JP3210519B2 - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3210519B2 JP3210519B2 JP04555394A JP4555394A JP3210519B2 JP 3210519 B2 JP3210519 B2 JP 3210519B2 JP 04555394 A JP04555394 A JP 04555394A JP 4555394 A JP4555394 A JP 4555394A JP 3210519 B2 JP3210519 B2 JP 3210519B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- brazing material
- face
- resonator
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体レーザの励起用
光源等に用いられる高出力の半導体レーザ装置の製造方
法に関するものである。
光源等に用いられる高出力の半導体レーザ装置の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは、通常、結晶のへき開性
を利用して鏡面を形成し、共振器としている。したがっ
て、前面と後面の両面からレーザ光が出射されるが、使
用するのは前面からの光だけである。そこで、固体レー
ザの励起用光源等として半導体レーザを用いるために高
出力化が試みられているが、そのほとんどは前面と後面
の反射率を異ならせるものであり、前面の反射率を小さ
くし、後面の反射率を大きくして、前面から高出力の光
を取り出すものである。その後面の反射率を大きくする
１つの方法として、後面の共振器端面に絶縁膜を形成
し、その上に反射膜としてＡｕを蒸着する方法がある。
以下、この従来の製造方法について説明する。
を利用して鏡面を形成し、共振器としている。したがっ
て、前面と後面の両面からレーザ光が出射されるが、使
用するのは前面からの光だけである。そこで、固体レー
ザの励起用光源等として半導体レーザを用いるために高
出力化が試みられているが、そのほとんどは前面と後面
の反射率を異ならせるものであり、前面の反射率を小さ
くし、後面の反射率を大きくして、前面から高出力の光
を取り出すものである。その後面の反射率を大きくする
１つの方法として、後面の共振器端面に絶縁膜を形成
し、その上に反射膜としてＡｕを蒸着する方法がある。
以下、この従来の製造方法について説明する。
【０００３】図４は、従来例における半導体レーザチッ
プを横からみた断面図である。従来、半導体レーザチッ
プ１の片側の共振器端面に通常のスパッタリング工程に
より絶縁膜２を形成した後、反射膜としてＡｕ膜３を形
成している。半導体レーザチップ１は通常ウエハーをへ
き開し、短冊状にして共振器を形成した後、１つ１つの
チップに分割することにより作製される。反射膜を共振
器端面に形成する場合は、短冊の状態で行われるが、こ
の短冊状態で共振器端面に反射膜を形成する方法を図５
を用いて説明する。
プを横からみた断面図である。従来、半導体レーザチッ
プ１の片側の共振器端面に通常のスパッタリング工程に
より絶縁膜２を形成した後、反射膜としてＡｕ膜３を形
成している。半導体レーザチップ１は通常ウエハーをへ
き開し、短冊状にして共振器を形成した後、１つ１つの
チップに分割することにより作製される。反射膜を共振
器端面に形成する場合は、短冊の状態で行われるが、こ
の短冊状態で共振器端面に反射膜を形成する方法を図５
を用いて説明する。
【０００４】図５に示すように、まず、短冊状のレーザ
バー６を２つの蒸着用治具４ではさみ、レーザの反射膜
を形成する共振器端面７を上にして固定する。なお、レ
ーザバー６の共振器端面７には絶縁膜２（図４）が形成
され、蒸着用治具４と接する両側面にはＰ側電極および
Ｎ側電極が形成されている。つぎに、蒸着用治具４とと
もにレーザバー６を蒸着装置に入れ、共振器端面７以外
にはＡｕが蒸着しないようにして、反射膜を形成する。
ところで、へき開装置の精度には限界があり、このた
め、短冊状のレーザバー６の高さ、つまり共振器長には
±１０μｍ程度のばらつきがどうしても生じる。また、
蒸着用治具４も、例えばＳｉ基板を用いて作製される
が、高さ方向に少なくとも±１０μｍの長さばらつきを
生じる。このため、共振器端面７と蒸着用治具４の上面
５に±２０μｍ程度の高低差が生じることになる。
バー６を２つの蒸着用治具４ではさみ、レーザの反射膜
を形成する共振器端面７を上にして固定する。なお、レ
ーザバー６の共振器端面７には絶縁膜２（図４）が形成
され、蒸着用治具４と接する両側面にはＰ側電極および
Ｎ側電極が形成されている。つぎに、蒸着用治具４とと
もにレーザバー６を蒸着装置に入れ、共振器端面７以外
にはＡｕが蒸着しないようにして、反射膜を形成する。
ところで、へき開装置の精度には限界があり、このた
め、短冊状のレーザバー６の高さ、つまり共振器長には
±１０μｍ程度のばらつきがどうしても生じる。また、
蒸着用治具４も、例えばＳｉ基板を用いて作製される
が、高さ方向に少なくとも±１０μｍの長さばらつきを
生じる。このため、共振器端面７と蒸着用治具４の上面
５に±２０μｍ程度の高低差が生じることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、上記従来
の方法では、レーザバー６の共振器端面７に蒸着により
Ａｕ膜３を形成する際、共振器長（レーザバー６の高
さ）および蒸着用治具４の高さのばらつきによって、絶
縁膜２が形成された共振器端面７と蒸着用治具４の上面
５との間に高低差が生じる。共振器端面７が蒸着用治具
４の上面より高い場合は、その程度によって蒸着のとき
にＡｕ膜３がレーザバー６の側面に形成されたＰ側電極
とＮ側電極に回り込みショート不良が発生する場合があ
った。また、共振器端面７が蒸着用治具４の上面５より
低い場合は、その程度によって共振器端面７の活性層部
分が蒸着源に対して陰となり、活性層部分にＡｕが蒸着
されない場合があった。これらの理由により、反射膜の
形成工程が難しく安定せず、製造歩留まりが悪いという
問題があった。
の方法では、レーザバー６の共振器端面７に蒸着により
Ａｕ膜３を形成する際、共振器長（レーザバー６の高
さ）および蒸着用治具４の高さのばらつきによって、絶
縁膜２が形成された共振器端面７と蒸着用治具４の上面
５との間に高低差が生じる。共振器端面７が蒸着用治具
４の上面より高い場合は、その程度によって蒸着のとき
にＡｕ膜３がレーザバー６の側面に形成されたＰ側電極
とＮ側電極に回り込みショート不良が発生する場合があ
った。また、共振器端面７が蒸着用治具４の上面５より
低い場合は、その程度によって共振器端面７の活性層部
分が蒸着源に対して陰となり、活性層部分にＡｕが蒸着
されない場合があった。これらの理由により、反射膜の
形成工程が難しく安定せず、製造歩留まりが悪いという
問題があった。
【０００６】この発明の目的は、上記従来の問題を解決
し、簡単な工程により反射膜を形成し、製造歩留まりを
向上することのできる半導体レーザ装置の製造方法を提
供することである。
し、簡単な工程により反射膜を形成し、製造歩留まりを
向上することのできる半導体レーザ装置の製造方法を提
供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体レ
ーザ装置の製造方法は、ろう材が表面に形成されたサブ
マウント上に、光取り出し方向側とは反対の共振器端面
に絶縁膜を有する半導体レーザチップを、活性層に近い
側の電極面を下にして載せる工程と、ろう材を加熱溶融
させた状態で半導体レーザチップを光取り出し方向とは
反対の方向に移動させて、共振器端面の活性層部分を絶
縁膜を介して覆うようにろう材の一部を盛り上がらせる
工程とを含んでいる。
ーザ装置の製造方法は、ろう材が表面に形成されたサブ
マウント上に、光取り出し方向側とは反対の共振器端面
に絶縁膜を有する半導体レーザチップを、活性層に近い
側の電極面を下にして載せる工程と、ろう材を加熱溶融
させた状態で半導体レーザチップを光取り出し方向とは
反対の方向に移動させて、共振器端面の活性層部分を絶
縁膜を介して覆うようにろう材の一部を盛り上がらせる
工程とを含んでいる。
【０００８】
【０００９】
【００１０】請求項２記載の半導体レーザ装置の製造方
法は、請求項１記載の半導体レーザ装置の製造方法にお
いて、ろう材としてＡｕ／Ｓｎを用いることを特徴とす
る。
法は、請求項１記載の半導体レーザ装置の製造方法にお
いて、ろう材としてＡｕ／Ｓｎを用いることを特徴とす
る。
【００１１】
【作用】この発明の半導体レーザ装置の製造方法によれ
ば、半導体レーザチップをサブマウントへ接着するのと
同時に、接着用のろう材の一部を盛り上がらせて共振器
端面の活性層部分を絶縁膜を介して覆うことにより、ろ
う材が高反射膜の役割を果たし、非常に簡単な工程で反
射膜を形成でき、高出力の半導体レーザ装置が得られ
る。
ば、半導体レーザチップをサブマウントへ接着するのと
同時に、接着用のろう材の一部を盛り上がらせて共振器
端面の活性層部分を絶縁膜を介して覆うことにより、ろ
う材が高反射膜の役割を果たし、非常に簡単な工程で反
射膜を形成でき、高出力の半導体レーザ装置が得られ
る。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１はこの発明を適用した半導体
レーザ装置の断面図である。半導体レーザチップ１１
は、上面と下面にＰ側およびＮ側電極（図示せず）を形
成し、光取り出し方向（図の右方向）側とは反対の共振
器端面にＡｌ2 Ｏ3 膜１２の絶縁膜を形成している。こ
の半導体レーザチップ１１を、Ａｕ／Ｓｎろう材を用い
てサブマウント１３に接着してあり、さらに、Ａｕ／Ｓ
ｎろう材が共振器端面の活性層部分をＡｌ2 Ｏ3 膜１２
を介して覆うように、高さ約１５μｍのＡｕ／Ｓｎろう
材の盛り上がり部１４を形成している。なお、半導体レ
ーザチップ１１は、活性層１５に近い側の電極面を接着
面としてサブマウント１３に接着してあり、半導体レー
ザチップ１１の活性層１５は、サブマウント１３の表面
から約５μｍの高さに位置している。
照しながら説明する。図１はこの発明を適用した半導体
レーザ装置の断面図である。半導体レーザチップ１１
は、上面と下面にＰ側およびＮ側電極（図示せず）を形
成し、光取り出し方向（図の右方向）側とは反対の共振
器端面にＡｌ2 Ｏ3 膜１２の絶縁膜を形成している。こ
の半導体レーザチップ１１を、Ａｕ／Ｓｎろう材を用い
てサブマウント１３に接着してあり、さらに、Ａｕ／Ｓ
ｎろう材が共振器端面の活性層部分をＡｌ2 Ｏ3 膜１２
を介して覆うように、高さ約１５μｍのＡｕ／Ｓｎろう
材の盛り上がり部１４を形成している。なお、半導体レ
ーザチップ１１は、活性層１５に近い側の電極面を接着
面としてサブマウント１３に接着してあり、半導体レー
ザチップ１１の活性層１５は、サブマウント１３の表面
から約５μｍの高さに位置している。
【００１３】このように構成される半導体レーザ装置の
製造方法について説明する。図２はこの発明による半導
体レーザ装置の製造方法における第１の実施例を示す断
面図である。最初に、片側の共振器端面に通常のスパッ
タリング工程により、絶縁膜としてＡｌ2 Ｏ3 膜１２が
形成された半導体レーザチップ１１を、図２に示すよう
に、活性層１５が表面に近い側が下になるようにコレッ
ト１６で真空吸着し、Ａｌ2Ｏ3 膜１２が形成された共
振器端面を光取り出し方向とは反対の方向に向けて、Ｓ
ｉサブマウント１３上に載せる。ここで、光取り出し方
向とは図の右方向である。このとき、共振器端面がＳｉ
サブマウント１３の端より２０μｍ図の右方向へ出るよ
うにし、コレット１６の上方から鉛直下向きに２０ｇの
荷重をかける。このとき、図に示すように、Ｓｉサブマ
ウント１３を水平線１７に対し約５度の角度で光取り出
し方向が高くなるように傾けておく。なお、Ｓｉサブマ
ウント１３上には、Ａｕ／Ｓｎろう材（図示せず）が半
導体レーザチップ１１の接着面側に蒸着により約５μｍ
の厚みで形成されている。
製造方法について説明する。図２はこの発明による半導
体レーザ装置の製造方法における第１の実施例を示す断
面図である。最初に、片側の共振器端面に通常のスパッ
タリング工程により、絶縁膜としてＡｌ2 Ｏ3 膜１２が
形成された半導体レーザチップ１１を、図２に示すよう
に、活性層１５が表面に近い側が下になるようにコレッ
ト１６で真空吸着し、Ａｌ2Ｏ3 膜１２が形成された共
振器端面を光取り出し方向とは反対の方向に向けて、Ｓ
ｉサブマウント１３上に載せる。ここで、光取り出し方
向とは図の右方向である。このとき、共振器端面がＳｉ
サブマウント１３の端より２０μｍ図の右方向へ出るよ
うにし、コレット１６の上方から鉛直下向きに２０ｇの
荷重をかける。このとき、図に示すように、Ｓｉサブマ
ウント１３を水平線１７に対し約５度の角度で光取り出
し方向が高くなるように傾けておく。なお、Ｓｉサブマ
ウント１３上には、Ａｕ／Ｓｎろう材（図示せず）が半
導体レーザチップ１１の接着面側に蒸着により約５μｍ
の厚みで形成されている。
【００１４】つぎに、Ｓｉサブマウント１３をろう材の
融点以上に加熱し、Ａｕ／Ｓｎろう材を溶融すると、コ
レット１６に上方からかけた荷重によって半導体レーザ
チップ１１がＳｉサブマウント１３上を約２０μｍ図の
左方向へ移動し、それにより、Ａｕ／Ｓｎろう材の一部
が押され、Ａｌ2 Ｏ3 膜１２の形成された共振器端面に
ろう材が盛り上がる。加熱時間は約５秒で、この盛り上
がりの高さは約１５μｍであった。その後、冷却するこ
とにより、図１に示すような、共振器端面に高さ約１５
μｍのＡｕ／Ｓｎろう材の盛り上がり部１４を形成でき
る。
融点以上に加熱し、Ａｕ／Ｓｎろう材を溶融すると、コ
レット１６に上方からかけた荷重によって半導体レーザ
チップ１１がＳｉサブマウント１３上を約２０μｍ図の
左方向へ移動し、それにより、Ａｕ／Ｓｎろう材の一部
が押され、Ａｌ2 Ｏ3 膜１２の形成された共振器端面に
ろう材が盛り上がる。加熱時間は約５秒で、この盛り上
がりの高さは約１５μｍであった。その後、冷却するこ
とにより、図１に示すような、共振器端面に高さ約１５
μｍのＡｕ／Ｓｎろう材の盛り上がり部１４を形成でき
る。
【００１５】つぎに、図３はこの発明による半導体レー
ザ装置の製造方法における第２の実施例を示す断面図で
ある。図３に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 膜１２が形成され
た半導体レーザチップ１１を、活性層１５が表面に近い
側が下になるようにしてコレット１６で真空吸着し、Ａ
ｌ2 Ｏ3 膜１２が形成された共振器端面を光の取り出し
方向とは反対の方向に向けて、Ａｕ／Ｓｎろう材が約５
μｍの厚みで形成されたＳｉサブマウント１３上に載せ
る。このとき、光取り出し方向の共振器端面がＳｉサブ
マウント１３の端より２０μｍ出るようにするのは第１
の実施例と同じである。なお、Ｓｉサブマウント１３は
水平にしてある。
ザ装置の製造方法における第２の実施例を示す断面図で
ある。図３に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 膜１２が形成され
た半導体レーザチップ１１を、活性層１５が表面に近い
側が下になるようにしてコレット１６で真空吸着し、Ａ
ｌ2 Ｏ3 膜１２が形成された共振器端面を光の取り出し
方向とは反対の方向に向けて、Ａｕ／Ｓｎろう材が約５
μｍの厚みで形成されたＳｉサブマウント１３上に載せ
る。このとき、光取り出し方向の共振器端面がＳｉサブ
マウント１３の端より２０μｍ出るようにするのは第１
の実施例と同じである。なお、Ｓｉサブマウント１３は
水平にしてある。
【００１６】つぎに、Ｓｉサブマウント１３を加熱し、
Ａｕ／Ｓｎろう材を溶融する。Ａｕ／Ｓｎろう材が溶融
している状態で、コレット１６を図の左方向へ水平線１
７と平行に２０μｍだけ移動させる。コレット１６の移
動とともに、半導体レーザチップ１１がＳｉサブマウン
ト１３上を約２０μｍ図の左方向に移動するので、これ
により、Ａｕ／Ｓｎろう材の一部が押され、Ａｌ2 Ｏ3
膜１２の形成された共振器端面にろう材が盛り上がる。
２０μｍの移動量に対し、約１５μｍの高さの盛り上が
り部が形成できた。その後、冷却することにより、図１
に示すような、共振器端面に高さ約１５μｍのＡｕ／Ｓ
ｎろう材の盛り上がり部１４を形成できる。
Ａｕ／Ｓｎろう材を溶融する。Ａｕ／Ｓｎろう材が溶融
している状態で、コレット１６を図の左方向へ水平線１
７と平行に２０μｍだけ移動させる。コレット１６の移
動とともに、半導体レーザチップ１１がＳｉサブマウン
ト１３上を約２０μｍ図の左方向に移動するので、これ
により、Ａｕ／Ｓｎろう材の一部が押され、Ａｌ2 Ｏ3
膜１２の形成された共振器端面にろう材が盛り上がる。
２０μｍの移動量に対し、約１５μｍの高さの盛り上が
り部が形成できた。その後、冷却することにより、図１
に示すような、共振器端面に高さ約１５μｍのＡｕ／Ｓ
ｎろう材の盛り上がり部１４を形成できる。
【００１７】以上の第１および第２の実施例の製造方法
によれば、半導体レーザチップ１１がＳｉサブマウント
１３に接着されると同時に、共振器端面に高さ約１５μ
ｍのＡｕ／Ｓｎろう材の盛り上がり部１４を形成でき
る。半導体レーザチップ１１の活性層１５はサブマウン
ト１３の表面から約５μｍの高さに位置するため、共振
器端面の活性層１５部分をＡｕ／Ｓｎろう材の盛り上が
り部１４によって完全に覆うことができる。また、Ａｕ
／Ｓｎろう材の盛り上がり部１４はＡｌ2 Ｏ3 膜１２が
あるために結晶に直接は接触せず、ショート不良の原因
とならない。
によれば、半導体レーザチップ１１がＳｉサブマウント
１３に接着されると同時に、共振器端面に高さ約１５μ
ｍのＡｕ／Ｓｎろう材の盛り上がり部１４を形成でき
る。半導体レーザチップ１１の活性層１５はサブマウン
ト１３の表面から約５μｍの高さに位置するため、共振
器端面の活性層１５部分をＡｕ／Ｓｎろう材の盛り上が
り部１４によって完全に覆うことができる。また、Ａｕ
／Ｓｎろう材の盛り上がり部１４はＡｌ2 Ｏ3 膜１２が
あるために結晶に直接は接触せず、ショート不良の原因
とならない。
【００１８】つぎに、このようして形成した半導体レー
ザをパッケージに接着し、配線を施した後、電流を流
し、その特性を調べた。その結果、最大光出力が３００
ｍＷ以上という非常に優れた値が、９０％の歩留まりで
得られた。この最大光出力は、Ａｕを共振器端面に蒸着
する従来の製造方法で作製した半導体レーザと同等の特
性であり、共振器端面の反射率がＡｕの蒸着により得ら
れる反射率と遜色ないことを示している。このように、
共振器端面に形成したＡｕ／Ｓｎろう材の盛り上がり部
１４が高反射膜の役割を果たし、従来の方法におけるＡ
ｕの蒸着工程に比べて、非常に簡単な工程により反射膜
となるＡｕ／Ｓｎろう材の盛り上がり部１４を形成で
き、高出力の半導体レーザ装置が得られる。さらに、従
来の方法による半導体レーザの製造歩留まりが１０％以
下であることに対して、製造歩留まりを大幅に向上する
ことができた。
ザをパッケージに接着し、配線を施した後、電流を流
し、その特性を調べた。その結果、最大光出力が３００
ｍＷ以上という非常に優れた値が、９０％の歩留まりで
得られた。この最大光出力は、Ａｕを共振器端面に蒸着
する従来の製造方法で作製した半導体レーザと同等の特
性であり、共振器端面の反射率がＡｕの蒸着により得ら
れる反射率と遜色ないことを示している。このように、
共振器端面に形成したＡｕ／Ｓｎろう材の盛り上がり部
１４が高反射膜の役割を果たし、従来の方法におけるＡ
ｕの蒸着工程に比べて、非常に簡単な工程により反射膜
となるＡｕ／Ｓｎろう材の盛り上がり部１４を形成で
き、高出力の半導体レーザ装置が得られる。さらに、従
来の方法による半導体レーザの製造歩留まりが１０％以
下であることに対して、製造歩留まりを大幅に向上する
ことができた。
【００１９】なお、上記実施例では、ろう材としてＡｕ
／Ｓｎを用いたが、他のろう材としてＩｎやＰｂ／Ｓｎ
等を用いてもよい。ただし、ＩｎやＰｂ／Ｓｎに比べ、
Ａｕ／Ｓｎの方が反射率が高く、反射膜としての効果が
大きかった。
／Ｓｎを用いたが、他のろう材としてＩｎやＰｂ／Ｓｎ
等を用いてもよい。ただし、ＩｎやＰｂ／Ｓｎに比べ、
Ａｕ／Ｓｎの方が反射率が高く、反射膜としての効果が
大きかった。
【００２０】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、半導体
レーザチップをサブマウントへ接着するのと同時に、接
着用のろう材の一部を盛り上がらせて共振器端面の活性
層部分を絶縁膜を介して覆うことにより、ろう材が高反
射膜の役割を果たし、非常に簡単な工程で反射膜を形成
でき、高出力の半導体レーザ装置が得られる。したがっ
て、従来の製造方法において工程が不安定であるとして
問題であったＡｕの蒸着工程による高反射膜形成方法に
比べ、製造歩留まりが大幅に向上し、産業上の効果は非
常に大きい。
レーザチップをサブマウントへ接着するのと同時に、接
着用のろう材の一部を盛り上がらせて共振器端面の活性
層部分を絶縁膜を介して覆うことにより、ろう材が高反
射膜の役割を果たし、非常に簡単な工程で反射膜を形成
でき、高出力の半導体レーザ装置が得られる。したがっ
て、従来の製造方法において工程が不安定であるとして
問題であったＡｕの蒸着工程による高反射膜形成方法に
比べ、製造歩留まりが大幅に向上し、産業上の効果は非
常に大きい。
【００２１】なお、ろう材としてＡｕ／Ｓｎを用いるこ
とにより、ろう材の反射膜としての効果は大きい。
とにより、ろう材の反射膜としての効果は大きい。
【図１】この発明を適用した半導体レーザ装置の断面図
である。
である。
【図２】この発明による半導体レーザ装置の製造方法に
おける第１の実施例を示す断面図である。
おける第１の実施例を示す断面図である。
【図３】この発明による半導体レーザ装置の製造方法に
おける第２の実施例を示す断面図である。
おける第２の実施例を示す断面図である。
【図４】従来例における半導体レーザチップの断面図で
ある。
ある。
【図５】従来例における蒸着用治具の斜視図である。
１１ 半導体レーザチップ １２ Ａｌ2 Ｏ3 膜（絶縁膜） １３ Ｓｉサブマウント １４ Ａｕ／Ｓｎろう材の盛り上がり部 １５ 活性層 １６ コレット １７ 水平線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (2)
- 【請求項１】 ろう材が表面に形成されたサブマウント
上に、光取り出し方向側とは反対の共振器端面に絶縁膜
を有する半導体レーザチップを、活性層に近い側の電極
面を下にして載せる工程と、 前記ろう材を加熱溶融させた状態で前記半導体レーザチ
ップを光取り出し方向とは反対の方向に移動させて、前
記共振器端面の活性層部分を前記絶縁膜を介して覆うよ
うに前記ろう材の一部を盛り上がらせる工程とを含む半
導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項２】 ろう材としてＡｕ／Ｓｎを用いることを
特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04555394A JP3210519B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04555394A JP3210519B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254748A JPH07254748A (ja) | 1995-10-03 |
| JP3210519B2 true JP3210519B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=12722560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04555394A Expired - Fee Related JP3210519B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3210519B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6166954B2 (ja) * | 2013-05-24 | 2017-07-19 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子アレイおよび半導体発光素子アレイの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609189A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1994
- 1994-03-16 JP JP04555394A patent/JP3210519B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07254748A (ja) | 1995-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1534841B (zh) | 半导体激光器元件及其制造方法 | |
| EP1434320B1 (en) | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same | |
| JP3685306B2 (ja) | ２波長半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP2001168442A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板 | |
| JP4514376B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ装置 | |
| US5604761A (en) | Layered semiconductor laser having solder laminations and method of making same | |
| US7359416B2 (en) | Optical semiconductor device | |
| JP2007250739A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP3210519B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP2004349595A (ja) | 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP3314616B2 (ja) | 大出力用半導体レーザ素子 | |
| JP4573882B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2000124540A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2001024280A (ja) | 半導体光機能素子 | |
| JP2003249724A (ja) | 窒化物系化合物半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP2677219B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH05183239A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2007129162A (ja) | 半導体レーザ装置および半導体レーザ素子 | |
| KR100277946B1 (ko) | 레이저 다이오드의 미러 제조방법 | |
| JPH0846289A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS63233591A (ja) | 光半導体素子用サブマウント | |
| JPH11163467A (ja) | 半導体素子及びその製造方法、並びにヒートシンク | |
| US5915163A (en) | Method of manufacturing a semiconductor diode laser | |
| JPH0613702A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2000261085A (ja) | レーザダイオード装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |