JPH08139408A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH08139408A JPH08139408A JP30310594A JP30310594A JPH08139408A JP H08139408 A JPH08139408 A JP H08139408A JP 30310594 A JP30310594 A JP 30310594A JP 30310594 A JP30310594 A JP 30310594A JP H08139408 A JPH08139408 A JP H08139408A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱板に対する半導体レーザ素子の固着を容
易に行うことができる半導体素子の電極構造を提供す
る。 【構成】 半導体基板の一方の主面の電極層２１を第１
及び第２の金属膜２２、２３で形成する。半導体基板の
主面に直接に固着された第１の金属膜２２よりも第２の
金属膜２３を厚く形成する。第２の金属膜２３の周縁を
半導体基板の主面の周縁よりも内側に配置する。
易に行うことができる半導体素子の電極構造を提供す
る。 【構成】 半導体基板の一方の主面の電極層２１を第１
及び第２の金属膜２２、２３で形成する。半導体基板の
主面に直接に固着された第１の金属膜２２よりも第２の
金属膜２３を厚く形成する。第２の金属膜２３の周縁を
半導体基板の主面の周縁よりも内側に配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ等の半導
体発光素子に関する。
体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体を母材とする従来の半導体
レーザの半導体基板は、図１及び図２に示すようにｎ形
のＧａＡｓから成る基板層１及びバッファ層２、ｎ形の
ＡｌＧａＩｎＰから成るクラッド層３、ＧａＩｎＰから
成る活性層４、ｐ形のＡｌＧａＩｎＰから成るクラッド
層５、ｎ形のＧａＡｓから成る電流ブロック層６、ｐ形
のＧａＡｓから成るコンタクト層７を備えている。リッ
ジ型導波構造を構成する尾根状のクラッド層８は電流ブ
ロック層６の内側に配置され、ＧａＩｎＰから成るコン
タクト層９を介してＧａＡｓコンタクト層７に接続され
ている。ＧａＡｓコンタクト層７の主面即ち半導体基板
の第１の主面とＧａＡｓ基板層１の主面即ち半導体基板
の第２の主面にはそれぞれ第１の電極層１０及び第２の
電極層１１が形成されている。図２は上記の半導体レー
ザ素子を導電性支持体としての金属放熱板１２にろう付
け（半田付け）したところを示す。図示のように、発光
部即ち活性層４での発熱を素子外部に良好に放熱させる
ために活性層４に比較的近く形成された第１の電極層１
０が下向きにされて金属放熱板１２にろう材１３で固着
されている。
レーザの半導体基板は、図１及び図２に示すようにｎ形
のＧａＡｓから成る基板層１及びバッファ層２、ｎ形の
ＡｌＧａＩｎＰから成るクラッド層３、ＧａＩｎＰから
成る活性層４、ｐ形のＡｌＧａＩｎＰから成るクラッド
層５、ｎ形のＧａＡｓから成る電流ブロック層６、ｐ形
のＧａＡｓから成るコンタクト層７を備えている。リッ
ジ型導波構造を構成する尾根状のクラッド層８は電流ブ
ロック層６の内側に配置され、ＧａＩｎＰから成るコン
タクト層９を介してＧａＡｓコンタクト層７に接続され
ている。ＧａＡｓコンタクト層７の主面即ち半導体基板
の第１の主面とＧａＡｓ基板層１の主面即ち半導体基板
の第２の主面にはそれぞれ第１の電極層１０及び第２の
電極層１１が形成されている。図２は上記の半導体レー
ザ素子を導電性支持体としての金属放熱板１２にろう付
け（半田付け）したところを示す。図示のように、発光
部即ち活性層４での発熱を素子外部に良好に放熱させる
ために活性層４に比較的近く形成された第１の電極層１
０が下向きにされて金属放熱板１２にろう材１３で固着
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図２では説明の便宜
上、活性層４と第１の電極層１０との間隔Ｌが比較的大
きく示されているが、実際の素子においてはこの間隔Ｌ
は３μｍ程度のわずかなものである。このため、第１の
電極層１０を放熱板１２にろう付けする際に、ろう材１
３の量が多すぎると、図２に示すようにろう材１３が活
性層４の端部４ａ即ちレーザ光の導出部（以下、単に導
出部という）に付着することがある。この導出部へのろ
う材１３の付着は所謂光のけられを生ぜしめ望ましくな
い。ろう材１３の量を少なくすればかかる問題は解消さ
れるが、ろう材１３中にボイドが生じてろう材１３の熱
抵抗が増大して放熱性が低下するという新たな問題を招
来する。ろう材の供給量等を、発光部への付着が防止さ
れ且つ放熱性低下も生じない最適条件に設定することも
考えられるが、量産過程においてこれを達成することは
容易なことではない。また、本願発明者は上記問題を解
消する手段として、レーザ素子の側面１４を放熱板１２
の端部１２ａから若干外側に突出させてろう付けするこ
とを試みた。しかし、ろう付け工程において突出幅を精
度よく制御することは極めて困難な上、突出幅があまり
大きくなると素子周辺側での発熱を外部放熱体１２を通
じて良好に放熱できないという問題が生じた。
上、活性層４と第１の電極層１０との間隔Ｌが比較的大
きく示されているが、実際の素子においてはこの間隔Ｌ
は３μｍ程度のわずかなものである。このため、第１の
電極層１０を放熱板１２にろう付けする際に、ろう材１
３の量が多すぎると、図２に示すようにろう材１３が活
性層４の端部４ａ即ちレーザ光の導出部（以下、単に導
出部という）に付着することがある。この導出部へのろ
う材１３の付着は所謂光のけられを生ぜしめ望ましくな
い。ろう材１３の量を少なくすればかかる問題は解消さ
れるが、ろう材１３中にボイドが生じてろう材１３の熱
抵抗が増大して放熱性が低下するという新たな問題を招
来する。ろう材の供給量等を、発光部への付着が防止さ
れ且つ放熱性低下も生じない最適条件に設定することも
考えられるが、量産過程においてこれを達成することは
容易なことではない。また、本願発明者は上記問題を解
消する手段として、レーザ素子の側面１４を放熱板１２
の端部１２ａから若干外側に突出させてろう付けするこ
とを試みた。しかし、ろう付け工程において突出幅を精
度よく制御することは極めて困難な上、突出幅があまり
大きくなると素子周辺側での発熱を外部放熱体１２を通
じて良好に放熱できないという問題が生じた。
【０００４】そこで、本発明は放熱性を良好に保って支
持体に容易に固着することができる半導体発光素子を提
供することを目的とする。
持体に容易に固着することができる半導体発光素子を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、第１の主面とこの第１の主面に対向する第
２の主面との間に発光部を有する半導体基板と、前記第
１の主面に形成された第１の電極と、前記第２の主面に
形成された第２の電極とを有し、前記発光部は前記基板
の側面方向に光を放射するように形成され、前記発光部
と前記第１の電極との間隔が前記発光部と前記第２の電
極との間隔よりも小さく設定され、前記第１の電極をろ
う材によって放熱性を有する導電性支持体に固着するよ
うに形成された半導体発光素子において、前記第１の電
極が、前記第１の主面に固着された第１の金属膜と、前
記第１の金属膜に固着された第２の金属膜とから成り、
前記第２の金属膜は前記第１の金属膜よりも厚く形成さ
れ、前記第２の金属膜の少なくとも前記基板の光を放射
する側面側の端面が前記第１の金属膜の前記基板の光を
放射する側面側の端面よりも前記第１の主面の中心側に
配置されていることを特徴とする半導体発光素子に係わ
るものである。なお、請求項２及び３に示すように、半
導体レーザ素子に本発明を適用することができる。ま
た、請求項３に示すように、第１の電極の第１の金属膜
を少なくとも第１の主面の尾根状クラッド領域の全部に
形成することが望ましい。
の本発明は、第１の主面とこの第１の主面に対向する第
２の主面との間に発光部を有する半導体基板と、前記第
１の主面に形成された第１の電極と、前記第２の主面に
形成された第２の電極とを有し、前記発光部は前記基板
の側面方向に光を放射するように形成され、前記発光部
と前記第１の電極との間隔が前記発光部と前記第２の電
極との間隔よりも小さく設定され、前記第１の電極をろ
う材によって放熱性を有する導電性支持体に固着するよ
うに形成された半導体発光素子において、前記第１の電
極が、前記第１の主面に固着された第１の金属膜と、前
記第１の金属膜に固着された第２の金属膜とから成り、
前記第２の金属膜は前記第１の金属膜よりも厚く形成さ
れ、前記第２の金属膜の少なくとも前記基板の光を放射
する側面側の端面が前記第１の金属膜の前記基板の光を
放射する側面側の端面よりも前記第１の主面の中心側に
配置されていることを特徴とする半導体発光素子に係わ
るものである。なお、請求項２及び３に示すように、半
導体レーザ素子に本発明を適用することができる。ま
た、請求項３に示すように、第１の電極の第１の金属膜
を少なくとも第１の主面の尾根状クラッド領域の全部に
形成することが望ましい。
【０００６】
【発明の作用及び効果】各請求項の発明によれば、第１
の電極を構成する比較的に厚い第２の金属膜が設けら
れ、この第２の金属膜を第１の主面の全部に対向させな
いので、半導体発光素子を支持体にろう材で固着する際
に、ろう材が発光部即ち側面の光放射部に至ることを容
易に防ぐことができる。また、請求項３の発明では、第
１の電極の第１の金属膜が尾根状クラッド領域の両端に
対応する第１の主面領域まで形成されるので、最も熱を
発生する尾根状クラッド領域及びこの近傍に対応する放
熱性の低下を抑えることができる。
の電極を構成する比較的に厚い第２の金属膜が設けら
れ、この第２の金属膜を第１の主面の全部に対向させな
いので、半導体発光素子を支持体にろう材で固着する際
に、ろう材が発光部即ち側面の光放射部に至ることを容
易に防ぐことができる。また、請求項３の発明では、第
１の電極の第１の金属膜が尾根状クラッド領域の両端に
対応する第１の主面領域まで形成されるので、最も熱を
発生する尾根状クラッド領域及びこの近傍に対応する放
熱性の低下を抑えることができる。
【０００７】
【実施例】次に図３〜図６を参照して本発明の一実施例
に係わる半導体レーザ素子について説明する。但し、図
３〜図６において、図１及び図２と実質的に同一の箇所
には同一符号を付してその説明を省略する。
に係わる半導体レーザ素子について説明する。但し、図
３〜図６において、図１及び図２と実質的に同一の箇所
には同一符号を付してその説明を省略する。
【０００８】図３は図１に対応する箇所を示す断図面で
あり、尾根状クラッド層８が延伸する方向に直交する図
６のＣ−Ｃ線に相当する断面を示している。図４は図２
に対応する箇所を示す断図面であり、屋根状クラッド層
８が延伸する図６のＤ−Ｄ線に相当する断面を示してい
る。
あり、尾根状クラッド層８が延伸する方向に直交する図
６のＣ−Ｃ線に相当する断面を示している。図４は図２
に対応する箇所を示す断図面であり、屋根状クラッド層
８が延伸する図６のＤ−Ｄ線に相当する断面を示してい
る。
【０００９】図３及び図４と図１及び図２との対比から
明らかなように、図３及び図４の半導体レーザ素子は、
図１及び図２の第１の電極層１０の代りに第１及び第２
の金属膜２２、２３から成る第１の電極層２１を設けた
こと以外は図１及び図２に示す従来の半導体レーザ素子
と同一に構成されている。第１の金属膜２２は半導体基
板の下面（第１の主面）の全体に形成されずに、その周
縁の一部が下面の周縁よりも中心側に配置されている。
しかし、図４に示すように尾根状クラッド領域８の両端
部に対応する基板の下面には第１の金属膜２２が設けら
れている。第２の金属膜２３の全周縁は平面的に見て基
板の下面の周縁よりも下面の中心側に配置されている。
また、ろう材１３で固着する状態において第１の金属膜
２２と第２の金属膜２３の側面２３ａとによってＶ字状
の切り込み溝が生じるように第２の金属膜２３の第２の
側面２３ａが傾斜している。
明らかなように、図３及び図４の半導体レーザ素子は、
図１及び図２の第１の電極層１０の代りに第１及び第２
の金属膜２２、２３から成る第１の電極層２１を設けた
こと以外は図１及び図２に示す従来の半導体レーザ素子
と同一に構成されている。第１の金属膜２２は半導体基
板の下面（第１の主面）の全体に形成されずに、その周
縁の一部が下面の周縁よりも中心側に配置されている。
しかし、図４に示すように尾根状クラッド領域８の両端
部に対応する基板の下面には第１の金属膜２２が設けら
れている。第２の金属膜２３の全周縁は平面的に見て基
板の下面の周縁よりも下面の中心側に配置されている。
また、ろう材１３で固着する状態において第１の金属膜
２２と第２の金属膜２３の側面２３ａとによってＶ字状
の切り込み溝が生じるように第２の金属膜２３の第２の
側面２３ａが傾斜している。
【００１０】以下、第１の電極２１の構造及びその製造
方法を詳しく説明する。第１の金属膜２２は第２の金属
膜２３に比べて肉薄であり、その厚さは０．８μｍ程度
である。この第１の金属膜２２は、例えば図５（Ａ）に
示すように、コンタクト層７の上面全体に真空蒸着によ
ってＡｕ（金）から成る金属膜２４を形成し、これに図
５（Ｂ）に示すようにエッチングを施して分離領域２２
ａを設けることによって形成される。なお、第１及び第
２の金属膜２２、２３の形成はウエハ状態即ち多数個の
レーザ素子が一体に連続した状態によって行う。図５及
び図６で鎖線で区分又は区画された領域は、このレーザ
素子の一素子分に相当する領域を示す。また、第１の金
属膜２２はＡｕ以外の金属材でもよく、その形成方法は
真空蒸着に限られないことは勿論である。
方法を詳しく説明する。第１の金属膜２２は第２の金属
膜２３に比べて肉薄であり、その厚さは０．８μｍ程度
である。この第１の金属膜２２は、例えば図５（Ａ）に
示すように、コンタクト層７の上面全体に真空蒸着によ
ってＡｕ（金）から成る金属膜２４を形成し、これに図
５（Ｂ）に示すようにエッチングを施して分離領域２２
ａを設けることによって形成される。なお、第１及び第
２の金属膜２２、２３の形成はウエハ状態即ち多数個の
レーザ素子が一体に連続した状態によって行う。図５及
び図６で鎖線で区分又は区画された領域は、このレーザ
素子の一素子分に相当する領域を示す。また、第１の金
属膜２２はＡｕ以外の金属材でもよく、その形成方法は
真空蒸着に限られないことは勿論である。
【００１１】図６は第１の金属膜２２及び尾根状クラッ
ド層８のパターンを示す平面図である。なお、尾根状ク
ラッド層８は各素子の中央に帯状に形成されている。第
１の金属膜２２は図示のようにレーザ素子（鎖線で区間
された領域）の外縁に沿って分離領域２２ａを有する。
この分離領域２２ａはレーザ素子の外縁の全周にわたっ
ては形成されておらず、尾根状クラッド層８が延伸する
第１の方向とこれに直交する第２の方向において間欠的
に形成されている。以下、この分離領域２２ａの間に残
存した第１の金属膜２２を便宜上連結部２２ｂ、２２ｃ
と称する。なお、連結部２２ｂは図４に示すように尾根
状クラッド層８の両端の下方即ち光放射部の下方に形成
されており、後述のように、発光部での発熱を放熱性に
優れた第２の金属膜２３に良好に伝えて放熱性を向上す
るように機能する。一方、連結部２２ｃは、第２の方向
において複数素子分の第１の金属膜２２を電気的に接続
して、全ての素子の第１の金属膜２２を電気的に接続し
て後述の電解メッキを可能とするためのものである。従
って、第１の方向の全ての列においてこれを設ける必要
はない。
ド層８のパターンを示す平面図である。なお、尾根状ク
ラッド層８は各素子の中央に帯状に形成されている。第
１の金属膜２２は図示のようにレーザ素子（鎖線で区間
された領域）の外縁に沿って分離領域２２ａを有する。
この分離領域２２ａはレーザ素子の外縁の全周にわたっ
ては形成されておらず、尾根状クラッド層８が延伸する
第１の方向とこれに直交する第２の方向において間欠的
に形成されている。以下、この分離領域２２ａの間に残
存した第１の金属膜２２を便宜上連結部２２ｂ、２２ｃ
と称する。なお、連結部２２ｂは図４に示すように尾根
状クラッド層８の両端の下方即ち光放射部の下方に形成
されており、後述のように、発光部での発熱を放熱性に
優れた第２の金属膜２３に良好に伝えて放熱性を向上す
るように機能する。一方、連結部２２ｃは、第２の方向
において複数素子分の第１の金属膜２２を電気的に接続
して、全ての素子の第１の金属膜２２を電気的に接続し
て後述の電解メッキを可能とするためのものである。従
って、第１の方向の全ての列においてこれを設ける必要
はない。
【００１２】第２の金属膜２３は第１の金属膜２２に比
較して肉厚であり、１０μｍ程度の厚みを有している。
第２の金属膜２３を形成するときは、まず、図５（Ｃ）
に示すように、ウエハの全面即ち第１の金属膜２２、分
離領域２２ａ、連結部２２ｂ、２２ｃの上面全体に例え
ば粘性のあるフォトレジスト２５を形成する。続いて、
これに周知のフォトリソグラフィ技術を用いて分離領域
２２ａと連結部２２ｂ、２２ｃに対応する領域にのみフ
ォトレジストを選択的に残存させて図５（Ｄ）に示すよ
うにマスク２６を形成する。マスク２６は、平面的に見
て素子の外縁に沿って環状に設けられている。このマス
ク２６の側面には若干の傾斜が形成されるが、図５
（Ｄ）ではやや強調されている。また図５（Ｄ）では図
示の便宜上直線状の傾斜としているが、実際は曲面状と
なっている。
較して肉厚であり、１０μｍ程度の厚みを有している。
第２の金属膜２３を形成するときは、まず、図５（Ｃ）
に示すように、ウエハの全面即ち第１の金属膜２２、分
離領域２２ａ、連結部２２ｂ、２２ｃの上面全体に例え
ば粘性のあるフォトレジスト２５を形成する。続いて、
これに周知のフォトリソグラフィ技術を用いて分離領域
２２ａと連結部２２ｂ、２２ｃに対応する領域にのみフ
ォトレジストを選択的に残存させて図５（Ｄ）に示すよ
うにマスク２６を形成する。マスク２６は、平面的に見
て素子の外縁に沿って環状に設けられている。このマス
ク２６の側面には若干の傾斜が形成されるが、図５
（Ｄ）ではやや強調されている。また図５（Ｄ）では図
示の便宜上直線状の傾斜としているが、実際は曲面状と
なっている。
【００１３】次に、図５（Ｅ）に示すように、ウエハ上
面にＡｕの電解メッキによって金属膜２７と半田から成
るろう材層２８を形成する。金属膜２７とろう材層２８
は、第１の金属膜２２のうちマスク２６が形成されてい
ない領域にのみ形成される。このとき勿論、周知のリフ
トオフ技術を用いてもよい。図５（Ｅ）のマスク２６を
除去して図５（Ｆ）に示す第２の金属膜２３を得る。こ
の第２の金属膜２３の側面２３ａは、マスク２６の形状
に対応して傾斜する。また、ろう材層２８は金属膜２３
の上面に形成される。なお、第２の金属膜２３は上記以
外の方法で、また、Ａｕ以外の金属材料で形成しても良
い。
面にＡｕの電解メッキによって金属膜２７と半田から成
るろう材層２８を形成する。金属膜２７とろう材層２８
は、第１の金属膜２２のうちマスク２６が形成されてい
ない領域にのみ形成される。このとき勿論、周知のリフ
トオフ技術を用いてもよい。図５（Ｅ）のマスク２６を
除去して図５（Ｆ）に示す第２の金属膜２３を得る。こ
の第２の金属膜２３の側面２３ａは、マスク２６の形状
に対応して傾斜する。また、ろう材層２８は金属膜２３
の上面に形成される。なお、第２の金属膜２３は上記以
外の方法で、また、Ａｕ以外の金属材料で形成しても良
い。
【００１４】最後に、上述のウエハを鎖線部分で切断し
て、図３及び図４に示す半導体レーザ素子を完成させ
る。なお、図３及び図４では第１の電極層２１がろう材
１３で金属放熱板１２に固着されている。ろう材１３は
図５（Ｆ）のろう材層２８に基づくものである。
て、図３及び図４に示す半導体レーザ素子を完成させ
る。なお、図３及び図４では第１の電極層２１がろう材
１３で金属放熱板１２に固着されている。ろう材１３は
図５（Ｆ）のろう材層２８に基づくものである。
【００１５】本実施例の半導体レーザ素子は次の作用効
果を有する。 （１） ろう付け電極となる第１の電極層２１が、第１
の金属膜２２と肉厚の第２の金属膜２３から構成されて
おり、従来例に比べてろう付け電極の層厚が増大してい
る。また、肉厚の第２の金属膜２３の側面２３ａの第１
の金属膜２２に接している部分は第１の金属膜２２の周
縁よりも素子の内側に配置されて両金属膜間に段差が形
成されている。更に、第１の金属膜２２側に向って第２
の金属膜２３が先細になるような傾斜側面２３ａを有す
る。このため、第１の金属膜２２の張り出し部がろう材
の這い上がり防止部として機能し、ろう材の供給量を多
くしてもろう材が発光部（導出部）まで達することがな
い。 （２） 半田メッキで形成したろう材層２８によってろ
う材を供給するので、ろう材の供給量の制御を比較的良
好に行うことができる。 （３） 第１の金属膜２２が尾根状クラッド層８の下方
の長手方向全体に形成されているから、発光部での発熱
をこの第１の金属膜２２を介して熱抵抗の小さい肉厚の
第２の金属膜２３に良好に伝達してこれを放散させるこ
とができる。このため、電極と外部放熱体との間のろう
材層にボイドが生じても放熱性が大きく損なわれること
がない。また、上記（１）の効果によって、ろう材を多
めに供給できるからボイドの発生自体抑制されている。 （４） 異物が素子発光部に付着して発光特性が低下す
ることが防止される。即ち、ウエハは可撓性のある挟持
材（例えばビニール）によってその両主面を挟持した状
態で折り曲げ破断して多数の素子に分離される。このた
め、従来の素子では、この折り曲げ破断時に半導体素子
の角部（へき開面）が挟持材を削り、挟持材の削りかす
が素子発光部に付着することがあった。この削りかす
は、素子のろう付け時の加熱等によって融着し、発光特
性を劣化させる原因となり好ましくなかった。本実施例
では、第１の電極層２１の外縁部が張り出してこれが挟
持材に接し、且つこの電極層２１は半導体基板に比して
柔軟であり角部に曲率がついているので挟持材の削りか
すが生ずることがない。従って、かかる問題が解消され
ている。
果を有する。 （１） ろう付け電極となる第１の電極層２１が、第１
の金属膜２２と肉厚の第２の金属膜２３から構成されて
おり、従来例に比べてろう付け電極の層厚が増大してい
る。また、肉厚の第２の金属膜２３の側面２３ａの第１
の金属膜２２に接している部分は第１の金属膜２２の周
縁よりも素子の内側に配置されて両金属膜間に段差が形
成されている。更に、第１の金属膜２２側に向って第２
の金属膜２３が先細になるような傾斜側面２３ａを有す
る。このため、第１の金属膜２２の張り出し部がろう材
の這い上がり防止部として機能し、ろう材の供給量を多
くしてもろう材が発光部（導出部）まで達することがな
い。 （２） 半田メッキで形成したろう材層２８によってろ
う材を供給するので、ろう材の供給量の制御を比較的良
好に行うことができる。 （３） 第１の金属膜２２が尾根状クラッド層８の下方
の長手方向全体に形成されているから、発光部での発熱
をこの第１の金属膜２２を介して熱抵抗の小さい肉厚の
第２の金属膜２３に良好に伝達してこれを放散させるこ
とができる。このため、電極と外部放熱体との間のろう
材層にボイドが生じても放熱性が大きく損なわれること
がない。また、上記（１）の効果によって、ろう材を多
めに供給できるからボイドの発生自体抑制されている。 （４） 異物が素子発光部に付着して発光特性が低下す
ることが防止される。即ち、ウエハは可撓性のある挟持
材（例えばビニール）によってその両主面を挟持した状
態で折り曲げ破断して多数の素子に分離される。このた
め、従来の素子では、この折り曲げ破断時に半導体素子
の角部（へき開面）が挟持材を削り、挟持材の削りかす
が素子発光部に付着することがあった。この削りかす
は、素子のろう付け時の加熱等によって融着し、発光特
性を劣化させる原因となり好ましくなかった。本実施例
では、第１の電極層２１の外縁部が張り出してこれが挟
持材に接し、且つこの電極層２１は半導体基板に比して
柔軟であり角部に曲率がついているので挟持材の削りか
すが生ずることがない。従って、かかる問題が解消され
ている。
【００１６】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、変形可能なものである。例えば、レーザ素子に限ら
ず発光ダイオード（ＬＥＤ）にも請求項１の発明を適用
することができる。また、ろう材１３を半田ペーストの
印刷等で供給することができる。また、ウエハにダイヤ
モンドポイントでキズをつけてブレ−キングすることに
よって、ウエハをダイス化する場合には、実施例のよう
にキズをつける領域に対応させて第１の金属膜２２に分
離溝２２ａを形成することが望ましい。しかし、ウエハ
を第１の金属膜２２ごとカッテイングするときは分離溝
２２ａ必ずしも必要ではない。
く、変形可能なものである。例えば、レーザ素子に限ら
ず発光ダイオード（ＬＥＤ）にも請求項１の発明を適用
することができる。また、ろう材１３を半田ペーストの
印刷等で供給することができる。また、ウエハにダイヤ
モンドポイントでキズをつけてブレ−キングすることに
よって、ウエハをダイス化する場合には、実施例のよう
にキズをつける領域に対応させて第１の金属膜２２に分
離溝２２ａを形成することが望ましい。しかし、ウエハ
を第１の金属膜２２ごとカッテイングするときは分離溝
２２ａ必ずしも必要ではない。
【図１】従来の半導体レーザ素子を示す断面図である。
【図２】図１の半導体レーザ素子を放熱板に固着した状
態を図１のＡ−Ａ線によって示す断面図である。
態を図１のＡ−Ａ線によって示す断面図である。
【図３】本発明の実施例の半導体レーザ素子を放熱板に
固着した状態を図６のＣ−Ｃ線に相当するように示す断
面図である。
固着した状態を図６のＣ−Ｃ線に相当するように示す断
面図である。
【図４】図３の半導体レーザ素子を図３のＢ−Ｂ線及び
図６のＤ−Ｄ線に相当するように示す断面図である。
図６のＤ−Ｄ線に相当するように示す断面図である。
【図５】図３の半導体レーザ素子を製造工程順に示す断
面図である。
面図である。
【図６】図５（Ｂ）の状態の平面図である。
８ 尾根状クラッド領域 １２ 放熱板 １３ ろう材 ２２ 第１の金属膜 ２３ 第２の金属膜
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の主面とこの第１の主面に対向する
第２の主面との間に発光部を有する半導体基板と、前記
第１の主面に形成された第１の電極と、前記第２の主面
に形成された第２の電極とを有し、前記発光部は前記基
板の側面方向に光を放射するように形成され、前記発光
部と前記第１の電極との間隔が前記発光部と前記第２の
電極との間隔よりも小さく設定され、前記第１の電極を
ろう材によって放熱性を有する導電性支持体に固着する
ように形成された半導体発光素子において、 前記第１の電極が、前記第１の主面に固着された第１の
金属膜と、前記第１の金属膜に固着された第２の金属膜
とから成り、 前記第２の金属膜は前記第１の金属膜よりも厚く形成さ
れ、 前記第２の金属膜の少なくとも前記基板の光を放射する
側面側の端面が前記第１の金属膜の前記基板の光を放射
する側面側の端面よりも前記第１の主面の中心側に配置
されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 第１の主面とこの第１の主面に対向する
第２の主面との間に第１導電型のクラッド層と活性層と
前記第１導電型と反対の第２導電型のクラッド層と前記
第１導電型のクラッド層に屋根状クラッド領域を生じさ
せるように形成された第２導電型の電流ブロック層とを
有する半導体レーザ用半導体基板と、前記第１の主面に
形成された第１の電極と、前記第２の主面に形成された
第２の電極とを有し、前記活性層は前記基板の側面方向
に光を放射するように形成され、前記活性層と前記第１
の電極との間隔が前記活性層と前記第２の電極との間隔
よりも小さく設定され、前記第１の電極をろう材によっ
て放熱性を有する導電性支持体に固着するように形成さ
れた半導体発光素子において、 前記第１の電極が、前記第１の主面に固着された第１の
金属膜と、前記第１の金属膜に固着された第２の金属膜
とから成り、 前記第２の金属膜は前記第１の金属膜よりも厚く形成さ
れ、 前記第２の金属膜の少なくとも前記基板の前記尾根状ク
ラッド領域の一端及び他端が露出する第１及び第２の側
面側の端面が前記第１の金属膜の前記基板の第１及び第
２の側面側の端面よりも前記第１の主面の中心側に配置
されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項３】 請求項２の半導体発光素子において、前
記第１の金属膜は少なくとも前記第１の主面の前記尾根
状クラッド領域に対向する領域の全部に形成されている
ことを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30310594A JP3186937B2 (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30310594A JP3186937B2 (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139408A true JPH08139408A (ja) | 1996-05-31 |
| JP3186937B2 JP3186937B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=17916955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30310594A Expired - Fee Related JP3186937B2 (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3186937B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008015900A1 (fr) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Panasonic Corporation | Élément émetteur de lumière semi-conducteur et son procédé de fabrication |
| JP2010171047A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| DE102010047379A1 (de) | 2010-10-05 | 2012-04-05 | Atlantichem Gmbh | Wasser aufnehmende und Wasser speichernde Pfropfpolymere, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung |
-
1994
- 1994-11-11 JP JP30310594A patent/JP3186937B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008015900A1 (fr) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Panasonic Corporation | Élément émetteur de lumière semi-conducteur et son procédé de fabrication |
| US8030677B2 (en) | 2006-07-31 | 2011-10-04 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing same |
| US8222670B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-07-17 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing same |
| JP2010171047A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| DE102010047379A1 (de) | 2010-10-05 | 2012-04-05 | Atlantichem Gmbh | Wasser aufnehmende und Wasser speichernde Pfropfpolymere, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3186937B2 (ja) | 2001-07-11 |
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