JPS5933250B2 - コンデンサ型ガスプラズマ処理装置 - Google Patents
コンデンサ型ガスプラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS5933250B2 JPS5933250B2 JP5770177A JP5770177A JPS5933250B2 JP S5933250 B2 JPS5933250 B2 JP S5933250B2 JP 5770177 A JP5770177 A JP 5770177A JP 5770177 A JP5770177 A JP 5770177A JP S5933250 B2 JPS5933250 B2 JP S5933250B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- type gas
- plasma processing
- gas plasma
- processing equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規な電極構造を有するコンデンサ型ガスプ
ラズマ処理装置に関する。
ラズマ処理装置に関する。
従来のコンデンサ型プラズマＣＶＤ装置におけるプラズ
マ発生電極は、１枚のプレートにより構成されている。
マ発生電極は、１枚のプレートにより構成されている。
そのため、プレート周辺と中心部との電界強度が異なり
、それに対向した被処理体に対するプラズマ化された反
応ガスの供給ばらつきが生じて、膜厚などの生成ＣＶＤ
膜品質のばらっきが生ずる欠点がある。この種の問題は
、プラズマアツシヤやプラズマエッチングを行なうコン
デンサ型ガスプラズマ装置において生じ、プラズマ発生
電極が１枚のプレートからなつているために、プラズマ
処理におけるばらつきがどうしても避け得ないものであ
る。
、それに対向した被処理体に対するプラズマ化された反
応ガスの供給ばらつきが生じて、膜厚などの生成ＣＶＤ
膜品質のばらっきが生ずる欠点がある。この種の問題は
、プラズマアツシヤやプラズマエッチングを行なうコン
デンサ型ガスプラズマ装置において生じ、プラズマ発生
電極が１枚のプレートからなつているために、プラズマ
処理におけるばらつきがどうしても避け得ないものであ
る。
それゆえ、本発明の目的は、生成ＣＶＤ膜厚、プラズマ
エッチング量等のばらつきを可及的に小さくすることが
できる新規なコンデンサ型ガスプラズマ処理装置を提供
することにある。このような目的を達成するために本発
明においては、プラズマ発生電極を複数枚のプレートか
ら構成して、それぞれのプレートにそれぞれ電力印加す
ることにより、均一なプラズマを得んとするものである
。
エッチング量等のばらつきを可及的に小さくすることが
できる新規なコンデンサ型ガスプラズマ処理装置を提供
することにある。このような目的を達成するために本発
明においては、プラズマ発生電極を複数枚のプレートか
ら構成して、それぞれのプレートにそれぞれ電力印加す
ることにより、均一なプラズマを得んとするものである
。
以下、本発明の一実施例である縦形構造のコンデンサ型
プラズマＣＶＤ装置について図面を参照しながら詳述す
る。
プラズマＣＶＤ装置について図面を参照しながら詳述す
る。
第１図は、本発明にかかる縦形構造のコンデンサ型プラ
ズマＣＶＤ装置を示す要部側面図である。
ズマＣＶＤ装置を示す要部側面図である。
同図において、１は、本発明の特徴であるプラズマ発生
電極で、第２図にその斜視図を示すように、外観上は１
枚の円板プレートの形状を有しているが、それを５分割
した形状のプレート１ａ〜１ｅから構成されているもの
で、それらは相互にわずかの離間距離をもつて１体化さ
れている。あるいは、各プレート１ａ〜１ｅが絶縁体を
介在して電気的分離された状態をもつて１体化されてい
るものである。２は、上記プラズマ発生電極１に入力す
る電１原で、電源線２ａにより各プレート１ａ〜１ｅに
接続されている。
電極で、第２図にその斜視図を示すように、外観上は１
枚の円板プレートの形状を有しているが、それを５分割
した形状のプレート１ａ〜１ｅから構成されているもの
で、それらは相互にわずかの離間距離をもつて１体化さ
れている。あるいは、各プレート１ａ〜１ｅが絶縁体を
介在して電気的分離された状態をもつて１体化されてい
るものである。２は、上記プラズマ発生電極１に入力す
る電１原で、電源線２ａにより各プレート１ａ〜１ｅに
接続されている。
３は加熱体４により加熱されているホットプレートで、
シリコンウエー・・等の被処理体（試料）５を載置して
いると共に、回転駆動体５により回転するように構成さ
れている。
シリコンウエー・・等の被処理体（試料）５を載置して
いると共に、回転駆動体５により回転するように構成さ
れている。
６はベルジヤで、反応ガス供給体Ｔより反応ガスが供給
され、残留ガス排気体８に連接されているものである。
され、残留ガス排気体８に連接されているものである。
本発明にかかる装置は、ホットプレート３上のシリコン
ウェーハ等の被処理体５が３００℃前後Ｊ に加熱され
回転する。
ウェーハ等の被処理体５が３００℃前後Ｊ に加熱され
回転する。
反応ガスは、プラズマ発生電極１とホットプレート３間
でプラズマ化され、被処理体５上にプラズマＣＶＤ膜を
生成させる。なお残留ガスは真空ポンプを備えている残
留ガス排気体８により排気され、ペルシャー６内は０．
５； トル（Ｔｏｒｒ）程度の低圧状態に維持されてい
る。本発明にかかるプラズマ発生電極１は、相互に電気
的電離されたプレート１ａ〜１ｅからなるために、その
電界（ブラズマ）強度分布は、第３図ａ−ｃに図示する
ようになる。各プレート１ａ〜１ｅの端部では中央部よ
りも電界（プラズマ）強度が下るが、被処理体５はホツ
トプレート３上で回転しているので被処理体に対するプ
ラズマ（電界）強度は、均一なものとなる。したがつて
、本発明にかかる装置においては、プラズマ発生電極１
下の反応ガスを均一にブラズマ化できるため、均一な膜
厚をもつて生成ＣＶＤ膜を形成することができ、膜厚分
布のばらつきを可及的に小さくできる。
でプラズマ化され、被処理体５上にプラズマＣＶＤ膜を
生成させる。なお残留ガスは真空ポンプを備えている残
留ガス排気体８により排気され、ペルシャー６内は０．
５； トル（Ｔｏｒｒ）程度の低圧状態に維持されてい
る。本発明にかかるプラズマ発生電極１は、相互に電気
的電離されたプレート１ａ〜１ｅからなるために、その
電界（ブラズマ）強度分布は、第３図ａ−ｃに図示する
ようになる。各プレート１ａ〜１ｅの端部では中央部よ
りも電界（プラズマ）強度が下るが、被処理体５はホツ
トプレート３上で回転しているので被処理体に対するプ
ラズマ（電界）強度は、均一なものとなる。したがつて
、本発明にかかる装置においては、プラズマ発生電極１
下の反応ガスを均一にブラズマ化できるため、均一な膜
厚をもつて生成ＣＶＤ膜を形成することができ、膜厚分
布のばらつきを可及的に小さくできる。
本発明は、プラズマアツシヤやプラズマエツチングを行
なう装置における角形プラズマ発生電極９についても、
それを複数枚のプレート９ａ〜９ｄにより構成して（第
４図）、ばらつきのない処理を行なうことができる。
なう装置における角形プラズマ発生電極９についても、
それを複数枚のプレート９ａ〜９ｄにより構成して（第
４図）、ばらつきのない処理を行なうことができる。
第１図は本発明の一実施例である縦形構造のコンデンサ
型プラズマＣＶＤ装置を示す要部側面図一第２図は本発
明にかかるプラズマ発生電極を示す斜視図、第３図ａ−
ｃは本発明にかかるプラズマ発生電極における電界（ブ
ラズマ）強度分布を示す図、第４図は、本発明の他の実
施例におけるプラズマ発生電極を示す斜視図である。 １，９・・・プラズマ発生電極、１ａ〜１ｅ，９ａ〜９
ｄ・・・プレート、２・・・電１原、３・・・ホツトプ
レート、４・・・加熱体、５・・・被処理体、６・・・
ベルジヤ、７・・・反応ガス供給体、８・・・残留ガス
排気体。
型プラズマＣＶＤ装置を示す要部側面図一第２図は本発
明にかかるプラズマ発生電極を示す斜視図、第３図ａ−
ｃは本発明にかかるプラズマ発生電極における電界（ブ
ラズマ）強度分布を示す図、第４図は、本発明の他の実
施例におけるプラズマ発生電極を示す斜視図である。 １，９・・・プラズマ発生電極、１ａ〜１ｅ，９ａ〜９
ｄ・・・プレート、２・・・電１原、３・・・ホツトプ
レート、４・・・加熱体、５・・・被処理体、６・・・
ベルジヤ、７・・・反応ガス供給体、８・・・残留ガス
排気体。
Claims (1)
- １ 電気的分離された複数個の電極用プレートからなり
、その電極用プレートにそれぞれ電力印加するコンデン
サ型ガスプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5770177A JPS5933250B2 (ja) | 1977-05-20 | 1977-05-20 | コンデンサ型ガスプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5770177A JPS5933250B2 (ja) | 1977-05-20 | 1977-05-20 | コンデンサ型ガスプラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53143170A JPS53143170A (en) | 1978-12-13 |
| JPS5933250B2 true JPS5933250B2 (ja) | 1984-08-14 |
Family
ID=13063230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5770177A Expired JPS5933250B2 (ja) | 1977-05-20 | 1977-05-20 | コンデンサ型ガスプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933250B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5948535B2 (ja) * | 1980-11-18 | 1984-11-27 | 富士通株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS5810830A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-21 | Seiko Epson Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS58104016A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-21 | Toshiba Corp | 成膜方法および成膜装置 |
| JPS62130277A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-06-12 | Toa Nenryo Kogyo Kk | アモルフアスシリコン薄膜製造方法および装置 |
| JPS63274126A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 高周波印加電極構成体 |
-
1977
- 1977-05-20 JP JP5770177A patent/JPS5933250B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53143170A (en) | 1978-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5933250B2 (ja) | コンデンサ型ガスプラズマ処理装置 | |
| JPH06333857A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JPS6210687B2 (ja) | ||
| JPH10289881A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS622544A (ja) | 無声放電型ガスプラズマ処理装置 | |
| JP3006029B2 (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH02303371A (ja) | 超音波モータ用圧電素子の電極パターンの形成方法 | |
| JPS6147645A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2926711B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP2506389B2 (ja) | マスク基板のドライエッチング方法 | |
| JPH03228321A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS58100430A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS641958Y2 (ja) | ||
| JPH0682635B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
| JPH03214723A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2586081Y2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH05275520A (ja) | 静電吸着装置及びプラズマ処理装置 | |
| JP2924303B2 (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPH0561350B2 (ja) | ||
| JPH0648834Y2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS59161828A (ja) | 反応装置 | |
| JPH05160028A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPS6358920A (ja) | プラズマ電極 | |
| JPH01201920A (ja) | エッチング方法 | |
| JP2906505B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 |