JPS63273388A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS63273388A JPS63273388A JP10830687A JP10830687A JPS63273388A JP S63273388 A JPS63273388 A JP S63273388A JP 10830687 A JP10830687 A JP 10830687A JP 10830687 A JP10830687 A JP 10830687A JP S63273388 A JPS63273388 A JP S63273388A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザに関し、特に半導体レーダチッ
プにおける電極の構造に関する。
プにおける電極の構造に関する。
従来、この種の半導体レーザにおいては、活性層に近い
方の電極は、エピタキシャル成長をくり返し行い、はと
んど平坦になった結晶の表面に主に蒸着によって金属薄
膜を形成することで作成していた。このため電極は平坦
であり、また平坦な電極が良いと考えられていた。その
理由は、半導体レーザでは活性層に近い方の電極を熱吸
収体に融着した方が、ｐ−ｎ接合領域の温度上昇が小さ
くなるため半導体レーザの特性や、信頼性が向上するこ
と、熱吸収体と活性層に近い方の電極の密着性を考える
と、平坦な電極の方が優れていることからである。
方の電極は、エピタキシャル成長をくり返し行い、はと
んど平坦になった結晶の表面に主に蒸着によって金属薄
膜を形成することで作成していた。このため電極は平坦
であり、また平坦な電極が良いと考えられていた。その
理由は、半導体レーザでは活性層に近い方の電極を熱吸
収体に融着した方が、ｐ−ｎ接合領域の温度上昇が小さ
くなるため半導体レーザの特性や、信頼性が向上するこ
と、熱吸収体と活性層に近い方の電極の密着性を考える
と、平坦な電極の方が優れていることからである。
従来の半導体レーザは光出射面をヘキ開によって形成し
ていたが、最近になって高出力化の目的で、ヘキ開によ
る光出射面に誘電体物質の薄膜を堆積させ無反射膜を形
成したり、異なる屈折率の誘電体物質の薄膜を多層に堆
積させ高反射膜を形成したりする技術が開発されてきた
。しかし、上述した従来の半導体レーザでは活性層に近
い電極が第６図に示すように平坦であるため、高出力化
の目的で光出射面に誘電体物質の薄膜をスパッタ装置や
ＣＶＤ装置で堆積させる場合、誘電体物質が電極表面に
まわりこんで付着してしまうという欠点を有していた。
ていたが、最近になって高出力化の目的で、ヘキ開によ
る光出射面に誘電体物質の薄膜を堆積させ無反射膜を形
成したり、異なる屈折率の誘電体物質の薄膜を多層に堆
積させ高反射膜を形成したりする技術が開発されてきた
。しかし、上述した従来の半導体レーザでは活性層に近
い電極が第６図に示すように平坦であるため、高出力化
の目的で光出射面に誘電体物質の薄膜をスパッタ装置や
ＣＶＤ装置で堆積させる場合、誘電体物質が電極表面に
まわりこんで付着してしまうという欠点を有していた。
例えば、無反射膜形成の目的で、光出射面に酸化シリコ
ン膜をスパッタ装置で堆積させる場合、堆積させる面に
凹凸があると低い部分の酸化シリコン膜の均一性が悪く
なる。このため第７図のように半導体レーザのバーの光
出射面での酸化シリコン膜の均一性を得ることを目的と
して半導体レーザのバー５より意図的に低くしたシリコ
ンバー６を交互に並ペスパッタ治具にセットする方法が
採られている。ところが半導体レーザの電極が平坦なた
め、第８図のように往々にして治具７にセットしたとき
並びがアーチ状になり、半導体レーザのバー５とシリコ
ンパー６の間にすき間が生じ、そのすき間からスパッタ
時に酸化シリコンがまわりこみ、半導体レーザの電極に
付着してしまうことが生じた。半導体レーザチップの活
性層に近い方の電極を熱吸収体に融着したとき、誘電体
物質のまわりごみがあるとソルダーと誘電体物質はなじ
まないなめ、活性層に近い方の電極の誘電体物質におお
われている面積が大きくなると熱吸収体に融着されにく
くなる。また融着されても強度が弱かったり、熱抵抗が
大きくなって半導体レーザの特性や信頼性に悪影響がで
てしまうという欠点を有している。
ン膜をスパッタ装置で堆積させる場合、堆積させる面に
凹凸があると低い部分の酸化シリコン膜の均一性が悪く
なる。このため第７図のように半導体レーザのバーの光
出射面での酸化シリコン膜の均一性を得ることを目的と
して半導体レーザのバー５より意図的に低くしたシリコ
ンバー６を交互に並ペスパッタ治具にセットする方法が
採られている。ところが半導体レーザの電極が平坦なた
め、第８図のように往々にして治具７にセットしたとき
並びがアーチ状になり、半導体レーザのバー５とシリコ
ンパー６の間にすき間が生じ、そのすき間からスパッタ
時に酸化シリコンがまわりこみ、半導体レーザの電極に
付着してしまうことが生じた。半導体レーザチップの活
性層に近い方の電極を熱吸収体に融着したとき、誘電体
物質のまわりごみがあるとソルダーと誘電体物質はなじ
まないなめ、活性層に近い方の電極の誘電体物質におお
われている面積が大きくなると熱吸収体に融着されにく
くなる。また融着されても強度が弱かったり、熱抵抗が
大きくなって半導体レーザの特性や信頼性に悪影響がで
てしまうという欠点を有している。
本発明の半導体レーザは、活性層に近い方の電極に、光
出射面に平行で光学共振器方向に垂直な導電性金属から
成る帯状突起を少なくとも１つ有することを特徴とする
。
出射面に平行で光学共振器方向に垂直な導電性金属から
成る帯状突起を少なくとも１つ有することを特徴とする
。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例である半導体レーザチップの
構造図である。活性層に近い方の電極１に光出射面２と
平行で光学共振器方向と垂直に光出射面２から約２０μ
ｍ離れたところに、幅１０μｍ、高さ５μｍの金メッキ
で作成した帯状突起３を１本有している。導電性金属の
帯状突起の作成の仕方としては、例えば、レジストで活
性層に近い方の電極を選択的に被覆し、メッキ技術によ
り帯状突起を作成する方法がある。
構造図である。活性層に近い方の電極１に光出射面２と
平行で光学共振器方向と垂直に光出射面２から約２０μ
ｍ離れたところに、幅１０μｍ、高さ５μｍの金メッキ
で作成した帯状突起３を１本有している。導電性金属の
帯状突起の作成の仕方としては、例えば、レジストで活
性層に近い方の電極を選択的に被覆し、メッキ技術によ
り帯状突起を作成する方法がある。
第２図は本発明の他の実施例である半導体レーザチップ
の構造図である。活性層に近い方の電極１に光出射面２
と平行で、光学共振器方向と垂直に、端面から約２０μ
ｍ離れ、幅１０μｍ、高さ５μｍの金メッキで作成した
帯状突起３を２本有している。
の構造図である。活性層に近い方の電極１に光出射面２
と平行で、光学共振器方向と垂直に、端面から約２０μ
ｍ離れ、幅１０μｍ、高さ５μｍの金メッキで作成した
帯状突起３を２本有している。
なお、上気実施例では光出射面７から約２０μｍ離れた
位置に、幅１０μｍ、高さ５μｍの帯状突起を設けた場
合について説明したが、これに限るものではない。帯状
突起の光出射面からの位置は５〜２５μｍ離しておけば
よく、幅は４〜１２μｍ、高さは２〜７μｍの範囲であ
ればよい。
位置に、幅１０μｍ、高さ５μｍの帯状突起を設けた場
合について説明したが、これに限るものではない。帯状
突起の光出射面からの位置は５〜２５μｍ離しておけば
よく、幅は４〜１２μｍ、高さは２〜７μｍの範囲であ
ればよい。
第３図は本発明の電極構造を有する半導体レーザのバー
の光出射面に例えば、酸化シリコン膜を堆積するとき半
導体レーザのバーとシリコンパーを治具へ装着した例で
ある。第４図の拡大図から分るように、金メッキで作っ
た帯状突起３は治具７のバネ８で押えつけられるため、
あたかも真空系におけるＯリングのようにシリコンパー
６と半導体レーザのバー５のすき間をふさいで誘電体物
質のまわりこみによる活性層に近い方の電極への付着を
防ぐことができる。
の光出射面に例えば、酸化シリコン膜を堆積するとき半
導体レーザのバーとシリコンパーを治具へ装着した例で
ある。第４図の拡大図から分るように、金メッキで作っ
た帯状突起３は治具７のバネ８で押えつけられるため、
あたかも真空系におけるＯリングのようにシリコンパー
６と半導体レーザのバー５のすき間をふさいで誘電体物
質のまわりこみによる活性層に近い方の電極への付着を
防ぐことができる。
第５図は本発明の半導体レーザにおいて、両方の光出射
面に酸化シリコンを堆積する場合の半導体レーザのバー
５とシリコンパー６を治具７へ装着したときの例を示す
。この例では堆積される光出射面に近い方の導電性金属
の帯状突起は治具７のバネ８で押しつぶされて、バッキ
ングの役割をはたしているが、堆積される側から遠い方
の導電性金属の帯状突起は、まだつぶれておらず、逆の
先出斜面を堆積する時にバッキングとしての役割をはな
すことができる。
面に酸化シリコンを堆積する場合の半導体レーザのバー
５とシリコンパー６を治具７へ装着したときの例を示す
。この例では堆積される光出射面に近い方の導電性金属
の帯状突起は治具７のバネ８で押しつぶされて、バッキ
ングの役割をはたしているが、堆積される側から遠い方
の導電性金属の帯状突起は、まだつぶれておらず、逆の
先出斜面を堆積する時にバッキングとしての役割をはな
すことができる。
以上説明したように、本発明は、活性層に近い方の電極
に導電性金属の帯状突起を光出射面に平行で光学共振器
に垂直に設けたので半導体レーザの光出射面に誘電体物
質の薄膜を堆積する際、その導電性金属の帯状突起がバ
ッキングの役割をはたし誘電体物質の活性層に近い方の
電極への付着を避けることができる。そのため本発明に
よる半導体レーザでは、光出射面に誘電体物質の堆積を
施したあとでも熱吸収体との融着における密着性が優れ
、それゆえ、熱抵抗も小さくなり、組立・選別の歩留を
向上でき、信頼性も向上できる効果がある。
に導電性金属の帯状突起を光出射面に平行で光学共振器
に垂直に設けたので半導体レーザの光出射面に誘電体物
質の薄膜を堆積する際、その導電性金属の帯状突起がバ
ッキングの役割をはたし誘電体物質の活性層に近い方の
電極への付着を避けることができる。そのため本発明に
よる半導体レーザでは、光出射面に誘電体物質の堆積を
施したあとでも熱吸収体との融着における密着性が優れ
、それゆえ、熱抵抗も小さくなり、組立・選別の歩留を
向上でき、信頼性も向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザチップの斜視
図、第２図は本発明の他の実施例の半導体レーザチップ
の斜視図、第３図は本発明の半導体レーザのバーを誘電
体で堆積するときに治具に装着したときの概念図、第４
図は第３図の円の部分の拡大図、第５図は本発明の半導
体レーザのバーを両方の光出射面を誘電体で堆積すると
きに、治具に装着したときの概念図、第６図は従来の半
導体レーザチップの斜視図、第７図は半導体レーザのバ
ーの光出射面に誘電体薄膜を堆積させるために、半導体
レーザをシリコンバーと交互に並べたときの概念図、第
８図は従来の半導体レーザのバーを誘電体で堆積すると
きに治具に装着したときの概念図である。 １・・・活性層に近い方の電極、２・・・光出射面、３
・・・導電性金属の帯状突起、４・・・発光領域、５・
・・半導体レーザのバー、６・・・シリコンのバー、７
・・・治具、８・・・バネ。 櫓３Ｖ 第４Ｖ 第６図 午哩
図、第２図は本発明の他の実施例の半導体レーザチップ
の斜視図、第３図は本発明の半導体レーザのバーを誘電
体で堆積するときに治具に装着したときの概念図、第４
図は第３図の円の部分の拡大図、第５図は本発明の半導
体レーザのバーを両方の光出射面を誘電体で堆積すると
きに、治具に装着したときの概念図、第６図は従来の半
導体レーザチップの斜視図、第７図は半導体レーザのバ
ーの光出射面に誘電体薄膜を堆積させるために、半導体
レーザをシリコンバーと交互に並べたときの概念図、第
８図は従来の半導体レーザのバーを誘電体で堆積すると
きに治具に装着したときの概念図である。 １・・・活性層に近い方の電極、２・・・光出射面、３
・・・導電性金属の帯状突起、４・・・発光領域、５・
・・半導体レーザのバー、６・・・シリコンのバー、７
・・・治具、８・・・バネ。 櫓３Ｖ 第４Ｖ 第６図 午哩
Claims (1)
- 活性層に近い方の電極の端部近傍に、光出射面に平行で
光学共振器方向に対して垂直に導電性金属から成る帯状
突起を少なくとも１つ有することを特徴とする半導体レ
ーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10830687A JPS63273388A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10830687A JPS63273388A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63273388A true JPS63273388A (ja) | 1988-11-10 |
Family
ID=14481357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10830687A Pending JPS63273388A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63273388A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1056232A (ja) * | 1996-05-09 | 1998-02-24 | Lucent Technol Inc | レーザバーファセットのコーティング方法とその固定装置 |
| EP1023748A1 (en) * | 1997-10-14 | 2000-08-02 | Decade Products, Inc. | Laser diode assembly |
| JP2002334919A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザバー保持装置 |
| JP2007288090A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP10830687A patent/JPS63273388A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1056232A (ja) * | 1996-05-09 | 1998-02-24 | Lucent Technol Inc | レーザバーファセットのコーティング方法とその固定装置 |
| EP1023748A1 (en) * | 1997-10-14 | 2000-08-02 | Decade Products, Inc. | Laser diode assembly |
| EP1023748A4 (en) * | 1997-10-14 | 2004-06-02 | Decade Products Inc | DIODE ASSEMBLY |
| JP2002334919A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザバー保持装置 |
| JP2007288090A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
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