JPH0556853B2 - - Google Patents
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- JPH0556853B2 JPH0556853B2 JP61180908A JP18090886A JPH0556853B2 JP H0556853 B2 JPH0556853 B2 JP H0556853B2 JP 61180908 A JP61180908 A JP 61180908A JP 18090886 A JP18090886 A JP 18090886A JP H0556853 B2 JPH0556853 B2 JP H0556853B2
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマCVD装置等の半導体製造
装置に利用されるプラズマ電極に関する。
装置に利用されるプラズマ電極に関する。
（従来の技術）
一般にプラズマCVD装置等の半導体製造装置
に用いられるプラズマ電極は、例えばステンレ
ス、グラフアイト、表面にSiＣ（シリコンカーバ
イド）コーテイングを施されたグラフアト等から
なる円板状の電極板を多数平行に並べ、これらの
電極板列に添つて平行に配置された２本の棒状の
リード電極によつて電極板を支持するように構成
されている。
に用いられるプラズマ電極は、例えばステンレ
ス、グラフアイト、表面にSiＣ（シリコンカーバ
イド）コーテイングを施されたグラフアト等から
なる円板状の電極板を多数平行に並べ、これらの
電極板列に添つて平行に配置された２本の棒状の
リード電極によつて電極板を支持するように構成
されている。
これらの電極板は、一つおきに異なる側の一方
のリード電極に溶接により固着され、他方のリー
ド電極には絶縁体部を介して係止されるよう構成
されている。
のリード電極に溶接により固着され、他方のリー
ド電極には絶縁体部を介して係止されるよう構成
されている。
そして、例えばプラズマCVD装置では、これ
らの電極板間に半導体ウエハを配置して、処理室
内へ挿入し、所定の反応ガス雰囲気下でリード電
極から電極板間に高周波電力を供給して電極板間
にプラズマを発生させ、CVDを行なう。
らの電極板間に半導体ウエハを配置して、処理室
内へ挿入し、所定の反応ガス雰囲気下でリード電
極から電極板間に高周波電力を供給して電極板間
にプラズマを発生させ、CVDを行なう。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら上記説明の従来のプラズマ電極で
は、例えばステンレスからなる電極板を用いたプ
ラズマ電極では、不純物の拡散が生じデバイスに
悪影響を与えるという問題があり、グラフアイト
からなる電極板を用いたプラズマ電極では、プラ
ズマのスパツタリングによるダストの発生によ
り、歩留まりを悪化させるという問題がある。ま
た、表面にSiＣコーテイングを施されたグラフア
イトからなる電極板を用いたプラズマ電極では、
グラフアイトとSiＣの熱膨張係数の違いのためSi
Ｃの剥離が生じ使用期間が短く制限されるという
問題がある。
は、例えばステンレスからなる電極板を用いたプ
ラズマ電極では、不純物の拡散が生じデバイスに
悪影響を与えるという問題があり、グラフアイト
からなる電極板を用いたプラズマ電極では、プラ
ズマのスパツタリングによるダストの発生によ
り、歩留まりを悪化させるという問題がある。ま
た、表面にSiＣコーテイングを施されたグラフア
イトからなる電極板を用いたプラズマ電極では、
グラフアイトとSiＣの熱膨張係数の違いのためSi
Ｃの剥離が生じ使用期間が短く制限されるという
問題がある。
本発明は、係る従来の事情に対処してなされた
もので、不純物やダストの発生が少なく、デバイ
スに悪影響を与えたり、歩留まりを悪化させるこ
となく、かつ長期間使用することのできるプラズ
マ電極を提供しようとするものである。
もので、不純物やダストの発生が少なく、デバイ
スに悪影響を与えたり、歩留まりを悪化させるこ
となく、かつ長期間使用することのできるプラズ
マ電極を提供しようとするものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明は、処理室内に対向配置され、
高周波電力を印加し、プラズマを生起させるため
の電極板であつて、ほぼ垂直に設けられ表面をチ
タンナイトライドで被覆された電極板と、前記電
極板に設けられ、該電極板と平行する如く半導体
ウエハ下側周縁部を支持する治具と、前記電極板
の上側周縁部に設けられ、前記半導体ウエハをウ
エハ着脱手段により装着するための装着溝とを具
備したことを特徴とする。
高周波電力を印加し、プラズマを生起させるため
の電極板であつて、ほぼ垂直に設けられ表面をチ
タンナイトライドで被覆された電極板と、前記電
極板に設けられ、該電極板と平行する如く半導体
ウエハ下側周縁部を支持する治具と、前記電極板
の上側周縁部に設けられ、前記半導体ウエハをウ
エハ着脱手段により装着するための装着溝とを具
備したことを特徴とする。
（作用）
本発明のプラズマ電極では、電極板の表面がチ
タンナイトライドで被覆されているので、プラズ
マによるスパツタリングによつて電極板から発生
するダストの量を抑制することができる。また、
半導体ウエハを、ウエハピンセツト等のウエハ着
脱手段により、電極板に設けられた装着溝を介し
て挿脱するので、半導体ウエハを電極板の載置面
に対してより水平状態で挿脱でき、プラズマ電極
と半導体ウエハの接触により、プラズマ電極およ
び半導体ウエハが損傷を受ける可能性を低減する
ことができるとともに、ダストの発生を抑制する
ことができる。これによつて、歩留まりの向上を
図ることができる。
タンナイトライドで被覆されているので、プラズ
マによるスパツタリングによつて電極板から発生
するダストの量を抑制することができる。また、
半導体ウエハを、ウエハピンセツト等のウエハ着
脱手段により、電極板に設けられた装着溝を介し
て挿脱するので、半導体ウエハを電極板の載置面
に対してより水平状態で挿脱でき、プラズマ電極
と半導体ウエハの接触により、プラズマ電極およ
び半導体ウエハが損傷を受ける可能性を低減する
ことができるとともに、ダストの発生を抑制する
ことができる。これによつて、歩留まりの向上を
図ることができる。
（実施例）
以下本発明の詳細を図面を参照して一実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
第１図ないし第２図は本発明の一実施例のプラ
ズマ電極を示すもので、この実施例のプラズマ電
極では、例えば直径７mm、流さ１ｍ80cmの棒状の
２本のリード電極１ａ，１ｂが平行に配置され、
これらのリード電極１ａ，１ｂ間には、一枚おき
に異なつた側の一方のリード電極１ａ，１ｂに溶
接等により固着されて電気的に接続され、他方の
リード電極１ｂ，１ａに、これらのリード電極１
ｂ，１ａに挿入された石英等からなる円筒状の絶
縁体部２を介して、その周縁部に、この円筒状の
絶縁体部２の外径に合わせて例えば円弧状等に形
成された切欠部等により係止されて保持された、
直径例えば175mm、厚さ例えば３mm程度の円板状
の電極板３が多数平行に配列されている。
ズマ電極を示すもので、この実施例のプラズマ電
極では、例えば直径７mm、流さ１ｍ80cmの棒状の
２本のリード電極１ａ，１ｂが平行に配置され、
これらのリード電極１ａ，１ｂ間には、一枚おき
に異なつた側の一方のリード電極１ａ，１ｂに溶
接等により固着されて電気的に接続され、他方の
リード電極１ｂ，１ａに、これらのリード電極１
ｂ，１ａに挿入された石英等からなる円筒状の絶
縁体部２を介して、その周縁部に、この円筒状の
絶縁体部２の外径に合わせて例えば円弧状等に形
成された切欠部等により係止されて保持された、
直径例えば175mm、厚さ例えば３mm程度の円板状
の電極板３が多数平行に配列されている。
なお電極板３の周縁上部には、例えば深さ１
mm、幅30mm程度のピンセツトさしこみ溝３ａが形
成されており、電極板３面の下部には、電極板３
に設けられた小孔の両側から挿入され、嵌合固定
される構造の半導体ウエハ支持用石英製治具３ｂ
が、この電極板３表面に同心的に配置される半導
体ウエハ４の周縁部に沿つた位置に、間隔を設け
て２個配置されている。
mm、幅30mm程度のピンセツトさしこみ溝３ａが形
成されており、電極板３面の下部には、電極板３
に設けられた小孔の両側から挿入され、嵌合固定
される構造の半導体ウエハ支持用石英製治具３ｂ
が、この電極板３表面に同心的に配置される半導
体ウエハ４の周縁部に沿つた位置に、間隔を設け
て２個配置されている。
また、これらのリード電極１ａ，１ｂおよび電
極３は、第２図にも示すように、厚さ３〜10μｍ
のチタンナイトライド（TiＮ）の被覆層３ｃによ
り表面に被覆されたカーボンあるいは導電性金属
等の導電性部材３ｄから構成されている。
極３は、第２図にも示すように、厚さ３〜10μｍ
のチタンナイトライド（TiＮ）の被覆層３ｃによ
り表面に被覆されたカーボンあるいは導電性金属
等の導電性部材３ｄから構成されている。
そして、電極板３に沿つて上方から半導体ウエ
ハ４が挿入され、石英治具３ｂに半導体ウエハ４
が載置され、石英等からなるウエハボート５上に
配置される。この時、必要に応じてウエハボート
５に電極板３の間隔毎にＶ字状溝を設ける場合も
ある。
ハ４が挿入され、石英治具３ｂに半導体ウエハ４
が載置され、石英等からなるウエハボート５上に
配置される。この時、必要に応じてウエハボート
５に電極板３の間隔毎にＶ字状溝を設ける場合も
ある。
このような状態のウエハボート５は、例えばプ
ラズマCVD装置等の処理室内に配置され、リー
ド電極１ａ，１ｂが、上記プラズマCVD装置の
ドアフランジ６の端子６ａ，６ｂに固定され電気
的に接続される。そして、この処理室内に例えば
SiH4とNH3等の所定の反応ガスを流通させ、こ
の反応ガス雰囲気下で端子６ａ，６ｂからリード
電極１ａ，１ｂを介して対向する各電極板３間に
例えば13.5MHz等の高周波電力を印加して、プラ
ズマを発生させ、CVD膜の形成等の処理を行う。
ラズマCVD装置等の処理室内に配置され、リー
ド電極１ａ，１ｂが、上記プラズマCVD装置の
ドアフランジ６の端子６ａ，６ｂに固定され電気
的に接続される。そして、この処理室内に例えば
SiH4とNH3等の所定の反応ガスを流通させ、こ
の反応ガス雰囲気下で端子６ａ，６ｂからリード
電極１ａ，１ｂを介して対向する各電極板３間に
例えば13.5MHz等の高周波電力を印加して、プラ
ズマを発生させ、CVD膜の形成等の処理を行う。
上記構成のこの実施例のプラズマ電極では、リ
ード電極１ａ，１ｂ、電極板３が厚さ３〜10μｍ
のチタンナイトライドの被覆層３ｃにより表面を
被覆されたカーボンあるいは導電性金属等の導電
性部材３ｄから構成されている。従つて、リード
電極１ａ，１ｂ、電極板３がプラズマによりスパ
ツタリングを受けて不純物やダストが発生するこ
とがなく、デバイスに悪影響を与えたり、歩留ま
りを悪化させることがない。また表面コーテイン
グ等とは異なり、熱膨張係数等の違いにより剥離
するようなことはなく、長期間使用することがで
きる。
ード電極１ａ，１ｂ、電極板３が厚さ３〜10μｍ
のチタンナイトライドの被覆層３ｃにより表面を
被覆されたカーボンあるいは導電性金属等の導電
性部材３ｄから構成されている。従つて、リード
電極１ａ，１ｂ、電極板３がプラズマによりスパ
ツタリングを受けて不純物やダストが発生するこ
とがなく、デバイスに悪影響を与えたり、歩留ま
りを悪化させることがない。また表面コーテイン
グ等とは異なり、熱膨張係数等の違いにより剥離
するようなことはなく、長期間使用することがで
きる。
なお、この実施例では、円板状の電極板を多数
平行に配列され、プラズマCVD装置に用いられ
るプラズマ電極について説明したが、本発明は、
かかる実施例に限定されるものではなく、電極形
状はどのようなものでもよく、またプラズマ
CVD装置に限らずどのような半導体装置に用い
ることができることはもちろんである。
平行に配列され、プラズマCVD装置に用いられ
るプラズマ電極について説明したが、本発明は、
かかる実施例に限定されるものではなく、電極形
状はどのようなものでもよく、またプラズマ
CVD装置に限らずどのような半導体装置に用い
ることができることはもちろんである。
［発明の効果］
上述のように本発明のプラズマ電極では、プラ
ズマによるスパツタまたは半導体ウエハを挿脱す
る際のプラズマ電極からのダストの発生を抑制す
ることができるので、半導体ウエハに形成される
半導体デバイスにダストが付着することを抑制
し、半導体デバイスの歩留まりの向上を図ること
ができる。
ズマによるスパツタまたは半導体ウエハを挿脱す
る際のプラズマ電極からのダストの発生を抑制す
ることができるので、半導体ウエハに形成される
半導体デバイスにダストが付着することを抑制
し、半導体デバイスの歩留まりの向上を図ること
ができる。
第１図は本発明の一実施例のプラズマ電極を示
す斜視図、第２図は第１図の要部の縦断面図であ
る。 １ａ，１ｂ……リード電極、３……電極板、４
……半導体ウエハ。
す斜視図、第２図は第１図の要部の縦断面図であ
る。 １ａ，１ｂ……リード電極、３……電極板、４
……半導体ウエハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 処理室内に対向配置され、高周波電力を印加
し、プラズマを生起させるための電極板であつ
て、ほぼ垂直に設けられ表面をチタンナイトライ
ドで被覆された電極板と、 前記電極板に設けられ、該電極板と平行する如
く半導体ウエハの下側周縁部を支持する治具と、 前記電極板の上側周縁部に設けられ、前記半導
体ウエハをウエハ着脱手段により装着するための
装着溝と を具備したことを特徴とするプラズマ電極。 ２ 前記電極板は、複数対設けられていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ
電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18090886A JPS6337615A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | プラズマ電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18090886A JPS6337615A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | プラズマ電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337615A JPS6337615A (ja) | 1988-02-18 |
| JPH0556853B2 true JPH0556853B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=16091400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18090886A Granted JPS6337615A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | プラズマ電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6337615A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4955649A (en) * | 1988-02-29 | 1990-09-11 | Tel Sagami Limited | Apparatus for holding plates |
| ITBO20110534A1 (it) | 2011-09-16 | 2013-03-17 | Wam Ind Spa | Elemento di supporto intermedio per una coclea |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5784137A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma chemical evaporation |
| JPS61116843A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Sharp Corp | 絶縁薄膜の製造方法 |
| JPS6157517B2 (ja) * | 1984-06-19 | 1986-12-06 | Aika Kogyo Kk |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6157517U (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-17 |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP18090886A patent/JPS6337615A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5784137A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma chemical evaporation |
| JPS6157517B2 (ja) * | 1984-06-19 | 1986-12-06 | Aika Kogyo Kk | |
| JPS61116843A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Sharp Corp | 絶縁薄膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337615A (ja) | 1988-02-18 |
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