JPS6358920A - プラズマ電極 - Google Patents
プラズマ電極Info
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- JPS6358920A JPS6358920A JP20324786A JP20324786A JPS6358920A JP S6358920 A JPS6358920 A JP S6358920A JP 20324786 A JP20324786 A JP 20324786A JP 20324786 A JP20324786 A JP 20324786A JP S6358920 A JPS6358920 A JP S6358920A
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- electrodes
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 9
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマＣＶＤ装置等の半導体製造装置に利
用されるプラズマ電極に関する。
用されるプラズマ電極に関する。
（従来の技術）
一般にプラズマＣＶＤ装置等の半導体製造装置に用いら
れるプラズマ電極は、例えばステンレス、グラファイト
、表面にＳ、Ｃ（シリコンカーバイド）コーティングを
施されたグラファイト等からなる円板状の電極板を多数
平行に並べ、これらの電極板列に添って平行に配置され
た２本の棒状のリード電極によって電極板を支持するよ
う構成されている。
れるプラズマ電極は、例えばステンレス、グラファイト
、表面にＳ、Ｃ（シリコンカーバイド）コーティングを
施されたグラファイト等からなる円板状の電極板を多数
平行に並べ、これらの電極板列に添って平行に配置され
た２本の棒状のリード電極によって電極板を支持するよ
う構成されている。
これらの電極板は、一つおきに異なる側の一方のリード
電極に溶接により固着され、他方のリード電極には絶縁
体部を介して係止されるよう構成されている。
電極に溶接により固着され、他方のリード電極には絶縁
体部を介して係止されるよう構成されている。
そして、例えばプラズマＣＶＤ装置では、これらの電極
板間に半導体ウェハを配置して、処理室内へ挿入し、反
応ガス雰囲気下でリード電極から電極板間に高周波電力
を供給して電極板間にプラズマを発生させ、ＣＶＤを行
なう。
板間に半導体ウェハを配置して、処理室内へ挿入し、反
応ガス雰囲気下でリード電極から電極板間に高周波電力
を供給して電極板間にプラズマを発生させ、ＣＶＤを行
なう。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら上記説明の従来のプラズマ電極では、例え
ばステンレスからなる電極板を用いたプラズマ電極では
、不純物の拡散が生じデバイスに悪影響を与えるという
問題があり、グラファイトからなる電極板を用いたプラ
ズマ電極では、プラズマのスパッタリングによるダスト
の発生によリ、歩留まりを悪化させるという問題がある
。また、表面にＳ＋ Ｃコーティングを施されたグラフ
ァイトからなる電（※仮を用いたプラズマ電極では、グ
ラフフィトとＳＩＣの熱膨張係数の違いのためＳ１Ｃの
剥離が生じ使用期間が短く制限されるという問題がある
。
ばステンレスからなる電極板を用いたプラズマ電極では
、不純物の拡散が生じデバイスに悪影響を与えるという
問題があり、グラファイトからなる電極板を用いたプラ
ズマ電極では、プラズマのスパッタリングによるダスト
の発生によリ、歩留まりを悪化させるという問題がある
。また、表面にＳ＋ Ｃコーティングを施されたグラフ
ァイトからなる電（※仮を用いたプラズマ電極では、グ
ラフフィトとＳＩＣの熱膨張係数の違いのためＳ１Ｃの
剥離が生じ使用期間が短く制限されるという問題がある
。
本発明は、係る従来の事情に対処してなされたもので、
不純物やダストの発生が少なく、デバイスに悪影響を与
えたり、歩留まりを悪化させることなく、かつ長期間使
用することのできるプラズマ電極を提供しようとするも
のである。
不純物やダストの発生が少なく、デバイスに悪影響を与
えたり、歩留まりを悪化させることなく、かつ長期間使
用することのできるプラズマ電極を提供しようとするも
のである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明は、辺理室内に対向配置された対をなす
電極からなり、この電極間に高周波電力が印加されプラ
ズマを生起させるプラズマ電極において、前記電極を、
表面に耐蝕性酸化被膜を形成されたアルミニウム部材か
ら構成したことを特徴とする。
電極からなり、この電極間に高周波電力が印加されプラ
ズマを生起させるプラズマ電極において、前記電極を、
表面に耐蝕性酸化被膜を形成されたアルミニウム部材か
ら構成したことを特徴とする。
（作用）
本発明のプラズマ電極では、電極を、表面に耐蝕性酸化
被膜を形成されたアルミニウム部材から構成したので、
スパッタリングによる不純物やダストの発生が少なく、
被膜の剥離等も生じることがない。
被膜を形成されたアルミニウム部材から構成したので、
スパッタリングによる不純物やダストの発生が少なく、
被膜の剥離等も生じることがない。
（実施例）
以下本発明の詳細を図面を参照して一実施例について説
明する。
明する。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例のプラズマ電極
を示すもので、この実施例のプラズマ電極では、例えば
陽極酸化等により表面に耐蝕性酸化被膜（アルマイト）
を形成されたアルミニウムからなる２本の直径例えば細
ｍ、長さ１ｍ８０ｃｍの棒状のリード電極１ａ、１ｂが
平行に配置され、これらのリード電極１ａ、１ｂ間には
、同じく表面に耐蝕性酸化被膜を形成されたアルミニウ
ムからなる多数の板状例えば直径１７５ｍｍの円板状の
電極板２が平行に配列されている。
を示すもので、この実施例のプラズマ電極では、例えば
陽極酸化等により表面に耐蝕性酸化被膜（アルマイト）
を形成されたアルミニウムからなる２本の直径例えば細
ｍ、長さ１ｍ８０ｃｍの棒状のリード電極１ａ、１ｂが
平行に配置され、これらのリード電極１ａ、１ｂ間には
、同じく表面に耐蝕性酸化被膜を形成されたアルミニウ
ムからなる多数の板状例えば直径１７５ｍｍの円板状の
電極板２が平行に配列されている。
これらの電極板２周縁部のリード電極１ａ１１ｂによっ
て支持される部位には、第２図にも示すように一方に表
面に耐蝕性酸化被膜を形成されたアルミニウムからなり
リード電極１ａ、１ｂよりやや径大な内径を有し、側壁
を貫通して配置された固定用のネジ３ａを備えた円筒状
のスライダ３が溶接され、他方にリード電極１ａ、１ｂ
の外径に合わせて、例えば直径１６ｍｍの円弧状の切欠
部４が形成されている。なお、電極板２の側縁円上部に
は、例えば深さ１ｍｍ 、幅３０ｍｍ程度のピンセット
さしこみ溝２ａ、板面下方には間隔を設けて２つの半導
体ウェハ支持用石英製治具２ｂが配置されている。この
治具２ｂは、円板状の半導体ウェハ６をフックする構造
になっており、電極板２面に沿って半導体ウェハ６が挿
入されて配置される。
て支持される部位には、第２図にも示すように一方に表
面に耐蝕性酸化被膜を形成されたアルミニウムからなり
リード電極１ａ、１ｂよりやや径大な内径を有し、側壁
を貫通して配置された固定用のネジ３ａを備えた円筒状
のスライダ３が溶接され、他方にリード電極１ａ、１ｂ
の外径に合わせて、例えば直径１６ｍｍの円弧状の切欠
部４が形成されている。なお、電極板２の側縁円上部に
は、例えば深さ１ｍｍ 、幅３０ｍｍ程度のピンセット
さしこみ溝２ａ、板面下方には間隔を設けて２つの半導
体ウェハ支持用石英製治具２ｂが配置されている。この
治具２ｂは、円板状の半導体ウェハ６をフックする構造
になっており、電極板２面に沿って半導体ウェハ６が挿
入されて配置される。
そして第３図にも示すように、リード電極１ａ、１ｂの
一方が、スライダ３内に挿入され、このスライダ３は、
固定用ネジ３ａによってどちらか一方のリード電極１ａ
、１ｂに固定されて電気的に接続が行なわれる。また、
電極電極板２に設けられた切欠部４が石英等から成る円
筒状の絶縁体部５を介して可也方のリード電極」ｂ、１
ａに係止され、電極板２は、ウェハボート７上でリード
電極１ａ、１ｂ間に固定される。なお、電極板２のリー
ド電極１ａ、１ｂに対する電気的接続は、１枚おきに異
なった側のリード電極１ａ、１ｂに接続されるよう配列
される。これは対向する電極板２間でプラズマを生起す
るための電界を形成するからである。
一方が、スライダ３内に挿入され、このスライダ３は、
固定用ネジ３ａによってどちらか一方のリード電極１ａ
、１ｂに固定されて電気的に接続が行なわれる。また、
電極電極板２に設けられた切欠部４が石英等から成る円
筒状の絶縁体部５を介して可也方のリード電極」ｂ、１
ａに係止され、電極板２は、ウェハボート７上でリード
電極１ａ、１ｂ間に固定される。なお、電極板２のリー
ド電極１ａ、１ｂに対する電気的接続は、１枚おきに異
なった側のリード電極１ａ、１ｂに接続されるよう配列
される。これは対向する電極板２間でプラズマを生起す
るための電界を形成するからである。
すなわち、電極板２に設けられた石英治具２ｂに半導体
ウェハ６が載置され、この半導体ウェハ６を支持する電
極板２を石英等からなるウェハボート７とリード電極１
ａ、１ｂとで固定配置するｌｆ’ｔＤとなっている。こ
の時、ウェハボート７に電極板２の間隔毎にＶ字状溝を
設けることも必要に応じて行なわれる。このような状態
のウェハボート７は、例えばプラズマＣＶＤ装置等の処
理至内に挿入配量され、リード電極１ａ、１ｂが上記プ
ラズマＣＶ装置のドアフランジ８の端子８ａ、８ｂに電
気的に接続される。そし・て、このプラズマＣＶＤ装置
内に所定の反応ガスを流動させ、反応ガス雰囲気下で端
子８ａ、８ｂからリード電極１ａ、１ｂを介して電極板
２間に例えば１３．７５）ｆＨｚ等の高周波電力を印加
し、各電極板２間にプラズマを発生させ、ＣＶＤ等の処
理を行う。
ウェハ６が載置され、この半導体ウェハ６を支持する電
極板２を石英等からなるウェハボート７とリード電極１
ａ、１ｂとで固定配置するｌｆ’ｔＤとなっている。こ
の時、ウェハボート７に電極板２の間隔毎にＶ字状溝を
設けることも必要に応じて行なわれる。このような状態
のウェハボート７は、例えばプラズマＣＶＤ装置等の処
理至内に挿入配量され、リード電極１ａ、１ｂが上記プ
ラズマＣＶ装置のドアフランジ８の端子８ａ、８ｂに電
気的に接続される。そし・て、このプラズマＣＶＤ装置
内に所定の反応ガスを流動させ、反応ガス雰囲気下で端
子８ａ、８ｂからリード電極１ａ、１ｂを介して電極板
２間に例えば１３．７５）ｆＨｚ等の高周波電力を印加
し、各電極板２間にプラズマを発生させ、ＣＶＤ等の処
理を行う。
上記構成のこの実施例のプラズマ電極では、リード電極
１ａ、ｌｂ、電極板２、スライダ３がアルマイト処理等
により表面に耐蝕性酸化被膜を形成されたアルミニウム
から構成されている。
１ａ、ｌｂ、電極板２、スライダ３がアルマイト処理等
により表面に耐蝕性酸化被膜を形成されたアルミニウム
から構成されている。
このように、表面に耐蝕性酸化被膜を形成されたアルミ
ニウムからなる部材は、プラズマのスパッタリングによ
る不純物やダストの発生が少なく、デバイスに悪影響を
与えたり、歩留まりを悪化させることがない。また、耐
蝕性酸化被膜は、熱膨張係数等の違いにより剥離するよ
うなことはなく、長期間使用することができる。
ニウムからなる部材は、プラズマのスパッタリングによ
る不純物やダストの発生が少なく、デバイスに悪影響を
与えたり、歩留まりを悪化させることがない。また、耐
蝕性酸化被膜は、熱膨張係数等の違いにより剥離するよ
うなことはなく、長期間使用することができる。
なお、この実施例では、円板状の電（木板を多数平行に
配列され、プラズマＣＶＤ装置等に用いられるプラズマ
電極について説明したが、本発明は、かかる実施例に限
定されるものではなく、重置形状はどのようなものでも
よく、またプラズマＣＶＤ装置に限らずどのような半導
体製造装置に用いることかできることは、もちろんであ
る。
配列され、プラズマＣＶＤ装置等に用いられるプラズマ
電極について説明したが、本発明は、かかる実施例に限
定されるものではなく、重置形状はどのようなものでも
よく、またプラズマＣＶＤ装置に限らずどのような半導
体製造装置に用いることかできることは、もちろんであ
る。
［発明の効果］
上述のように本発明のプラズマ電極では、不鈍物Ａ５ダ
ストの発生が少なく、デバイスに悪影響を与えたり、歩
留まりを悪化させることなく、かつ長期間使用すること
ができる。
ストの発生が少なく、デバイスに悪影響を与えたり、歩
留まりを悪化させることなく、かつ長期間使用すること
ができる。
第１図は本発明の一実施例のプラズマ電極を示す斜視図
、第２図は第１図の要部を拡大して示す斜視図、第３図
は第１図の上面図である。 １ａ、１ｂ・・・・・・リード電極、２・・・・・・電
極板、３・・・・・・スライダ、３ａ・・・・・・固定
用ネジ、４・・・・・・切欠部、５・・・・・・絶縁体
部、６・・・・・・半導体ウェハ。 出願人 東京エレクトロン株式会礼代理人 弁理
士 須 山 佐 − 第１図 第２図 第３図
、第２図は第１図の要部を拡大して示す斜視図、第３図
は第１図の上面図である。 １ａ、１ｂ・・・・・・リード電極、２・・・・・・電
極板、３・・・・・・スライダ、３ａ・・・・・・固定
用ネジ、４・・・・・・切欠部、５・・・・・・絶縁体
部、６・・・・・・半導体ウェハ。 出願人 東京エレクトロン株式会礼代理人 弁理
士 須 山 佐 − 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- （１）処理室内に対向配置された対をなす電極からなり
、この電極間に高周波電力が印加されプラズマを生起さ
せるプラズマ電極において、前記電極を、表面に耐蝕性
酸化被膜を形成されたアルミニウム部材から構成したこ
とを特徴とするプラズマ電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20324786A JPS6358920A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | プラズマ電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20324786A JPS6358920A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | プラズマ電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358920A true JPS6358920A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16470867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20324786A Pending JPS6358920A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | プラズマ電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358920A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0383550A2 (en) * | 1989-02-14 | 1990-08-22 | Nippon Light Metal Co., Ltd. | Plasma forming electrode and method of using the same |
| US4955649A (en) * | 1988-02-29 | 1990-09-11 | Tel Sagami Limited | Apparatus for holding plates |
| US5447595A (en) * | 1992-02-20 | 1995-09-05 | Matsushita Electronics Corporation | Electrodes for plasma etching apparatus and plasma etching apparatus using the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123130A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Fujitsu Ltd | Plasma treating device |
| JPS5784137A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma chemical evaporation |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20324786A patent/JPS6358920A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123130A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Fujitsu Ltd | Plasma treating device |
| JPS5784137A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma chemical evaporation |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4955649A (en) * | 1988-02-29 | 1990-09-11 | Tel Sagami Limited | Apparatus for holding plates |
| EP0383550A2 (en) * | 1989-02-14 | 1990-08-22 | Nippon Light Metal Co., Ltd. | Plasma forming electrode and method of using the same |
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