JPH0648834Y2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0648834Y2 JPH0648834Y2 JP1989016877U JP1687789U JPH0648834Y2 JP H0648834 Y2 JPH0648834 Y2 JP H0648834Y2 JP 1989016877 U JP1989016877 U JP 1989016877U JP 1687789 U JP1687789 U JP 1687789U JP H0648834 Y2 JPH0648834 Y2 JP H0648834Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- electrode
- plasma cvd
- wafers
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、半導体デバイスを構成している薄膜を形成す
る平行平板プラズマCVD装置に関するものである。
る平行平板プラズマCVD装置に関するものである。
半導体デバイスを構成する薄膜の一部は平行平板型プラ
ズマCVD装置によって形成されている。以下従来型のプ
ラズマCVD装置について説明する。従来型のプラズマCVD
装置には１枚ずつウエハを処理する枚葉式と、特開昭56
−149306号、特開昭61−135127号および特開昭62−1727
32号に開示されているような第３図に代表される平行平
板型プラズマCVD装置がある。
ズマCVD装置によって形成されている。以下従来型のプ
ラズマCVD装置について説明する。従来型のプラズマCVD
装置には１枚ずつウエハを処理する枚葉式と、特開昭56
−149306号、特開昭61−135127号および特開昭62−1727
32号に開示されているような第３図に代表される平行平
板型プラズマCVD装置がある。
第３図は側面の説明図であり、第３図により成膜の工程
を簡単に説明すると、装置内に反応ガス５を導入しつつ
ガス排気口（図示していない）からガスを抜き、装置内
の圧力を数Torrに保つ。次にウエハ設置電極２と対向電
極３の間に高周波電源６を印加し、プラズマを形成し、
ウエハ１に成膜していく。このとき均熱板４はウエハ１
の裏面に十分安定した熱供給を行っており、ウエハ１の
表に成膜する膜の膜厚、および膜構造を良好にする等の
重要な働きをしている。また７はアースである。この装
置では、ウエハ１を数枚同時に処理できるいという利点
を持っている。
を簡単に説明すると、装置内に反応ガス５を導入しつつ
ガス排気口（図示していない）からガスを抜き、装置内
の圧力を数Torrに保つ。次にウエハ設置電極２と対向電
極３の間に高周波電源６を印加し、プラズマを形成し、
ウエハ１に成膜していく。このとき均熱板４はウエハ１
の裏面に十分安定した熱供給を行っており、ウエハ１の
表に成膜する膜の膜厚、および膜構造を良好にする等の
重要な働きをしている。また７はアースである。この装
置では、ウエハ１を数枚同時に処理できるいという利点
を持っている。
〔考案が解決しようとする課題〕 上述した従来型のプラズマCVD装置では、装置の設置面
積当りのスループット（単位時間当りの処理数）が非常
に低いという問題があった。
積当りのスループット（単位時間当りの処理数）が非常
に低いという問題があった。
本考案はこのような従来装置の問題点を解決するために
提案されたものであり、ウエハ処理のスループットを改
善するプラズマCVD装置を提供することを課題とするも
のである。
提案されたものであり、ウエハ処理のスループットを改
善するプラズマCVD装置を提供することを課題とするも
のである。
本考案は上述の問題点を解決するもので、平行平板型プ
ラズマCVD装置に適用され、次の技術手段を採った。す
なわち、 １枚に複数個のウエハを保持可能とするウエハ設置孔を
備えたウエハ設置電極を少なくとも２枚以上設け、該ウ
エハ設置電極に対向する電極を少なくとも１枚以上備え
る構造としたことを特徴とするプラズマCVD装置であ
る。
ラズマCVD装置に適用され、次の技術手段を採った。す
なわち、 １枚に複数個のウエハを保持可能とするウエハ設置孔を
備えたウエハ設置電極を少なくとも２枚以上設け、該ウ
エハ設置電極に対向する電極を少なくとも１枚以上備え
る構造としたことを特徴とするプラズマCVD装置であ
る。
本考案は上述の構造に構成したので、同時に多くのウエ
ハを処理することが可能となり、従来装置に比較して、
ウエハ処理能力は大幅に改善される。すなわち、設置面
積当りのスループットの大幅な改善を図ることができ
る。
ハを処理することが可能となり、従来装置に比較して、
ウエハ処理能力は大幅に改善される。すなわち、設置面
積当りのスループットの大幅な改善を図ることができ
る。
第１図は本考案の実施例１の説明図を示し、第１図
（ａ）は側面図、第１図（ｂ）はウエハ設置電極の平面
図である。なお、ウエハ設置電極２は従来例と同一のも
のである。第１図（ａ）はウエハ設置電極２を２枚、対
向電極３を１枚、均熱板４を２枚設けたもので、反応ガ
ス５、高周波電源６等は第３図と同じである。
（ａ）は側面図、第１図（ｂ）はウエハ設置電極の平面
図である。なお、ウエハ設置電極２は従来例と同一のも
のである。第１図（ａ）はウエハ設置電極２を２枚、対
向電極３を１枚、均熱板４を２枚設けたもので、反応ガ
ス５、高周波電源６等は第３図と同じである。
第２図は本考案の各実施例の説明図であり、それぞれ第
２図（ａ）は実施例１、第２図（ｂ）は実施例２、第２
図（ｃ）は実施例３、第２図（ｄ）は実施例４を示し、
何れも各電極配置の部分拡大図である。
２図（ａ）は実施例１、第２図（ｂ）は実施例２、第２
図（ｃ）は実施例３、第２図（ｄ）は実施例４を示し、
何れも各電極配置の部分拡大図である。
実施例１および実施例２は、それぞれウエハ設置電極２
を２枚、対向電極３を１枚備えた装置であり、実施例２
は周辺に絶縁膜８を付着させたウエハ１を処理する場合
を示し、さらに、一部ウエハ１の裏面を低抵抗で熱伝導
および熱輻射の良好な電極板９で被覆したものである。
を２枚、対向電極３を１枚備えた装置であり、実施例２
は周辺に絶縁膜８を付着させたウエハ１を処理する場合
を示し、さらに、一部ウエハ１の裏面を低抵抗で熱伝導
および熱輻射の良好な電極板９で被覆したものである。
また、実施例３および実施例４は、それぞれウエハ設置
電極２を４枚、対向電極３を２枚備えた装置であり、実
施例４は実施例２と同様に周辺に絶縁膜８を付着させた
ウエハ１を処理する場合を示し、一部ウエハ１の裏面を
低抵抗で熱伝導および熱輻射の良好な電極板９で被覆し
ている。
電極２を４枚、対向電極３を２枚備えた装置であり、実
施例４は実施例２と同様に周辺に絶縁膜８を付着させた
ウエハ１を処理する場合を示し、一部ウエハ１の裏面を
低抵抗で熱伝導および熱輻射の良好な電極板９で被覆し
ている。
これらの装置を用いて、ウエハ１の成膜実験を行なっ
た。その結果を第１表および第２表に示す。
た。その結果を第１表および第２表に示す。
従来例では、ウエハの処理枚数は６枚であるのに対し、
本考案では12枚および24枚となり、占有面積当りのウエ
ハ処理枚数に換算すると、本考案装置は従来の２〜４倍
の処理能力を持つことが分かる。
本考案では12枚および24枚となり、占有面積当りのウエ
ハ処理枚数に換算すると、本考案装置は従来の２〜４倍
の処理能力を持つことが分かる。
ウエハを設置する電極および対向電極の材料は熱伝導性
のよいものであれば限定はしない。また、ウエハを設置
する電極および対向電極の構造は、各ウエハへ安定した
プラズマを供給し、かつ、熱の供給を妨げない構造であ
ればよい。
のよいものであれば限定はしない。また、ウエハを設置
する電極および対向電極の構造は、各ウエハへ安定した
プラズマを供給し、かつ、熱の供給を妨げない構造であ
ればよい。
第１図（ｂ）および第１図（ｄ）に示すように、同一バ
ッチ内に絶縁膜８などを形成しているために、電界分布
を乱すようなウエハが存在する場合は、電極板９を用い
てウエハ１の裏面を同電位にし、かつ、熱の供給を妨げ
ないようにすることが望ましい。
ッチ内に絶縁膜８などを形成しているために、電界分布
を乱すようなウエハが存在する場合は、電極板９を用い
てウエハ１の裏面を同電位にし、かつ、熱の供給を妨げ
ないようにすることが望ましい。
本考案は次のような優れた効果を奏する。
装置の占有面積当りのウエハ処理枚数を大幅に増加さ
せることが可能となり、スループットの大幅な改善を図
ることができる。
せることが可能となり、スループットの大幅な改善を図
ることができる。
経歴の異なるウエハを同時に処理することができ、か
つ、何れのウエハも膜厚のバラツキの少ない良質の成膜
を行うことができる。
つ、何れのウエハも膜厚のバラツキの少ない良質の成膜
を行うことができる。
第１図は本考案の実施例１の説明図を示し、第１図
（ａ）は側面図、第１図（ｂ）はウエハ設置電極の平面
図、第２図（ａ）〜第２図（ｄ）は本考案の実施例の異
なる例の各電極配置の部分拡大図、第３図は従来例の側
面の説明図である。 １……ウエハ、２……ウエハ設置電極 ３……対向電極、４……均熱板 ５……反応ガス、６……高周波電源 ７……アース、８……絶縁膜 ９……電極板 ｌ……電極間隔
（ａ）は側面図、第１図（ｂ）はウエハ設置電極の平面
図、第２図（ａ）〜第２図（ｄ）は本考案の実施例の異
なる例の各電極配置の部分拡大図、第３図は従来例の側
面の説明図である。 １……ウエハ、２……ウエハ設置電極 ３……対向電極、４……均熱板 ５……反応ガス、６……高周波電源 ７……アース、８……絶縁膜 ９……電極板 ｌ……電極間隔
Claims (1)
- 【請求項１】平行平板型プラズマCVD装置において、１
枚に複数個のウエハを保持可能とするウエハ設置孔を備
えたウエハ設置電極を少なくとも２枚以上設け、該ウエ
ハ設置電極に対向する電極を少なくとも１枚以上備える
構造としたことを特徴とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989016877U JPH0648834Y2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989016877U JPH0648834Y2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02108335U JPH02108335U (ja) | 1990-08-29 |
| JPH0648834Y2 true JPH0648834Y2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=31230188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989016877U Expired - Fee Related JPH0648834Y2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648834Y2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258924A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-20 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH0719751B2 (ja) * | 1984-07-02 | 1995-03-06 | 鐘淵化学工業株式会社 | 成膜方法 |
| JPS6257213A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH01127237U (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-31 |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1989016877U patent/JPH0648834Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02108335U (ja) | 1990-08-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |