折率の微細な制御が可能である。
【0063】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、
上記活性層下に配置された基板と、
上記基板と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記基板または上記層のうちの少なくとも1つの少なくとも一部の側方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1反射層は上記基板に形成された開口内に配置され、
上記開口は、上記第2導電型コンタクト層において電流が狭窄される部分の直下に位置する。
【0064】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記基板の開口から発振光を取り出すので、基板での光吸収や散乱による損失を受けずに発振光を取り出すことが出来る。したがって、例えば活性層より小さなバンドギャップエネルギを有する基板を用いても、発光効率が低減することがない。
【0065】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、
上記活性層下に配置された基板と、
上記基板と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記活性層の側部の上方または下方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1反射層は上記基板に形成された開口内に配置され、
上記開口は、上記第2導電型コンタクト層において電流が狭窄される部分の直下に位置する。
【0066】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記基板の開口から発振光を取り出すので、基板での光吸収や散乱による損失を受けずに発振光を取り出すことが出来る。したがって、例えば活性層より小さなバンドギャップエネルギを有する基板を用いても、発光効率が低減することがない。
【0067】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記基板と上記第1導電型クラッド層との間にエッチングストップ層が形成されている。
【0068】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記基板と第1導電型クラッド層との間にエッチングストップ層を形成しているので、基板の開口をエッチング加工で歩留りよく形成することができる。
【0069】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記基板がZnO単結晶基板である。
【0070】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記ZnO単結晶基板はZnO系半導体発光素子の作製に最も優れた基板であり、結晶欠陥や格子歪の最も小さいZnO系半導体層をエピタキシャル成長出来る。
【0071】
また、上記ZnO単結晶基板は加工特性にも優れるので、歩留まりを向上出来る。
【0072】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の酸化物半導体発光素子を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【0073】
(実施形態1)
図1に、本発明の実施形態1のZnO系面発光型半導体レーザ素子の模式断面図を示す。
【0074】
上記面発光型半導体レーザ素子は、(0001)亜鉛面を主面とするZnO単結晶基板101上に、Gaが1×1018cm−3の濃度でドープされた厚さ1μmのn型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層102、ノンドープ量子井戸活性層103、N(窒素)が5×1019cm−3の濃度でドープされた厚さ0.5μmのp型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層104、Nが1×1020cm−3の濃度でドープされた厚さ0.3μmのp型ZnOコンタクト層105がこの順で積層されている。
【0075】
本実施形態1では、ZnO単結晶基板101が基板の一例に、n型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層102が第1導電型クラッド層の一例に、量子井戸活性層103が活性層の一例に、p型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層104が第2導電型クラッド層の一例に、p型ZnOコンタクト層105が第2導電型コンタクト層の一例にそれぞれ相当する。
【0076】
上記量子井戸活性層103は、厚さ5nmのZnO障壁層と、厚さ4nmのCd0.05Zn0.95O井戸層との交互積層より成っている。上記ZnO障壁層は8層ある一方、Cd0.05Zn0.95O井戸層は7層ある。
【0077】
上記p型ZnOコンタクト層105上には、電流狭窄層の一例としての厚さ100nmのSiO2絶縁層106を積層している。上記SiO2絶縁層106はリング形状を有して、p型ZnOコンタクト層105の上部を側方から囲んでいる。
【0078】
上記ZnO単結晶基板101の裏面下には、第1反射層の一例としての厚さ200nmのn型オーミック電極107が形成されている。このn型オーミック電極107はAlより成って、青色発光波長に対して90%の反射率を有している。
【0079】
上記p型ZnOコンタクト層105およびSiO2絶縁層106上には、第2反射層の一例としての厚さ50nmのp型オーミック電極108が形成されている。このp型オーミック電極108はPtより成って、青色発光波長に対して30%の反射率を有している。そして、上記p型オーミック電極108上には、リング形状のAuパッド電極109が形成されている。このAuパッド電極109の開口は、p型ZnOコンタクト層105の上部の上方に位置している。そして、上記Auパッド電極109の開口から、p型オーミック電極108の中央部の表面が露出している。
【0080】
上記n型オーミック電極107およびp型オーミック電極108は、それぞれ、量子井戸活性層103の表面に対して平行な表面を有している。
【0081】
上記構成の面発光型半導体レーザ素子に電流を流して駆動したところ、波長405nmの青色発振光がオーミック電極108を介して得られた。つまり、上記青色発振光がp型オーミック電極108から外部に向って出射された。
【0082】
比較例1として、III族窒化物系半導体を用いて本実施形態1と同じ構造の面発光型半導体レーザ素子を作製した。この比較例1の面発光型半導体レーザ素子は、ノンドープ量子井戸活性層では発振せず、SiドープしたInGaN井戸層を用いて発振させることが出来たが、発振閾値電流が本実施形態1の面発光型半導体レーザ素子に比べて5倍高かった。
【0083】
本発明のZnO系面発光型半導体レーザ素子がIII族窒化物系面発光型半導体レーザ素子よりも発振閾値電流が低かった理由は、ZnO系半導体の発光機構が励起子遷移を用いているのに対し、III族窒化物系半導体は発光効率の低い不純物準位を介したバンド間遷移を用いている点にある。すなわち、ZnO系半導体は、60meVの強い励起子結合エネルギを有し、室温で励起子遷移を利用したレーザ発振を生ぜしめることが可能であるのに対し、III族窒化物半導体の励起子結合エネルギは24meVしかないので、室温におけるレーザ発振への寄与は小さく、反転分布が生じるまでに励起子が解離してしまい、不純物準位を介したバンド間遷移が主となるからである。
【0084】
面発光型半導体レーザ素子は微小共振器であるため端面発光型の半導体レーザ素子に比べ発振閾値電流が大幅に小さくなるが、発振に至る注入キャリア密度自体が高ければ発振閾値電流低減の効果は小さくなってしまう。したがって、上記III族窒化物半導体は発振閾値キャリア密度が高いので、III族窒化物系面発光型半導体レーザ素子では低閾値が難しい。すなわち、III族窒化物系半導体を用いて作成した面発光型半導体レーザ素子よりも、ZnO系半導体を用いて作製した面発光型半導体レーザ素子の方が遥かに省電力性に優れている。
【0085】
本実施形態1の面発光型半導体レーザ素子は、オーミック電極が反射層を兼ねており、また、反射層形成のための特別な工程を必要としないので、簡便かつ低コストで作製出来るという利点を有する。
【0086】
本実施形態1の面発光型半導体レーザ素子に用いる反射層の金属材料としては、Al、AgおよびPtが400nm近傍の波長に対する反射率が特に高いので好ましい。また、Alで形成した反射層はn型オーミック電極として兼用することが出来、AgまたはPtで形成した反射層はp型オーミック電極として兼用することが出来るので好ましい。したがって、本実施形態1では、n型オーミック電極およびp型オーミック電極の少なくとも一方は、Ag、AlおよびPtの少なくとも1つを含むのが好ましい。
【0087】
また、本実施形態1の面発光型半導体レーザ素子に用いる基板の材料としては、ZnO単結晶以外に、SiCやGaNなどを用いることが出来る。しかし、可視領域における発光効率を最大限に得るためには、次の要件(a)〜(c)の少なくとも1つを満たす材料が好ましい。
(a) 基板上の成長層において非発光中心となる欠陥を低減する観点上、ZnOの面内格子定数に対して(100±3)%の面内格子定数を有する。
(b) 発光波長に対応する吸収係数が低い。
(c) 基板の裏面下に電極を形成する観点上、導電性を有する。
【0088】
本実施形態1でZnO単結晶基板101の材料として用いたZnO単結晶は、上記の条件を全て満すので最も好ましい。
【0089】
また、亜鉛面を用いることにより、p型層のキャリア活性化率が向上し、抵抗の低いp型層が得られやすくなるので好ましい。
【0090】
また、本実施形態1の面発光型半導体レーザ素子は、固体あるいは気体原料を用いたMBE(分子線エピタキシ)法、レーザMBE法、MOCVD(有機金属気相成長)法などの結晶成長手法で作製することが出来る。
【0091】
上記実施形態1では、SiO2絶縁層106は、p型ZnOコンタクト層105の上部の側方に形成していたが、図11(a)に示すようなp型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層104の上部の側方、または、図11(b)に示すようなn型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層102の側方、または、図11(c)に示すようなZnO単結晶基板101の上部の側方、または、図11(d)に示すような量子井戸活性層103の側方に形成してもよい。これら基板や成長層の側方にSiO2絶縁層106を形成する場合、SiO2絶縁層106の厚みは、基板や成長層の厚みと同じである必要はなく、基板や成長層の厚みより薄くてもよい。つまり、上記SiO2絶縁層106は基板や成長層の一部の側方に形成してもよい。
【0092】
また、上記SiO2絶縁層106は、基板や成長層の側方のみならず、活性層の側部の上方または下方に形成してもよい。例えば、上記SiO2絶縁層106は、図12(a)に示すように、p型ZnOコンタクト層105の側部の表面(p型オーミック電極108側の表面)に接するように形成したり、図12(b)に示すように、ZnO単結晶基板101の側部の裏面(n型オーミック電極107側の表面)に接するように形成したりしてもよい。または、上記SiO2絶縁層106は、図12(c)に示すように、p型オーミック電極108の側部とAuパッド電極109との間に形成してもよい。
【0093】
更には、図12(d)に示すように、SiO2絶縁層を電流狭窄層の一例として用いないで、イオン注入法などによって成長層側方を貫くような高抵抗層1106を電流狭窄層の一例として形成してもよい。
【0094】
なお、図1、図11(a)〜(d)および図12(a)〜(d)において、同一の材料および物質を用いている部分は、同一の符号を付しており、必ずしも同様の形状を示すものではない。
【0095】
(実施形態2)
図2に、本発明の実施形態2のZnO系面発光型半導体レーザ素子の模式断面図を示す。
【0096】
上記面発光型半導体レーザ素子は、上記実施形態1と比べ、n型オーミック電極107,p型オーミック電極108の代りに、反射層として機能しないn型オーミック電極211,p型オーミック電極212を用いた点が異なっている。このように、上記n型オーミック電極211,p型オーミック電極212が反射層として機能しないので、第1反射層の一例としての第1反射層207をn型単結晶基板101とn型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層102との間に形成すると共に、第2反射層の一例としての第2反射層208をp型ZnOコンタクト層105とp型オーミック電極212との間に形成している。
【0097】
上記第1反射層207は、Siドープしたn型In0.2Ga0.8N層と、Gaドープしたn型ZnO層との積層構造で構成されている。n型In0.2Ga0.8N層とn型ZnO層との積層数は、第1反射層207の反射率が90%になるように調整されている。また、n型In0.2Ga0.8N層およびn型ZnO層は、それぞれ、量子井戸活性層103の表面に平行な表面を有している。
【0098】
上記第2反射層208は、Mgドープしたp型In0.2Ga0.8N層と、Nドープしたp型ZnO層との積層構造で構成されている。p型In0.2Ga0.8N層とp型ZnO層との積層数は、第2反射層208の反射率が30%となるように調整されている。p型In0.2Ga0.8N層およびp型ZnO層は、それぞれ、量子井戸活性層103の表面に平行な表面を有している。
【0099】
また、上記実施形態1のSiO2絶縁層106の代りに、電流狭窄層の一例としてのリング形状のZnO電流ブロック層206を形成している。このZnO電流ブロック層206は、円板形状のp型ZnOコンタクト層105の全体を側方から囲んでいる。このようなZnO電流ブロック206は、p型ZnOコンタクト層105を形成するためのp型ZnO層の中央部以外の部分をGaイオン注入でn型に反転させて形成している。
【0100】
また、上記p型オーミック電極212はリング形状に形成されて開口を有している。この開口からは、第2反射層208の中央部の表面が露出している。
【0101】
尚、図2において、図1に示した部分と同一の材料および物質を用いている部分は、図1の部分と同一の参照番号を付している。また、図1,図2における同一の参照番号の部分でも形状が異なっているものがある。
【0102】
本実施形態2の面発光型半導体レーザ素子は、導電性を有するZnO系半導体の積層構造を用いて第1反射層207および第2反射層208を形成したので、第1,第2反射層207,208での吸収損失が低減した。
【0103】
また、上記n型オーミック電極211,p型オーミック電極212を別途設けるようにしたので、オーミック電極の接触抵抗が減少して動作電圧が低減した。
【0104】
更に、アニール処理による電極兼用反射層の反射率低下がなくなり、反射率再現性が向上した。
【0105】
上記実施形態2において、第1,第2反射層207,208の少なくとも一方の代わりに、Ag、AlおよびPtの少なくとも1つを含む反射層を用いてもよい。
【0106】
上記実施形態2では、ZnO電流ブロック層206は、p型ZnOコンタクト層の側方に形成していたが、図13(a)に示すようなp型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層104の側方に形成してもよい。また、図13(b)に示すようなn型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層102の側方、または、図13(c)に示すようなZnO単結晶基板101の上部の側方、または、図13(d)に示すように量子井戸活性層103の側方に、p型ZnO電流ブロック層1206を形成してもよい。これら基板や成長層の側方にZnO電流ブロック層を形成する場合、ZnO電流ブロック層の厚みは、基板や成長層の厚みと同じである必要はなく、基板や成長層の厚みよりも薄くてもよい。つまり、上記ZnO電流ブロック層は基板や成長層の一部の側方に形成してもよい。
【0107】
また、上記ZnO電流ブロック層は、基板や成長層の側方のみならず、活性層の側部の上方または下方に形成してもよい。例えば、上記ZnO電流ブロック層206は、図14(a)に示すように、p型ZnOコンタクト層105の側部の表面(第2反射層208側の表面)に接するように形成してもよい。また、上記p型ZnO電流ブロック層1206は、図14(b)に示すように、ZnO単結晶基板101の側部の裏面(n型オーミック電極211側の表面)に接するように形成したりしてもよい。また、上記ZnO電流ブロック層206は、図14(c)に示すように、p型オーミック電極212と第2反射層208の側部との間に形成してもよい。
【0108】
更には、ZnO電流ブロック層を電流狭窄層の一例として用いないで、図14(d)に示すように、イオン注入法などによって成長層側方を貫くように高抵抗層2206を電流狭窄層の一例として形成して形成してもよい。
【0109】
なお、図2、図13(a)〜(d)および図14(a)〜(d)において、同一の材料および物質を用いている部分は、同一の符号を付しており、必ずしも同様の形状を示すものではない。
【0110】
(実施形態3)
本発明の実施形態3のZnO系面発光型半導体レーザ素子は、Gaドープしたn型Cd0.2Zn0.8O層とGaドープしたn型Mg0.3Zn0.7O層との積層構造で第1反射層を構成し、Nドープしたp型Cd0.2Zn0.8O層とNドープしたp型Mg0.3Zn0.7O層との積層構造で第2反射層を構成した他は、上記実施形態2と同様にして作製した。
【0111】
上記面発光型半導体レーザ素子は、第1,第2反射層をZnO系半導体で構成したので、ZnO単結晶基板上に成長させたエピタキシャル層との親和性に優れ、エピタキシャル層における結晶欠陥などが低減した。その結果、本実施形態3の面発光型半導体レーザ素子は、発振閾値電流が上記実施形態2に比べて15%低減し、素子寿命が30%向上した。
【0112】
上記実施形態3の第1,第2反射層は、Cd0.2Zn0.8O層とMg0.3Zn0.7O層とで構成していたが、これ以外のZnO系半導体で構成してもよい。例えば、上記第1,第2反射層をMgxZn1 ― xOやCdyZn1 ― yO(0≦x,y≦1)で構成してもよい。
【0113】
また、上記第1,第2反射層の少なくとも一方の代わりに、Ag、AlおよびPtの少なくとも1つを含む反射層を用いてもよい。
【0114】
(実施形態4)
図3に、本発明の実施形態4のZnO系面発光型半導体レーザ素子の模式断面図を示す。また、図3において、図2に示した構成部と同一構成部は、図2における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【0115】
上記面発光型半導体レーザ素子は、ZnO単結晶基板101の代わりに基板の一例としてのサファイア基板301を用い、n型オーミック電極211の代わりにn型オーミック電極311を用い、更に、サファイア基板301と第1反射層207との間にn型ZnOバッファ層313を形成した他は、上記実施形態3と同様に作製した。
【0116】
上記サファイア基板301は(0001)面を成長主面としている。また、上記n型ZnOバッファ層313は、Gaが3×1018cm−3の濃度でドープされ、厚さが0.1μmとなっている。このn型ZnOバッファ層313の露出している表面上に、n型オーミック電極311が形成されている。
【0117】
本実施形態4の面発光型半導体レーザ素子は、異種基板を用いたので上記実施形態3に比べて発振閾値電流が5%増大し、素子寿命が5%短くなったが、十分実用に供する特性を有し、安価なサファイア基板を用いることが出来たので、コストを大幅に低減させることが出来た。
【0118】
本実施形態4では、n型バッファ層がn型コンタクト層の役目の兼ねている。コンタクト層材料にはZnOが適しており、ドナー不純物のドーピング濃度は1×1018〜1×1021cm−3の範囲が好ましく、更には5×1019〜5×1020cm−3の範囲で調整されることが好ましい。また、バッファ層とコンタクト層を独立して形成してもよい。
【0119】
(実施形態5)
図4に、本発明の実施形態5のZnO系面発光型半導体レーザ素子の模式断面図を示す。この面発光型半導体レーザ素子は基板側から発振光を取り出す構造になっており、図4に示された構造は積層順とは上下が逆になっている。つまり、図4において、n型ZnO単結晶基板401下の複数の成長層では、図中上側の成長層が図中下側の成長層よりも先に積層されたものである。
【0120】
以下では、基板上に上記複数の成長層が形成されているものとして説明を行う。つまり、以下の説明の上下は図4における上下とは逆となる。
【0121】
上記面発光型半導体レーザ素子は、亜鉛面を主面としたn型ZnO単結晶基板401上に、厚さ20nmのMg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層402、Gaドーピング濃度が1×1018cm−3で厚さ0.1μmのZnOバッファ層403、Gaドーピング濃度が1×1018cm−3で厚さ1.0μmのn型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404、ノンドープ量子井戸活性層405、Nドーピング濃度が5×1018cm−3で厚さ0.1μmのp型Mg0.1Zn0.9O第1クラッド層406、厚さ20nmのMg0.15Zn0.85O第2エッチングストップ層407、Nドーピング濃度が5×1019cm−3で厚さ1.1μmのp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408、Nドーピング濃度が1×1020cm−3で厚さ0.5μmのp型ZnOコンタクト層409がこの順で積層されている。
【0122】
本実施形態5では、n型ZnO単結晶基板401が基板の一例に、Mg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層402がエッチングストップ層の一例に、n型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404が第1導電型クラッド層の一例に、量子井戸活性層405が活性層の一例に、p型ZnOコンタクト層409が第2導電型コンタクト層の一例にそれぞれ相当する。また、上記p型Mg0.1Zn0.9O第1クラッド層406およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408が、第2導電型クラッド層の一例を構成している。
【0123】
上記量子井戸活性層405は、厚さ5nmのZnO障壁層と、厚さ6nmのCd0.05Zn0.95O井戸層とが交互に積層されて成っている。上記ZnO障壁層は2層ある一方、Cd0.05Zn0.95O井戸層は3層ある。
【0124】
上記p型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408は円柱形状にエッチング加工されている。そして、上記p型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408の側面は、電流狭窄層の一例としてのn型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410によって埋め込まれている。n型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410は、Gaが1×1018cm−3の濃度でドーピングされている。
【0125】
上記n型ZnO単結晶基板401下にはn型オーミック電極411が形成されている。このn型ZnO単結晶基板401およびn型オーミック電極411では、円柱形状のp型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408直下に対応する部分がエッチング除去されている。このエッチング除去で形成された開口420内には、第1反射層の一例としての第1反射層412がMg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層407の裏面に接触するように形成されている。上記第1反射層412は、SiO2とTiO2との交互積層により形成されている。また、上記第1反射層412の波長400nmの発光に対する反射率は20%である。また、上記第1反射層412は、量子井戸活性層405の表面に対して平行な表面を有している。つまり、上記SiO2から成る層と、TiO2から成る層とは、それぞれ、量子井戸活性層405の表面に対して平行な表面を有している。
【0126】
上記p型ZnOコンタクト層409およびn型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410上には、p型オーミック電極413と、第2反射層の一例としての第2反射層414とを順次積層している。上記第2反射層414は、Agから成って、波長400nmの発光に対する反射率が95%となっている。また、上記第2反射層414は、量子井戸活性層405の表面に対して平行な表面を有している。そして、上記第2反射層414上には、第2反射層414の形成領域よりも小さい形成領域でAuパッド電極415が形成されている。
【0127】
本実施形態5の面発光型半導体レーザ素子は、図5に示すレーザMBE装置1000を用いたレーザMBE法で作製した。
【0128】
上記レーザMBE装置1000は超高真空に排気可能な成長室1001を備えている。この成長室1001の一方の側壁には、パルスレーザ光1008が通過するビューポート1007を設けている。そして、上記成長室1001の他方の側壁には、活性化された原子状ビームを基板1003に向けて照射可能なラジカルセル1009と、成長室1001内に複数のガスを導入できるよう複数のガス導入管1010(図2では1つのみ示す)とを設けている。また、上記成長室1001の上部には、基板1003を保持する基板ホルダ1002を配置している。更に、上記基板ホルダ1002の上方にはヒータ1004を配置し、基板ホルダ1002の下方には所定の距離をおいてターゲットテーブル1005を配置している。このターゲットテーブル1005は、複数の原料ターゲット1006を上面(基板ホルダ1002側の表面)上に配置できる。また、図示しないが、上記ターゲットテーブル1005は回転機構を有している。
【0129】
上記構成のレーザMBE装置1000によれば、ヒータ1004が基板ホルダー1002の上面(原料ターゲット1006とは反対側の表面)を加熱すると、基板ホルダー1002の上面の熱が熱伝導により基板1003に伝わって、基板1003が加熱される。その後、上記ビューポート1007を通じてパルスレーザ光1008を原料ターゲット1006の表面に照射し、原料ターゲット1006の表面をアブレーションする。これにより、瞬時に蒸発した原料ターゲット1006が基板1003の下面に付着し、基板1003下に薄膜が成長する。そして、上記パルスレーザ光1008の照射シーケンスに同期してターゲットテーブル1005の回転を制御することにより、異なる原料ターゲット1006の表面にパルスレーザ光1008を照射して、その異なる原料ターゲット1006を上記薄膜に付着させることが可能となる。つまり、上記薄膜とは異なる薄膜を基板1003下に成長させることが可能となる。また、上記ラジカルセル1009によって活性化された原子状ビームを基板1003に照射することも可能である。
【0130】
上記レーザMBE法は、原料ターゲットと、この原料ターゲットの表面をアブレーションすることで成長させた薄膜との間において組成ずれが小さく、またZnGa2O4などの意図しない副生成物の生成を抑えることができるので好ましい。
【0131】
以下、図6(a)〜(d)および図7(e)〜(g)を用いて、本実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の製造方法について説明する。
【0132】
まず、図6(a)に示すn型ZnO単結晶基板1401を洗浄処理した後、レーザMBE装置1000に導入し、温度600℃で30分間加熱し清浄化する。
【0133】
次に、基板温度を550℃に降温し、パルスレーザ光1008を用いて複数の原料ターゲット1006を所定の比率で交互にアブレーションして、Mg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層1402、n型ZnOバッファ層1403、n型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層1404、量子井戸活性層1405、p型Mg0.1Zn0.9O第1クラッド層1406、Mg0.15Zn0.85O第2エッチングストップ層1407、p型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層1408およびp型ZnOコンタクト層1409を成長させる。
【0134】
次に、n型ZnO単結晶基板1401をレーザMBE装置1000から取り出し、図6(b)に示すように、直径1.5μmのドット形状のレジストマスク416をp型ZnOコンタクト層1409上に形成する。
【0135】
次に、上記n型ZnO単結晶基板1401を反応性イオンエッチング装置(図示しない)に導入し、ハロゲンガスを用いた反応性イオンエッチングによってp型ZnOコンタクト層1409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層1408のエッチングを行う。このとき、上記p型ZnOコンタクト層1409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層1408のエッチングは半絶縁性のMg0.15Zn0.85O第2エッチングストップ層407で停止させる。これにより、上記Mg0.15Zn0.85O第2エッチングストップ層407上に、図6(c)に示すような円柱形状のp型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408が得られる。
【0136】
反応性イオンエッチングは異方性が強いため、サイドエッチングを生じずに半導体を微細に加工することが出来る。
【0137】
次に、上記n型ZnO単結晶基板1401を反応性イオンエッチング装置から取り出し、レジストマスク416を洗浄除去した後、レーザMBE装置1000に再度導入し、n型Mg0.3Zn0.7O層を成長する。そうすると、上記n型Mg0.3Zn0.7O層が、円柱形状のp型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408の側面を埋め込む。
【0138】
次に、上記n型ZnO単結晶基板1401をレーザMBE装置100から取り出し、p型ZnOコンタクト層409が露出するように、n型Mg0.3Zn0.7O層の上部をエッチング除去する。これにより、図6(d)に示すように、上記p型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408を側方から囲むn型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410が得られる。
【0139】
次に、露出したp型ZnOコンタクト層409およびn型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410の上面全面に、図7(e)に示すように、Niから成る厚さ15nmのp型オーミック電極413を真空蒸着する。引き続き、上記p型オーミック電極413上に、Agから成る厚さ100nmの第2反射層414を真空蒸着する。更に、上記第2反射層414上に、厚さ100nmのAu層を蒸着して、そのAu層を直径100μmのドット状に加工して、Auパッド電極415を得る。
【0140】
次に、上記n型ZnO単結晶基板1401の裏面に、Alから成る厚さ100nmのn型オーミック電極1411を真空蒸着する。
【0141】
次に、上記n型ZnO単結晶基板1401の上下を逆にする。そして、上記n型オーミック電極1411上に、図7(f)に示すような直径200μmの開口を有する第2のレジストマスク417を形成し、リン酸と過酸化水素水の混合溶液と硝酸水溶液を用いたエッチングを行い、このエッチングを半絶縁性のMg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層402で停止させる。そうすると、n型オーミック電極411およびn型ZnO単結晶基板401に開口420が形成されて、Mg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層402の中央部の裏面が露出する。
【0142】
最後に、上記開口420から露出したMg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層402上に、図7(g)に示すように、SiO2とTiO2とを交互積層して反射率20%の第1反射層412を形成し、第2レジストマスク417を洗浄除去すると、図4に示す面発光型半導体レーザ素子が得られる。
【0143】
上記面発光型半導体レーザ素子に電流を流したところ、開口420から波長400nmの青色発振光が得られた。
【0144】
比較例2として、n型ZnO単結晶基板1401をエッチングせずに、n型ZnO単結晶基板1401の裏面に第1反射層412を形成した他は、本実施形態5と同様に面発光型半導体レーザ素子を作製した。この比較例2の面発光型半導体レーザ素子では、n型ZnO単結晶基板1401での散乱および多重反射によって損失が増大し、本実施形態5に比べて、発振閾値電流が20%増大した。
【0145】
比較例3として、Mg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層402を設けずに、n型オーミック電極1411およびn型ZnO単結晶基板1401をエッチングした他は、本実施形態5と同様に面発光型半導体レーザ素子を作製した。この比較例3の面発光型半導体レーザ素子では、エッチング深さが安定せず、エッチング液がn型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404を浸食することあがあった。このため、本実施形態5に比べて歩留まりが10%に低下した。
【0146】
以上より、レーザ光出射面の基板を除去することによって損失が低減し、発振閾値電流を低減することが出来る。特に、発振波長が短波長である場合には、基板が発振光を吸収するため、基板除去は必ず行わなければならない。この点で、サファイア基板あるいはエピタキシャル層のエッチング加工が困難なIII族窒化物系半導体を用いた面発光型半導体レーザ素子は、製造プロセスが複雑になり、歩留りも低い。
【0147】
一方、本発明の酸化物半導体を用いた面発光型半導体レーザ素子は、基板やエピタキシャル層のエッチング加工が容易であり、低損失なレーザ構造を高い歩留りで作製出来る。
【0148】
また、基板とn型クラッド層との間にエッチングストップ層を設けることにより、基板のエッチング加工を歩留りよく行うことが出来る。
【0149】
上記第1反射層412を構成する材料としては、上記実施形態1のような金属や、上記実施形態2,3のような半導体積層構造を用いてもよいが、本実施形態5のように誘電体金属酸化物から屈折率差が大きいものを選んで交互積層すると、反射率を微細に制御出来ると共に、半導体のみの積層構造で反射層を形成する場合に比べ、積層数を少なくすることが出来る。
【0150】
上記実施形態5では、第2反射層414を400nm近傍の発振波長に対する反射率が高いAgで構成したが、上記実施形態2,3のように、半導体積層構造による多重反射層で構成してもよく、また、第1反射層と同じ材料で構成するなどしてもよい。
【0151】
上記実施形態5では、n型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410は、p型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408の側方に形成していたが、図15(a)に示すようなp型ZnOコンタクト層409の上部(Auパッド電極415側の部分)のみの側方に形成してもよい。または、図示ないが、上記n型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410は、p型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408の少なくとも一部のみの側方に形成してもよい。また、図15(b)に示すようなn型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404の側方、または、図15(c)に示すようなZnO単結晶基板401の上部(量子井戸活性層405側の部分)の側方、または、図15(d)に示すような量子井戸活性層405の側方に、p型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層1410を形成してもよい。これら基板や成長層の側方にMg0.3Zn0.7O電流ブロック層410を形成する場合、Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層の厚みは、基板や成長層の厚みと同じである必要はなく、基板や成長層の厚みより薄くしてもよい。つまり、上記Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層は基板や成長層の一部の側方に形成してもよい。
【0152】
また、上記Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層は、基板や成長層の側方のみならず、量子井戸活性層405の側部の上方または下方に形成してもよい。例えば、上記p型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層1410は、図16(a)に示すように、n型ZnO単結晶基板401の側部の裏面(n型オーミック電極411側の表面)に接するように形成してもよい。また、上記n型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410は、図16(b)に示すように、p型ZnOコンタクト層409の側部の表面(Auパッド電極415側の表面)に接するように形成してもよいし、図16(c)に示すように、p型オーミック電極413の側部と第2反射層414の側部との間に形成してもよい。また、図示しないが、上記nMg0.3Zn0.7O電流ブロック層410はp型オーミック電極413内に形成してもよい。つまり、上記nMg0.3Zn0.7O電流ブロック層410はp型オーミック電極413で包むように形成してもよい。
【0153】
更には、Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層を電流狭窄層の一例として用いないで、図16(d)に示すように、イオン注入法などによって成長層側方を貫くように高抵抗層2410を電流狭窄層の一例として形成してもよい。
【0154】
なお、図4、図15(a)〜(d)および図16(a)〜(d)において、同一の材料および物質を用いている部分は、同一の符号を付しており、必ずしも同様の形状を示すものではない。
【0155】
(実施形態6)
本実施形態6では、図4の開口420内に形成する反射率20%の第1反射層412の代わりに、LiGaO2とZnOとの超格子構造で構成した第1反射層を用いた他は、上記実施形態5と同様にして面発光型半導体レーザ素子を作製した。
【0156】
上記面発光型半導体レーザ素子に電流を流したところ、開口420から波長400nmの青色発振光が得られた。このとき、上記実施形態5に比べ、発振閾値電流は10%低減し、素子寿命は20%向上した。
【0157】
本実施形態6において反射層に用いたLiGaO2のように、αβO2なる組成を有し、αの元素がLi、NaおよびKの少なくと1つを含み、βの元素がAl、GaおよびInのうちの少なくと一方を含む誘電体体酸化物は、ZnO系半導体と類似の結晶構造を有し、ZnO系半導体上に高品質な単結晶薄膜としてエピタキシャル成長出来、高い保護効果を得ることが出来る。
【0158】
特に、Li1 ― aNaaAlO2、Li1 ― bNabGaO2、LiAl1 ― cGacO2およびNaAl1 ― dGadO2(0≦a,b,c,d≦1)などのように、αβO2において元素α,βの元素のいずれか一方が2種の元素から成る酸化物は、組成比の制御が簡便であるので好ましい。したがって、第1,第2反射層の少なくとも一方が上記酸化物を少なくとも1つ含むことは好ましい。
【0159】
図8(a),(b)に、上記4つの酸化物に対して平均格子定数を求めた結果を示す。ここで「平均格子定数」とは、同一面内の6つの酸素原子で構成される六角形と同じ面積の正六角形を仮定し、この正六角形の一辺の長さと定義する。なお、図8(a)のLi1−yNayGaO2,NaAl1−yGayO2がLi1−bNabGaO2,NaAl1−dGadO2に対応し、図8(b)のLi1−xNaxAlO2,LiAl1−xGaxO2がLi1−aNaaAlO2,LiAl1−cGacO2に対応する。
【0160】
図8(a),(b)から判るように、Li1−aNaaAlO2、Li1−bNabGaO2、LiAl1−cGacO2およびNaAl1−dGadO2は、ZnOの格子定数に対して全組成範囲で96%(3.12Å)〜106%(3.44Å)の格子定数に制御できる。つまり、Li1−aNaaAlO2、Li1−bNabGaO2、LiAl1−cGacO2およびNaAl1−dGadO2の夫々の全組成範囲の平均格子定数と、ZnOの格子定数との差を、−4%(3.12Å)〜+6%(3.44Å)の範囲内に制御することができる。特に、次の(1),(2)の場合であれば、ZnOに対する格子定数差を極めて小さくすることが出来る。
(1)Li1−aNaaAlO2において、Na組成比aが0.4〜0.6
(2)Li1−bNabGaO2において、Na組成比bが0.15〜0.35
更に、Li0.5Na0.5AlO2あるいはLi0.75Na0.25GaO2であれば、ZnOとほぼ完全に格子整合し、結晶性に優れたZnOとの超格子反射層を形成出来、素子特性が飛躍的に向上する。
【0161】
なお、本実施形態6のように、誘電体酸化物であるLiGaO2と、ZnOとの超格子構造で構成した第1反射層は、トンネル効果によって導電性を有するようになるため、n型ZnO単結晶基板401とn型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404との間に形成してもよい。この場合、上記第1反射層にエッチングストップ層やバッファ層の機能を持たせることも出来、素子作製プロセスが簡便になるので好ましい。
【0162】
また、本実施形態6において、上記第1反射層の構成を第2反射層の構成に用いてもよいのは言うまでもない。
【0163】
(実施形態7)
本実施形態7は、図4の開口420内に形成する反射率20%の第1反射層412の代わりに、CaHfO3とZnOとの超格子構造で構成した第1反射層を用いた他は、上記実施形態5と同様にして面発光型半導体レーザ素子を作製した。
【0164】
上記面発光型半導体レーザ素子に電流を流したところ、開口420から波長400nmの青色発振光が得られた。このとき、上記実施形態5に比べ、発振閾値電流は15%低減し、素子寿命は15%向上した。
【0165】
図9(a)に、上記第1反射層に用いたCaHfO3のように、αβO3なる組成を有するペロブスカイト酸化物の表面構造を示す。また、図9(b)に、ZnOの表面構造を示す。
【0166】
図9(a),(b)から判るように、ペロブスカイト構造の(111)面は、ZnO系半導体などのウルツ鉱結晶構造の(0001)面と類似の表面構造を有するため親和性に優れる。したがって、上記ペロブスカイト酸化物は、ZnO系半導体上に欠陥の少ない保護膜として形成することが出来る。
【0167】
特に、KNbO3、KTaO3、BaTiO3、CaSnO3、CaZrO3、CaHfO3、CdSnO3、SrHfO3、SrSnO3、SrTiO3およびYScO3のうちの少なくとも1つを含むペロブスカイト酸化物は、六角形の格子形状がZnO(0001)面と整合し易くなる。したがって、上記ペロブスカイト酸化物を用いて結晶欠陥や格子歪の極めて少ない高品質な超格子反射層を形成出来る。
【0168】
なお、本実施形態7のように、誘電体酸化物であるCaHfO3と、ZnOとの超格子構造で構成した第1反射層は、トンネル効果によって導電性を有するようになるため、n型ZnO単結晶基板401とn型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404との間に形成してもよい。この場合、上記第1反射層にエッチングストップ層やバッファ層の機能を持たせることも出来、素子作製プロセスが簡便になるので好ましい。
【0169】
上記第1反射層は、αβO3で表されるペロブスカイトを含む、または、上記ペロブスカイトの構造に類似する構造を持つ類似構造複酸化物を含んでもよいが、α,βの元素は次の要件(I)〜(III)のいずれか1つを満たすものがよい。
【0170】
(I)αの元素はLi、NaおよびKのうちの少なくとも1つを含むみ、且つ、βの元素はTaとNbとのうちの少なくとも一方を含む。
【0171】
(II)αの元素はCd、Ca、Sr、BaおよびBiのうちの少なくとも1つを含み、且つ、βの元素がTi、Zr、HfおよびSnのうちの少なくとも1つを含む。
【0172】
(III)αの元素はBi、希土類元素およびアルカリ土類金属元素のうちの少なくとも1つを含み、且つ、βの元素がIn、Al、GaおよびScのうちの少なくとも1つを含む。
【0173】
また、本実施形態7において、上述した第1反射層の構成を第2反射層の構成に用いてもよいのは言うまでもない。
【0174】
(実施形態8)
本実施形態8は、図4の開口420に形成する反射率20%の第1反射層412の代わりに、ScAlMgO4とZnOとの超格子構造で構成した第1反射層を用いた他は、上記実施形態5と同様にして面発光型半導体レーザ素子を作製した。
【0175】
上記面発光型半導体レーザ素子に電流を流したところ、開口420から波長400nmの青色発振光が得られた。このとき、上記実施形態5に比べ、発振閾値電流はに比べ20%低減し、素子寿命は25%向上した。
【0176】
図10に、本実施形態8の第1反射層に用いた誘電体酸化物ScAlMgO4の結晶構造を示す。
【0177】
上記ScAlMgO4のような、γαβO4またはγαO3(βO)nなる構造を有する酸化物は、ZnO系半導体と同じウルツ鉱構造を含み、γの元素がScとInとのうちの少なくと一方を含み、且つ、αの元素がAl、FeおよびGaのうちの少なくとも1つを含み、且つ、βの元素がMg、Mn、Fe、Co、Cu、ZnおよびCdのうちの少なくとも1つを含むと、ZnO系半導体に近い面内格子定数を有するので好ましい。
【0178】
特に、上記第1反射層は、ScAlMgO4、ScGaMgO4、ScAlMnO4、ScGaCoO4、ScAlCoO4、ScGaZnO4、ScAlZnO4、ScGaO3(ZnO)nおよびScAlO3(ZnO)nの少なくとも1つを含むと、ZnOとの格子定数差が極めて小さくなり、結晶欠陥や格子歪の極めて少ない高品質な反射層を形成出来るので好ましい。
【0179】
なお、本実施形態8のように、誘電体酸化物であるScAlMgO4が、ZnOとの超格子構造で構成した第1反射層は、トンネル効果によって導電性を有するようになるため、n型ZnO単結晶基板401とn型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404との間に形成してもよい。この場合、上記第1反射層にエッチングストップ層やバッファ層の機能を持たせることも出来、素子作製プロセスが簡便になるので好ましい。
【0180】
また、本実施形態8において、上述した第1反射層の構成を第2反射層の構成に用いてもよいのは言うまでもない。
【0181】
上記実施形態1〜8の構成を適宜組み合せて面発光型半導体レーザ素子を形成していもよい。
【0182】
また、上記実施形態1〜8では、基板上に、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層およびp型コンタクト層をこの順で形成していたが、基板上に、p型クラッド層、活性層、n型クラッド層およびn型コンタクト層をこの順で形成してもよい。
【0183】
また、本発明の酸化物半導体発光素子は、ダブルへテロ構造であってもよいし、シングルへテロ構造であってもよい。
【0184】
また、本発明の酸化物半導体発光素子は、ZnO系半導体で構成していもよい。
【0185】
また、本発明の酸化物半導体発光素子は、固体あるいは気体原料を用いたMBE(分子線エピタキシ)法、レーザMBE法、MOCVD(有機金属気相成長)法などの結晶成長手法で作製することが出来る。
【0186】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明の酸化物半導体発光素子は、酸化物半導体で構成された活性層を有する半導体発光素子において、上記活性層を狭んで上下に平行な一対の反射層を有し、上記活性層から放射された発光を上記反射層間で共振増幅させ、上記反射層の片側から発振光を放射するようにしたので、酸化物半導体の優れた特質を生かし、従来よりも光学特性・信頼性および省電力性に優れた面発光型の酸化物半導体発光素子を簡便に作製することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の実施形態1の面発光型半導体レーザ素子の模式断面図である。
【図2】図2は本発明の実施形態2の面発光型半導体レーザ素子の模式断面図である。
【図3】図3は本発明の実施形態4の面発光型半導体レーザ素子の模式断面図である。
【図4】図4は本発明の実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の模式断面図である。
【図5】図5は上記実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の製造に使用するレーザMBE装置の概略構成図である。
【図6】図6(a)〜(d)は上記実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図である。
【図7】図7(e)〜(g)は上記実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図である。
【図8】図8(a)はLiNaGaO2およびNaAlGaO2の酸化物に対して平均格子定数を求めた結果を示す図であり、図8(b)はLiNaAlO2およびLiAlGaO2の酸化物に対して平均格子定数を求めた結果を示す図である。
【図9】図9(a)はペロブスカイト酸化物の表面構造を表す図であり、図9(b)はZnOの表面構造を表す図である。
【図10】図10は本発明の実施形態8の第1反射層に用いた誘電体酸化物ScAlMgO4の結晶構造を表わす図である。
【図11】図11(a)〜(d)は上記実施形態1の面発光型半導体レーザ素子の変形例の模式断面図である。
【図12】図12(a)〜(d)は上記実施形態1の面発光型半導体レーザ素子の変形例の模式断面図である。
【図13】図13(a)〜(d)は上記実施形態2の面発光型半導体レーザ素子の変形例の模式断面図である。
【図14】図14(a)〜(d)は上記実施形態2の面発光型半導体レーザ素子の変形例の模式断面図である。
【図15】図15(a)〜(d)は上記実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の変形例の模式断面図である。
【図16】図16(a)〜(d)は上記実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の変形例の模式断面図である。
【符号の説明】
103,405 量子井戸活性層
107 n型オーミック電極
108 p型オーミック電極
207,412 第1反射層
208,414 第2反射層
【発明の属する技術分野】
本発明は例えば半導体レーザなどの酸化物半導体発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、紫外から緑色以長の広域をカバー出来る発光材料として、ワイドギャップ半導体であるIII族窒化物系半導体の結晶成長およびデバイス技術が急速に発展している。III族窒化物系半導体を用いた発光素子の中でも、発振波長が400nm近傍にある青色半導体レーザ素子は、次世代の高密度なデジタル光記録用光源への適用をはじめとして実用化が切望されており、InaAlbGa1−a−bNを用いた多重量子井戸活性層などの種々のデバイス構造が提案されている。
【0003】
半導体レーザ素子においては、導波路に垂直な一対の反射鏡を有するレーザ共振器を形成する必要がある。GaAs/AlGaAs系材料などは劈開性を有するため、原子レベルで平坦な反射端面を得ることが出来るが、III族窒化物系半導体は六方晶であるために立方晶のGaAs系半導体に比べて劈開が難しく、また化学的に極めて安定であるためにエッチングによる反射鏡形成も困難である。
【0004】
一方、基板の表面に対して垂直方向に共振器が形成され、半導体の接合面に平行に一対の反射鏡を有する面発光型の半導体レーザ素子は、積層膜を反射鏡として用いることが出来る。また、面発光型の半導体レーザ素子は、短共振器であるため省電力性と単一モード安定性に優れ、光集積回路などへの適用が容易であるなどの利点を有する。
【0005】
そこで、III族窒化物系半導体を用いて面発光型レーザ素子を実現すべく様々な提案がなされている。例えば、特許3212008号公報(特許文献1)には、窒化ガリウム系化合物半導体層を用いたダブルへテロ構造と、活性層を挟んで基板の表面に平行な一対の第1,第2の反射鏡とを有する面発光型の半導体レーザ素子が開示されている。
【0006】
【特許文献1】
特許3212008号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、III族窒化物系半導体を用いた面発光型レーザ素子では、発光特性も十分ではなく、また、作製が非常に困難であるという問題がある。これは以下のような理由による。
【0008】
・バンド間遷移を利用するIII族窒化物半導体は発振閾値キャリア密度が高く、微小共振器を有する面発光型レーザ素子に適用しても低閾値化が難しい。
【0009】
・III族窒化物系半導体を用いた面発光型レーザ素子を実用的な動作電流と素子寿命で駆動するには、反射鏡をエッチングによって形成せずとも、電流狭窄層の形成や、基板として用いられるサファイア基板に開口の形成などをエッチングで形成する必要がある。しかし、上記電流狭窄層やサファイア基板に対するエッチング加工は極めて困難で、製造プロセスが複雑になるため、歩留りが低くなってしまう。
【0010】
・高機能な光集積回路などへの適用を考えると、誘電体、圧電体、磁性体、超伝導体、更にはマイクロマシンなどと共にモノリシックに作製出来ることが好ましいが、窒化物材料のみではこのような特質を網羅出来ない。
【0011】
・成長層中に導電性を有する反射鏡を形成する場合、InGaN混晶とAlGaN混晶とで積層反射鏡を形成すると、熱膨張係数差が大きいために反射鏡にクラックが生じやすく、反射鏡上に積層される半導体層の結晶性も劣化する。一方、バンドギャップエネルギ差が小さい混晶で積層反射鏡を形成すると、屈折率差が小さいので、高い反射率を得るためには積層数を大幅に増やさなければならず、生産性が低下しコストも高くなる。
【0012】
そこで、本発明の目的は、発光特性が高くて生産成に優れる低消費電力な酸化物半導体発光素子を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、従来のIII族窒化物系半導体を用いた面発光型半導体発光素子の課題を解決出来る半導体材料および素子構造について鋭意検討した結果、酸化物半導体を用いて面発光型の半導体発光素子を作製することで上記目的が達せられることを見い出し本発明に至った。
【0014】
本発明の酸化物半導体発光素子は、
酸化物半導体から成る活性層と、
上記活性層下に形成され、上記活性層の表面に対して平行な表面を有する第1反射層と、
上記活性層上に形成され、上記活性層の表面に対して平行な表面を有する第2反射層とを備え、
上記活性層から出射された発光を上記第1反射層と上記第2発射層との間で共振増幅させ、上記第1反射層および第2反射層の一方から発振光を出射することを特徴としている。
【0015】
上記構成の酸化物半導体発光素子によれば、上記酸化物半導体は、窒化物半導体よりも優れた特質を多く有している。このような酸化物半導体を用いることによって、例えば、大きな結合エネルギを有する励起子遷移を利用して発振閾値電流を大幅に低減することが出来る。
【0016】
また、上記酸化物半導体は、窒化物半導体に比べ加工が容易であり、電流狭窄機構や基板のエッチングを簡便に行なうことが出来る。
【0017】
更に、上記酸化物半導体には、誘電性、圧電性、超伝導性などにおいて窒化物半導体では実現し難い性質を持った材料が多く存在する。これにより、例えばモノリシックな光集積回路などにおいては、半導体レーザ素子を含む全て要素を、親和性の高い酸化物のみで構成することが出来、製造が簡便になる。
【0018】
したがって、上記ZnO系半導体から成る活性層から出射された発光を、第1反射層と上記第2発射層との間で共振増幅させるので、光学特性および信頼性を向上出来る。
【0019】
また、上記活性層をZnO系半導体で構成しているので、消費電力を低減出来ると共に、簡単に製造することが出来る。
【0020】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、
上記活性層と上記第1反射層との間に配置された基板と、
上記基板と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記基板または上記層のうちの少なくとも1つの少なくとも一部の側方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成る。
【0021】
本明細書中において、「ZnO(酸化亜鉛)系半導体」とは、ZnOおよびこれを母体としたMgZnOあるいはCdZnOなどで表される混晶を含めるものとする。
【0022】
また、本明細書中において、第1導電型とは、p型またはn型を意味する。また、第2導電型とは、第1導電型がp型の場合はn型、n型の場合はp型を意味する。
【0023】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、ZnOは、約3.4eVのバンドギャップエネルギを有する直接遷移型半導体で、励起子結合エネルギが60meVと極めて高く、また原材料が安価、環境や人体に無害で成膜手法が簡便であるなどの特徴を有する。このことにより、上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層をZnO系半導体で構成しているので、高効率・低消費電力を実現出来ると共に、環境に悪影響が及ぶのを阻止出来る。
【0024】
また、上記基板の裏面下に第1反射層を形成すると共に、第2導電型コンタクト層上に第2反射層を形成しているので、第1,第2反射層は成長層中に反射層を作り込むよりも簡単に形成することが出来る。したがって、歩留まりを向上出来ると共に、コストを低減出来る。
【0025】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、
上記活性層と上記第1反射層との間に配置された基板と、
上記基板と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記活性層の側部の上方または下方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成る。
【0026】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、ZnOは、約3.4eVのバンドギャップエネルギを有する直接遷移型半導体で、励起子結合エネルギが60meVと極めて高く、また原材料が安価、環境や人体に無害で成膜手法が簡便であるなどの特徴を有する。このことにより、上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層をZnO系半導体で構成しているので、高効率・低消費電力を実現出来ると共に、環境に悪影響が及ぶのを阻止出来る。
【0027】
また、上記基板の裏面下に第1反射層を形成すると共に、第2導電型コンタクト層上に第2反射層を形成しているので、第1,第2反射層は成長層中に反射層を作り込むよりも簡単に形成することが出来る。したがって、歩留まりを向上出来ると共に、コストを低減出来る。
【0028】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、
上記第1反射層下に配置された基板と、
上記第1反射層と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記基板または上記層のうちの少なくとも1つの少なくとも一部の側方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成る。
【0029】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、ZnOは、約3.4eVのバンドギャップエネルギを有する直接遷移型半導体で、励起子結合エネルギが60meVと極めて高く、また原材料が安価、環境や人体に無害で成膜手法が簡便であるなどの特徴を有する。このことにより、上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層をZnO系半導体で構成しているので、高効率・低消費電力を実現出来ると共に、環境に悪影響が及ぶのを阻止出来る。
【0030】
また、上記基板と第1導電型クラッド層との間に第1反射層を形成しているので、基板での光損失を低減出来る。また、上記基板として導電性や安価で高品質などの特長を有する基板を用いることにより、基板の裏面下に電極を形成出来る。その結果、発光効率を高めることが出来ると共に、コストを低減出来る。
【0031】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、
上記第1反射層下に配置された基板と、
上記第1反射層と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記活性層の側部の上方または下方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成る。
【0032】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、ZnOは、約3.4eVのバンドギャップエネルギを有する直接遷移型半導体で、励起子結合エネルギが60meVと極めて高く、また原材料が安価、環境や人体に無害で成膜手法が簡便であるなどの特徴を有する。このことにより、上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層をZnO系半導体で構成しているので、高効率・低消費電力を実現出来ると共に、環境に悪影響が及ぶのを阻止出来る。
【0033】
また、上記基板と第1導電型クラッド層との間に第1反射層を形成しているので、基板での光損失を低減出来る。また、上記基板として導電性や安価で高品質などの特長を有する基板を用いることにより、基板の裏面下に電極を形成出来る。その結果、発光効率を高めることが出来ると共に、コストを低減出来る。
【0034】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方は、屈折率の異なる複数の薄膜を交互に積層して成る。
【0035】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記第1反射層と第2反射層との少なくとも一方を、屈折率の異なる複数の薄膜を交互に積層して形成することにより、第1反射層と第2反射層との少なくとも一方の反射率を微細に制御することが出来る。また、上記第1反射層と第2反射層との少なくとも一方に、半導体や誘電体、金属などの種々の薄膜を用いることが出来る。
【0036】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方は金属を含む。
【0037】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記第1反射層と第2反射層との少なくとも一方が金属を含むことにより、上記第1反射層と第2反射層との少なくとも一方を電極をとして兼用することが出来る。したがって、製造工程を簡便化して、高歩留まりと低コストを実現できる。
【0038】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記金属は、Ag、AlおよびPtのうちの少なくとも1つを含む。
【0039】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記Ag、AlおよびPtの金属は、電極材料として適用出来ると共に、青〜紫外光に対する反射率が極めて高い。
【0040】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方は誘電体を含む。
【0041】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記誘電体は半導体よりも小さな光屈折率を有し、その光屈折率の値も材料によって多岐にわたっている。したがって、上記第1反射層と第2反射層との少なくとも一方が誘電体を含むので、第1反射層と第2反射層との少なくとも一方のの反射率を微細に制御出来る。
【0042】
また、上記第1反射層および第2反射層を複数層で構成する場合、第1反射層と第2反射層との少なくとも一方が誘電体を含むので、複数の半導体層のみで反射層を形成する場合に比べ、第1反射層と第2反射層との少なくとも一方の構成層の数を少なくすることが出来る。
【0043】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記誘電体は、Li1 ― aNaaAlO2、Li1 ― bNabGaO2、LiAl1 ― cGacO2およびNaAl1 ― dGadO2(0≦a,b,c,d≦1)のうちの少なくとも1つを含む。
【0044】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記Li1 ― aNaaAlO2、Li1 ― bNabGaO2、LiAl1 ― cGacO2およびNaAl1 ― dGadO2の組成を有する酸化物は、ZnO系半導体と類似の結晶構造を有するので、ZnO系半導体上に高品質な単結晶薄膜としてエピタキシャル成長出来る。したがって、上記誘電体がその酸化物を含むので、第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方は結晶性が高めて高い状態で発光素子の積層構造中に形成出来る。
【0045】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記誘電体は、αβO3で表されるペロブスカイトを含む、または、上記ペロブスカイトの構造に類似する構造を持つ類似構造複酸化物を含む。
【0046】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、ペロブスカイト構造の(111)面は、ZnO系半導体などのウルツ鉱結晶構造の(0001)面と類似の表面構造を有するため親和性に優れる。したがって、上記ペロブスカイトを含む誘電体は、ZnO系半導体上に欠陥の少ない単結晶薄膜としてエピタキシャル成長することが出来る。特に、上記ペロブスカイト構造の酸化物は、ZnO系半導体との格子不整合が極めて少ない。
【0047】
また、上記類似構造複酸化物を含む誘電体も、ZnO系半導体上に欠陥の少ない単結晶薄膜としてエピタキシャル成長することが出来る。
【0048】
上記α,βとしては、次の要件(1)〜(3)のいずれか1つを満たすものが好ましい。
【0049】
(1)上記αの元素がLi(リチウム)、Na(ナトリウム)およびK(カリウム)のうちの少なくとも1つを含み、且つ、上記βの元素がTa(タンタル)とNb(ニオブ)とのうちの少なくとも一方を含む。
【0050】
(2)上記αの元素がCd(カドミウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)およびBi(ビスマス)のうちの少なくとも1つを含み、且つ、上記βの元素が
Ti(チタン)、Zr(ジルコニウム)、Hf(ハフニウム)およびSn(スズ)のうちの少なくとも1つを含む。
【0051】
(3)上記αの元素がBi、希土類元素およびアルカリ土類金属元素のうちの少なくとも1つを含み、且つ、上記βの元素がIn(インジウム)、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)およびSc(スカンジウム)のうちの少なくとも1つを含む。
【0052】
ここで、希土類元素とは、周期表III族に属するSc(スカンジウム),Y(イットリウム)およびランタノイドのLa(ランタン),Ce(セリウム),Pr(プラセオジム),Nd(ネオジウム),Pm(プロメチウム),Sm(サマリウム),Eu(ユウロピウム),Gd(ガドリニウム),Tb(テルビウム),Dy(ジスプロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エルビウム),Tm(ツリウム),Yb(イッテルビウム),Lu(ルテチウム)の17元素を指し、アルカリ土類金属とは、周期表II族元素のうちCa(カルシウム),Sr(ストロンチウム),Ba(バリウム),Ra(ラジウム)の4元素を指す。
【0053】
更には、上記誘電体は、KNbO3、KTaO3、BaTiO3、CaSnO3、CaZrO3、CaHfO3、CdSnO3、SrHfO3、SrSnO3、SrTiO3およびYScO3のうちの少なくとも1つを含むことが特に好ましい。
【0054】
上述したようなペロブスカイトまたは類似構造複酸化物は、ZnO系半導体との格子不整合が極めて少なく、結晶性の極めて高い反射層を発光素子の積層構造中に形成出来、信頼性に優れた面発光型の酸化物半導体発光素子を作製出来る。
【0055】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記誘電体は、γαβO4またはγαO3(βO)n(γ,α,βは単数または複数の原子、nは1以上の自然数)なる構造を有し、上記γの元素がScとInとの少なくとも一方を含み、且つ、上記αの元素がAl、Fe(鉄)およびGaのうちの少なくとも1つを含み、且つ、上記βの元素がMg(マグネシウム)、Mn(マンガン)、Fe、Co(コバルト)、Cu(銅)、Zn(亜鉛)およびCdのうちの少なくとも1つを含む。
【0056】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上述したような組成を有するホモロガス構造の酸化物は、ZnO系半導体と類似の結晶構造を有し、ZnO系半導体上に高品質な単結晶薄膜としてエピタキシャル成長出来る。したがって、上記誘電体がγαβO4またはγαO3(βO)nなる構造を有するので、結晶性の極めて高い誘電体反射膜を形成出来る。
【0057】
特に、ScAlMgO4、ScGaMgO4、ScAlMnO4、ScGaCoO4、ScAlCoO4、ScGaZnO4、ScAlZnO4、ScGaO3(ZnO)nおよびScAlO3(ZnO)nのうちのいずれか1つを誘電体が含むことにより、誘電体とZnO系半導体との格子不整合を極めて少なくすることが出来る。
【0058】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方はZnO系半導体を含む。
【0059】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、例えば、反射層を誘電体酸化物とZnO系半導体との積層構造などで構成すると、少ない積層数で大きな反射率を有する反射層が得られ、この反射層は結晶性に優れる。したがって、上記第1反射層および第2反射層を複数の層で構成する場合、第1反射層と第2反射層との少なくとも一方は、ZnO系半導体を含むので、少ない積層数で大きな反射率を得ることが可能である。
【0060】
また、上記ZnO系半導体を含む反射層を基板と第1導電型クラッド層との間に設けた場合、基板での光損失を低減し、また導電性や安価で高品質などの特長を有する基板を用いることが出来る。
【0061】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記ZnO系半導体はMgxZn1 ― xOまたはCdyZn1 ― yO(0≦x,y≦1)を含む。
【0062】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記MgxZn1 ― xOまたはCdyZn1 ― yOを含むZnO系半導体は、組成比によりバンドギャップエネルギおよび屈折率の微細な制御が可能である。
【0063】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、
上記活性層下に配置された基板と、
上記基板と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記基板または上記層のうちの少なくとも1つの少なくとも一部の側方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1反射層は上記基板に形成された開口内に配置され、
上記開口は、上記第2導電型コンタクト層において電流が狭窄される部分の直下に位置する。
【0064】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記基板の開口から発振光を取り出すので、基板での光吸収や散乱による損失を受けずに発振光を取り出すことが出来る。したがって、例えば活性層より小さなバンドギャップエネルギを有する基板を用いても、発光効率が低減することがない。
【0065】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、
上記活性層下に配置された基板と、
上記基板と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記活性層の側部の上方または下方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1反射層は上記基板に形成された開口内に配置され、
上記開口は、上記第2導電型コンタクト層において電流が狭窄される部分の直下に位置する。
【0066】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記基板の開口から発振光を取り出すので、基板での光吸収や散乱による損失を受けずに発振光を取り出すことが出来る。したがって、例えば活性層より小さなバンドギャップエネルギを有する基板を用いても、発光効率が低減することがない。
【0067】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記基板と上記第1導電型クラッド層との間にエッチングストップ層が形成されている。
【0068】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記基板と第1導電型クラッド層との間にエッチングストップ層を形成しているので、基板の開口をエッチング加工で歩留りよく形成することができる。
【0069】
一実施形態の酸化物半導体発光素子は、上記基板がZnO単結晶基板である。
【0070】
上記実施形態の酸化物半導体発光素子によれば、上記ZnO単結晶基板はZnO系半導体発光素子の作製に最も優れた基板であり、結晶欠陥や格子歪の最も小さいZnO系半導体層をエピタキシャル成長出来る。
【0071】
また、上記ZnO単結晶基板は加工特性にも優れるので、歩留まりを向上出来る。
【0072】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の酸化物半導体発光素子を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【0073】
(実施形態1)
図1に、本発明の実施形態1のZnO系面発光型半導体レーザ素子の模式断面図を示す。
【0074】
上記面発光型半導体レーザ素子は、(0001)亜鉛面を主面とするZnO単結晶基板101上に、Gaが1×1018cm−3の濃度でドープされた厚さ1μmのn型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層102、ノンドープ量子井戸活性層103、N(窒素)が5×1019cm−3の濃度でドープされた厚さ0.5μmのp型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層104、Nが1×1020cm−3の濃度でドープされた厚さ0.3μmのp型ZnOコンタクト層105がこの順で積層されている。
【0075】
本実施形態1では、ZnO単結晶基板101が基板の一例に、n型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層102が第1導電型クラッド層の一例に、量子井戸活性層103が活性層の一例に、p型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層104が第2導電型クラッド層の一例に、p型ZnOコンタクト層105が第2導電型コンタクト層の一例にそれぞれ相当する。
【0076】
上記量子井戸活性層103は、厚さ5nmのZnO障壁層と、厚さ4nmのCd0.05Zn0.95O井戸層との交互積層より成っている。上記ZnO障壁層は8層ある一方、Cd0.05Zn0.95O井戸層は7層ある。
【0077】
上記p型ZnOコンタクト層105上には、電流狭窄層の一例としての厚さ100nmのSiO2絶縁層106を積層している。上記SiO2絶縁層106はリング形状を有して、p型ZnOコンタクト層105の上部を側方から囲んでいる。
【0078】
上記ZnO単結晶基板101の裏面下には、第1反射層の一例としての厚さ200nmのn型オーミック電極107が形成されている。このn型オーミック電極107はAlより成って、青色発光波長に対して90%の反射率を有している。
【0079】
上記p型ZnOコンタクト層105およびSiO2絶縁層106上には、第2反射層の一例としての厚さ50nmのp型オーミック電極108が形成されている。このp型オーミック電極108はPtより成って、青色発光波長に対して30%の反射率を有している。そして、上記p型オーミック電極108上には、リング形状のAuパッド電極109が形成されている。このAuパッド電極109の開口は、p型ZnOコンタクト層105の上部の上方に位置している。そして、上記Auパッド電極109の開口から、p型オーミック電極108の中央部の表面が露出している。
【0080】
上記n型オーミック電極107およびp型オーミック電極108は、それぞれ、量子井戸活性層103の表面に対して平行な表面を有している。
【0081】
上記構成の面発光型半導体レーザ素子に電流を流して駆動したところ、波長405nmの青色発振光がオーミック電極108を介して得られた。つまり、上記青色発振光がp型オーミック電極108から外部に向って出射された。
【0082】
比較例1として、III族窒化物系半導体を用いて本実施形態1と同じ構造の面発光型半導体レーザ素子を作製した。この比較例1の面発光型半導体レーザ素子は、ノンドープ量子井戸活性層では発振せず、SiドープしたInGaN井戸層を用いて発振させることが出来たが、発振閾値電流が本実施形態1の面発光型半導体レーザ素子に比べて5倍高かった。
【0083】
本発明のZnO系面発光型半導体レーザ素子がIII族窒化物系面発光型半導体レーザ素子よりも発振閾値電流が低かった理由は、ZnO系半導体の発光機構が励起子遷移を用いているのに対し、III族窒化物系半導体は発光効率の低い不純物準位を介したバンド間遷移を用いている点にある。すなわち、ZnO系半導体は、60meVの強い励起子結合エネルギを有し、室温で励起子遷移を利用したレーザ発振を生ぜしめることが可能であるのに対し、III族窒化物半導体の励起子結合エネルギは24meVしかないので、室温におけるレーザ発振への寄与は小さく、反転分布が生じるまでに励起子が解離してしまい、不純物準位を介したバンド間遷移が主となるからである。
【0084】
面発光型半導体レーザ素子は微小共振器であるため端面発光型の半導体レーザ素子に比べ発振閾値電流が大幅に小さくなるが、発振に至る注入キャリア密度自体が高ければ発振閾値電流低減の効果は小さくなってしまう。したがって、上記III族窒化物半導体は発振閾値キャリア密度が高いので、III族窒化物系面発光型半導体レーザ素子では低閾値が難しい。すなわち、III族窒化物系半導体を用いて作成した面発光型半導体レーザ素子よりも、ZnO系半導体を用いて作製した面発光型半導体レーザ素子の方が遥かに省電力性に優れている。
【0085】
本実施形態1の面発光型半導体レーザ素子は、オーミック電極が反射層を兼ねており、また、反射層形成のための特別な工程を必要としないので、簡便かつ低コストで作製出来るという利点を有する。
【0086】
本実施形態1の面発光型半導体レーザ素子に用いる反射層の金属材料としては、Al、AgおよびPtが400nm近傍の波長に対する反射率が特に高いので好ましい。また、Alで形成した反射層はn型オーミック電極として兼用することが出来、AgまたはPtで形成した反射層はp型オーミック電極として兼用することが出来るので好ましい。したがって、本実施形態1では、n型オーミック電極およびp型オーミック電極の少なくとも一方は、Ag、AlおよびPtの少なくとも1つを含むのが好ましい。
【0087】
また、本実施形態1の面発光型半導体レーザ素子に用いる基板の材料としては、ZnO単結晶以外に、SiCやGaNなどを用いることが出来る。しかし、可視領域における発光効率を最大限に得るためには、次の要件(a)〜(c)の少なくとも1つを満たす材料が好ましい。
(a) 基板上の成長層において非発光中心となる欠陥を低減する観点上、ZnOの面内格子定数に対して(100±3)%の面内格子定数を有する。
(b) 発光波長に対応する吸収係数が低い。
(c) 基板の裏面下に電極を形成する観点上、導電性を有する。
【0088】
本実施形態1でZnO単結晶基板101の材料として用いたZnO単結晶は、上記の条件を全て満すので最も好ましい。
【0089】
また、亜鉛面を用いることにより、p型層のキャリア活性化率が向上し、抵抗の低いp型層が得られやすくなるので好ましい。
【0090】
また、本実施形態1の面発光型半導体レーザ素子は、固体あるいは気体原料を用いたMBE(分子線エピタキシ)法、レーザMBE法、MOCVD(有機金属気相成長)法などの結晶成長手法で作製することが出来る。
【0091】
上記実施形態1では、SiO2絶縁層106は、p型ZnOコンタクト層105の上部の側方に形成していたが、図11(a)に示すようなp型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層104の上部の側方、または、図11(b)に示すようなn型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層102の側方、または、図11(c)に示すようなZnO単結晶基板101の上部の側方、または、図11(d)に示すような量子井戸活性層103の側方に形成してもよい。これら基板や成長層の側方にSiO2絶縁層106を形成する場合、SiO2絶縁層106の厚みは、基板や成長層の厚みと同じである必要はなく、基板や成長層の厚みより薄くてもよい。つまり、上記SiO2絶縁層106は基板や成長層の一部の側方に形成してもよい。
【0092】
また、上記SiO2絶縁層106は、基板や成長層の側方のみならず、活性層の側部の上方または下方に形成してもよい。例えば、上記SiO2絶縁層106は、図12(a)に示すように、p型ZnOコンタクト層105の側部の表面(p型オーミック電極108側の表面)に接するように形成したり、図12(b)に示すように、ZnO単結晶基板101の側部の裏面(n型オーミック電極107側の表面)に接するように形成したりしてもよい。または、上記SiO2絶縁層106は、図12(c)に示すように、p型オーミック電極108の側部とAuパッド電極109との間に形成してもよい。
【0093】
更には、図12(d)に示すように、SiO2絶縁層を電流狭窄層の一例として用いないで、イオン注入法などによって成長層側方を貫くような高抵抗層1106を電流狭窄層の一例として形成してもよい。
【0094】
なお、図1、図11(a)〜(d)および図12(a)〜(d)において、同一の材料および物質を用いている部分は、同一の符号を付しており、必ずしも同様の形状を示すものではない。
【0095】
(実施形態2)
図2に、本発明の実施形態2のZnO系面発光型半導体レーザ素子の模式断面図を示す。
【0096】
上記面発光型半導体レーザ素子は、上記実施形態1と比べ、n型オーミック電極107,p型オーミック電極108の代りに、反射層として機能しないn型オーミック電極211,p型オーミック電極212を用いた点が異なっている。このように、上記n型オーミック電極211,p型オーミック電極212が反射層として機能しないので、第1反射層の一例としての第1反射層207をn型単結晶基板101とn型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層102との間に形成すると共に、第2反射層の一例としての第2反射層208をp型ZnOコンタクト層105とp型オーミック電極212との間に形成している。
【0097】
上記第1反射層207は、Siドープしたn型In0.2Ga0.8N層と、Gaドープしたn型ZnO層との積層構造で構成されている。n型In0.2Ga0.8N層とn型ZnO層との積層数は、第1反射層207の反射率が90%になるように調整されている。また、n型In0.2Ga0.8N層およびn型ZnO層は、それぞれ、量子井戸活性層103の表面に平行な表面を有している。
【0098】
上記第2反射層208は、Mgドープしたp型In0.2Ga0.8N層と、Nドープしたp型ZnO層との積層構造で構成されている。p型In0.2Ga0.8N層とp型ZnO層との積層数は、第2反射層208の反射率が30%となるように調整されている。p型In0.2Ga0.8N層およびp型ZnO層は、それぞれ、量子井戸活性層103の表面に平行な表面を有している。
【0099】
また、上記実施形態1のSiO2絶縁層106の代りに、電流狭窄層の一例としてのリング形状のZnO電流ブロック層206を形成している。このZnO電流ブロック層206は、円板形状のp型ZnOコンタクト層105の全体を側方から囲んでいる。このようなZnO電流ブロック206は、p型ZnOコンタクト層105を形成するためのp型ZnO層の中央部以外の部分をGaイオン注入でn型に反転させて形成している。
【0100】
また、上記p型オーミック電極212はリング形状に形成されて開口を有している。この開口からは、第2反射層208の中央部の表面が露出している。
【0101】
尚、図2において、図1に示した部分と同一の材料および物質を用いている部分は、図1の部分と同一の参照番号を付している。また、図1,図2における同一の参照番号の部分でも形状が異なっているものがある。
【0102】
本実施形態2の面発光型半導体レーザ素子は、導電性を有するZnO系半導体の積層構造を用いて第1反射層207および第2反射層208を形成したので、第1,第2反射層207,208での吸収損失が低減した。
【0103】
また、上記n型オーミック電極211,p型オーミック電極212を別途設けるようにしたので、オーミック電極の接触抵抗が減少して動作電圧が低減した。
【0104】
更に、アニール処理による電極兼用反射層の反射率低下がなくなり、反射率再現性が向上した。
【0105】
上記実施形態2において、第1,第2反射層207,208の少なくとも一方の代わりに、Ag、AlおよびPtの少なくとも1つを含む反射層を用いてもよい。
【0106】
上記実施形態2では、ZnO電流ブロック層206は、p型ZnOコンタクト層の側方に形成していたが、図13(a)に示すようなp型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層104の側方に形成してもよい。また、図13(b)に示すようなn型Mg0.2Zn0.8Oクラッド層102の側方、または、図13(c)に示すようなZnO単結晶基板101の上部の側方、または、図13(d)に示すように量子井戸活性層103の側方に、p型ZnO電流ブロック層1206を形成してもよい。これら基板や成長層の側方にZnO電流ブロック層を形成する場合、ZnO電流ブロック層の厚みは、基板や成長層の厚みと同じである必要はなく、基板や成長層の厚みよりも薄くてもよい。つまり、上記ZnO電流ブロック層は基板や成長層の一部の側方に形成してもよい。
【0107】
また、上記ZnO電流ブロック層は、基板や成長層の側方のみならず、活性層の側部の上方または下方に形成してもよい。例えば、上記ZnO電流ブロック層206は、図14(a)に示すように、p型ZnOコンタクト層105の側部の表面(第2反射層208側の表面)に接するように形成してもよい。また、上記p型ZnO電流ブロック層1206は、図14(b)に示すように、ZnO単結晶基板101の側部の裏面(n型オーミック電極211側の表面)に接するように形成したりしてもよい。また、上記ZnO電流ブロック層206は、図14(c)に示すように、p型オーミック電極212と第2反射層208の側部との間に形成してもよい。
【0108】
更には、ZnO電流ブロック層を電流狭窄層の一例として用いないで、図14(d)に示すように、イオン注入法などによって成長層側方を貫くように高抵抗層2206を電流狭窄層の一例として形成して形成してもよい。
【0109】
なお、図2、図13(a)〜(d)および図14(a)〜(d)において、同一の材料および物質を用いている部分は、同一の符号を付しており、必ずしも同様の形状を示すものではない。
【0110】
(実施形態3)
本発明の実施形態3のZnO系面発光型半導体レーザ素子は、Gaドープしたn型Cd0.2Zn0.8O層とGaドープしたn型Mg0.3Zn0.7O層との積層構造で第1反射層を構成し、Nドープしたp型Cd0.2Zn0.8O層とNドープしたp型Mg0.3Zn0.7O層との積層構造で第2反射層を構成した他は、上記実施形態2と同様にして作製した。
【0111】
上記面発光型半導体レーザ素子は、第1,第2反射層をZnO系半導体で構成したので、ZnO単結晶基板上に成長させたエピタキシャル層との親和性に優れ、エピタキシャル層における結晶欠陥などが低減した。その結果、本実施形態3の面発光型半導体レーザ素子は、発振閾値電流が上記実施形態2に比べて15%低減し、素子寿命が30%向上した。
【0112】
上記実施形態3の第1,第2反射層は、Cd0.2Zn0.8O層とMg0.3Zn0.7O層とで構成していたが、これ以外のZnO系半導体で構成してもよい。例えば、上記第1,第2反射層をMgxZn1 ― xOやCdyZn1 ― yO(0≦x,y≦1)で構成してもよい。
【0113】
また、上記第1,第2反射層の少なくとも一方の代わりに、Ag、AlおよびPtの少なくとも1つを含む反射層を用いてもよい。
【0114】
(実施形態4)
図3に、本発明の実施形態4のZnO系面発光型半導体レーザ素子の模式断面図を示す。また、図3において、図2に示した構成部と同一構成部は、図2における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【0115】
上記面発光型半導体レーザ素子は、ZnO単結晶基板101の代わりに基板の一例としてのサファイア基板301を用い、n型オーミック電極211の代わりにn型オーミック電極311を用い、更に、サファイア基板301と第1反射層207との間にn型ZnOバッファ層313を形成した他は、上記実施形態3と同様に作製した。
【0116】
上記サファイア基板301は(0001)面を成長主面としている。また、上記n型ZnOバッファ層313は、Gaが3×1018cm−3の濃度でドープされ、厚さが0.1μmとなっている。このn型ZnOバッファ層313の露出している表面上に、n型オーミック電極311が形成されている。
【0117】
本実施形態4の面発光型半導体レーザ素子は、異種基板を用いたので上記実施形態3に比べて発振閾値電流が5%増大し、素子寿命が5%短くなったが、十分実用に供する特性を有し、安価なサファイア基板を用いることが出来たので、コストを大幅に低減させることが出来た。
【0118】
本実施形態4では、n型バッファ層がn型コンタクト層の役目の兼ねている。コンタクト層材料にはZnOが適しており、ドナー不純物のドーピング濃度は1×1018〜1×1021cm−3の範囲が好ましく、更には5×1019〜5×1020cm−3の範囲で調整されることが好ましい。また、バッファ層とコンタクト層を独立して形成してもよい。
【0119】
(実施形態5)
図4に、本発明の実施形態5のZnO系面発光型半導体レーザ素子の模式断面図を示す。この面発光型半導体レーザ素子は基板側から発振光を取り出す構造になっており、図4に示された構造は積層順とは上下が逆になっている。つまり、図4において、n型ZnO単結晶基板401下の複数の成長層では、図中上側の成長層が図中下側の成長層よりも先に積層されたものである。
【0120】
以下では、基板上に上記複数の成長層が形成されているものとして説明を行う。つまり、以下の説明の上下は図4における上下とは逆となる。
【0121】
上記面発光型半導体レーザ素子は、亜鉛面を主面としたn型ZnO単結晶基板401上に、厚さ20nmのMg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層402、Gaドーピング濃度が1×1018cm−3で厚さ0.1μmのZnOバッファ層403、Gaドーピング濃度が1×1018cm−3で厚さ1.0μmのn型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404、ノンドープ量子井戸活性層405、Nドーピング濃度が5×1018cm−3で厚さ0.1μmのp型Mg0.1Zn0.9O第1クラッド層406、厚さ20nmのMg0.15Zn0.85O第2エッチングストップ層407、Nドーピング濃度が5×1019cm−3で厚さ1.1μmのp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408、Nドーピング濃度が1×1020cm−3で厚さ0.5μmのp型ZnOコンタクト層409がこの順で積層されている。
【0122】
本実施形態5では、n型ZnO単結晶基板401が基板の一例に、Mg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層402がエッチングストップ層の一例に、n型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404が第1導電型クラッド層の一例に、量子井戸活性層405が活性層の一例に、p型ZnOコンタクト層409が第2導電型コンタクト層の一例にそれぞれ相当する。また、上記p型Mg0.1Zn0.9O第1クラッド層406およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408が、第2導電型クラッド層の一例を構成している。
【0123】
上記量子井戸活性層405は、厚さ5nmのZnO障壁層と、厚さ6nmのCd0.05Zn0.95O井戸層とが交互に積層されて成っている。上記ZnO障壁層は2層ある一方、Cd0.05Zn0.95O井戸層は3層ある。
【0124】
上記p型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408は円柱形状にエッチング加工されている。そして、上記p型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408の側面は、電流狭窄層の一例としてのn型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410によって埋め込まれている。n型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410は、Gaが1×1018cm−3の濃度でドーピングされている。
【0125】
上記n型ZnO単結晶基板401下にはn型オーミック電極411が形成されている。このn型ZnO単結晶基板401およびn型オーミック電極411では、円柱形状のp型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408直下に対応する部分がエッチング除去されている。このエッチング除去で形成された開口420内には、第1反射層の一例としての第1反射層412がMg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層407の裏面に接触するように形成されている。上記第1反射層412は、SiO2とTiO2との交互積層により形成されている。また、上記第1反射層412の波長400nmの発光に対する反射率は20%である。また、上記第1反射層412は、量子井戸活性層405の表面に対して平行な表面を有している。つまり、上記SiO2から成る層と、TiO2から成る層とは、それぞれ、量子井戸活性層405の表面に対して平行な表面を有している。
【0126】
上記p型ZnOコンタクト層409およびn型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410上には、p型オーミック電極413と、第2反射層の一例としての第2反射層414とを順次積層している。上記第2反射層414は、Agから成って、波長400nmの発光に対する反射率が95%となっている。また、上記第2反射層414は、量子井戸活性層405の表面に対して平行な表面を有している。そして、上記第2反射層414上には、第2反射層414の形成領域よりも小さい形成領域でAuパッド電極415が形成されている。
【0127】
本実施形態5の面発光型半導体レーザ素子は、図5に示すレーザMBE装置1000を用いたレーザMBE法で作製した。
【0128】
上記レーザMBE装置1000は超高真空に排気可能な成長室1001を備えている。この成長室1001の一方の側壁には、パルスレーザ光1008が通過するビューポート1007を設けている。そして、上記成長室1001の他方の側壁には、活性化された原子状ビームを基板1003に向けて照射可能なラジカルセル1009と、成長室1001内に複数のガスを導入できるよう複数のガス導入管1010(図2では1つのみ示す)とを設けている。また、上記成長室1001の上部には、基板1003を保持する基板ホルダ1002を配置している。更に、上記基板ホルダ1002の上方にはヒータ1004を配置し、基板ホルダ1002の下方には所定の距離をおいてターゲットテーブル1005を配置している。このターゲットテーブル1005は、複数の原料ターゲット1006を上面(基板ホルダ1002側の表面)上に配置できる。また、図示しないが、上記ターゲットテーブル1005は回転機構を有している。
【0129】
上記構成のレーザMBE装置1000によれば、ヒータ1004が基板ホルダー1002の上面(原料ターゲット1006とは反対側の表面)を加熱すると、基板ホルダー1002の上面の熱が熱伝導により基板1003に伝わって、基板1003が加熱される。その後、上記ビューポート1007を通じてパルスレーザ光1008を原料ターゲット1006の表面に照射し、原料ターゲット1006の表面をアブレーションする。これにより、瞬時に蒸発した原料ターゲット1006が基板1003の下面に付着し、基板1003下に薄膜が成長する。そして、上記パルスレーザ光1008の照射シーケンスに同期してターゲットテーブル1005の回転を制御することにより、異なる原料ターゲット1006の表面にパルスレーザ光1008を照射して、その異なる原料ターゲット1006を上記薄膜に付着させることが可能となる。つまり、上記薄膜とは異なる薄膜を基板1003下に成長させることが可能となる。また、上記ラジカルセル1009によって活性化された原子状ビームを基板1003に照射することも可能である。
【0130】
上記レーザMBE法は、原料ターゲットと、この原料ターゲットの表面をアブレーションすることで成長させた薄膜との間において組成ずれが小さく、またZnGa2O4などの意図しない副生成物の生成を抑えることができるので好ましい。
【0131】
以下、図6(a)〜(d)および図7(e)〜(g)を用いて、本実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の製造方法について説明する。
【0132】
まず、図6(a)に示すn型ZnO単結晶基板1401を洗浄処理した後、レーザMBE装置1000に導入し、温度600℃で30分間加熱し清浄化する。
【0133】
次に、基板温度を550℃に降温し、パルスレーザ光1008を用いて複数の原料ターゲット1006を所定の比率で交互にアブレーションして、Mg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層1402、n型ZnOバッファ層1403、n型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層1404、量子井戸活性層1405、p型Mg0.1Zn0.9O第1クラッド層1406、Mg0.15Zn0.85O第2エッチングストップ層1407、p型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層1408およびp型ZnOコンタクト層1409を成長させる。
【0134】
次に、n型ZnO単結晶基板1401をレーザMBE装置1000から取り出し、図6(b)に示すように、直径1.5μmのドット形状のレジストマスク416をp型ZnOコンタクト層1409上に形成する。
【0135】
次に、上記n型ZnO単結晶基板1401を反応性イオンエッチング装置(図示しない)に導入し、ハロゲンガスを用いた反応性イオンエッチングによってp型ZnOコンタクト層1409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層1408のエッチングを行う。このとき、上記p型ZnOコンタクト層1409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層1408のエッチングは半絶縁性のMg0.15Zn0.85O第2エッチングストップ層407で停止させる。これにより、上記Mg0.15Zn0.85O第2エッチングストップ層407上に、図6(c)に示すような円柱形状のp型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408が得られる。
【0136】
反応性イオンエッチングは異方性が強いため、サイドエッチングを生じずに半導体を微細に加工することが出来る。
【0137】
次に、上記n型ZnO単結晶基板1401を反応性イオンエッチング装置から取り出し、レジストマスク416を洗浄除去した後、レーザMBE装置1000に再度導入し、n型Mg0.3Zn0.7O層を成長する。そうすると、上記n型Mg0.3Zn0.7O層が、円柱形状のp型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408の側面を埋め込む。
【0138】
次に、上記n型ZnO単結晶基板1401をレーザMBE装置100から取り出し、p型ZnOコンタクト層409が露出するように、n型Mg0.3Zn0.7O層の上部をエッチング除去する。これにより、図6(d)に示すように、上記p型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408を側方から囲むn型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410が得られる。
【0139】
次に、露出したp型ZnOコンタクト層409およびn型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410の上面全面に、図7(e)に示すように、Niから成る厚さ15nmのp型オーミック電極413を真空蒸着する。引き続き、上記p型オーミック電極413上に、Agから成る厚さ100nmの第2反射層414を真空蒸着する。更に、上記第2反射層414上に、厚さ100nmのAu層を蒸着して、そのAu層を直径100μmのドット状に加工して、Auパッド電極415を得る。
【0140】
次に、上記n型ZnO単結晶基板1401の裏面に、Alから成る厚さ100nmのn型オーミック電極1411を真空蒸着する。
【0141】
次に、上記n型ZnO単結晶基板1401の上下を逆にする。そして、上記n型オーミック電極1411上に、図7(f)に示すような直径200μmの開口を有する第2のレジストマスク417を形成し、リン酸と過酸化水素水の混合溶液と硝酸水溶液を用いたエッチングを行い、このエッチングを半絶縁性のMg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層402で停止させる。そうすると、n型オーミック電極411およびn型ZnO単結晶基板401に開口420が形成されて、Mg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層402の中央部の裏面が露出する。
【0142】
最後に、上記開口420から露出したMg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層402上に、図7(g)に示すように、SiO2とTiO2とを交互積層して反射率20%の第1反射層412を形成し、第2レジストマスク417を洗浄除去すると、図4に示す面発光型半導体レーザ素子が得られる。
【0143】
上記面発光型半導体レーザ素子に電流を流したところ、開口420から波長400nmの青色発振光が得られた。
【0144】
比較例2として、n型ZnO単結晶基板1401をエッチングせずに、n型ZnO単結晶基板1401の裏面に第1反射層412を形成した他は、本実施形態5と同様に面発光型半導体レーザ素子を作製した。この比較例2の面発光型半導体レーザ素子では、n型ZnO単結晶基板1401での散乱および多重反射によって損失が増大し、本実施形態5に比べて、発振閾値電流が20%増大した。
【0145】
比較例3として、Mg0.15Zn0.85O第1エッチングストップ層402を設けずに、n型オーミック電極1411およびn型ZnO単結晶基板1401をエッチングした他は、本実施形態5と同様に面発光型半導体レーザ素子を作製した。この比較例3の面発光型半導体レーザ素子では、エッチング深さが安定せず、エッチング液がn型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404を浸食することあがあった。このため、本実施形態5に比べて歩留まりが10%に低下した。
【0146】
以上より、レーザ光出射面の基板を除去することによって損失が低減し、発振閾値電流を低減することが出来る。特に、発振波長が短波長である場合には、基板が発振光を吸収するため、基板除去は必ず行わなければならない。この点で、サファイア基板あるいはエピタキシャル層のエッチング加工が困難なIII族窒化物系半導体を用いた面発光型半導体レーザ素子は、製造プロセスが複雑になり、歩留りも低い。
【0147】
一方、本発明の酸化物半導体を用いた面発光型半導体レーザ素子は、基板やエピタキシャル層のエッチング加工が容易であり、低損失なレーザ構造を高い歩留りで作製出来る。
【0148】
また、基板とn型クラッド層との間にエッチングストップ層を設けることにより、基板のエッチング加工を歩留りよく行うことが出来る。
【0149】
上記第1反射層412を構成する材料としては、上記実施形態1のような金属や、上記実施形態2,3のような半導体積層構造を用いてもよいが、本実施形態5のように誘電体金属酸化物から屈折率差が大きいものを選んで交互積層すると、反射率を微細に制御出来ると共に、半導体のみの積層構造で反射層を形成する場合に比べ、積層数を少なくすることが出来る。
【0150】
上記実施形態5では、第2反射層414を400nm近傍の発振波長に対する反射率が高いAgで構成したが、上記実施形態2,3のように、半導体積層構造による多重反射層で構成してもよく、また、第1反射層と同じ材料で構成するなどしてもよい。
【0151】
上記実施形態5では、n型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410は、p型ZnOコンタクト層409およびp型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408の側方に形成していたが、図15(a)に示すようなp型ZnOコンタクト層409の上部(Auパッド電極415側の部分)のみの側方に形成してもよい。または、図示ないが、上記n型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410は、p型Mg0.1Zn0.9O第2クラッド層408の少なくとも一部のみの側方に形成してもよい。また、図15(b)に示すようなn型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404の側方、または、図15(c)に示すようなZnO単結晶基板401の上部(量子井戸活性層405側の部分)の側方、または、図15(d)に示すような量子井戸活性層405の側方に、p型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層1410を形成してもよい。これら基板や成長層の側方にMg0.3Zn0.7O電流ブロック層410を形成する場合、Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層の厚みは、基板や成長層の厚みと同じである必要はなく、基板や成長層の厚みより薄くしてもよい。つまり、上記Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層は基板や成長層の一部の側方に形成してもよい。
【0152】
また、上記Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層は、基板や成長層の側方のみならず、量子井戸活性層405の側部の上方または下方に形成してもよい。例えば、上記p型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層1410は、図16(a)に示すように、n型ZnO単結晶基板401の側部の裏面(n型オーミック電極411側の表面)に接するように形成してもよい。また、上記n型Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層410は、図16(b)に示すように、p型ZnOコンタクト層409の側部の表面(Auパッド電極415側の表面)に接するように形成してもよいし、図16(c)に示すように、p型オーミック電極413の側部と第2反射層414の側部との間に形成してもよい。また、図示しないが、上記nMg0.3Zn0.7O電流ブロック層410はp型オーミック電極413内に形成してもよい。つまり、上記nMg0.3Zn0.7O電流ブロック層410はp型オーミック電極413で包むように形成してもよい。
【0153】
更には、Mg0.3Zn0.7O電流ブロック層を電流狭窄層の一例として用いないで、図16(d)に示すように、イオン注入法などによって成長層側方を貫くように高抵抗層2410を電流狭窄層の一例として形成してもよい。
【0154】
なお、図4、図15(a)〜(d)および図16(a)〜(d)において、同一の材料および物質を用いている部分は、同一の符号を付しており、必ずしも同様の形状を示すものではない。
【0155】
(実施形態6)
本実施形態6では、図4の開口420内に形成する反射率20%の第1反射層412の代わりに、LiGaO2とZnOとの超格子構造で構成した第1反射層を用いた他は、上記実施形態5と同様にして面発光型半導体レーザ素子を作製した。
【0156】
上記面発光型半導体レーザ素子に電流を流したところ、開口420から波長400nmの青色発振光が得られた。このとき、上記実施形態5に比べ、発振閾値電流は10%低減し、素子寿命は20%向上した。
【0157】
本実施形態6において反射層に用いたLiGaO2のように、αβO2なる組成を有し、αの元素がLi、NaおよびKの少なくと1つを含み、βの元素がAl、GaおよびInのうちの少なくと一方を含む誘電体体酸化物は、ZnO系半導体と類似の結晶構造を有し、ZnO系半導体上に高品質な単結晶薄膜としてエピタキシャル成長出来、高い保護効果を得ることが出来る。
【0158】
特に、Li1 ― aNaaAlO2、Li1 ― bNabGaO2、LiAl1 ― cGacO2およびNaAl1 ― dGadO2(0≦a,b,c,d≦1)などのように、αβO2において元素α,βの元素のいずれか一方が2種の元素から成る酸化物は、組成比の制御が簡便であるので好ましい。したがって、第1,第2反射層の少なくとも一方が上記酸化物を少なくとも1つ含むことは好ましい。
【0159】
図8(a),(b)に、上記4つの酸化物に対して平均格子定数を求めた結果を示す。ここで「平均格子定数」とは、同一面内の6つの酸素原子で構成される六角形と同じ面積の正六角形を仮定し、この正六角形の一辺の長さと定義する。なお、図8(a)のLi1−yNayGaO2,NaAl1−yGayO2がLi1−bNabGaO2,NaAl1−dGadO2に対応し、図8(b)のLi1−xNaxAlO2,LiAl1−xGaxO2がLi1−aNaaAlO2,LiAl1−cGacO2に対応する。
【0160】
図8(a),(b)から判るように、Li1−aNaaAlO2、Li1−bNabGaO2、LiAl1−cGacO2およびNaAl1−dGadO2は、ZnOの格子定数に対して全組成範囲で96%(3.12Å)〜106%(3.44Å)の格子定数に制御できる。つまり、Li1−aNaaAlO2、Li1−bNabGaO2、LiAl1−cGacO2およびNaAl1−dGadO2の夫々の全組成範囲の平均格子定数と、ZnOの格子定数との差を、−4%(3.12Å)〜+6%(3.44Å)の範囲内に制御することができる。特に、次の(1),(2)の場合であれば、ZnOに対する格子定数差を極めて小さくすることが出来る。
(1)Li1−aNaaAlO2において、Na組成比aが0.4〜0.6
(2)Li1−bNabGaO2において、Na組成比bが0.15〜0.35
更に、Li0.5Na0.5AlO2あるいはLi0.75Na0.25GaO2であれば、ZnOとほぼ完全に格子整合し、結晶性に優れたZnOとの超格子反射層を形成出来、素子特性が飛躍的に向上する。
【0161】
なお、本実施形態6のように、誘電体酸化物であるLiGaO2と、ZnOとの超格子構造で構成した第1反射層は、トンネル効果によって導電性を有するようになるため、n型ZnO単結晶基板401とn型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404との間に形成してもよい。この場合、上記第1反射層にエッチングストップ層やバッファ層の機能を持たせることも出来、素子作製プロセスが簡便になるので好ましい。
【0162】
また、本実施形態6において、上記第1反射層の構成を第2反射層の構成に用いてもよいのは言うまでもない。
【0163】
(実施形態7)
本実施形態7は、図4の開口420内に形成する反射率20%の第1反射層412の代わりに、CaHfO3とZnOとの超格子構造で構成した第1反射層を用いた他は、上記実施形態5と同様にして面発光型半導体レーザ素子を作製した。
【0164】
上記面発光型半導体レーザ素子に電流を流したところ、開口420から波長400nmの青色発振光が得られた。このとき、上記実施形態5に比べ、発振閾値電流は15%低減し、素子寿命は15%向上した。
【0165】
図9(a)に、上記第1反射層に用いたCaHfO3のように、αβO3なる組成を有するペロブスカイト酸化物の表面構造を示す。また、図9(b)に、ZnOの表面構造を示す。
【0166】
図9(a),(b)から判るように、ペロブスカイト構造の(111)面は、ZnO系半導体などのウルツ鉱結晶構造の(0001)面と類似の表面構造を有するため親和性に優れる。したがって、上記ペロブスカイト酸化物は、ZnO系半導体上に欠陥の少ない保護膜として形成することが出来る。
【0167】
特に、KNbO3、KTaO3、BaTiO3、CaSnO3、CaZrO3、CaHfO3、CdSnO3、SrHfO3、SrSnO3、SrTiO3およびYScO3のうちの少なくとも1つを含むペロブスカイト酸化物は、六角形の格子形状がZnO(0001)面と整合し易くなる。したがって、上記ペロブスカイト酸化物を用いて結晶欠陥や格子歪の極めて少ない高品質な超格子反射層を形成出来る。
【0168】
なお、本実施形態7のように、誘電体酸化物であるCaHfO3と、ZnOとの超格子構造で構成した第1反射層は、トンネル効果によって導電性を有するようになるため、n型ZnO単結晶基板401とn型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404との間に形成してもよい。この場合、上記第1反射層にエッチングストップ層やバッファ層の機能を持たせることも出来、素子作製プロセスが簡便になるので好ましい。
【0169】
上記第1反射層は、αβO3で表されるペロブスカイトを含む、または、上記ペロブスカイトの構造に類似する構造を持つ類似構造複酸化物を含んでもよいが、α,βの元素は次の要件(I)〜(III)のいずれか1つを満たすものがよい。
【0170】
(I)αの元素はLi、NaおよびKのうちの少なくとも1つを含むみ、且つ、βの元素はTaとNbとのうちの少なくとも一方を含む。
【0171】
(II)αの元素はCd、Ca、Sr、BaおよびBiのうちの少なくとも1つを含み、且つ、βの元素がTi、Zr、HfおよびSnのうちの少なくとも1つを含む。
【0172】
(III)αの元素はBi、希土類元素およびアルカリ土類金属元素のうちの少なくとも1つを含み、且つ、βの元素がIn、Al、GaおよびScのうちの少なくとも1つを含む。
【0173】
また、本実施形態7において、上述した第1反射層の構成を第2反射層の構成に用いてもよいのは言うまでもない。
【0174】
(実施形態8)
本実施形態8は、図4の開口420に形成する反射率20%の第1反射層412の代わりに、ScAlMgO4とZnOとの超格子構造で構成した第1反射層を用いた他は、上記実施形態5と同様にして面発光型半導体レーザ素子を作製した。
【0175】
上記面発光型半導体レーザ素子に電流を流したところ、開口420から波長400nmの青色発振光が得られた。このとき、上記実施形態5に比べ、発振閾値電流はに比べ20%低減し、素子寿命は25%向上した。
【0176】
図10に、本実施形態8の第1反射層に用いた誘電体酸化物ScAlMgO4の結晶構造を示す。
【0177】
上記ScAlMgO4のような、γαβO4またはγαO3(βO)nなる構造を有する酸化物は、ZnO系半導体と同じウルツ鉱構造を含み、γの元素がScとInとのうちの少なくと一方を含み、且つ、αの元素がAl、FeおよびGaのうちの少なくとも1つを含み、且つ、βの元素がMg、Mn、Fe、Co、Cu、ZnおよびCdのうちの少なくとも1つを含むと、ZnO系半導体に近い面内格子定数を有するので好ましい。
【0178】
特に、上記第1反射層は、ScAlMgO4、ScGaMgO4、ScAlMnO4、ScGaCoO4、ScAlCoO4、ScGaZnO4、ScAlZnO4、ScGaO3(ZnO)nおよびScAlO3(ZnO)nの少なくとも1つを含むと、ZnOとの格子定数差が極めて小さくなり、結晶欠陥や格子歪の極めて少ない高品質な反射層を形成出来るので好ましい。
【0179】
なお、本実施形態8のように、誘電体酸化物であるScAlMgO4が、ZnOとの超格子構造で構成した第1反射層は、トンネル効果によって導電性を有するようになるため、n型ZnO単結晶基板401とn型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層404との間に形成してもよい。この場合、上記第1反射層にエッチングストップ層やバッファ層の機能を持たせることも出来、素子作製プロセスが簡便になるので好ましい。
【0180】
また、本実施形態8において、上述した第1反射層の構成を第2反射層の構成に用いてもよいのは言うまでもない。
【0181】
上記実施形態1〜8の構成を適宜組み合せて面発光型半導体レーザ素子を形成していもよい。
【0182】
また、上記実施形態1〜8では、基板上に、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層およびp型コンタクト層をこの順で形成していたが、基板上に、p型クラッド層、活性層、n型クラッド層およびn型コンタクト層をこの順で形成してもよい。
【0183】
また、本発明の酸化物半導体発光素子は、ダブルへテロ構造であってもよいし、シングルへテロ構造であってもよい。
【0184】
また、本発明の酸化物半導体発光素子は、ZnO系半導体で構成していもよい。
【0185】
また、本発明の酸化物半導体発光素子は、固体あるいは気体原料を用いたMBE(分子線エピタキシ)法、レーザMBE法、MOCVD(有機金属気相成長)法などの結晶成長手法で作製することが出来る。
【0186】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明の酸化物半導体発光素子は、酸化物半導体で構成された活性層を有する半導体発光素子において、上記活性層を狭んで上下に平行な一対の反射層を有し、上記活性層から放射された発光を上記反射層間で共振増幅させ、上記反射層の片側から発振光を放射するようにしたので、酸化物半導体の優れた特質を生かし、従来よりも光学特性・信頼性および省電力性に優れた面発光型の酸化物半導体発光素子を簡便に作製することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の実施形態1の面発光型半導体レーザ素子の模式断面図である。
【図2】図2は本発明の実施形態2の面発光型半導体レーザ素子の模式断面図である。
【図3】図3は本発明の実施形態4の面発光型半導体レーザ素子の模式断面図である。
【図4】図4は本発明の実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の模式断面図である。
【図5】図5は上記実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の製造に使用するレーザMBE装置の概略構成図である。
【図6】図6(a)〜(d)は上記実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図である。
【図7】図7(e)〜(g)は上記実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図である。
【図8】図8(a)はLiNaGaO2およびNaAlGaO2の酸化物に対して平均格子定数を求めた結果を示す図であり、図8(b)はLiNaAlO2およびLiAlGaO2の酸化物に対して平均格子定数を求めた結果を示す図である。
【図9】図9(a)はペロブスカイト酸化物の表面構造を表す図であり、図9(b)はZnOの表面構造を表す図である。
【図10】図10は本発明の実施形態8の第1反射層に用いた誘電体酸化物ScAlMgO4の結晶構造を表わす図である。
【図11】図11(a)〜(d)は上記実施形態1の面発光型半導体レーザ素子の変形例の模式断面図である。
【図12】図12(a)〜(d)は上記実施形態1の面発光型半導体レーザ素子の変形例の模式断面図である。
【図13】図13(a)〜(d)は上記実施形態2の面発光型半導体レーザ素子の変形例の模式断面図である。
【図14】図14(a)〜(d)は上記実施形態2の面発光型半導体レーザ素子の変形例の模式断面図である。
【図15】図15(a)〜(d)は上記実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の変形例の模式断面図である。
【図16】図16(a)〜(d)は上記実施形態5の面発光型半導体レーザ素子の変形例の模式断面図である。
【符号の説明】
103,405 量子井戸活性層
107 n型オーミック電極
108 p型オーミック電極
207,412 第1反射層
208,414 第2反射層
Claims (23)
- 酸化物半導体から成る活性層と、
上記活性層下に形成され、上記活性層の表面に対して平行な表面を有する第1反射層と、
上記活性層上に形成され、上記活性層の表面に対して平行な表面を有する第2反射層とを備え、
上記活性層から出射された発光を上記第1反射層と上記第2発射層との間で共振増幅させ、上記第1反射層および第2反射層の一方から発振光を出射することを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項1に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記活性層と上記第1反射層との間に配置された基板と、
上記基板と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記基板または上記層のうちの少なくとも1つの少なくとも一部の側方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成ることを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項1に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記活性層と上記第1反射層との間に配置された基板と、
上記基板と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記活性層の側部の上方または下方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成ることを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項1に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記第1反射層下に配置された基板と、
上記第1反射層と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記基板または上記層のうちの少なくとも1つの少なくとも一部の側方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成ることを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項1に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記第1反射層下に配置された基板と、
上記第1反射層と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記活性層の側部の上方または下方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成ることを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項1に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方は、屈折率の異なる複数の薄膜を交互に積層して成ることを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項1に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方は金属を含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項7に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記金属は、Ag、AlおよびPtのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項1に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方は誘電体を含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項9に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記誘電体は、Li1 ― aNaaAlO2、Li1 ― bNabGaO2、LiAl1 ― cGacO2およびNaAl1 ― dGadO2(0≦a,b,c,d≦1)のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項9に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記誘電体は、αβO3(α,βは単数または複数の原子を表わす)で表されるペロブスカイトを含む、または、上記ペロブスカイトの構造に類似する構造を持つ類似構造複酸化物を含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項11に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記αの元素がLi、NaおよびKのうちの少なくとも1つを含み、且つ、上記βの元素がTaとNbとのうちの少なくとも一方を含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項11に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記αの元素がCd、Ca、Sr、BaおよびBiのうちの少なくとも1つを含み、且つ、上記βの元素がTi、Zr、HfおよびSnのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項11に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記αの元素がBi、希土類元素およびアルカリ土類金属元素のうちの少なくとも1つを含み、且つ、上記βの元素がIn、Al、GaおよびScのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項11に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記ペロブスカイトまたは上記類似構造複酸化物は、KNbO3、KTaO3、BaTiO3、CaSnO3、CaZrO3、CaHfO3、CdSnO3、SrHfO3、SrSnO3、SrTiO3およびYScO3のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項9に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記誘電体は、γαβO4またはγαO3(βO)n(γ,α,βは単数または複数の原子、nは1以上の自然数)なる構造を有し、
上記γの元素がScとInとの少なくとも一方を含み、且つ、上記αの元素がAl、FeおよびGaのうちの少なくとも1つを含み、且つ、上記βの元素がMg、Mn、Fe、Co、Cu、ZnおよびCdのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項16に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記誘電体は、ScAlMgO4、ScGaMgO4、ScAlMnO4、ScGaCoO4、ScAlCoO4、ScGaZnO4、ScAlZnO4、ScGaO3(ZnO)nおよびScAlO3(ZnO)nのうちのいずれか1つを含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項1に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記第1反射層と上記第2反射層との少なくとも一方はZnO系半導体を含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項18に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記ZnO系半導体はMgxZn1 ― xOまたはCdyZn1 ― yO(0≦x,y≦1)を含むことを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項1に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記活性層下に配置された基板と、
上記基板と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記基板または上記層のうちの少なくとも1つの少なくとも一部の側方に形成された電流狭窄層とを備え
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成り、
上記第1反射層は上記基板に形成された開口内に配置され、
上記開口は、上記第2導電型コンタクト層において電流が狭窄される部分の直下に位置することを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項1に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記活性層下に配置された基板と、
上記基板と上記活性層との間に形成された第1導電型クラッド層と、
上記活性層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型クラッド層と、
上記第2導電型クラッド層と上記第2反射層との間に形成された第2導電型コンタクト層と、
上記活性層の側部の上方または下方に形成された電流狭窄層とを備え、
上記第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および電流狭窄層はZnO系半導体から成り、
上記第1反射層は上記基板に形成された開口内に配置され、
上記開口は、上記第2導電型コンタクト層において電流が狭窄される部分の直下に位置することを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項20または21に記載の酸化物半導体発光素子において、
上記基板と上記第1導電型クラッド層との間にエッチングストップ層が形成されていることを特徴とする酸化物半導体発光素子。 - 請求項1乃至22のいずれか1つに記載の酸化物半導体発光素子において、
上記基板がZnO単結晶基板であることを特徴とする酸化物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003190464A JP2005026465A (ja) | 2003-07-02 | 2003-07-02 | 酸化物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005026465A true JP2005026465A (ja) | 2005-01-27 |
Family
ID=34188343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003190464A Pending JP2005026465A (ja) | 2003-07-02 | 2003-07-02 | 酸化物半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005026465A (ja) |
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